用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的裝置和方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的裝置和方法。其中，一種用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底(2)的裝置(1)具有預(yù)處理裝置(4)，該預(yù)處理裝置在該半導(dǎo)體襯底(2)的傳輸方向(3)上設(shè)置在第一涂敷裝置(5)和第二涂敷裝置(6)之前。該預(yù)處理裝置(4)用于在該半導(dǎo)體襯底(2)上生成環(huán)繞的限定區(qū)域，使得之后借助該第一涂敷裝置(5)所施加的保護(hù)流體(22)被限定并被保持于襯底上側(cè)(23)上。由此避免了在之后的第二涂敷裝置(6)中該保護(hù)流體(22)對處理流體(28)的污染，由此該裝置(1)以簡單的方式具有高的經(jīng)濟(jì)性。
【專利說明】
用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的裝置。本發(fā)明另外還涉及一種用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在WO 2011/047 894 Al中公開了一種用于化學(xué)處理硅襯底的裝置。該硅襯底首先在上側(cè)整個平面用保護(hù)液浸濕。接著在該硅襯底的下側(cè)施加處理流體，該處理流體對該硅襯底在下側(cè)進(jìn)行化學(xué)處理。通過該保護(hù)液來保護(hù)上側(cè)防止該處理流體。缺點(diǎn)是，一方面該保護(hù)液必須極其精確地確定劑量，以使保護(hù)液從該硅襯底表面滴下的可能性最小化，并且另一方面并不能完全避免保護(hù)液從表面滴下，如此使得要滴下的保護(hù)液影響了該處理液的質(zhì)量，并從而影響該裝置的經(jīng)濟(jì)性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所基于的任務(wù)是，提供一種裝置，其能夠簡單而經(jīng)濟(jì)地化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底。
[0004]根據(jù)本發(fā)明，提出了一種用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的裝置，其具有第一涂敷裝置，以把保護(hù)流體施加到半導(dǎo)體襯底的襯底上側(cè)上，以及第二涂敷裝置，以把處理流體施加到半導(dǎo)體襯底的要處理的襯底下側(cè)上，其中該第二涂敷裝置在半導(dǎo)體襯底的傳輸方向上設(shè)置在該第一涂敷裝置之后，其中，預(yù)處理裝置在該傳輸方向上布置在該第一涂敷裝置之前并被構(gòu)造為使得在半導(dǎo)體襯底上生成環(huán)繞的并對要施加的保護(hù)流體進(jìn)行限定的限定區(qū)域。該任務(wù)通過具有上述技術(shù)方案所述特征的一種裝置而得到解決。通過在傳輸方向上給第一涂敷裝置前置的預(yù)處理裝置，首先在該半導(dǎo)體襯底上生成環(huán)繞的并對要施加的保護(hù)液進(jìn)行限定的限定區(qū)域，如此使得之后在該襯底上側(cè)所施加的保護(hù)流體被保持于該限定區(qū)域上。環(huán)繞的限定區(qū)域優(yōu)選地排斥該保護(hù)流體。環(huán)繞的限定區(qū)域借助該預(yù)處理裝置而在連接該襯底上側(cè)與襯底下側(cè)的襯底端面上被生成，和/或在該襯底上側(cè)上被生成。要施加的保護(hù)流體尤其是一種保護(hù)液。該保護(hù)液尤其是含水的。如果把水或蒸餾水用作保護(hù)液，那么該限定區(qū)域就構(gòu)造為疏水的。通過環(huán)繞的以及限定保護(hù)流體的該限定區(qū)域，襯底上側(cè)構(gòu)成了限定區(qū)域的內(nèi)部空間，在該內(nèi)部空間中該保護(hù)流體可以以簡單的方式被加入或被施加。因?yàn)樵撓薅▍^(qū)域把該保護(hù)流體保持于該襯底上側(cè)上，所以該保護(hù)流體僅須粗略地確定劑量。另外該保護(hù)液還不會從該襯底上側(cè)滴下來，如此使得該處理流體的質(zhì)量不受該保護(hù)流體的影響。從而不需要導(dǎo)致處理流體消耗增大的處理流體再劑量，如此使得該裝置具有高的經(jīng)濟(jì)性。處理流體優(yōu)選地是一種處理液體。該處理液體尤其包含有氫氟酸和/或硝酸，如此使得該處理液體形成了一種蝕刻液。根據(jù)本發(fā)明的裝置尤其可以用于化學(xué)處理用以制造太陽能電池的半導(dǎo)體晶片。
