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一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法

文檔序號:10554380閱讀:225來源:國知局
一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,解決了低溫多晶硅薄膜晶體管的制作工藝復(fù)雜的技術(shù)問題。該薄膜晶體管包括的有源層包括兩個歐姆接觸部以及一個溝道部,溝道部的一端搭在一個歐姆接觸部的一端上,溝道部的另一端搭在另一個歐姆接觸部的一端上,溝道部的材質(zhì)為低溫多晶硅,歐姆接觸部的材質(zhì)為摻雜的非晶硅;該薄膜晶體管還包括均貫穿層間絕緣層和柵極絕緣層的第一過孔和第二過孔,其中,第一過孔與一個歐姆接觸部對應(yīng),第二過孔與另一個歐姆接觸部對應(yīng),源極通過第一過孔與一個歐姆接觸部連接,漏極通過第二過孔與另一個歐姆接觸部連接。本發(fā)明中的薄膜晶體管應(yīng)用于液晶顯示器中。
【專利說明】
一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由于低溫多晶硅中的原子規(guī)則排列,載流子迀移率高,因此,目前,通常使薄膜晶體管中的有源層的材質(zhì)為低溫多晶硅,進(jìn)而可以有效提高薄膜晶體管的性能,并且還有利于縮小薄膜晶體管的體積,增加開口率。
[0003]示例性地,有源層的材質(zhì)為低溫多晶硅的薄膜晶體管的制作過程如下:首先,在襯底基板上形成一層非晶硅;其次,對該非晶硅層進(jìn)行處理,形成一層低溫多晶硅,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形;再次,依次形成柵極絕緣層、柵極和層間絕緣層;然后在層間絕緣層和柵極絕緣層上刻蝕形成對應(yīng)于源極和漏極的接觸孔,使低溫多晶硅暴露;最后,形成源極和漏極,源極和漏極通過接觸孔與低溫多晶硅接觸,從而形成薄膜晶體管。進(jìn)一步地,為了降低薄膜晶體管的源極、漏極與有源層之間的接觸電阻,薄膜晶體管的制作過程還包括:在形成低溫多晶硅層,并經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形之后,還需要采用doping(摻雜)工藝給有源層的兩端進(jìn)行摻雜,并在摻雜之后進(jìn)行快速升溫退火,從而在有源層的兩端形成兩個歐姆接觸部。
[0004]本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn),上述制作過程雖然能夠有效降低薄膜晶體管的源極、漏極與有源層之間的接觸電阻,提高薄膜晶體管的性能,但會使得低溫多晶硅薄膜晶體管的制作工藝復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置,用于簡化薄膜晶體管的制作工藝。
[0006]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供一種薄膜晶體管,采用如下技術(shù)方案:
[0007]該薄膜晶體管包括襯底基板,以及依次層疊設(shè)置于所述襯底基板上的有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、同層設(shè)置的源極和漏極,所述有源層包括兩個歐姆接觸部以及一個溝道部,所述溝道部的一端搭在一個所述歐姆接觸部的一端上,所述溝道部的另一端搭在另一個所述歐姆接觸部的一端上,所述溝道部的材質(zhì)為低溫多晶硅,所述歐姆接觸部的材質(zhì)為摻雜的非晶硅;所述薄膜晶體管還包括均貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第一過孔和第二過孔,其中,所述第一過孔與一個所述歐姆接觸部對應(yīng),所述第二過孔與另一個所述歐姆接觸部對應(yīng),所述源極通過所述第一過孔與一個所述歐姆接觸部連接,所述漏極通過所述第二過孔與另一個所述歐姆接觸部連接。
[0008]本發(fā)明提供了一種如上所述的薄膜晶體管,由于上述薄膜晶體管中的有源層具有以上所述的結(jié)構(gòu),因此,在上述薄膜晶體管的制作過程中,只需先形成一層摻雜的非晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成兩個歐姆接觸部,再形成低溫多晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成溝道部,即可完成薄膜晶體管中的有源層的制作,而現(xiàn)有技術(shù)中,需要先形成低溫多晶硅層,并經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形之后,采用doping工藝,對有源層的兩端進(jìn)行摻雜,并在摻雜之后進(jìn)行快速升溫退火,才能完成薄膜晶體管中的有源層的制作。由此可見,具有本發(fā)明中的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制作工藝更為簡單。
[0009]進(jìn)一步地,本發(fā)明還提供了一種陣列基板,該陣列基板包括上述薄膜晶體管。
[0010]由于該陣列基板包括的薄膜晶體管具有上述結(jié)構(gòu),因此,上述陣列基板的有益效果與上述薄膜晶體管的有益效果相同,故此處不再進(jìn)行贅述。
[0011]進(jìn)一步地,本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括上述陣列基板。
[0012]由于該顯示裝置包括以上所述的陣列基板,且該陣列基板包括以上所述的薄膜晶體管,因此,上述顯示裝置的有益效果與上述薄膜晶體管的有益效果相同,故此處不再進(jìn)行贅述。
[0013]此外,本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制作方法,采用如下技術(shù)方案:
[0014]該薄膜晶體管的制作方法包括:
[0015]提供一襯底基板;
[0016]在所述襯底基板上形成摻雜的非晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成有源層的兩個歐姆接觸部的圖形;
[0017]形成低溫多晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成有源層的溝道部的圖形,其中,所述溝道部的一端搭在一個所述歐姆接觸部的一端上,所述溝道部的另一端搭在另一個所述歐姆接觸部的一端上;
