專利名稱：電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種電子電路領(lǐng)域，特別是有關(guān)于一種應(yīng)用于串聯(lián)供電系統(tǒng)中，在電池溫度較高、電量低、充電系統(tǒng)有問(wèn)題或者電池壞掉的情況下，仍能由外接電源通過(guò)本發(fā)明使系統(tǒng)正常工作。
背景技術(shù)：
隨著科技的快速發(fā)展，已經(jīng)發(fā)展出了許多高精密度的電子儀器，如筆記型計(jì)算機(jī)(Notebook)、個(gè)人數(shù)字化助理(Personal Digital Assistant，PDA)，這些高精度的電子儀器在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)非常廣泛，對(duì)我們的生活已經(jīng)有了很大的影響，特別是筆記本計(jì)算機(jī)與個(gè)人數(shù)字化助理的廣泛應(yīng)用，給我們的日常生活與工作帶來(lái)了很大的方便，已經(jīng)成為我們生活與工作不可缺少的一部分，而這些儀器的正常工作，往往需要不間斷的穩(wěn)定的工作電源向其提供可靠的電壓。
眾所周知，大多電子設(shè)備都設(shè)有一較大容量的可充電電池，筆記本計(jì)算機(jī)與個(gè)人數(shù)字化助理也不例外，而現(xiàn)有技術(shù)在對(duì)串聯(lián)系統(tǒng)的筆記本計(jì)算機(jī)與個(gè)人數(shù)字化助理進(jìn)行充電時(shí)其供電方式為如圖1A所示，先將電池充電系統(tǒng)(charger)接設(shè)于外接電源，則外接電源會(huì)給電池充電系統(tǒng)供電，然后由電池充電系統(tǒng)給電池充電，最后由電池經(jīng)過(guò)系統(tǒng)內(nèi)部供電電路給整個(gè)系統(tǒng)供電。但是這些高精度電子儀器隨著技術(shù)水準(zhǔn)的提升，其運(yùn)作的效率也日益增加，而其所產(chǎn)生的熱量也隨著增加，電子儀器的溫度大大提升，而溫度對(duì)電池與供電系統(tǒng)的影響非常大，也就是說(shuō)隨著時(shí)間的推移，所消耗的能量不斷增加，所產(chǎn)生的熱量也不斷增加，且所產(chǎn)生的熱量會(huì)使電池的溫度不斷提升，當(dāng)電池的溫度達(dá)到一定值的時(shí)，電池供電系統(tǒng)會(huì)發(fā)出報(bào)警信號(hào)，電池供電系統(tǒng)的保護(hù)電路會(huì)啟動(dòng)，切斷電池供電系統(tǒng)對(duì)電池的供電，如圖1B所示，以免電池因過(guò)熱而被損壞，在上述串聯(lián)供電方式下，電池充電系統(tǒng)切斷對(duì)電池供電且當(dāng)時(shí)電池電量也過(guò)低的情況下，不管外接電源有無(wú)存在于充電系統(tǒng)都會(huì)造成系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī)的問(wèn)題，且在充電系統(tǒng)有問(wèn)題或者電池壞掉的情況下，不管外接電源有無(wú)存在于充電系統(tǒng)，也會(huì)造成系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)機(jī)的問(wèn)題，這樣就會(huì)造成很多不便。
有鑒于此，實(shí)有必要提出一種在電池溫度較高、電量低時(shí)、充電系統(tǒng)有問(wèn)題或者電池壞掉的情況下，且系統(tǒng)有外接電源的時(shí)，系統(tǒng)仍能正常開(kāi)啟且適于使用的電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)以上情況，提出了一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其包括一電源偵測(cè)電路、一供電模式控制電路與一串并聯(lián)切換電路，所述的電源偵測(cè)電路設(shè)有一輸入端口及一輸出端口，其中，輸入端口連接被偵測(cè)的電源，而輸出端口則用來(lái)輸出控制信號(hào)，所述的供電模式控制電路設(shè)有數(shù)個(gè)輸入端口及一輸出端口，其中，一輸入端口用于連接電源偵測(cè)電路的輸出端口，其余輸入端口用于接收系統(tǒng)的控制信號(hào)，而輸出端口則用來(lái)輸出判斷后的控制信號(hào)，所述的串并聯(lián)切換電路設(shè)有一輸入端口及一輸出端口，其中，輸入端口連接于供電模式控制電路的輸出端口，而輸出端口則用來(lái)與負(fù)載電路連接，透過(guò)本發(fā)明之一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，可以在電池溫度較高、電量較低、充電系統(tǒng)有問(wèn)題或者電池壞掉的情況下，且有外接電源接入系統(tǒng)的情況下，仍能正常開(kāi)啟系統(tǒng)。
