另外，也可以以高度較高的第二接合部406-2的高度作為基準(zhǔn)高度，此時(shí)，第二接合部406-1具有球狀突起。
[0029]在本實(shí)施例中，第二接合部406-1用于導(dǎo)線402-1和第二半導(dǎo)體元件404的接合，第二接合部406-2用于導(dǎo)線402-2和內(nèi)引線403的接合，但是，本實(shí)用新型實(shí)施例不限于導(dǎo)線與第二半導(dǎo)體元件以及內(nèi)引線的接合，還可以是導(dǎo)線與其他部件的接合，只要用于接合的至少兩個(gè)第二接合部具有不同的高度即可。
[0030]在本實(shí)施例中，球狀突起可由金或者金合金構(gòu)成，其可以使用現(xiàn)有方法來制作，例如，可使用球上接合(Bond Stitch on Bump, BSOB)的方法制作該球狀突起。
[0031]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例1的形成球狀突起的示意圖。如圖5所示，首先利用毛細(xì)管劈刀501熔融金屬凝固成球狀，然后降低毛細(xì)管劈刀501，將球狀金屬壓在內(nèi)引線403上，毛細(xì)管劈刀501上升，球狀金屬的尾端斷裂，從而在內(nèi)引線403上形成球狀突起502。
[0032]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例1的使用球狀突起進(jìn)行導(dǎo)線接合的示意圖。如圖6所示，利用毛細(xì)管劈刀501將導(dǎo)線402-2從第一半導(dǎo)體元件401上引到用于連接內(nèi)引線403的第二接合部406-2中的球狀突起502上。
[0033]這樣，通過對(duì)基準(zhǔn)高度以外的第二接合部設(shè)置球狀突起，能夠確保導(dǎo)線的接合強(qiáng)度。
[0034]在本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體元件401和第二半導(dǎo)體元件404可以是現(xiàn)有的任一種半導(dǎo)體元件，例如半導(dǎo)體元件制造為芯片的形式，其是二極管或絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，其可以由娃(Si)半導(dǎo)體構(gòu)成，除此之外，第一半導(dǎo)體元件401和第二半導(dǎo)體元件404也可以由與硅半導(dǎo)體相比，能在高溫狀態(tài)下工作、切換速度比較快，且具有低損耗的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，例如，可以由碳化硅(SiC)半導(dǎo)體以及氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體等的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0035]在本實(shí)施例中，第一接合部405-1和405-2可使用現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，例如，可使用具有球狀突起的結(jié)合部，也就是使用球上接合(BSOB)的方法進(jìn)行接合。
[0036]在本實(shí)施例中，具有基準(zhǔn)高度的第二接合部406-1可使用現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，例如，可通過一般的熱壓接合而形成。
[0037]在本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體元件401和第二半導(dǎo)體元件404可通過接合材料固定在引線框架的管芯墊盤(未圖示)上，其中，該接合材料可以是導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)電性粘接劑，例如焊料或者銀漿。對(duì)于背面不具有電極的半導(dǎo)體元件，也可以通過高導(dǎo)熱性的樹脂粘接劑固定在管芯墊盤上。
[0038]在本實(shí)施例中，在使用焊料的情況下，考慮到對(duì)于環(huán)境的影響，可使用不含有鉛(Pb)的焊料。
[0039]在本實(shí)施例中，內(nèi)引線403可使用現(xiàn)有的方法制作。例如，可以對(duì)0.5mm厚的平板狀板材進(jìn)行沖壓加工以及化學(xué)蝕刻加工而形成，其材料可使用銅或者銅合金，并且，對(duì)銅或者銅合金的表面可以鍍銀。
[0040]在本實(shí)施例中，導(dǎo)線402-1和402-2可以是用于電連接的細(xì)線，其材料可使用鋁、鋁合金、金或者金合金，例如，該導(dǎo)線可以是直徑為250微米的鋁線或者直徑為30微米的金線。
[0041]在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置400還可以包括樹脂密封體(未圖示)，該樹脂密封體利用樹脂對(duì)半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部進(jìn)行密封，其中，可以使用樹脂成型模具和按壓裝置作為傳遞模塑，通過樹脂成型而形成。例如，可使用熱固性環(huán)氧樹脂。
