顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以及具有該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示器是利用有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de,OLED)制成的顯示屏，由于其具有自主發(fā)光、對比度高、厚度薄、反應(yīng)速度快、功率低、可用于撓性面板、且使用溫度范圍廣、低壓直流驅(qū)動、視角廣、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相比，有機(jī)發(fā)光顯示器還不需要背光源，其響應(yīng)速度可達(dá)液晶顯示器的1000倍，制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此有機(jī)發(fā)光顯示器有望成為下一代主流平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示器屏體的基本結(jié)構(gòu)是:包括一玻璃基板，在玻璃基板上形成有由像素電路、陽極、有機(jī)發(fā)光層、陰極等各層組成的有機(jī)發(fā)光單元，并用封裝蓋把有機(jī)發(fā)光單元封裝在玻璃基板與封裝蓋之間，陽極、陰極在非發(fā)光區(qū)位置通過引線引出，與集成電路(IC)或柔性電路板(FPC)進(jìn)行綁定。其中，像素電路主要包括薄膜晶體管(TFT)以及與TFT相連的線路(掃描線、數(shù)據(jù)線等hTFT的主要作用是驅(qū)動顯示器上的像素點(diǎn)，每個(gè)像素點(diǎn)至少由一個(gè)TFT驅(qū)動，因此在顯示器中包含有由多個(gè)TFT組成的陣列結(jié)構(gòu)。
[0004]在平板顯示器制造過程中，由于一些不可預(yù)知因素，例如小顆?；覊m或者工藝偏差常常會造成不良的發(fā)生，特別是當(dāng)缺陷發(fā)生在TFT部分時(shí)，常會造成點(diǎn)缺陷，即通常說的壞點(diǎn)現(xiàn)象，所謂壞點(diǎn)是指有缺陷的像素點(diǎn)。目前常用的點(diǎn)缺陷修復(fù)方法是通過激光將TFT打成短路或斷路，從而將亮點(diǎn)修復(fù)成暗點(diǎn)，而暗點(diǎn)將無法修復(fù)，當(dāng)暗點(diǎn)超過一定數(shù)量時(shí)將導(dǎo)致顯示器不良品出現(xiàn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其能夠徹底修復(fù)壞點(diǎn)，改變目前只能將亮點(diǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)，而暗點(diǎn)無法修復(fù)的現(xiàn)狀。
[0006]本實(shí)用新型提供一種顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括形成在基板上的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、源極引線、漏極引線、柵極搭界以及介電層，每一薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極、源極和漏極，該柵極搭界、該第一薄膜晶體管的柵極以及該第二薄膜晶體管的柵極位于第一金屬層中，該源極引線、該漏極引線、該第一薄膜晶體管的源極和漏極以及該第二薄膜晶體管的源極和漏極位于第二金屬層中，該源極引線與該第一薄膜晶體管的源極相連，該漏極引線與該第一薄膜晶體管的漏極相連，該源極引線與該第二薄膜晶體管的源極之間或者該漏極引線與該第二薄膜晶體管的漏極之間斷開形成缺口，該柵極搭界對應(yīng)于該缺口設(shè)置，該介電層設(shè)置在該第一金屬層與該第二金屬層之間。
[0007]進(jìn)一步地，該源極引線與該第二薄膜晶體管的源極之間斷開形成該缺口，該柵極搭界與該源極引線之間以及該柵極搭界與該第二薄膜晶體管的源極之間均具有重疊區(qū)，該漏極引線與該第二薄膜晶體管的漏極相連。
[0008]進(jìn)一步地，該漏極引線與該第二薄膜晶體管的漏極之間斷開形成該缺口，該柵極搭界與該漏極引線之間以及該柵極搭界與該第二薄膜晶體管的漏極之間均具有重疊區(qū)，該源極引線與該第二薄膜晶體管的源極相連。
[0009]進(jìn)一步地，該顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)還包括掃描線、數(shù)據(jù)線和像素電極，該第一薄膜晶體管的柵極以及該第二薄膜晶體管的柵極與該掃描線電性連接，該源極引線與該數(shù)據(jù)線電性連接，該漏極引線與該像素電極電性連接。
[0010]進(jìn)一步地，該第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和該第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層形成在該基板上，該第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和該第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層上覆蓋形成有絕緣層，該柵極搭界、該第一薄膜晶體管的柵極以及該第二薄膜晶體管的柵極形成在該絕緣層上，該介電層形成在該絕緣層上，該介電層覆蓋該柵極搭界、該第一薄膜晶體管的柵極以及該第二薄膜晶體管的柵極，該源極引線、該漏極引線、該第一薄膜晶體管的源極和漏極以及該第二薄膜晶體管的源極和漏極形成在該介電層上。
[0011]進(jìn)一步地，該基板上還形成有緩沖層，該第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和該第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層形成在該緩沖層上。
[0012]進(jìn)一步地，該介電層和該絕緣層中設(shè)有多個(gè)源極接觸孔和多個(gè)漏極接觸孔，該第一薄膜晶體管的源極通過其中一個(gè)源極接觸孔與該第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層電性連接，該第二薄膜晶體管的源極通過另一個(gè)源極接觸孔與該第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層電性連接，該第一薄膜晶體管的漏極通過其中一個(gè)漏極接觸孔與該第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層電性連接，該第二薄膜晶體管的漏極通過另一個(gè)漏極接觸孔與該第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層電性連接。
