一種柔性導(dǎo)電線及設(shè)置有所述柔性導(dǎo)電線的柔性背板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型設(shè)及柔性顯示裝置領(lǐng)域，具體設(shè)及一種柔性導(dǎo)電線W及設(shè)置有運種柔 性導(dǎo)電線的柔性背板。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，OLED(有機發(fā)光二極管）因其發(fā)光亮度高、色彩豐富、低 壓直流驅(qū)動、制備工藝簡單等優(yōu)點，日益成為國際研究的熱點。OL抓視野范圍更廣，可制成 更大尺寸的產(chǎn)品，可滿足用戶對不同尺寸的要求。上述突出的優(yōu)點決定了化抓將成為下一 代顯示技術(shù)的主流。隨著材料技術(shù)的發(fā)展，顯示屏已經(jīng)可W制作成可彎曲的形式。采用柔性 顯示屏的設(shè)備有很多優(yōu)點，比如攜帶方便、可彎曲、可隨意變形等。但是柔性背板內(nèi)部的金 屬線在彎曲狀態(tài)下電阻容易發(fā)生巨大的變化甚至斷裂，從而影響屏體的壽命。 【實用新型內(nèi)容】
[0003] 為此，本實用新型所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有柔性背板內(nèi)部的金屬線在彎曲狀態(tài) 下電阻容易發(fā)生巨大的變化甚至斷裂的問題，本實用新型提供一種柔性導(dǎo)電線，W及設(shè)置 有運種柔性導(dǎo)電線的柔性背板。所述柔性導(dǎo)電線彎曲過程中電阻率能夠保持穩(wěn)定，延長了 柔性背板的壽命。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案如下：
[0005] -種柔性導(dǎo)電線，包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層和第二金屬層 之間設(shè)置有導(dǎo)電顆粒層。
[0006] 所述導(dǎo)電顆粒層中的導(dǎo)電顆粒為圓球形、楠圓形、菱形或正方形中一種或其中幾 種圖形的組合。
[0007] 所述導(dǎo)電顆粒的粒徑為50nm-500nm。
[000引導(dǎo)電顆粒層中的導(dǎo)電顆粒為納米導(dǎo)電聚合物材料顆粒、銅(Cu)金屬納米顆粒，銀 (Ag)金屬納米顆粒、金(Au)金屬納米顆粒或儀(Ni)金屬納米顆粒中的一種或其中幾種的組 么 n O
[0009] 所述第一金屬層的厚度為100nm-300nm，所述第二金屬層的厚度為100nm-300nm。
[0010] 所述第一金屬層和第二金屬層相同或不同，分別為鋼金屬層、銅金屬層、侶金屬層 或鐵金屬層。
[00川一種柔性背板，包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT(薄膜晶體管借板，所述 TFT背板包括在柔性襯底上形成的柵極層、柵極絕緣層、多晶娃半導(dǎo)體層和源/漏電極層，所 述柵極層和/或源/漏電極層為所述柔性導(dǎo)電線。
[0012] -種柔性背板，包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT背板，所述TFT背板包括 在柔性襯底上形成的有源層、柵極絕緣層、層間絕緣層、柵極層和源/漏電極層，所述柵極層 和/或源/漏電極層為所述柔性導(dǎo)電線。
[0013] 本實用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有W下優(yōu)點：
[0014] 本實用新型提供的柔性導(dǎo)電線包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層和 第二金屬層之間設(shè)置有導(dǎo)電顆粒層。當(dāng)柔性導(dǎo)電線發(fā)生彎曲時，曲率較大的位置的導(dǎo)電顆 ?？赡軙薪佑|不良的情況，此時上下兩層的金屬層可W作為補充，不會導(dǎo)致導(dǎo)電線的電 阻變大;如果上下兩層金屬層出現(xiàn)某處斷裂的情況，導(dǎo)電顆粒會將上下金屬進(jìn)行連接，不會 導(dǎo)致導(dǎo)電線電阻變大或者斷裂。因此本實用新型的柔性導(dǎo)電線電阻變化小，可靠性高。
[0015] 本實用新型提供的TFT背板的柵極層、源/漏電極層采用了上述柔性導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)， 當(dāng)柔性襯底彎曲時，TFT背板中的導(dǎo)電線電阻不會出現(xiàn)劇烈變大或者斷裂情況，增加了裝置 的可靠性。
【附圖說明】
[0016] 為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本實用新型的具體實施 例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0017] 圖1是本實用新型柔性導(dǎo)電線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖2是本實用新型柔性導(dǎo)電線彎曲的結(jié)構(gòu)示意圖
