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一種多防水槽結構引線框架的制作方法

文檔序號:10266649閱讀:381來源:國知局
一種多防水槽結構引線框架的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體硬質(zhì)合金引線框架加工領域,具體涉及一種多防水槽結構引線框架。
【背景技術】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體,是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接,形成電氣回路的關鍵結構件,它起到了和外部導線連接的橋梁作用,絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架,是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。
[0003]目前,現(xiàn)有的T0-220HF引線框架,芯片與引線框架的芯片部基片裝配到位后進行塑封,由于芯片載片臺的四周是平面,故引線框架與塑封料的結合強度低從而造成抗沖擊強度弱以及防水性比較差的缺陷,另外,有的T0-220HF引線框架上的芯片載片臺上雖然設置有防水槽,但防水槽下部未封閉形成閉環(huán),且中間引腳根部無防水槽,防水效果不盡理想,經(jīng)常會發(fā)現(xiàn)水汽或應力的沖擊會從中間引腳和載片臺下部無防水槽的部位突破,直接作用到載片臺上的芯片上,導致產(chǎn)品測試時失效或上機時功能不良。
[0004]為解決現(xiàn)有技術中的問題,公開號為CN203733782U的實用新型公開了一種TO-220HF防水密封引線框架,克服了 T0-220HF引線框架因芯片與引線框架的芯片部基片裝配到位后進行塑封、芯片載片臺的四周是平面而導致的引線框架與塑封料的結合強度低從以及防水性比較差的缺陷。
[0005]但是,仍然在使用過程中發(fā)現(xiàn)如下缺點:
[0006]1、當使用比芯片載臺大一些的芯片時,就需要更多的焊料,而這時就會出現(xiàn)焊料跑到防水槽里去,從而防水槽起不到防水作用。
[0007]2、中間外引腳無臺階,電器元件在使用過程插電路板時會有偶然的沖擊力,產(chǎn)品可靠性會受到影響。
【實用新型內(nèi)容】
[0008]有鑒于此,本實用新型的目的在于提供一種多防水槽結構引線框架,以解決現(xiàn)有的T0-220HF引線框架因?qū)π酒叽绲倪m應性不好問題。
[0009]為實現(xiàn)本實用新型的目的采用的技術方案為:一種多防水槽結構引線框架,其特征在于,包括芯片載臺,所述芯片載臺的四周設有防水槽I,且四周的防水槽I圍繞芯片載臺閉合,所述防水槽I的兩側(cè)分別設有防水槽Π、防水槽m。
[0010]進一步地,還包括設置在芯片載臺下部的多根引腳,引腳上設有橫筋和臺階,多根引腳之間通過所述橫筋連接。
[0011 ]進一步地,所述防水槽π、防水槽m對稱設置在防水槽I的兩側(cè)。
[0012]進一步地,臺階位于橫筋的下部。
[0013]進一步地,還包括引腳,所述引腳有三根,所述引腳并排設置在芯片載臺的下部,中間一根引腳與芯片載臺連接且在中間引腳的根部設有防水槽IV。
[0014]進一步地,所述防水槽I的上部設有防水槽VI。
[0015]進一步地,所述兩側(cè)引腳上在靠近芯片載臺的一端設有焊臺。
[0016]進一步地,所述防水槽1、防水槽π、防水槽m、防水槽VI的截面形狀均為V型。
[0017]進一步地,所述兩側(cè)引腳上設有防水槽V,所述防水槽V位于焊臺下部,所述防水槽V是由上下平行的兩條防水槽組成。
[0018]本實用新型的有益效果:
[0019]本實用新型提供的一種多防水槽結構引線框架采用合理的防水槽布置,達到了以下有益效果:
[0020]1、在防水槽I的左側(cè)、右側(cè)、上部分別設有防水槽π、防水槽m、防水槽VI,且這些防水槽的截面形狀均為V型,可以使得引線框架上的芯片載臺在安裝尺寸較大的芯片時,較多的焊料堆積到防水槽I中,防水槽I外部的防水槽π、防水槽m、防水槽VI可以起到防水作用,從而提高引線框架對于芯片尺寸的適應性。
[0021]2、在芯片載臺引出的三根引腳上,都設有臺階,提高可靠性,避免了在電器無件在使用過程插電路板時偶然的沖擊力對引線框架造成破壞。
