一種酸洗蝕刻方法及清洗機的制作方法
【專利摘要】為克服現(xiàn)有技術(shù)中去除晶圓背面原生氧化層的方法工序復雜、碎片率高的問題，本發(fā)明提供了一種酸洗蝕刻方法，包括如下步驟；S1、提供一工作臺，工作臺內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺上表面具有連通工作腔的酸洗口；將晶圓置于工作臺上，所述晶圓具有原生氧化層的背面朝下，并且覆蓋所述酸洗口；所述晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)；S2、在所述晶圓背面形成水膜；S3、在所述工作腔內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，通過內(nèi)部溶解有氫氟酸的水膜對所述晶圓背面進行蝕刻處理。同時，本發(fā)明還公開了采用上述酸洗蝕刻方法的清洗機。本發(fā)明提供的酸洗蝕刻方法不需要貼膜和剪膜兩道工序，簡化了工藝流程，提高了生產(chǎn)效率，并且碎片率低。
【專利說明】
一種酸洗蝕刻方法及清洗機
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種IGBT晶圓的酸洗蝕刻方法及清洗機。
【背景技術(shù)】
[0002]絕緣棚.雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)于二十世紀八十年代被提出和迅速推廣，現(xiàn)已廣泛應用于中高壓大電流領(lǐng)域，并同MOSFET (金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)將功率電子技術(shù)推向了高頻時代。對比其它種類的功率半導體，如雙極型晶體管、MOSFET,絕緣柵雙極型晶體管作為一種電壓控制器件，能夠以更低的功率損耗處理更高的功率，并且能夠工作于高頻的電路當中，是IGBT最為突出的特點和優(yōu)勢。IGBT目前已經(jīng)廣泛應用電力電子領(lǐng)域。
[0003]IGBT器件由一個MOS晶體管和一個PNP雙極晶體管組成，也可看作是由一個VDMOS (Vertical double diffused M0SFET，垂直雙擴散MOS晶體管)和一個二極管組成。IGBT器件實現(xiàn)了 MOSFET和BJT的優(yōu)化組合，實現(xiàn)了低能耗、高壓、高速的特性。這種器件廣泛地應用于工業(yè)、交通、能源等領(lǐng)域，業(yè)已經(jīng)成為一種不可替代的電力電子器件。
[0004]通常，在制備IGBT器件時，將硅襯底減薄后蒸鍍金屬前需要除去晶圓背面的原生氧化層。目前，常規(guī)的去除該原生氧化層的方法是將晶圓浸泡于氫氟酸(HF)溶液中，通過氫氟酸將該原生氧化層腐蝕除去。
[0005]但是，由于將晶圓完全浸泡于氫氟酸中時，晶圓正面同樣會受到氫氟酸的腐蝕，導致晶圓正面的金屬(鋁)以及保護層(PI)出現(xiàn)不同程度的缺陷。
[0006]為避免上述問題的產(chǎn)生，通常在腐蝕之前，先在晶圓正面貼附一層保護膜，待腐蝕完成后，再將該保護膜除去。由此，增加了上述貼膜和剪膜工序，降低了生產(chǎn)效率。并且由于薄片貼膜和剪膜均是人工操作，導致碎片率較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中去除晶圓背面原生氧化層的方法工序復雜、碎片率高的問題，提供一種酸洗蝕刻方法。
[0008]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下:
[0009]提供一種酸洗蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟；
[0010]S1、提供一工作臺，所述工作臺內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺上表面具有連通工作腔的酸洗口 ；將晶圓置于工作臺上，所述晶圓具有原生氧化層的背面朝下，并且覆蓋所述酸洗口 ；所述晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)；
[0011]S2、在所述晶圓背面形成水膜；
[0012]S3、在所述工作腔內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，通過內(nèi)部溶解有氫氟酸的水膜對所述晶圓背面進行蝕刻處理。