本發(fā)明的另一目的，在提供一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其串并聯(lián)切換電路將MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體廠效應(yīng)管)Q31的柵極與MOSFETQ33的柵極相連接作為該串并聯(lián)切換電路的輸入端口，該輸入端口與供電模式控制電路的輸出端口連接，且在MOSFETQ31的柵極與MOSFETQ33的柵極之間并聯(lián)一接地電阻R32，該MOSFETQ31的源極作接地連接，該MOSFETQ31的漏極與MOSFETQ32的柵極連接，且MOSFETQ31的漏極與MOSFETQ32的柵極之間并聯(lián)一與外接電源連接的電阻R31，該MOSFETQ32的源極與外接電源連接，該MOSFETQ32的漏極與負(fù)載電路之間串聯(lián)一二極管D31，該二極管D31的陰極與MOSFETQ33的源極連接，該MOSFETQ33的漏極與大容量可充電電池組一端口連接，且在MOSFETQ33的源極與漏極之間并聯(lián)一二極管D32，且在MOSFETQ33的漏極與大容量可充電電池組之間并聯(lián)一接地耦合電容C3，以令使用時(shí)，可以在電池溫度較高、電量較低、充電系統(tǒng)有問(wèn)題或者電池壞掉的情況下，且有外接電源接入系統(tǒng)的情況下，仍能正常開(kāi)啟系統(tǒng)。
關(guān)本發(fā)明的特征與實(shí)作，茲配合圖示作最佳實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如下。

圖1A為現(xiàn)有系統(tǒng)接外部電源正常情況下的供電示意圖。
圖1B為現(xiàn)有系統(tǒng)接外部電源在電池溫度較高、電壓較低的情況下的供電示意圖。
圖2為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的方案一的電路圖。
圖3為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路在實(shí)施例中的方案一的具體之電路圖。
圖4為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的方框流程圖。
圖5A為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的并聯(lián)架構(gòu)工作流程示意圖。
圖5B為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的串聯(lián)架構(gòu)工作流程示意圖。
圖6為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的方案二之電路圖。
圖7為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路在實(shí)施例中的方案二的具體的電路圖。
具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
實(shí)施本發(fā)明的第一實(shí)施例。
請(qǐng)參閱圖2、圖3、圖4，圖2為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的方案一的電路圖，圖3為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路在實(shí)施例中的方案一的具體的電路圖，圖4為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的方框流程圖。
本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路包括電源偵測(cè)電路11、供電模式控制電路12與串并聯(lián)切換電路13。
該電源偵測(cè)電路11設(shè)有一輸入端口及一輸出端口，輸入端口連接被偵測(cè)的電源，而輸出端口則用來(lái)輸出控制信號(hào)。