[0005]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，該預(yù)處理裝置具有用于預(yù)處理流體、尤其是預(yù)處理液的容納池。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的裝置保證了對半導(dǎo)體襯底的簡單的化學(xué)處理。容納池用于構(gòu)成該預(yù)處理流體或者說預(yù)處理液的液體槽，和/或用于收集被施加的從該半導(dǎo)體襯底滴下的預(yù)處理流體。該預(yù)處理流體優(yōu)選地對該半導(dǎo)體襯底有侵蝕作用，其中通過部分地或成層地侵蝕該半導(dǎo)體襯底來形成限定區(qū)域。優(yōu)選地該預(yù)處理流體是一種液體蝕刻液。
[0006]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，沿著該容納池布置有多個傳輸輥，這些傳輸輥延伸到該容納池中。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的裝置保證了對半導(dǎo)體襯底的簡單而經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理。通過傳輸輥沿著容納池來布置并伸到該容納池中，預(yù)處理液可以在傳輸期間如此被施加到該半導(dǎo)體襯底上，使得形成限定區(qū)域。該半導(dǎo)體襯底比如間接地用該預(yù)處理液來浸濕。在此該預(yù)處理液、比如該液體蝕刻液借助該傳輸輥而被施加到該襯底下側(cè)。該預(yù)處理液由于其表面張力而自動地運(yùn)動到襯底端面并浸濕它以形成環(huán)繞的限定區(qū)域。在進(jìn)行直接浸濕時，該半導(dǎo)體襯底借助傳輸輥靠近預(yù)處理液的液體槽而被傳輸，如此使得襯底下側(cè)直接被液體槽浸濕。由于其表面張力和/或由于彎月效應(yīng)(Meniskusbildung)，預(yù)處理液可以自動地移動到襯底上側(cè)的邊緣區(qū)域。從而在襯底端面以及必要時在襯底上側(cè)上形成了限定區(qū)域。預(yù)處理液尤其通過其表面張力并通過由該襯底表面的粗糙度而產(chǎn)生的毛細(xì)效應(yīng)來自動地移動到襯底端面并必要時移動到襯底上側(cè)。在此襯底表面在預(yù)處理之前是吸引預(yù)處理液的。襯底表面在預(yù)處理之前尤其構(gòu)造為親水的。
[0007]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，該容納池在該傳輸方向上具有長度L，其中對于長度L適用的是:0.3m < L < 1.5m，尤其是0.4m < L < 1.2m，并尤其是0.5m<L<0.8m。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的裝置保證了對該半導(dǎo)體襯底的經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理。通過容納池的長度，在所期望的傳輸速度下來保證預(yù)處理流體或預(yù)處理液的最小作用時長。由此以簡單的方式來保證形成該限定區(qū)域。
[0008]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，該預(yù)處理裝置具有針對在該容納池中所容納的預(yù)處理液的液位調(diào)節(jié)裝置。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的裝置保證了對該半導(dǎo)體襯底的簡單而經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理。通過液位調(diào)節(jié)，以簡單的方式保證了該預(yù)處理液的施加。在進(jìn)行間接浸濕時，該液位如此來調(diào)節(jié)，使得預(yù)處理液的液面如此低于襯底下側(cè)，也即低于傳輸輥的高度水平面，使得傳輸輥任何時候都浸入到預(yù)處理液中。為此液面低于襯底下側(cè)小于傳輸輥的直徑。優(yōu)選地該液面低于襯底下側(cè)Imm至30mm，尤其5mm至25mm，并尤其1mm至20mm。在進(jìn)行直接浸濕時，該液位被調(diào)節(jié)為使得該液面低于襯底下側(cè)Omm至5mm。這足以使襯底端面以及必要時的襯底上側(cè)浸濕該預(yù)處理液，使得形成限定區(qū)域。該預(yù)處理液的溫度尤其在5°C與25°C之間的溫度范圍中，尤其在室溫下。該預(yù)處理液尤其作為蝕刻液來構(gòu)造，其具有在0.1重量％與5重量％之間的酸濃度范圍。用作酸的尤其是氫氟酸、硝酸、硫酸和/或過氧化磷酸。
