晶片承載裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種承載裝置，特別是涉及一種晶片承載裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]參閱圖1、2現(xiàn)有晶片承載裝置I包括一承載盤11、多個(gè)間隔凸設(shè)于該承載盤11上的限位件12。所述限位件12相配合環(huán)繞界定出一個(gè)用于容置一晶片100的容置空間13。
[0003]現(xiàn)有晶片承載裝置I雖然能利用該容置空間13容置該晶片100，配合所述限位件12以限制容置于該容置空間13內(nèi)的晶片100。但是，由于現(xiàn)有晶片100的體積愈來(lái)愈小，相對(duì)的該容置空間13也愈來(lái)愈小，連帶使得環(huán)繞界定出該容置空間13的限位件12體積也愈來(lái)愈小，導(dǎo)致所述限位件12的強(qiáng)度愈來(lái)愈差。
[0004]因此，所述限位件12時(shí)常在搬運(yùn)過(guò)程中因碰撞而發(fā)生缺損或斷裂，所述限位件12斷裂或缺損的部分若落入該容置空間13，不但可能污損該晶片100，嚴(yán)重的更有可能造成該晶片100損壞。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種強(qiáng)度較佳的晶片承載裝置。
[0006]本實(shí)用新型晶片承載裝置包含一載盤，及一限位單元。該限位單元只包括一個(gè)凸設(shè)于該載盤的限位凸塊，及兩個(gè)凸設(shè)于該載盤的限位機(jī)構(gòu)。該限位凸塊與所述限位機(jī)構(gòu)相配合界定出一個(gè)容置空間，所述限位機(jī)構(gòu)是相互間隔地位于該限位凸塊的對(duì)側(cè)，每一個(gè)限位機(jī)構(gòu)皆具有相向延伸且相互間隔的一個(gè)第一限位部，及一個(gè)一體連設(shè)于該第一限位部且朝向該限位凸塊方向延伸的第二限位部。
[0007]本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0008]較佳地，前述晶片承載裝置，還包含一嵌合單元，該嵌合單元包括一個(gè)凸設(shè)于該載盤相反于該限位單元的一側(cè)且能卡制于所述限位機(jī)構(gòu)的第一限位部間的第一嵌合塊，及兩個(gè)凸設(shè)于該載盤相反于該限位單元的一側(cè)且間隔地位于該第一嵌合塊的對(duì)側(cè)的第二嵌合塊，每一第二嵌合塊皆具有相向延伸且相互間隔的一個(gè)第一嵌合部，及一個(gè)一體連設(shè)于該第一嵌合部且朝向該第一嵌合塊方向延伸的第二嵌合部。
[0009]較佳地，前述晶片承載裝置，所述限位機(jī)構(gòu)的所述第二限位部間的最短距離大于所述第一限位部間的最短距離。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果在于:利用該限位單元不但能夠有效定位一晶片，非完全對(duì)稱的限位單元能夠在相同范圍內(nèi)增加該限位凸塊與所述限位機(jī)構(gòu)的體積，借此不但能夠提升該限位凸塊與所述限位機(jī)構(gòu)的強(qiáng)度，避免該限位凸塊與所述限位機(jī)構(gòu)的損壞，也便于晶片承載裝置的制造。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是一立體圖，說(shuō)明一現(xiàn)有晶片承載裝置。
[0012]圖2是一俯視圖，輔助說(shuō)明現(xiàn)有晶片承載裝置的限位件的狀態(tài)。
[0013]圖3是一立體圖，說(shuō)明本實(shí)用新型晶片承載裝置的實(shí)施例。
[0014]圖4是一俯視圖，說(shuō)明本實(shí)施例的限位單元。
[0015]圖5是一仰視圖，說(shuō)明本實(shí)施例的嵌合單元。
[0016]圖6是一側(cè)視圖，輔助說(shuō)明該實(shí)施例的限位單元與嵌合單元。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:
[0018]參閱圖3、4、5，本實(shí)用新型晶片承載裝置2的實(shí)施例包含一載盤21、一限位單元22，及一凸設(shè)于該載盤21相反于該限位單元22的一側(cè)嵌合單元23。該限位單元22只包括一凸設(shè)于該載盤21的限位凸塊221，及兩個(gè)凸設(shè)于該載盤21的限位機(jī)構(gòu)222，該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222相配合界定出一個(gè)用于容置一晶片200的容置空間225。
[0019]所述限位機(jī)構(gòu)222是相互間隔地位于該限位凸塊221的對(duì)側(cè)，每一限位機(jī)構(gòu)222皆具有相向延伸且相互間隔的第一限位部223，及一個(gè)一體連設(shè)于該第一限位部223且朝向該限位凸塊221方向延伸的第二限位部224，所述第二限位部224間的最短距離D I大于所述第一限位部223間的最短距離D2。
[0020]該嵌合單元23包括一能卡制于所述限位機(jī)構(gòu)222的第一限位部223間的第一嵌合塊231，及兩個(gè)間隔地位于該第一嵌合塊231的對(duì)側(cè)的第二嵌合塊232，每一第二嵌合塊232皆具有相向延伸且相互間隔的第一嵌合部233，及一個(gè)一體連設(shè)于該第一嵌合部233且朝向該第一嵌合塊231方向延伸的第二嵌合部234。