該電源偵測(cè)電路11包括一偵測(cè)芯片U1，該偵測(cè)芯片U1為一具有基準(zhǔn)電壓的比較芯片，該偵測(cè)芯片U1可以有多種，比如本實(shí)施例中使用的型號(hào)為XC61CC3902NR的電壓檢測(cè)器，本實(shí)施例使用的偵測(cè)芯片XC61CC3902NR有4個(gè)引腳，分別為輸入引腳、輸出引腳、接地引腳及擴(kuò)充引腳，該偵測(cè)芯片XC61CC3902NR的輸入引腳作為該電源偵測(cè)電路11的輸入端口與外接電源10連接，該偵測(cè)芯片XC61CC3902NR的輸出引腳與MOSFETQ1的柵極連接，且輸出引腳與MOSFETQ1的柵極之間并聯(lián)一接地電阻R11，該MOSFETQ1的源極作接地連接，在MOSFETQ1的漏極引出一輸出端口作為該電源偵測(cè)電路11的輸出端口與下一級(jí)電路連接，且在MOSFETQ1的漏極與下一級(jí)電路之間并聯(lián)一與外接電源50連接的電阻R12，在電路工作時(shí)，偵測(cè)芯片XC61CC3902NR的基準(zhǔn)電壓已經(jīng)設(shè)定，當(dāng)偵測(cè)到外部電壓高于基準(zhǔn)電壓時(shí)，偵測(cè)芯片XC61CC3902NR的輸出腳1腳輸出高電平，并送到MOSFETQ1的柵極，MOSFETQ1導(dǎo)通，MOSFETQ1的漏極輸出低電平給下一級(jí)電路，同時(shí)該電源偵測(cè)電路11完成對(duì)外接電源10的偵測(cè)，當(dāng)偵測(cè)到外部電壓低于基準(zhǔn)電壓時(shí)，MOSFETQ1的漏極輸出高電平給下一級(jí)電路，說(shuō)明外接電源沒(méi)有或者不能使用。
該供電模式控制電路12包括一芯片U2，該芯片U2為具有或門(mén)(OR門(mén))功能的電路，該芯片U2可以有多種，比如本實(shí)施例中使用的型號(hào)為NC7S32P5X的芯片，本實(shí)施例使用的芯片NC7S32P5X有5個(gè)引腳，分別為輸入引腳1與輸入引腳2、輸出引腳、接地引腳及電源引腳，該芯片NC7S32P5X的電源引腳與系統(tǒng)電源50連接，該芯片NC7S32P5X的輸入引腳1作為該供電模式控制電路12的第一輸入端口與電源偵測(cè)電路11的輸出端口連接，該芯片NC7S32P5X的輸入引腳2作為該供電模式控制電路12的第二輸入端口接收來(lái)自系統(tǒng)的第一控制信號(hào)121，該芯片NC7S32P5X的輸出引腳連接于MOSFETQ2的柵極，該MOSFETQ2的源極作接地連接，且在MOSFETQ2的漏極引出一輸出端口作為該供電模式控制電路12的輸出端口與下一級(jí)電路連接，且MOSFETQ2的漏極與下一級(jí)電路之間并聯(lián)一與外接電源10連接的電阻R21，在電路工作時(shí)，當(dāng)?shù)谝惠斎攵丝谂c第二輸入端口接收的信號(hào)均為低電平時(shí)，芯片NC7S32P5X的輸出引腳輸出低電平，MOSFETQ2不導(dǎo)通，該供電模式控制電路12的輸出端口輸出為高電平給下一級(jí)電路，其余情況，該供電模式控制電路12的輸出端口輸出均為低電平。
該串并聯(lián)切換電路13將MOSFETQ31的柵極與MOSFETQ33的柵極相連作為該串并聯(lián)切換電路13的輸入端口，且MOSFETQ31的柵極與MOSFETQ33的柵極之間并聯(lián)一接地電阻R32，且該輸入端口與供電模式控制電路12的輸出端口連接，該MOSFETQ31的源極作接地連接，該MOSFETQ31的漏極與MOSFETQ32的柵極連接，且在MOSFETQ31的漏極與MOSFETQ32的柵極之間并聯(lián)一與外接電源10連接的電阻R31，該MOSFETQ32的源極與外接電源10連接，該MOSFETQ32的漏極與負(fù)載電路40之間串聯(lián)一二極管D31，該二極管D31的陰極與MOSFETQ33的源極連接，該MOSFETQ33的漏極與大容量可充電電池組30之一端口連接，且該MOSFETQ33的源極與漏極之間并聯(lián)一二極管D32，且該MOSFETQ33的漏極與大容量可充電電池組30之間并聯(lián)一接地耦合電容C31，在電路工作時(shí)，當(dāng)輸入端口接收的控制信號(hào)為高電平時(shí)，MOSFETQ33截止，而MOSFETQ31導(dǎo)通，MOSFETQ31的漏極輸出為低電平，則MOSFETQ32導(dǎo)通，此時(shí)的供電架構(gòu)為外部電源供電的并聯(lián)供電架構(gòu)，供電流程圖如圖5A所示，當(dāng)輸入端口接收的控制信號(hào)為低電平時(shí)，MOSFETQ33導(dǎo)通，MOSFETQ31截止，MOSFETQ31的漏極輸出為高電平，則MOSFETQ32截止，此時(shí)供電架構(gòu)為電池供電的串聯(lián)供電架構(gòu)，供電流程圖如圖5B所示。