[0013]同時，本發(fā)明還提供了一種清洗機，包括機體、工作臺、用于容納氫氟酸的氫氟酸罐、用于容納水的水罐、惰性氣源和噴嘴；所述工作臺固定于機體上，工作臺內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺上表面具有連通工作腔的酸洗口 ；所述氫氟酸罐的底部和水罐的底部各自獨立的可開啟或閉合的連通至惰性氣源；所述噴嘴固定于工作臺底部，并且所述噴嘴的噴口連通至工作腔，噴嘴的入口連接至所述氫氟酸罐和水罐的頂部，并可擇一連通。
[0014]本發(fā)明中，通過將晶圓置于工作臺上，并且晶圓具有原生氧化層的背面朝向工作臺內(nèi)部的工作腔。在晶圓背面形成水膜后通入氫氟酸酸霧，可對晶圓背面的原生氧化層進行有效的蝕刻以將其除去，同時，可有效的避免對晶圓的正面產(chǎn)生損傷。
[0015]另一方面，通過先在晶圓背面形成水膜，然后在通入氫氟酸酸霧，是氫氟酸溶于上述水膜內(nèi)，可更均勻有效的對晶圓背面的原生氧化層進行蝕刻，并且蝕刻更均勻穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明優(yōu)選實施方式提供的清洗機的內(nèi)部正視圖；
[0017]圖2是圖1中A處局部放大圖；
[0018]圖3是本發(fā)明優(yōu)選實施方式提供的清洗機的內(nèi)部側(cè)視圖；
[0019]圖4是圖3中B處局部放大圖。
[0020]說明書附圖中的附圖標記如下:
[0021]1、機體；2、支撐板；3、氫氟酸罐；4、水罐；5、通氣嘴；6、酸液添加口 ；7、工作臺；71、工作腔；72、緩沖腔；8、隔板；9、噴嘴。
【具體實施方式】
[0022]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0023]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0024]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“設(shè)置”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0025]本發(fā)明提供的酸洗蝕刻方法包括如下步驟；
[0026]S1、提供一工作臺，所述工作臺內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺上表面具有連通工作腔的酸洗口 ；將晶圓置于工作臺上，所述晶圓具有原生氧化層的背面朝下，并且覆蓋所述酸洗口 ；所述晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)；
[0027]S2、在所述晶圓背面形成水膜；
[0028]S3、在所述工作腔內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，通過內(nèi)部溶解有氫氟酸的水膜對所述晶圓背面進行蝕刻處理。
[0029]如現(xiàn)有技術(shù)中所知曉的，對晶圓背面的原生氧化層進行蝕刻處理時，需避免蝕刻物質(zhì)與晶圓正面的結(jié)構(gòu)接觸而損傷晶圓正面結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，首先提供一用于承載晶圓的工作臺，工作臺上表面具有連通工作腔的酸洗口。當晶圓置于該工作臺上時，酸洗口四周的框體與晶圓四周邊緣接觸，使晶圓覆蓋所述酸洗口，并且晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)。
[0030]此時，晶圓待蝕刻的背面與晶圓需避免被蝕刻的正面相互隔離，進行蝕刻時，晶圓正面不受任何影響。
[0031]由于晶圓背面的原生氧化層較薄，為有效除去該原生氧化層，同時避免損傷晶圓，本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，如上述步驟S2，將晶圓置于工作臺上之后，先在晶圓背面形成一層水膜。在具有該水膜的前提下，采用后續(xù)的步驟S3進行蝕刻時可更均勻的對晶圓背面的原生氧化層進行蝕刻，有效去除原生氧化層的同時，避免損傷晶圓。
[0032]在晶圓背面形成水膜的方法可以為常規(guī)的各種，例如，通過惰性氣體將水霧化，霧化后的水再在晶圓背面凝結(jié)形成上述水膜。具體方式可以為，向水內(nèi)部通入惰性氣體，通過惰性氣體將水分帶出，含有大量水分的氣流流動至晶圓背面后會在晶圓背面凝結(jié)成水。
[0033]為便于惰性氣體有效的將水分霧化帶出，優(yōu)選情況下，先將水加熱至75°C以上，然后再通入惰性氣體，將其霧化。