[0009]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，該預(yù)處理裝置具有針對傳輸輥的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)裝置。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的裝置保證了對該半導(dǎo)體襯底的簡單而經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理。通過調(diào)節(jié)該傳輸輥的旋轉(zhuǎn)速度，來設(shè)定該半導(dǎo)體襯底在傳輸方向上的傳輸速度，使得在盡可能高的傳輸速度下仍然保證了該預(yù)處理液足夠的作用時長以形成限定區(qū)域。
[0010]本發(fā)明另外還基于的任務(wù)是提供一種方法，該方法實(shí)現(xiàn)了對半導(dǎo)體襯底的簡單而經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，還提出了一種用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的方法，其具有以下的步驟:提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上生成環(huán)繞的限定區(qū)域，其中該限定區(qū)域圍繞并限定要施加到襯底上側(cè)上的保護(hù)流體，在襯底上側(cè)上將保護(hù)流體施加到該限定區(qū)域的內(nèi)部空間中，以及將處理流體施加到要處理的襯底下側(cè)上。該任務(wù)通過具有上述特征的一種方法而得到解決。根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)點(diǎn)對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的裝置的前述優(yōu)點(diǎn)。
[0012]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，在半導(dǎo)體襯底的襯底端面上生成該限定區(qū)域。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的方法保證了對該半導(dǎo)體襯底的簡單而經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理。在該半導(dǎo)體襯底側(cè)面所形成的限定區(qū)域能夠被簡單地生成，并足以把保護(hù)流體保持于該襯底上側(cè)。
[0013]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，在該襯底上側(cè)上生成該限定區(qū)域。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的方法保證了對該半導(dǎo)體襯底的簡單而經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理。通過在該襯底上側(cè)所生成的限定區(qū)域，該保護(hù)流體或該保護(hù)液被有效地保持于該襯底上側(cè)。該限定區(qū)域在該襯底上側(cè)的邊緣區(qū)域中被形成。該邊緣區(qū)域從該半導(dǎo)體襯底的環(huán)繞的邊緣開始小于2_，尤其小于1.5_，并尤其小于Imm0
[0014]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，借助預(yù)處理流體、尤其是預(yù)處理液來生成該限定區(qū)域。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的方法保證了以簡單的方式來生成該限定區(qū)域。該預(yù)處理流體優(yōu)選是一種預(yù)處理液。該預(yù)處理液尤其包含有氫氟酸和/或硝酸，使得該預(yù)處理液形成一種蝕刻液。