在本實(shí)施例中，上述的MOSFETQ1、Q2、Q31為N溝道MOSFET，MOSFETQ32、Q33為P溝道MOSFET。
本發(fā)明的第二實(shí)施例。
請(qǐng)參閱圖6、圖7、圖4，圖6為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的方案二的電路圖，圖7為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路在實(shí)施例中的方案二的具體的電路圖，圖4為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的方框流程圖。
本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路包括電源偵測(cè)電路11、供電模式控制電路12與串并聯(lián)切換電路13。
該電源偵測(cè)電路11設(shè)有一輸入端口及一輸出端口，輸入端口連接被偵測(cè)的電源，而輸出端口則用來(lái)輸出控制信號(hào)。
該電源偵測(cè)電路11包括一偵測(cè)芯片U1，該偵測(cè)芯片U1為一具有基準(zhǔn)電壓的比較芯片，該偵測(cè)芯片U1可以有多種，比如本實(shí)施例中使用的型號(hào)為XC61CC3902NR的電壓檢測(cè)器，本實(shí)施例使用的偵測(cè)芯片XC61CC3902NR有4個(gè)引腳，分別為輸入引腳、輸出引腳、接地引腳及擴(kuò)充引腳，該偵測(cè)芯片XC61CC3902NR的輸入引腳作為該電源偵測(cè)電路11的輸入端口與外接電源10連接，該偵測(cè)芯片XC61CC3902NR的輸出引腳作為該電源偵測(cè)電路11的輸出端口與下一級(jí)電路連接，且輸出端口與下一級(jí)電路之間并聯(lián)一接地電阻R11，在電路工作時(shí)，偵測(cè)芯片XC61CC3902NR的基準(zhǔn)電壓已經(jīng)設(shè)定，當(dāng)偵測(cè)到外部電壓高于基準(zhǔn)電壓時(shí)，偵測(cè)芯片XC61CC3902NR的輸出引腳1腳輸出高電平給下一級(jí)電路，同時(shí)該電源偵測(cè)電路11完成對(duì)外接電源10的偵測(cè)，當(dāng)偵測(cè)到外部電壓低于基準(zhǔn)電壓時(shí)，該電源偵測(cè)電路11的輸出端口輸出低電平給下一級(jí)電路，說(shuō)明外接電源沒(méi)有或者不能使用。
該供電模式控制電路12包括兩個(gè)反向器U21、U22，U21、U22可以有多種，比如本實(shí)施例中使用的型號(hào)為SN74AHC1G14的反向器，其中，反向器U21的輸入端口作為該供電模式控制電路的第一輸入端口接收來(lái)自系統(tǒng)的第一控制信號(hào)121，且其輸出端口與芯片U23的第一輸入端口連接，反向器U22的輸入端口作為該供電模式控制電路的第二輸入端口接收來(lái)自系統(tǒng)的第二控制信號(hào)122，且其輸出端口與芯片U23的第二輸入端口連接，芯片U23的輸出端口與芯片U24的第一輸入端口連接，該芯片U24的第二輸入端口作為該供電模式控制電路的第三輸入端口與電源偵測(cè)電路的輸出端口連接，而芯片U24的輸出端口作為該供電模式控制電路的輸出端口與下一級(jí)電路連接，芯片U23、U34可以有多種，比如在本實(shí)施方案中所使用的型號(hào)為SN74AHC1G08的集成電路，在電路工作時(shí)，當(dāng)?shù)谝惠斎攵丝谂c第二輸入端口接收的信號(hào)均為低電平時(shí)，且第三輸入接收的信號(hào)為高電平時(shí)，該供電模式控制電路12的輸出端口輸出信號(hào)為高電平，說(shuō)明電池溫度較高且有外接電源，其余情況，該供電模式控制電路12的輸出端口輸出信號(hào)均為低電平。
本方案二的串并聯(lián)切換電路13的架構(gòu)與工作方式均與方案一的串并聯(lián)切換電路13相同，在此不在贅述。
在本實(shí)施例中，上述的MOSFETQ31為N溝道MOSFET，Q32、Q33為P溝道MOSFET。