[0018]在形成了所述兩個歐姆接觸部的圖形和所述溝道部的圖形的襯底基板上,形成柵極絕緣層;
[0019]在所述柵極絕緣層上,形成柵極金屬層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形;
[0020]形成層間絕緣層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成均貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第一過孔和第二過孔,其中,所述第一過孔與一個所述歐姆接觸部對應(yīng),所述第二過孔與另一個所述歐姆接觸部對應(yīng);
[0021]形成源漏極金屬層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形,其中,所述源極通過所述第一過孔與一個所述歐姆接觸部連接,所述漏極通過所述第二過孔與另一個所述歐姆接觸部連接。
[0022]本發(fā)明提供了一種如上所述的薄膜晶體管的制作方法,在使用上述薄膜晶體管的制作方法制作薄膜晶體管時,只需先形成一層摻雜的非晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成兩個歐姆接觸部,再形成低溫多晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成溝道部即可完成薄膜晶體管中的有源層的制作,而現(xiàn)有技術(shù)中,需要先形成低溫多晶硅層,并經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形之后,采用doping工藝,對有源層的兩端進(jìn)行摻雜,并在摻雜之后進(jìn)行快速升溫退火,才能完成薄膜晶體管中的有源層的制作。由此可見,使用本發(fā)明中的薄膜晶體管的制作方法時,制作工藝更為簡單。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的薄膜晶體管的示意圖;
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中步驟S2結(jié)束后形成的結(jié)構(gòu)的示意圖;
[0026]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中步驟S3結(jié)束后形成的結(jié)構(gòu)的示意圖;
[0027]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中步驟S4結(jié)束后形成的結(jié)構(gòu)的示意圖;
[0028]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中步驟S5結(jié)束后形成的結(jié)構(gòu)的示意圖;
[0029]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中步驟S6結(jié)束后形成的結(jié)構(gòu)的示意圖;
[0030]圖7為本發(fā)明實(shí)施例中步驟S7結(jié)束后形成的薄膜晶體管的示意圖。
[0031]附圖標(biāo)記說明:
[0032]I一襯底基板,2一有源層,21—?dú)W姆接觸部,22一溝道部,3一柵極絕緣層,
[0033 ]4 一柵極,5—層間絕緣層,6—源極,7—漏極,8—第一過孔,
[0034]9 一第二過孔,10 一緩沖層。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0036]實(shí)施例一
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管,如圖1所示,該薄膜晶體管包括襯底基板I,以及依次層疊設(shè)置于襯底基板I上的有源層2、柵極絕緣層3、柵極4、層間絕緣層5、同層設(shè)置的源極6和漏極7,其中,有源層2包括兩個歐姆接觸部21以及一個溝道部22,溝道部22的一端搭在一個歐姆接觸部21的一端上,溝道部22的另一端搭在另一個歐姆接觸部21的一端上,溝道部22的材質(zhì)為低溫多晶硅,歐姆接觸部21的材質(zhì)為摻雜的非晶硅;薄膜晶體管還包括均貫穿層間絕緣層5和柵極絕緣層3的第一過孔8和第二過孔9,其中,第一過孔8與一個歐姆接觸部21對應(yīng),第二過孔9與另一個歐姆接觸部21對應(yīng),源極6通過第一過孔8與一個歐姆接觸部21連接,漏極7通過第二過孔9與另一個歐姆接觸部21連接。
[0038]在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中,由于該薄膜晶體管具有上述結(jié)構(gòu),因此,在上述薄膜晶體管的制作過程中,只需先形成一層摻雜的非晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成兩個歐姆接觸部21,再形成低溫多晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成溝道部22,即可完成薄膜晶體管中的有源層2的制作,而現(xiàn)有技術(shù)中,需要先形成低溫多晶硅層,并經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形之后,采用doping工藝,對有源層的兩端進(jìn)行摻雜,并在摻雜之后進(jìn)行快速升溫退火,才能完成薄膜晶體管中的有源層的制作。由此可見,具有本發(fā)明實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制作工藝更為簡單。
[0039]此外,在本發(fā)明實(shí)施例中的薄膜晶體管的制作過程中,無需如現(xiàn)有技術(shù)中一樣對低溫多晶硅進(jìn)行摻雜,進(jìn)而無需使用doping設(shè)備,因此,具有本發(fā)明實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制作成本也較低。