[0015]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，將該預(yù)處理液布置于容納池中，并且用于傳輸半導(dǎo)體襯底的傳輸輥延伸到該預(yù)處理液中。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的方法實(shí)現(xiàn)了以簡單的方式借助傳輸輥來施加預(yù)處理液。施加到襯底下側(cè)的預(yù)處理液自動地移動到襯底端面，并從那里在必要時繼續(xù)移動到襯底上側(cè)，如此使得形成限定區(qū)域。
[0016]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，該預(yù)處理液構(gòu)成液體池，該液體池至少與襯底下側(cè)相接觸。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的方法實(shí)現(xiàn)了以簡單的方式直接從該液體池來施加預(yù)處理液。該半導(dǎo)體襯底以襯底下側(cè)被導(dǎo)送高于該預(yù)處理液液面Omm至5mm的距離內(nèi)，使得該襯底下側(cè)直接地或通過彎月效應(yīng)而與該預(yù)處理液相接觸。該預(yù)處理液從該襯底下側(cè)自動地移動到該襯底端面，并必要時繼續(xù)移動到該襯底上側(cè)。
[0017]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，調(diào)節(jié)在容納池中該預(yù)處理液的液位。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的方法保證了簡單地施加該預(yù)處理液以形成限定區(qū)域。
[0018]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，調(diào)節(jié)傳輸輥的旋轉(zhuǎn)速度。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的方法保證了對該半導(dǎo)體襯底的經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理。通過傳輸輥的旋轉(zhuǎn)速度可以調(diào)節(jié)該半導(dǎo)體襯底的傳輸速度，使得在盡可能大的傳輸速度下保證該預(yù)處理流體的足夠的作用時長。
[0019]根據(jù)一種擴(kuò)展方案，該預(yù)處理流體相應(yīng)于該處理流體。根據(jù)該擴(kuò)展方案所述的方法保證了對該半導(dǎo)體襯底的簡單而經(jīng)濟(jì)的化學(xué)處理，因?yàn)閮H須保留一種流體。
【附圖說明】
[0020]本發(fā)明的其他特征、優(yōu)點(diǎn)和細(xì)節(jié)參見下面的對實(shí)施例的說明。其中:
[0021]圖1示出了用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的一種裝置，
[0022]圖2示出了在該裝置的第一運(yùn)行方式中預(yù)處理裝置的放大圖示，
[0023]圖3示出了按照圖2的預(yù)處理裝置的俯視圖，以及
[0024]圖4示出了在第二運(yùn)行方式中圖2的預(yù)處理裝置的放大圖示。
【具體實(shí)施方式】
[0025]裝置I為了化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底2而在傳輸方向3上依次具有預(yù)處理裝置4、第一涂敷裝置5、第二涂敷裝置6、清潔裝置7和烘干裝置8 ο該預(yù)處理裝置4從而在該傳輸方向3上設(shè)置在該第一涂敷裝置5之前。這些半導(dǎo)體襯底2尤其作為半導(dǎo)體晶片、優(yōu)選作為硅晶片來構(gòu)造。
[0026]為了傳輸半導(dǎo)體襯底2，該裝置I具有多個傳輸輥9，這些傳輸輥從該預(yù)處理裝置4沿著該傳輸方向3直至該烘干裝置8來布置。該傳輸棍9借助電驅(qū)動電機(jī)10和未詳細(xì)不出的傳動機(jī)構(gòu)而被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。圍繞相應(yīng)旋轉(zhuǎn)軸11的旋轉(zhuǎn)速度ω借助速度測量傳感器12而被測量。
[0027]該預(yù)處理裝置4具有容納池13，其用于容納預(yù)處理流體14。該預(yù)處理流體14作為液體來構(gòu)造，該液體容納于作為液體槽的容納池13中。為了測量該預(yù)處理液14在該容納池13中的液位h，該預(yù)處理裝置4具有液位測量傳感器15。該液位測量傳感器15比如設(shè)置在該容納池13上。