以上所述，僅為本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的較佳的具體實(shí)施模式，但本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可以輕易想到的變化或者替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的保護(hù)范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書(shū)保護(hù)的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于其包括一電源偵測(cè)電路，其設(shè)有一輸入端口及一輸出端口，其中，輸入端口連接被偵測(cè)的電源，而輸出端口則用來(lái)輸出控制信號(hào)；一供電模式控制電路，其設(shè)有數(shù)個(gè)輸入端口及一輸出端口，其中，一輸入端口用于連接電源偵測(cè)電路的輸出端口，其余輸入端口用于接收系統(tǒng)的控制信號(hào)，而輸出端口則用來(lái)輸出判斷后的控制信號(hào)；一串并聯(lián)切換電路，其設(shè)有一輸入端口及一輸出端口，其中，輸入端口連接于供電模式控制電路的輸出端口，而輸出端口則用來(lái)與負(fù)載電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的電源偵測(cè)電路包括一偵測(cè)芯片U1，該偵測(cè)芯片U1的輸入端口作為該電源偵測(cè)電路的輸入端口與外接電源連接，該偵測(cè)芯片U1的輸出端口與MOSFETQ1的柵極連接，且U1的輸出端口與MOSFETQ1的柵極之間并聯(lián)一接地電阻R11，該MOSFETQ1的源極作接地連接，且在MOSFETQ1的漏極引出一輸出端口作為該電源偵測(cè)電路的輸出端口與下一級(jí)電路連接，且其漏極與系統(tǒng)電源之間串聯(lián)一電阻R12。
3.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)2所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的偵測(cè)芯片U1為具有基準(zhǔn)電壓的電壓比較芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)2所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的MOSFETQ1為N溝道的MOSFET。
5.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的電源偵測(cè)電路包括一偵測(cè)芯片U1，該偵測(cè)芯片U1的輸入端口作為該電源偵測(cè)電路的輸入端口與外接電源連接，該偵測(cè)芯片U1的輸出端口作為該電源偵測(cè)電路的輸出端口與下一級(jí)電路連接，且偵測(cè)芯片U1的輸出端口與下一級(jí)電路之間并聯(lián)一接地電阻R11。
6.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)5所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的偵測(cè)芯片U1為具有基準(zhǔn)電壓的電壓比較芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的供電模式控制電路包括一芯片U2，該芯片U2有兩個(gè)輸入端口及一輸出端口，這兩個(gè)輸入端口作為該供電模式控制電路的兩輸入端口，一輸入端口連接于電源偵測(cè)電路的輸出端口，另一輸入端口接收來(lái)自系統(tǒng)的第一控制信號(hào)，而輸出端口則與下一級(jí)電路連接，且MOSFETQ2的漏極與下一級(jí)電路之間并聯(lián)一與外接電源連接的電阻R21。
8.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)7所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的芯片U2為具有OR門(mén)功能的電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)7所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的MOSFETQ2為N溝道的MOSFET。