【附圖說明】
[0022]圖1是本實用新型提供的多防水槽結構引線框架的結構示意圖;
[0023]圖2是本實用新型提供的多防水槽結構引線框架的A-A剖視圖;
[0024]圖3是本實用新型提供的多防水槽結構引線框架的B-B剖視圖。
【具體實施方式】
[0025]下面通過具體的實施例并結合附圖對本實用新型做進一步的詳細描述。
[0026]圖1示出了本實用新型提供的一種多防水槽結構引線框架,包括芯片載臺4,芯片載臺4的四周設有防水槽17,防水槽17圍繞芯片載臺4閉合,防水槽17的左側(cè)、右側(cè)分別設有防水槽Π 12、防水槽ΙΠ8。在本實施例中,芯片載臺4為矩形,防水槽17圍繞芯片載臺4也呈矩形,防水槽Π 12、防水槽ΙΠ 8的長度與防水槽17的高度相同,同樣的,在防水槽17的上部,設有防水槽VI5,防水槽VI5的長度與防水槽17的寬度相同。在防水槽VI5的上部設有散熱板6,散熱板6位于芯片載臺4的兩個角上。
[0027]芯片載臺4下部引出了三根引腳9,三根引腳9并行排列在芯片載臺4的下部,在中間一根引腳9與芯片載臺4連接的根部,設有防水槽IVll;在兩側(cè)的引腳9靠近芯片載臺4的一端上設有焊臺13,在兩邊引腳上設有防水槽V10,防水槽VlO位于焊臺13的下部;三根引腳9通過橫筋2連接,橫筋2與引腳9相互垂直,即引腳9豎直,橫筋2水平。
[0028]在三根引腳9上都設有臺階3,臺階3位于橫筋2的下方;在引腳9的下端通過底筋I連接,使得整個引線框架形成一個具有一定剛性的整體。
[0029 ]圖2、圖3示出了防水槽的結構,防水槽17、防水槽ΙΠ 8、防水槽V1的截面形狀都是V型,防水槽VlO是由兩個平行的V型槽構成,事實上,在本實施例中提到的防水槽截面形狀都是V型。
[0030]以上所述僅為本實用新型的較優(yōu)實施例,并不用于限制本實用新型,對于本領域的技術人員來說,本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種多防水槽結構引線框架,其特征在于,包括芯片載臺,所述芯片載臺的四周設有防水槽I,且四周的防水槽I圍繞芯片載臺閉合,所述防水槽I的兩側(cè)分別設有防水槽Π、防水槽m。2.根據(jù)權利要求1所述的多防水槽結構引線框架,其特征在于,還包括設置在芯片載臺下部的多根引腳,引腳上設有橫筋和臺階,多根引腳之間通過所述橫筋連接。3.根據(jù)權利要求1所述的多防水槽結構引線框架,其特征在于,所述防水槽Π、防水槽m對稱設置在防水槽I的兩側(cè)。4.根據(jù)權利要求2所述的多防水槽結構引線框架,其特征在于,臺階位于橫筋的下部。5.根據(jù)權利要求2所述的多防水槽結構引線框架,其特征在于,還包括引腳,所述引腳有三根,所述引腳并排設置在芯片載臺的下部,中間一根引腳與芯片載臺連接且在中間引腳的根部設有防水槽IV。6.根據(jù)權利要求2所述的多防水槽結構引線框架,其特征在于,所述防水槽I的上部設有防水槽VI。7.根據(jù)權利要求2所述的多防水槽結構引線框架,其特征在于,兩側(cè)所述引腳上在靠近芯片載臺的一端設有焊臺。8.根據(jù)權利要求6所述的多防水槽結構引線框架,其特征在于,所述防水槽1、防水槽π、防水槽m、防水槽VI的截面形狀均為V型。9.根據(jù)權利要求8所述的多防水槽結構引線框架,其特征在于,兩側(cè)所述引腳上設有防水槽V,所述防水槽V位于焊臺下部,所述防水槽V是由上下平行的兩條防水槽組成。
【專利摘要】本實用新型公開了一種多防水槽結構引線框架,涉及半導體硬質(zhì)合金引線框架加工領域,包括芯片載臺,所述芯片載臺的四周設有防水槽Ⅰ,且四周的防水槽Ⅰ圍繞芯片載臺閉合,所述防水槽Ⅰ的兩側(cè)分別設有防水槽Ⅱ、防水槽Ⅲ。本實用新型的結構使得在使用較大尺寸芯片時,較多的焊料進入防水槽Ⅰ后,依然能通過外圍的防水槽Ⅱ、防水槽Ⅲ和防水槽Ⅵ起到防水作用,提高引線框架對于芯片尺寸的適應性;在芯片載臺引出的三根引腳上都設有臺階,提高了引線框架的可靠性。
【IPC分類】H01L23/495
【公開號】CN205177821
【申請?zhí)枴緾N201520917011
【發(fā)明人】黃斌, 任俊, 張南福
【申請人】四川金灣電子有限責任公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年11月17日
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