[0028]該容納池13在該傳輸方向3上具有長度L，其中對于該長度L適用的是:0.3m<Lg
1.5m,尤其O KL ^ 1.2m，并尤其0.5m< L ^ 0.8m。傳輸輥9在容納池13的區(qū)域內(nèi)延伸到該容納池13中，并延伸到其中所容納的預(yù)處理液14中。為了調(diào)節(jié)液位h，該預(yù)處理裝置4具有儲存容器16，該儲存容器通過管路17和栗18與容納池13相連。
[0029]在該裝置I的控制裝置19中實(shí)施一種液位調(diào)節(jié)裝置20，其與液位測量傳感器15和栗18相信號連接。另外在該控制裝置19中還實(shí)施了針對沿該容納池13布置的傳輸輥9的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)裝置21，其與該速度測量傳感器12和該驅(qū)動電機(jī)10相信號連接。該液位調(diào)節(jié)裝置20和該旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)裝置21是預(yù)處理裝置4的組成部分。
[0030]之后布置的第一涂敷裝置5用于去除預(yù)處理液14，并用于把保護(hù)流體22施加到半導(dǎo)體襯底2的相應(yīng)襯底上側(cè)23上。該保護(hù)流體22作為液體來構(gòu)造。優(yōu)選地該保護(hù)液體22是蒸餾水。為了施加該保護(hù)液22，該第一涂敷裝置5具有涂敷噴嘴24，其布置在傳輸輥9以及其上所傳輸?shù)陌雽?dǎo)體襯底2上方。該涂敷噴嘴24通過管路25和所屬的栗26與儲存容器27相連。該栗26與該控制裝置19相信號連接。
[0031]之后設(shè)置的第二涂敷裝置6用于在半導(dǎo)體襯底2的相應(yīng)襯底下側(cè)29上施加處理流體28。處理流體28作為液體來構(gòu)造，其容納于容納池30中。該第二涂敷裝置6與該預(yù)處理裝置4相對應(yīng)地具有液位測量傳感器31、儲存容器32、以及液位調(diào)節(jié)裝置35，其中該儲存容器通過管路33和栗34與該容納池30相連接。關(guān)于第二涂敷裝置6的構(gòu)造參見該預(yù)處理裝置4的說明。
[0032]在第一運(yùn)行方式中該裝置I的功能如下:
[0033]該預(yù)處理裝置4用于在各半導(dǎo)體襯底2上生成環(huán)繞的限定區(qū)域36，其中該限定區(qū)域?qū)⒅蠼柚摰谝煌糠笱b置5施加的保護(hù)流體22或者要施加的保護(hù)液體限定在襯底上側(cè)23上，使得該保護(hù)液體22被保持于襯底上側(cè)23上。為此，在容納池13中的液位h借助該液位調(diào)節(jié)裝置20被調(diào)節(jié)為使得傳輸輥9浸入到預(yù)處理液14的液體池中。傳輸輥9在其圍繞所屬的旋轉(zhuǎn)軸11旋轉(zhuǎn)時從該液體池中攜帶出預(yù)處理液14，使得相應(yīng)半導(dǎo)體襯底2的襯底下側(cè)29借助傳輸棍9被間接地浸濕。在預(yù)處理液14的液面S與襯底下側(cè)29之間的距離d比如在5mm至1mm之間。預(yù)處理液14自動地從襯底下側(cè)29移動到環(huán)繞的襯底端面37。
[0034]該預(yù)處理液14作為蝕刻液來構(gòu)造，并尤其具有氫氟酸和/或硝酸。氫氟酸和/或硝酸的濃度在0.1重量％至5重量％之間。預(yù)處理液14的溫度在7 °C與25 °C之間，比如20 °C。預(yù)處理液14的作用時長通過傳輸輥9的旋轉(zhuǎn)速度ω和/或容納池的長度L來設(shè)定。
[0035]通過作為蝕刻液來構(gòu)造的預(yù)處理液14，在襯底端面37上腐蝕掉了吸引預(yù)處理液14的上層，使得露出了排斥預(yù)處理液14的下層。排斥保護(hù)液體14的下層優(yōu)選地構(gòu)造為疏水的。通過露出該下層而自動中斷了與預(yù)處理液14的接觸，使得蝕刻速率下降并且自動地停止蝕刻過程。通過該蝕刻過程從而在襯底端面37上生成了環(huán)繞的限定區(qū)域36，其中限定區(qū)域在該襯底上側(cè)23上環(huán)繞地限定了內(nèi)部空間38。
[0036]相應(yīng)的半導(dǎo)體襯底2接著被傳輸?shù)皆摰谝煌糠笱b置5，該第一涂敷裝置借助該涂敷噴嘴24把該保護(hù)流體22或保護(hù)液施加到襯底上側(cè)23上，并把預(yù)處理液14從襯底上表面或襯底上側(cè)23沖洗掉。利用保護(hù)液體22沖洗掉的預(yù)處理液14在涂敷裝置5的下面被收集和/或排到一個未詳細(xì)示出的收集池中。保護(hù)液體22通過限定區(qū)域36而被限定，使得其被保持于襯底上側(cè)23上。通過該限定區(qū)域36僅需要粗略地確定保護(hù)液22的劑量。