[0034]在晶圓背面形成上述水膜之后，如步驟S3，在所述工作腔內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，對所述晶圓背面進行蝕刻處理。
[0035]類似的，可通過惰性氣體將氫氟酸霧化形成所述氫氟酸酸霧，并將所述氫氟酸酸霧通入工作腔內(nèi)。具體方式同樣可以為:向氫氟酸液內(nèi)部通入惰性氣體，通過惰性氣體將氫氟酸分帶出，帶有氫氟酸的氣流流動至晶圓背面，與水膜結(jié)合后會對晶圓背面的原生氧化膜進行腐蝕，從而實現(xiàn)酸洗蝕刻的目的。
[0036]如前所述，為便于惰性氣體有效的將氫氟酸帶出，本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，先將氫氟酸溶液加熱至75°C以上，然后再通入惰性氣體，將其霧化。
[0037]對于上述步驟S2和S3，其中所采用的惰性氣體可以為常規(guī)的各種惰性氣體，本發(fā)明中，惰性氣體可以采用化學領(lǐng)域常用的氮氣、氦氣、氖氣、氬氣等。
[0038]根據(jù)本發(fā)明，為進一步提高蝕刻的均勻性，優(yōu)選情況下，所述工作臺內(nèi)部設(shè)置有隔板，所述隔板將所述工作臺的內(nèi)腔分割成工作腔和緩沖腔，所述工作腔位于所述緩沖腔上方；所述隔板上開設(shè)有多個連通所述工作腔和緩沖腔的通孔。
[0039]在此結(jié)構(gòu)下，所述步驟S2中，在所述緩沖腔內(nèi)噴出水霧，并使所述水霧通過隔板運動至工作腔內(nèi)，在所述晶圓背面形成水膜。
[0040]重要的是，所述步驟S3中，在所述緩沖腔內(nèi)噴出氫氟酸酸霧，并使所述氫氟酸酸霧通過隔板運動至工作腔內(nèi)，并溶于所述水膜。
[0041]通過上述隔板可通過緩沖腔將氫氟酸酸霧勻化，使不同區(qū)域的氫氟酸量更均勻，利于更均勻有效的對晶圓背面的原生氧化膜進行蝕刻。
[0042]本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，在所述步驟S3之后還包括在所述工作腔內(nèi)通入惰性氣體，對所述晶圓進行干燥處理。通過上述干燥處理，可有效的避免在后續(xù)蝕刻完成后取片時含有氫氟酸的霧體蝕刻晶圓的正面。
[0043]如前所述，上述惰性氣體可以采用化學領(lǐng)域常用的氮氣、氦氣、氖氣、氬氣等。
[0044]通過本發(fā)明提供的酸液蝕刻方法，可一次性將晶圓背面的原生氧化膜去除，簡化了工序，大大提高了工作效率。同時可降低碎片率。
[0045]同時，本發(fā)明還提供了一種采用上述方法對晶圓背面的原生氧化膜進行酸洗蝕刻的清洗機，具體機體、工作臺、用于容納氫氟酸的氫氟酸罐、用于容納水的水罐、惰性氣源和噴嘴；所述工作臺固定于機體上，工作臺內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺上表面具有連通工作腔的酸洗口 ；所述氫氟酸罐的底部和水罐的底部各自獨立的可開啟或閉合的連通至惰性氣源；所述噴嘴固定于工作臺底部，并且所述噴嘴的噴口連通至工作腔，噴嘴的入口連接至所述氫氟酸罐和水罐的頂部，并可擇一連通。
[0046]上述機體形成清洗機的主體框架。工作臺固定于機體上。具體的，清洗機可以包括支撐板，所述工作臺設(shè)置于支撐板上。
[0047]上述氫氟酸罐用于盛放氫氟酸溶液。本發(fā)明中，具體可以采用濃度為49%的氫氟酸溶液。氫氟酸罐的底部可開啟或閉合的連通至惰性氣源。例如，氫氟酸罐的底部設(shè)置有通氣嘴，通氣嘴通過氣管連通至惰性氣源，并且可通過通氣嘴控制氣管的通斷。當氫氟酸罐連通至惰性氣源時，惰性氣源向氫氟酸罐內(nèi)持續(xù)通入惰性氣體，用以將氫氟酸霧化和帶出。
[0048]上述水罐用于盛放去離子水。同樣的，水罐的底部可開啟或閉合的連通至惰性氣源。例如，水罐的底部設(shè)置有通氣嘴，通氣嘴通過氣管連通至惰性氣源，并且可通過通氣嘴控制氣管的通斷。當水罐連通至惰性氣源時，惰性氣源向水罐內(nèi)持續(xù)通入惰性氣體，用以將水霧化和帶出。
[0049]根據(jù)本發(fā)明，上述噴嘴固定于工作臺底部，并且所述噴嘴的噴口連通至工作腔，噴嘴的入口連接至所述氫氟酸罐和水罐的頂部，并可擇一連通。
[0050]具體的，可采用具有兩個入口的三通閥門，三通閥門的兩個入口分別連通至氫氟酸罐和水罐的頂部，三通閥門的出口連通至噴嘴的入口。同時，噴嘴的噴口連通至工作腔，當氫氟酸罐通過三通閥門經(jīng)噴嘴連通至工作腔時，水罐經(jīng)三通閥門至噴嘴的通路關(guān)斷，反之，當水罐通過三通閥門經(jīng)噴嘴連通至工作腔時，氫氟酸罐經(jīng)三通閥門至噴嘴的通路關(guān)斷。