[0021]參閱圖4、5、6，利用該限位單元22大概呈三點(diǎn)定位的該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222，不但能夠有效定位該晶片200，以減少置放時(shí)在容置空間225內(nèi)的晶片200所能旋轉(zhuǎn)的角度，在相同范圍內(nèi)，利用非完全對(duì)稱的限位單元22只包括該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222的三點(diǎn)式設(shè)計(jì)，能夠增加該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222的體積，借此不但能夠提升該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222的強(qiáng)度，避免該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222的損壞，同時(shí)也能便于晶片承載裝置2的制造，并且避免該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222在生產(chǎn)制造時(shí)發(fā)生缺陷。
[0022]再者，利用相配合的限位凸塊221與所述第二嵌合塊232，以及所述所述限位機(jī)構(gòu)222與該第一嵌合塊231，能使兩晶片承載裝置2上下相互疊置卡合，不但能提升定位該晶片200的效果，還能縮小整體高度以便于輸送與存放。
[0023]綜上所述，本實(shí)用新型晶片承載裝置2利用該限位單元22只包括一限位凸塊221，及兩個(gè)限位機(jī)構(gòu)222的非對(duì)稱三點(diǎn)式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，不但能夠有效定位該晶片200，以減少置放時(shí)在容置空間225內(nèi)的晶片200所能旋轉(zhuǎn)的角度，在相同范圍還能夠進(jìn)一步增加該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222的體積，借此不但能夠提升該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222的強(qiáng)度，避免該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222的損壞，同時(shí)也能便于晶片承載裝置2的制造，并且避免該限位凸塊221與所述限位機(jī)構(gòu)222于生產(chǎn)制造時(shí)發(fā)生缺陷。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片承載裝置包含一個(gè)載盤，及一個(gè)限位單元，其特征在于:該限位單元只包括一個(gè)凸設(shè)于該載盤的限位凸塊，及兩個(gè)凸設(shè)于該載盤的限位機(jī)構(gòu)，該限位凸塊與所述限位機(jī)構(gòu)相配合界定出一個(gè)容置空間，所述限位機(jī)構(gòu)是相互間隔地位于該限位凸塊的對(duì)側(cè)，每一個(gè)限位機(jī)構(gòu)皆具有相向延伸且相互間隔的一個(gè)第一限位部，及一個(gè)一體連設(shè)于該第一限位部且朝向該限位凸塊方向延伸的第二限位部。2.如權(quán)利要求1所述的晶片承載裝置，其特征在于:該晶片承載裝置還包含一嵌合單元，該嵌合單元包括一個(gè)凸設(shè)于該載盤相反于該限位單元的一側(cè)且能卡制于所述限位機(jī)構(gòu)的第一限位部間的第一嵌合塊，及兩個(gè)凸設(shè)于該載盤相反于該限位單元的一側(cè)且間隔地位于該第一嵌合塊的對(duì)側(cè)的第二嵌合塊，每一第二嵌合塊皆具有相向延伸且相互間隔的一個(gè)第一嵌合部，及一個(gè)一體連設(shè)于該第一嵌合部且朝向該第一嵌合塊方向延伸的第二嵌合部。3.如權(quán)利要求1或2所述的晶片承載裝置，其特征在于:所述限位機(jī)構(gòu)的所述第二限位部間的最短距離大于所述第一限位部間的最短距離。
【專利摘要】一種晶片承載裝置，包含一載盤，及一限位單元。該限位單元只包括一限位凸塊，及兩個(gè)限位機(jī)構(gòu)。所述限位機(jī)構(gòu)是位于該限位凸塊的對(duì)側(cè)，每一限位機(jī)構(gòu)皆具有相向延伸且相互間隔的第一限位部，及一個(gè)一體連設(shè)于該第一限位部且朝向該限位凸塊方向延伸的第二限位部。利用該限位單元不但能夠有效定位一晶片，非完全對(duì)稱的限位單元能夠在相同范圍內(nèi)增加該限位凸塊與所述限位機(jī)構(gòu)的體積，借此不但能夠提升該限位凸塊與所述限位機(jī)構(gòu)的強(qiáng)度，避免該限位凸塊與所述限位機(jī)構(gòu)的損壞，并可有效減少容置區(qū)內(nèi)的晶片的旋轉(zhuǎn)角度，也能便于晶片承載裝置的制造。
【IPC分類】H01L21/68, H01L21/677, H01L21/673
【公開(kāi)號(hào)】CN204857688
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520582653
【發(fā)明人】黃琮琳
【申請(qǐng)人】樺塑企業(yè)股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年8月5日