[0037]接著相應(yīng)的半導(dǎo)體襯底2被傳輸?shù)皆摰诙糠笱b置6，該第二涂敷裝置借助傳輸輥9把該處理流體28或處理液施加到襯底下側(cè)29上。該處理液28作為蝕刻液來構(gòu)造，并包含有氫氟酸和/或硝酸，以在襯底下側(cè)29上化學(xué)處理相應(yīng)的半導(dǎo)體襯底2。優(yōu)選地該預(yù)處理液14和該處理液體28相同地構(gòu)造，使得僅須準(zhǔn)備一種蝕刻液。該蝕刻液尤其可以在共同的儲存容器16、32中被準(zhǔn)備。在該容納池30中的液位借助該液位測量傳感器31、栗34以及該液位調(diào)節(jié)裝置35對應(yīng)于預(yù)處理裝置4來調(diào)節(jié)。
[0038]由于在襯底上側(cè)23上的保護(hù)液22，襯底上側(cè)23被保護(hù)以防止通過處理液體28的不期望的化學(xué)處理。通過把保護(hù)液體22保持于限定區(qū)域36中，其不會滴到容納池30中并污染或稀釋處理液28。由此避免了再定量該處理液28以保持腐蝕作用，由此降低了化學(xué)品消耗。
[0039]在化學(xué)處理之后，相應(yīng)的半導(dǎo)體襯底2在該清潔裝置7中被清潔，并接著在該烘干裝置8中被烘干。相應(yīng)被化學(xué)處理的半導(dǎo)體襯底2現(xiàn)在提供用于進(jìn)一步的處理步驟。
[0040]在第二運(yùn)行方式中該裝置I的功能如下:
[0041]與第一運(yùn)行方式不同，在該容納池13中的液位h被調(diào)節(jié)為使得該預(yù)處理液14直接地和/或通過彎月效應(yīng)而直接浸濕相應(yīng)半導(dǎo)體襯底2的襯底下側(cè)29。該液位h被調(diào)節(jié)為使得該液面S具有Omm與5mm之間的距離d。通過該液面S，襯底下側(cè)29從而直接被該預(yù)處理液14浸濕。該預(yù)處理液14自動地沿著環(huán)繞的襯底端面37移動到該襯底上側(cè)23。在該襯底上側(cè)23上該預(yù)處理液14浸濕Imm至1mm的環(huán)繞的邊緣區(qū)域。該預(yù)處理液14腐蝕掉襯底端面37上的、以及部分在襯底上側(cè)23的邊緣區(qū)域中的上層，使得排斥該保護(hù)液體22的、處于其下的下層被露出。由于這種自限制的腐蝕過程，在襯底上側(cè)23上下層僅僅在Imm至2mm的環(huán)繞邊緣區(qū)域中被露出，而在剩余的邊緣區(qū)域中上層僅僅被蝕刻。襯底端面37以及在襯底上側(cè)23上露出的邊緣區(qū)域從而形成了環(huán)繞的限定區(qū)域36。
[0042]相應(yīng)被預(yù)處理的半導(dǎo)體襯底2接著被傳輸?shù)降谝煌糠笱b置5，第一涂敷裝置借助該涂敷噴嘴24把該保護(hù)液22施加到該襯底上側(cè)23以及該內(nèi)部空間38中。環(huán)繞的限定區(qū)域36再次把該保護(hù)液體22限定在該襯底上側(cè)23上。關(guān)于其他的運(yùn)行方式參見第一運(yùn)行方式的說明。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的裝置I和根據(jù)本發(fā)明的方法尤其適于加工太陽能電池，其被紋理化、涂層、熱擴(kuò)散、離子植入和/或熱、濕化學(xué)和/或自然氧化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的裝置，其具有 -第一涂敷裝置(5)，以把保護(hù)流體(22)施加到半導(dǎo)體襯底(2)的襯底上側(cè)(23)上，以及 -第二涂敷裝置(6)，以把處理流體(28)施加到半導(dǎo)體襯底(2)的要處理的襯底下側(cè)(29)上，其中該第二涂敷裝置在半導(dǎo)體襯底(2)的傳輸方向(3)上設(shè)置在該第一涂敷裝置(5)之后， 其特征在于， 預(yù)處理裝置(4)在該傳輸方向(3)上布置在該第一涂敷裝置(5)之前并被構(gòu)造為使得在半導(dǎo)體襯底(2)上生成環(huán)繞的并對要施加的保護(hù)流體(22)進(jìn)行限定的限定區(qū)域(36)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于， 該預(yù)處理裝置(4)具有用于預(yù)處理流體(14)的容納池(13)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于， 沿著該容納池(13)布置有多個傳輸輥(9)，這些傳輸輥延伸到該容納池(13)中。