[0019] 圖3是本實用新型柔性背板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖4是本實用新型柔性背板的另一實施方式結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖中附圖標(biāo)記表示為：1-柔性襯底、2-柵極層、3-柵極絕緣層、4-多晶娃半導(dǎo)體層、 5-純化層,6-源漏極層,7-層間絕緣層,8-有源層，11-束一金屬層，12-導(dǎo)電顆私，13-束^金 屬層。
【具體實施方式】
[0022] 為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實用新 型實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0023] 本實用新型可W W許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施 例。相反，提供運些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本實用新型的構(gòu)思充 分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本實用新型將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見， 會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或柔性襯底被稱作 "形成在"或"設(shè)置在"另一元件"上"時，該元件可W直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可 W存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作"直接形成在"或"直接設(shè)置在"另一元件上時，不存在 中間元件。
[0024] 如圖1和圖2所示，本實用新型的一種柔性導(dǎo)電線，包括第一金屬層11和第二金屬 層13,所述第一金屬層11和第二金屬層13之間設(shè)置有導(dǎo)電顆粒層。所述導(dǎo)電顆粒層中的導(dǎo) 電顆粒12為圓球形、楠圓形、菱形或正方形中一種或其中幾種圖形的組合。所述導(dǎo)電顆粒的 粒徑為50nm-500nm。導(dǎo)電顆粒層中的導(dǎo)電顆粒12為納米導(dǎo)電聚合物材料顆粒、銅(化)金屬 納米顆粒，銀(Ag)金屬納米顆粒、金(Au)金屬納米顆粒或儀(Ni)金屬納米顆粒中的一種或 其中幾種的組合。所述第一金屬層的厚度為l〇〇nm-300nm，所述第二金屬層的厚度為IOOnm-300nm。所述第一金屬層和第二金屬層相同或不同，分別為鋼金屬層、銅金屬層、侶金屬層或 鐵金屬層。
[0025] 如圖2所示，柔性導(dǎo)電線彎曲后，曲率較大的位置的可能會有接觸不良的情況，此 時上下兩層的金屬層可W作為補充，不會導(dǎo)致導(dǎo)電線的電阻變大;如果上下兩層金屬層出 現(xiàn)某處斷裂的情況，導(dǎo)電顆粒12會將上下金屬進(jìn)行連接，不會導(dǎo)致導(dǎo)電線電阻變大或者斷 裂。因此本實用新型的柔性導(dǎo)電線電阻變化小，可靠性高。
[0026] 如圖3所示，一種柔性背板，包括柔性襯底1和形成在柔性襯底1上的底柵型TFT，所 述TFT包括在柔性襯底上形成的柵極層2、柵極絕緣層3、多晶娃半導(dǎo)體層4和源/漏電極層6， 所述柵極層2和源/漏電極層6為所述柔性導(dǎo)電線。作為其他實施方式，所述TFT也可W為:柵 極層2采用圖1所示的柔性導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)，源/漏電極層6采用普通的現(xiàn)有結(jié)構(gòu);或者源/漏電極 層6采用圖1所示柔性導(dǎo)電線，柵極層2采用普通的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)。
[0027] 所述柵極絕緣層3選自但不限于氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化侶、氧化鐵中的一 種或多種材料的堆疊結(jié)構(gòu)層，本實施例優(yōu)選氧化娃層;本實施例中所述柵極絕緣層3的厚度 為1200/\，作為本實用新型的其他實施例，所述柵極絕緣層3的厚度還可W為 800~3000 乂，均可W實現(xiàn)本實用新型的目的，屬于本實用新型的保護(hù)范圍。
[0028] 所述多晶娃半導(dǎo)體層4在源/漏電極層6的圖案化的過程中容易受到損傷，為此，本 實施例中所述多晶娃半導(dǎo)體層4上還設(shè)置有覆蓋所述多晶娃半導(dǎo)體層4遠(yuǎn)離所述基板1的表 面和側(cè)面的純化層5。所述純化層選自但不限于氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化侶、氧化鐵 中的一種或多種材料的堆疊結(jié)構(gòu)層，均可W實現(xiàn)本實用新型的目的，屬于本實用新型的保 護(hù)范圍。本實施例中所述純化層5優(yōu)選刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層優(yōu)選氧化娃層，厚度為 lOOOA。
[0029] 在薄膜晶體管TFT中，所述源極和漏極通常采用同種原料形成在同一層中，為此， 為了方便描述，通常將所述源極和所述漏極所在層統(tǒng)稱為源/漏極層6。源/漏極層6通過純 化層5中的過孔與多晶娃半導(dǎo)體層4的源區(qū)和漏區(qū)連接。在本實用新型所有附圖中，所述源 極和所述漏極的位置可W互換。
