11之間以及柵極搭界13與第二薄膜晶體管B的源極23之間均具有重疊區(qū)，漏極引線12與第二薄膜晶體管B的漏極24相連，但本實用新型不限于此。在本實用新型第二實施例中，如圖8所示，也可以是，漏極引線12與第二薄膜晶體管B的漏極24之間斷開形成缺口 30，柵極搭界13對應(yīng)于該缺口 30設(shè)置，柵極搭界13與漏極引線12之間以及柵極搭界13與第二薄膜晶體管B的漏極24之間均具有重疊區(qū)，源極引線11與第二薄膜晶體管B的源極23相連。
[0037]如圖1所示，該顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括兩個薄膜晶體管A、B，在正常情況下，第一薄膜晶體管A工作，第二薄膜晶體管B作為備用的薄膜晶體管，第二薄膜晶體管B由于存在缺口 30而斷路。在源極引線11與第一薄膜晶體管A的源極23相連處形成備用打斷區(qū)(如圖中a區(qū)域)，在柵極搭界13與源極引線11及第二薄膜晶體管B的源極23重疊區(qū)形成備用連通區(qū)(如圖中b區(qū)域)。當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管A因缺陷造成短路或其他缺陷失效時，可以使用修復(fù)手段，如鐳射切割機的激光切斷功能，將源極引線11與第一薄膜晶體管A的源極23相連的a區(qū)域打斷，使源極引線11與第一薄膜晶體管A的源極23斷開；同時使用修復(fù)手段，如鐳射切割機的焊接功能，在備用連通區(qū)進行焊接，將柵極搭界13兩端分別與源極引線11及第二薄膜晶體管B的源極23在b區(qū)域形成短路，使源極引線11與第二薄膜晶體管B的源極23之間通過柵極搭界13電連接，從而使第一薄膜晶體管A斷路，第二薄膜晶體管B連通，實現(xiàn)啟用備用的第二薄膜晶體管B，因此可以徹底修復(fù)壞點。
[0038]該顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)還包括掃描線(圖未示)、數(shù)據(jù)線(圖未示)和像素電極15，第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管B的柵極22與該掃描線電連接，源極引線11與該數(shù)據(jù)線電連接，漏極引線12與該像素電極15電連接。
[0039]如圖1所示，在本實施例中，第一薄膜晶體管A的柵極22和第二薄膜晶體管B的柵極22之間通過柵極引線25連為一體。
[0040]在本實施例中，第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21和第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21形成在基板10上。第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21和第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21上覆蓋形成有絕緣層16。柵極搭界13、第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管B的柵極22形成在絕緣層16上。介電層14形成在絕緣層16上，介電層14覆蓋柵極搭界13、第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管B的柵極22。源極引線11、漏極引線12、第一薄膜晶體管A的源極23和漏極24以及第二薄膜晶體管B的源極23和漏極24形成在介電層14上。
[0041]進一步地，在本實施例中，基板10上還形成有緩沖層17，第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21和第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21形成在緩沖層17上。
[0042]在本實施例中，介電層14和絕緣層16中設(shè)有多個源極接觸孔31和多個漏極接觸孔32，第一薄膜晶體管A的源極23通過其中一個源極接觸孔31與第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21電性連接，第二薄膜晶體管B的源極23通過另一個源極接觸孔31與第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21電性連接，第一薄膜晶體管A的漏極24通過其中一個漏極接觸孔32與第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21電性連接，第二薄膜晶體管B的漏極24通過另一個漏極接觸孔32與第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21電性連接。
[0043]在本實施例中，介電層14上還形成有平坦化層18，平坦化層18覆蓋源極引線11、漏極引線12、第一薄膜晶體管A的源極23和漏極24以及第二薄膜晶體管B的源極23和漏極24，平坦化層18中設(shè)有像素電極接觸孔33。像素電極15形成在平坦化層18上，像素電極15通過該像素電極接觸孔33與漏極引線12電性連接。
[0044]圖3為本實用新型中形成兩個半導(dǎo)體層的平面示意圖，如圖3、圖2a至圖2b所示，在基板10上形成第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21和第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21。第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21和第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21在基板10上相互間隔。基板10可以為玻璃或塑料。半導(dǎo)體層21可以為非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或金屬氧化物如IGZO、ITZ0。進一步地，還可以先在基板10上形成緩沖層17，然后在緩沖層17上形成第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21和第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21。緩沖層17可以為氧化硅層(S1x)或氮化硅層(SiNx)或其他絕緣膜層。