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于， 該容納池(13)在該傳輸方向(3)上具有長度L，其中對于長度L適用的是:0.3m < L <1.5m ο5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于，該預(yù)處理裝置(4)具有針對在該容納池(13)中所容納的預(yù)處理液(14)的液位調(diào)節(jié)裝置(20)。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于， 該預(yù)處理裝置(4)具有針對傳輸輥(9)的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)裝置(21)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于， 該預(yù)處理裝置(4)具有用于預(yù)處理液的容納池(13)。8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于， 該容納池(13)在該傳輸方向(3)上具有長度L，其中對于長度L適用的是:0.4m<L<1.2m ο9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于， 該容納池(13)在該傳輸方向(3)上具有長度L，其中對于長度L適用的是:0.5m < L <0.8mo10.—種用于化學(xué)處理半導(dǎo)體襯底的方法，其具有以下的步驟: -提供半導(dǎo)體襯底(2)， -在半導(dǎo)體襯底(2)上生成環(huán)繞的限定區(qū)域(36)，其中該限定區(qū)域圍繞并限定要施加到襯底上側(cè)(23)上的保護(hù)流體(22)， -在襯底上側(cè)(23)上將保護(hù)流體(22)施加到該限定區(qū)域(36)的內(nèi)部空間(38)中，以及 -將處理流體(28)施加到要處理的襯底下側(cè)(29)上。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于， 在半導(dǎo)體襯底(2)的襯底端面(37)上生成該限定區(qū)域(36)。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于， 在該襯底上側(cè)(23)上生成該限定區(qū)域(36)。13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于， 借助預(yù)處理流體(14)來生成該限定區(qū)域(36)。14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于， 借助預(yù)處理液(14)來生成該限定區(qū)域(36)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于， 將該預(yù)處理液(14)布置于容納池(13)中，并且用于傳輸半導(dǎo)體襯底(2)的傳輸輥(9)延伸到該預(yù)處理液(14)中。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于， 該預(yù)處理液(14)構(gòu)成液體池，該液體池至少與襯底下側(cè)(29)相接觸。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于， 調(diào)節(jié)在容納池(13)中該預(yù)處理液(14)的液位(h)。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于， 調(diào)節(jié)傳輸棍(9)的旋轉(zhuǎn)速度(ω ) 019.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于， 該預(yù)處理流體(14)相應(yīng)于該處理流體(28)。
【文檔編號】H01L21/677GK106024614SQ201610169935
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月23日
【發(fā)明人】彼得·法思, 斯蒂芬·凱勒, 伊霍·梅爾尼克
【申請人】Rct解決方案有限公司