[0042]以上是對(duì)具有兩個(gè)高度的第二接合部的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行的示例性說明。在本實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙雍喜康臄?shù)量為至少三個(gè)且具有至少三個(gè)不同的高度時(shí)時(shí)，也可以將至少三個(gè)第二接合部中處于中間高度的一個(gè)第二接合部的高度作為基準(zhǔn)高度，并且，具有與該基準(zhǔn)高度不同的高度的第二接合部具有球狀突起。
[0043]另外，也可以將至少三個(gè)第二接合部中高度最低或最高的一個(gè)第二接合部的高度作為基準(zhǔn)高度，并且，具有與該基準(zhǔn)高度不同的高度的第二接合部具有球狀突起。本實(shí)用新型實(shí)施例不對(duì)第二接合部的數(shù)量以及將哪一個(gè)第二接合部的高度作為基準(zhǔn)高度進(jìn)行限制。
[0044]由上述實(shí)施例可知，通過對(duì)基準(zhǔn)高度以外的第二接合部設(shè)置球狀突起，能夠確保導(dǎo)線的接合強(qiáng)度。
[0045]實(shí)施例2
[0046]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括如實(shí)施例1所述的半導(dǎo)體裝置。
[0047]本實(shí)施例的電子設(shè)備使用了實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置，通過對(duì)基準(zhǔn)高度以外的第二接合部設(shè)置球狀突起，能夠確保導(dǎo)線的接合強(qiáng)度。
[0048]以上結(jié)合具體的實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，這些描述都是示例性的，并不是對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)用新型的精神和原理對(duì)本實(shí)用新型做出各種變型和修改，這些變型和修改也在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括:導(dǎo)線、第一接合部以及至少兩個(gè)第二接合部，所述導(dǎo)線連接所述第一接合部和至少兩個(gè)第二接合部， 其特征在于， 所述至少兩個(gè)第二接合部具有至少兩個(gè)高度，將所述至少兩個(gè)第二接合部中的一個(gè)第二接合部的高度作為基準(zhǔn)高度，并且具有與所述基準(zhǔn)高度不同的高度的第二接合部具有球狀突起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)線以及所述球狀突起由金或者金合金構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二接合部的數(shù)量為兩個(gè)，將兩個(gè)第二接合部中高度較低的一個(gè)第二接合部的高度作為基準(zhǔn)高度，并且，所述兩個(gè)第二接合部中的另一個(gè)第二接合部具有球狀突起。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二接合部的數(shù)量為至少三個(gè)，將至少三個(gè)第二接合部中處于中間高度的一個(gè)第二接合部的高度作為基準(zhǔn)高度，并且，具有與所述基準(zhǔn)高度不同的高度的第二接合部具有球狀突起。
5.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備，該半導(dǎo)體裝置包括：導(dǎo)線、第一接合部以及至少兩個(gè)第二接合部，所述導(dǎo)線連接所述第一接合部和至少兩個(gè)第二接合部，其中，所述至少兩個(gè)第二接合部具有至少兩個(gè)高度，將所述至少兩個(gè)第二接合部中的一個(gè)第二接合部的高度作為基準(zhǔn)高度，并且具有與所述基準(zhǔn)高度不同的高度的第二接合部具有球狀突起。通過對(duì)基準(zhǔn)高度以外的第二接合部設(shè)置球狀突起，能夠確保導(dǎo)線的接合強(qiáng)度。
【IPC分類】H01L23-495, H01L23-488
【公開號(hào)】CN204558454
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520160904
【發(fā)明人】入江康元, 大美賀孝
【申請(qǐng)人】三墾電氣株式會(huì)社
【公開日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2015年3月20日