[0045]圖4為本實用新型第一實施例中形成柵極以及柵極搭界的平面示意圖，如圖4、圖2a至圖2b所示，在第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21和第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21上覆蓋形成絕緣層16，在絕緣層16上沉積形成第一金屬層，對該第一金屬層進行圖形化以在絕緣層16上形成柵極搭界13、第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管B的柵極22。柵極搭界13靠近第二薄膜晶體管B的柵極22設(shè)置。第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管8的柵極22連接為一體。第一金屬層可以采用0、胃、1^3&、10^1、01等金屬或合金，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。
[0046]圖5為本實用新型第一實施例中形成源/漏極接觸孔的平面示意圖，如圖5、圖2a至圖2b所示，在絕緣層16上形成介電層14，介電層14覆蓋柵極搭界13、第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管B的柵極22，并在介電層14和絕緣層16中形成兩個源極接觸孔31和兩個漏極接觸孔32。介電層14可以為氧化硅層或氮化硅層或其他絕緣膜層。
[0047]圖6為本實用新型第一實施例中形成源/漏極和源/漏極引線的平面示意圖，圖6、圖2a至圖2b所示，在介電層14上沉積形成第二金屬層，對該第二金屬層進行圖形化以在介電層14上形成源極引線11、漏極引線12、第一薄膜晶體管A的源極23和漏極24以及第二薄膜晶體管B的源極23和漏極24。源極引線11與第一薄膜晶體管A的源極23相連，漏極引線12與第一薄膜晶體管A的漏極24相連，源極引線11與第二薄膜晶體管B的源極23之間斷開形成缺口 30，柵極搭界13對應(yīng)于該缺口 30設(shè)置，柵極搭界13與源極引線11之間以及柵極搭界13與第二薄膜晶體管B的源極23之間均具有重疊區(qū)，漏極引線12與第二薄膜晶體管B的漏極24相連。第一薄膜晶體管A的源極23通過其中一個源極接觸孔31與第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21電性連接，第二薄膜晶體管B的源極23通過另一個源極接觸孔31與第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21電性連接，第一薄膜晶體管A的漏極24通過其中一個漏極接觸孔32與第一薄膜晶體管A的半導(dǎo)體層21電性連接，第二薄膜晶體管B的漏極24通過另一個漏極接觸孔32與第二薄膜晶體管B的半導(dǎo)體層21電性連接。第二金屬層可以采用Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。
[0048]圖7為本實用新型第一實施例中形成像素電極接觸孔的平面示意圖，圖7、圖2a至圖2b所示，在介電層14上形成平坦化層18，平坦化層18覆蓋源極引線11、漏極引線12、第一薄膜晶體管A的源極23和漏極24以及第二薄膜晶體管B的源極23和漏極24，并在平坦化層18中形成像素電極接觸孔33。平坦化層18可以為聚酰亞胺(Polyimide)、氧化硅層或氮化硅層。
[0049]圖1為本實用新型第一實施例中顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的平面示意圖，如圖1、圖2a至圖2b所示，還在平坦化層18上形成像素電極15，像素電極15通過該像素電極接觸孔33與漏極引線12電性連接。
[0050]進一步地，還可以在平坦化層18上制作形成OLED器件的各有機功能層(如電子注入層、電子傳輸層、有機發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層)，并在有機功能層上制作形成陰極電極層。因此，本實施例提供的顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以制作形成為OLED顯示器。
[0051]在本實施例中，第一薄膜晶體管A和第二薄膜晶體管B均采用頂柵結(jié)構(gòu)，但本實用新型不限于此，在其他實施例中，上述的第一薄膜晶體管A和第二薄膜晶體管B也可以采用底柵結(jié)構(gòu)。
[0052]圖9為本實用新型第三實施例中顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的平面示意圖，圖1Oa為圖9中沿IV-1V線的剖開示意圖，圖1Ob為圖9中沿V-V線的剖開示意圖，圖1Oc為圖9中沿V1-VI線的剖開示意圖。請參圖9、圖1Oa至圖10b，在本實施例中，第一薄膜晶體管A和第二薄膜晶體管B采用底柵結(jié)構(gòu)，而且第一薄膜晶體管A和第二薄膜晶體管B可以制作在液晶顯示器的陣列基板10上，因此本實施例提供的顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以與彩色濾光片基板(colorfilter，CF，圖未示)搭配制作形成為液晶顯示器。
[0053]如圖9、圖1Oa至圖1Ob所示，具體地，在本實施例中，柵極搭界13、第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管B的柵極22形成在基板10上。介電層14形成在基板10上并覆蓋柵極搭界13、第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管B的柵極22。源極引線11、漏極引線12、第一薄膜晶體管A的源極23和漏極24以及第二薄膜晶體管B的源極23和漏極24形成在介電層14上。介電層14上形成有絕緣層16，絕緣層16覆蓋源極引線11、漏極引線12、第一薄膜晶體管A的源極23和漏極24以及第二薄膜晶體管B的源極23和漏極24。
[0054]在本實施例中，第一薄