[0051]此時，通過惰性氣源向水罐內(nèi)通入惰性氣體，惰性氣體將水霧化并通過氣流將水霧通過三通閥門經(jīng)噴嘴噴入工作腔，從而在晶圓背面形成水膜。同樣的，通過惰性氣源向氫氟酸罐內(nèi)通入惰性氣體，惰性氣體將氫氟酸霧化并通過氣流將含有氫氟酸酸霧通過三通閥門經(jīng)噴嘴噴入工作腔，溶于水膜后即可進行蝕刻。
[0052]如前所述，為使對晶圓背面的蝕刻更均勻的進行，優(yōu)選情況下，所述清洗機還包括隔板；所述隔板設(shè)置于工作臺內(nèi)部，并將工作臺的內(nèi)腔分割成工作腔和緩沖腔，所述工作腔位于所述緩沖腔上方；所述隔板上開設(shè)有多個連通所述工作腔和緩沖腔的通孔；所述噴嘴的噴口位于所述緩沖腔內(nèi)。
[0053]在此結(jié)構(gòu)下，上述帶有水分的氣流從噴嘴的噴口進入緩沖腔，經(jīng)過隔板勻化后通過隔板上的通孔進入工作腔，在晶圓背面形成水膜。同樣的，帶有氫氟酸的酸霧從噴嘴的噴口進入緩沖腔，經(jīng)過隔板勻化后通過隔板上的通孔進入工作腔，溶于水膜后即可進行蝕刻。
[0054]根據(jù)本發(fā)明，為進一步提高蝕刻的均勻性，優(yōu)選情況下，工作臺底部設(shè)置有多個噴嘴，多個噴嘴在工作臺底部均勻分布。
[0055]對于本發(fā)明提供的清洗機，還包括酸液添加口，所述酸液添加口連通至氫氟酸罐?？赏ㄟ^上述酸液添加口向氫氟酸罐內(nèi)添加氫氟酸。具體的，上述酸液添加口可設(shè)置于支撐板上，并通過管道連通至氫氟酸罐。
[0056]下面結(jié)合圖1-圖4對本發(fā)明優(yōu)選實施方式提供的清洗機的結(jié)構(gòu)進行進一步說明。
[0057]具體參見圖1和圖3，該清洗機包括長方體狀機體1，機體I中部水平設(shè)置有支撐板2。支撐板2上設(shè)置有工作臺7和酸液添加口 6。
[0058]具體參見圖2和圖4，工作臺7為長方體狀。工作臺7內(nèi)部中空。工作臺7內(nèi)部水平設(shè)置有隔板8，隔板8上開設(shè)有多個通孔。隔板8將工作臺7的內(nèi)腔分割為工作腔71和緩沖腔72。工作腔71位于緩沖腔72上方，并且工作腔71與緩沖腔72通過隔板8上的通孔連通。
[0059]同時，工作臺7上表面具有酸洗口，酸洗口與工作腔71連通。
[0060]工作臺7底部設(shè)置有8個噴嘴9，噴嘴9的噴口位于緩沖腔72內(nèi)。
[0061]繼續(xù)參見圖1和圖3，氫氟酸罐3和水罐4并排設(shè)置于支撐板2下方，氫氟酸罐3和水罐4的底部均通過通氣嘴5各自獨立的通過氣管連通至氮氣氣源(圖中未示出)。通過通氣嘴5控制氣管的通斷。
[0062]氫氟酸罐3的頂部和水罐4的頂部均通過氣管連通至8個噴嘴9的入口，并且8個噴嘴9的入口均擇一與氫氟酸罐3的頂部或水罐4的頂部連通。
[0063]支撐板2上的酸液添加口 6通過管道連通至氫氟酸罐3，用于向氫氟酸罐3內(nèi)添加酸液。
[0064]下面結(jié)合上述清洗機對本發(fā)明提供的酸洗蝕刻方法進行詳細說明。
[0065]首先，將晶圓置于工作臺7上，晶圓的背面向下并覆蓋工作臺7上的酸洗口。
[0066]其次，將水罐4與噴嘴9的入口連通。并通過氮氣氣源向水罐4內(nèi)通入氮氣，氮氣將水罐4內(nèi)的水分霧化。含有水分的氣流通過噴嘴9的噴口噴入緩沖腔72，經(jīng)過隔板8的勻化作用后，經(jīng)隔板8上的通孔進入工作腔71，與覆蓋于酸洗口上的晶圓背面接觸冷凝，逐漸在晶圓背面形成水膜。
[0067]然后，關(guān)閉水罐4至噴嘴9的通路，將氫氟酸罐3與噴嘴9的入口連通。通過氮氣氣源向氫氟酸罐3內(nèi)通入氮氣，氮氣氣流攜帶氫氟酸通過噴嘴9的噴口噴入緩沖腔72，經(jīng)過隔板8的勻化作用后，經(jīng)隔板8上的通孔進入工作腔71，與覆蓋于酸洗口上的晶圓背面的水膜接觸并溶于水膜，逐漸對晶圓背面的原生氧化膜進行蝕刻處理，直至將原生氧化膜除去。
[0068]最后通過氮氣氣源向工作腔71內(nèi)通入干燥的氮氣，將經(jīng)過蝕刻處理的晶圓背面進行干燥處理。