[0013]進(jìn)一步地，該介電層上還形成有平坦化層，該平坦化層覆蓋該源極引線、該漏極引線、該第一薄膜晶體管的源極和漏極以及該第二薄膜晶體管的源極和漏極，該平坦化層中設(shè)有像素電極接觸孔，該像素電極形成在該平坦化層上，該像素電極通過該像素電極接觸孔與該漏極引線電性連接。
[0014]進(jìn)一步地，該柵極搭界、該第一薄膜晶體管的柵極以及該第二薄膜晶體管的柵極形成在該基板上，該介電層形成在該基板上并覆蓋該柵極搭界、該第一薄膜晶體管的柵極以及該第二薄膜晶體管的柵極，該源極引線、該漏極引線、該第一薄膜晶體管的源極和漏極以及該第二薄膜晶體管的源極和漏極形成在該介電層上，該介電層上形成有絕緣層，該絕緣層覆蓋該源極引線、該漏極引線、該第一薄膜晶體管的源極和漏極以及該第二薄膜晶體管的源極和漏極。
[0015]進(jìn)一步地，該第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和該第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層形成在該介電層上，該第一薄膜晶體管的源極和漏極相互間隔開且均直接與該第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層接觸，該第二薄膜晶體管的源極和漏極相互間隔開且均直接與該第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層接觸。
[0016]進(jìn)一步地，該像素電極形成在該絕緣層上，該絕緣層中設(shè)有像素電極接觸孔，該像素電極通過該像素電極接觸孔與該漏極引線電性連接。
[0017]本實(shí)用新型還提供一種顯示器，包括呈陣列排布的多個(gè)像素點(diǎn)，每個(gè)像素點(diǎn)設(shè)有如上所述的顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。
[0018]進(jìn)一步地，該顯示器為OLED顯示器或者液晶顯示器。
[0019]本實(shí)用新型提供的顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，通過在原有的像素電路中的薄膜晶體管上并聯(lián)一個(gè)或多個(gè)薄膜晶體管作為備份，當(dāng)原有的薄膜晶體管出現(xiàn)不良時(shí)，透過修復(fù)方法啟用備份薄膜晶體管，能夠徹底修復(fù)壞點(diǎn)，改變目前只能將亮點(diǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)，而暗點(diǎn)無法修復(fù)的現(xiàn)狀。
【附圖說明】
[0020]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
[0021]圖2a為圖1中沿1-1線的剖開示意圖。
[0022]圖2b為圖1中沿I1-1I線的剖開示意圖。
[0023]圖2c為圖1中沿II1-1II線的剖開示意圖。
[0024]圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中形成兩個(gè)半導(dǎo)體層的平面示意圖。
[0025]圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中形成柵極以及柵極搭界的平面示意圖。
[0026]圖5為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中形成源/漏極接觸孔的平面示意圖。
[0027]圖6為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中形成源/漏極和源/漏極引線的平面示意圖。
[0028]圖7為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中形成像素電極接觸孔的平面示意圖。
[0029]圖8為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
[0030]圖9為本實(shí)用新型第三實(shí)施例中顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
[0031 ]圖1Oa為圖9中沿IV-1V線的剖開示意圖。
[0032]圖1Ob為圖9中沿V-V線的剖開示意圖。
[0033]圖1Oc為圖9中沿V1-VI線的剖開示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)方式及功效，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0035]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的平面示意圖，圖2a為圖1中沿1-1線的剖開示意圖，圖2b為圖1中沿I1-1I線的剖開示意圖，圖2c為圖1中沿II1-1II線的剖開示意圖。請參圖1、圖2a至圖2b，本實(shí)施例提供的顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括形成在基板10上的第一薄膜晶體管A、第二薄膜晶體管B、源極引線11、漏極引線12、柵極搭界13以及介電層14。每一薄膜晶體管A、B包括半導(dǎo)體層21、柵極22、源極23和漏極24。柵極搭界13、第一薄膜晶體管A的柵極22以及第二薄膜晶體管B的柵極22位于第一金屬層中。源極引線
11、漏極引線12、第一薄膜晶體管A的源極23和漏極24以及第二薄膜晶體管B的源極23和漏極24位于第二金屬層中。源極引線11與第一薄膜晶體管A的源極23相連，漏極引線12與第一薄膜晶體管A的漏極24相連。源極引線11與第二薄膜晶體管B的源極23之間斷開形成缺口30，柵極搭界13對應(yīng)于該缺口 30設(shè)置。介電層14設(shè)置在該第一金屬層與該第二金屬層之間。
[0036]在本實(shí)施例中，源極引線11與第二薄膜晶體管B的源極23之間斷開形成缺口30，柵極搭界13對應(yīng)于該缺口 30設(shè)置，柵極搭界13與源極引線