[0030] 上述柔性背板的制備工藝中TFT、像素顯示單元同現(xiàn)有技術(shù)，其中柔性導(dǎo)電線制備 方法如下：
[0031] S1、采用磁控瓣射方法在柵絕緣層或者層間絕緣層沉積第一金屬層11，其厚度為 lOOnm-SOOnm;
[0032] S2、采用coat ing方法制備導(dǎo)電顆粒層12;
[0033] S3、采用磁控瓣射方法在導(dǎo)電顆粒層12上沉積第二金屬層13,其厚度為IOOnm-SOOnm。
[0034] 作為另一實施方式，如圖4所示柔性背板，采用頂柵TFT，具體包括柔性襯底1和形 成在柔性襯底1上的頂柵型TFT，所述TFT包括在柔性襯底上形成的有源層8、柵極絕緣層3、 層間絕緣層7、柵極層2和源/漏電極層6,所述柵極層2和源/漏電極層6為所述柔性導(dǎo)電線。 作為其他實施方式，所述TFT也可W為:柵極層2采用圖1所示的柔性導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)，源/漏電極 層6采用普通的現(xiàn)有結(jié)構(gòu);或者源/漏電極層6采用圖1所示柔性導(dǎo)電線，柵極層2采用普通的 現(xiàn)有結(jié)構(gòu)。
[0035] 顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對 于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可W做出其它不同形式的變化或 變動。運里無需也無法對所有的實施方式予W窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或 變動仍處于本實用新型的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項】
1. 一種柔性導(dǎo)電線，其特征在于，包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層和第 二金屬層之間設(shè)置有導(dǎo)電顆粒層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述柔性導(dǎo)電線，其特征在于，所述導(dǎo)電顆粒層中的導(dǎo)電顆粒為圓球 形、橢圓形、菱形或正方形中一種或其中幾種圖形的組合。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述柔性導(dǎo)電線，其特征在于，所述導(dǎo)電顆粒的粒徑為50nm-500nm。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述柔性導(dǎo)電線，其特征在于，導(dǎo)電顆粒層中的導(dǎo)電顆粒為納米導(dǎo)電 聚合物材料顆粒、銅金屬納米顆粒，銀金屬納米顆粒、金金屬納米顆?；蜴嚱饘偌{米顆粒中 的一種。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述柔性導(dǎo)電線，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為lOOnm-300nm，所述第二金屬層的厚度為100nm-300nm。6. 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述柔性導(dǎo)電線，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層相 同或不同，分別為鉬金屬層、銅金屬層、鋁金屬層或鈦金屬層。7. -種柔性背板，包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT背板，所述TFT背板包括在 柔性襯底上形成的柵極層、柵極絕緣層、多晶硅半導(dǎo)體層和源/漏電極層，其特征在于，所述 柵極層和/或源/漏電極層為權(quán)利要求1-6任一所述柔性導(dǎo)電線。8. -種柔性背板，包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT背板，所述TFT背板包括在 柔性襯底上形成的有源層、柵極絕緣層、層間絕緣層、柵極層和源/漏電極層，其特征在于， 所述柵極層和/或源/漏電極層為權(quán)利要求1-6任一所述柔性導(dǎo)電線。
【專利摘要】本實用新型提供的一種柔性導(dǎo)電線及設(shè)置有所述柔性導(dǎo)電線的柔性背板，包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層和第二金屬層之間設(shè)置有導(dǎo)電顆粒層。所述柔性導(dǎo)電線彎曲過程中電阻率能夠保持穩(wěn)定，延長了柔性背板的壽命。
【IPC分類】H01L27/12, H01L29/43
【公開號】CN205211753
【申請?zhí)枴緾N201520984147
【發(fā)明人】高勝, 劉玉成, 袁波
【申請人】昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司, 昆山國顯光電有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年12月2日