[0069]上述方法可穩(wěn)定有效的除去晶圓背面的原生氧化膜，并且不會對晶圓正面的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷。同時，上述方法簡化了工藝，提高了生產(chǎn)效率。并且可大大降低碎片率。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種酸洗蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟； 51、提供一工作臺(7)，所述工作臺(7)內(nèi)部具有工作腔(71)，所述工作臺(7)上表面具有連通工作腔(71)的酸洗口 ；將晶圓置于所述工作臺(7)上，所述晶圓具有原生氧化層的背面朝下，并且覆蓋所述酸洗口 ；所述晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)； 52、在所述晶圓背面形成水膜； 53、在所述工作腔(71)內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，通過內(nèi)部溶解有氫氟酸的水膜對所述晶圓背面進行蝕刻處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，所述步驟S2中，通過惰性氣體將水霧化，并使水霧在晶圓背面凝結(jié)形成所述水膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，所述步驟S3中，通過惰性氣體將氫氟酸霧化形成所述氫氟酸酸霧，并將所述氫氟酸酸霧通入工作腔(71)內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，先將所述水和/或氫氟酸加熱到75°C以上，然后再將其霧化。5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，所述工作臺(7)內(nèi)部設(shè)置有隔板(8)，所述隔板(8)將所述工作臺(7)的內(nèi)腔分割成工作腔(71)和緩沖腔(72)，所述工作腔(71)位于所述緩沖腔(72)上方； 所述隔板⑶上開設(shè)有多個連通所述工作腔(71)和緩沖腔(72)的通孔； 所述步驟S2中，在所述緩沖腔(72)內(nèi)噴出水霧，并使所述水霧通過隔板(8)運動至工作腔(71)內(nèi)，在所述晶圓背面形成水膜； 所述步驟S3中，在所述緩沖腔(72)內(nèi)噴出氫氟酸酸霧，并使所述氫氟酸酸霧通過隔板(8)運動至工作腔(71)內(nèi)，并溶于所述水膜。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，在所述步驟S3之后還包括在所述工作腔(71)內(nèi)通入惰性氣體，對所述晶圓進行干燥處理。7.根據(jù)權(quán)利要求2、3、6中任意一項所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，所述惰性氣體為氮氣。8.—種清洗機，其特征在于，包括機體(I)、工作臺(7)、用于容納氫氟酸的氫氟酸罐(3)、用于容納水的水罐(4)、惰性氣源和噴嘴(9); 所述工作臺(7)固定于機體(I)上，工作臺(7)內(nèi)部具有工作腔(71)，所述工作臺(7)上表面具有連通工作腔(71)的酸洗口 ； 所述氫氟酸罐(3)的底部可開啟或閉合的連通至惰性氣源；所述水罐(4)的底部可開啟或閉合的連通至惰性氣源； 所述噴嘴(9)固定于工作臺(7)底部，并且所述噴嘴(9)的噴口連通至工作腔(71)，噴嘴(9)的入口連接至所述氫氟酸罐(3)和水罐⑷的頂部，并可擇一連通。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清洗機，其特征在于，所述清洗機還包括隔板(8); 所述隔板(8)設(shè)置于工作臺(7)內(nèi)部，并將工作臺(7)的內(nèi)腔分割成工作腔(71)和緩沖腔(72)，所述工作腔(71)位于所述緩沖腔(72)上方； 所述隔板⑶上開設(shè)有多個連通所述工作腔(71)和緩沖腔(72)的通孔； 所述噴嘴(9)的噴口位于所述緩沖腔(72)內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的清洗機，其特征在于，所述清洗機還包括支撐板(2)，所述工作臺(7)設(shè)置于支撐板(2)上； 所述工作臺(7)底部設(shè)置有多個噴嘴(9); 所述支撐板(2)上還設(shè)置有酸液添加口 ￠)，所述酸液添加口(6)連通至氫氟酸罐⑶。
【文檔編號】H01L21/67GK106033709SQ201510109734
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月13日
【發(fā)明人】徐紀哲, 王騫, 尹達, 馮子漢, 陳王龍
【申請人】比亞迪股份有限公司