10.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的供電模式控制電路包括兩個(gè)反向器U21、U22，其特征在于反向器U21的輸入端口作為該供電模式控制電路的第一輸入端口接收來(lái)自系統(tǒng)的第一控制信號(hào)，且其輸出端口與芯片U23的第一輸入端口連接，反向器U22的輸入端口作為該供電模式控制電路的第二輸入端口接收來(lái)自系統(tǒng)的第二控制信號(hào)，且其輸出端口與芯片U23的第二輸入端口連接，芯片U23的輸出端口與芯片U24的第一輸入端口連接，該芯片U24的第二輸入端口作為該供電模式控制電路的第三輸入端口與電源偵測(cè)電路的輸出端口連接，而芯片U24的輸出端口作為該供電模式控制電路的輸出端口與下一級(jí)電路連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)10所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的芯片U23為具有AND門(mén)功能的電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)10所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的芯片U24為具有AND門(mén)功能的電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)1所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的串并聯(lián)切換電路將將MOSFETQ31的柵極與MOSFETQ33的柵極連接作為該串并聯(lián)切換電路的輸入端口，該輸入端口與供電模式控制電路的輸出端口連接，且在MOSFETQ31的柵極與MOSFETQ33的柵極之間并聯(lián)一接地電阻R32，該MOSFETQ31的源極作接地連接，該MOSFETQ31的漏極與MOSFETQ32的柵極連接，且在MOSFETQ31的漏極與MOSFETQ32的柵極之間并聯(lián)一與外接電源連接的電阻R31，該MOSFETQ32的源極與外接電源連接，該MOSFETQ32的漏極與負(fù)載電路之間串聯(lián)一二極管D31，該二極管D31的陰極與MOSFETQ33的源極連接，該MOSFETQ33的漏極與大容量可充電電池組一端口連接，且在MOSFETQ33的源極與漏極之間并聯(lián)一二極管D32，且在MOSFETQ33的漏極與大容量可充電電池組之間并聯(lián)一接地耦合電容C3。
14.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)13所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的MOSFETQ31為N溝道的MOSFET。
15.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)13所述的電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其特征在于所述的MOSFETQ32為P溝道的MOSFET，所述的MOSFETQ33為P溝道的MOSFET。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電源偵測(cè)串并聯(lián)切換電路，其包括一電源偵測(cè)電路、一供電模式控制電路與一串并聯(lián)切換電路，所述的電源偵測(cè)電路設(shè)有一輸入端口及一輸出端口，其中，輸入端口連接被偵測(cè)的電源，而輸出端口則用來(lái)輸出控制信號(hào)，所述的供電模式控制電路設(shè)有數(shù)個(gè)輸入端口及一輸出端口，其中，一輸入端口用于連接電源偵測(cè)電路的輸出端口，其余輸入端口用于接收系統(tǒng)的控制信號(hào)，而輸出端口則用來(lái)輸出判斷后的控制信號(hào)，所述的串并聯(lián)切換電路設(shè)有一輸入端口及一輸出端口，其中，輸入端口連接于供電模式控制電路的輸出端口，而輸出端口則用來(lái)與負(fù)載電路連接。
文檔編號(hào)H02J9/06GK101079555SQ20061003562
公開(kāi)日2007年11月28日 申請(qǐng)日期2006年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月26日
發(fā)明者林宏毅 申請(qǐng)人:佛山市順德區(qū)順達(dá)電腦廠有限公司, 神達(dá)電腦股份有限公司