[0040]示例性地,上述歐姆接觸部21的材質(zhì)可以為N型摻雜的非晶硅或P型摻雜的非晶硅。當(dāng)歐姆接觸部21的材質(zhì)為N型摻雜的非晶硅時,歐姆接觸部21中的雜質(zhì)可以為磷原子和/或砷原子;當(dāng)歐姆接觸部21的材質(zhì)為P型摻雜的非晶硅時,歐姆接觸部21中的雜質(zhì)可以為硼原子和/或稼原子。需要說明的是,對于歐姆接觸部21的材質(zhì)為P型摻雜的非晶硅還是N型摻雜的非晶硅,以及其中雜質(zhì)的具體種類和摻雜量,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇,此處不進(jìn)行限定。
[0041]優(yōu)選地,如圖1所示,上述薄膜晶體管還可以包括設(shè)置于襯底基板I和有源層2之間的緩沖層10。緩沖層10可以將襯底基板I與有源層2隔絕,避免襯底基板I中的雜質(zhì)進(jìn)入有源層2,影響有源層2的性能,并且在有源層2的制作過程中,緩沖層10還可減少非晶硅與襯底基板2之間的熱擴(kuò)散,降低準(zhǔn)分子激光退火工藝過程中溫度對襯底基板2的影響。其中,緩沖層1的材質(zhì)可以為氮化硅和/或氧化硅。
[0042]另外,本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種陣列基板,該陣列基板包括上述薄膜晶體管。其中,陣列基板包括的其他結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相同,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以基于現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行設(shè)置,此處不再進(jìn)行贅述。由于該陣列基板包括具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管,因此,上述陣列基板的有益效果與上述薄膜晶體管的有益效果相同,故此處不再進(jìn)行贅述。
[0043]此外,本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括上述陣列基板。類似地,顯示裝置包括的其他結(jié)構(gòu)也與現(xiàn)有技術(shù)相同,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以基于現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行設(shè)置,此處不再進(jìn)行贅述??蛇x地,上述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于該顯示裝置包括以上陣列基板,且該陣列基板包括以上所述的薄膜晶體管,因此,上述顯示裝置的有益效果與上述薄膜晶體管的有益效果相同,此處不再進(jìn)行贅述。
[0044]實(shí)施例二
[0045]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法,該薄膜晶體管的制作方法用以制作本發(fā)明實(shí)施例一中所述的薄膜晶體管,具體地,該薄膜晶體管的制作方法包括:
[0046]步驟S1、提供一襯底基板。
[0047]步驟S2、在襯底基板上形成摻雜的非晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成有源層的兩個歐姆接觸部的圖形。步驟S2結(jié)束后形成如圖2所示的結(jié)構(gòu)。示例性地,本發(fā)明實(shí)施例中可以通過濺射等方法在襯底基板上形成摻雜的非晶硅層。需要說明的是,如無特殊說明,本發(fā)明實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝均包括涂覆光刻膠、掩膜、曝光、顯影和剝離光刻膠的步驟。
[0048]步驟S3、形成低溫多晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成有源層的溝道部的圖形,其中,溝道部的一端搭在一個歐姆接觸部的一端上,溝道部的另一端搭在另一個歐姆接觸部的一端上。步驟S3結(jié)束后形成如圖3所示的結(jié)構(gòu)。
[0049]示例性地,形成低溫多晶硅層的步驟具體包括:
[0050]步驟S31、在形成了兩個歐姆接觸部的圖形的襯底基板上,形成一層非晶硅層。
[0051]步驟S32、對非晶硅層進(jìn)行處理,使非晶硅轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅。其中,對非晶硅層進(jìn)行處理,使非晶硅轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅的方法有很多種,此處不再一一列舉。本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn),使用準(zhǔn)分子激光退火工藝制備的低溫多晶硅的晶粒大、空間選擇性好、晶內(nèi)缺陷少、電學(xué)特性好,且準(zhǔn)分子激光退火工藝對襯底基板的溫度影響較小,因此,本發(fā)明實(shí)施例中,優(yōu)選使用準(zhǔn)分子激光退火工藝對非晶硅層進(jìn)行處理,使非晶硅轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅。
[0052]步驟S4、在形成了兩個歐姆接觸部的圖形和溝道部的圖形的襯底基板上,形成柵極絕緣層。步驟S4結(jié)束后形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。示例性地,本發(fā)明實(shí)施例中可以使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等方法形成柵極絕緣層。
[0053]步驟S5、在柵極絕緣層上,形成柵極金屬層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形。步驟S5結(jié)束后形成如圖5所示的結(jié)構(gòu)。示例性地,本發(fā)明實(shí)施例中可以使用濺射或者蒸鍍等方法形成柵極金屬層。
[0054]步驟S6、形成層間絕緣層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成均貫穿層間絕緣層和柵極絕緣層的第一過孔和第二過孔,其中,第一過孔與一個歐姆接觸部對應(yīng),第二過孔與另一個歐姆接觸部對應(yīng)。步驟S6結(jié)束后形成如圖6所示的結(jié)構(gòu)。示例性地,本發(fā)明實(shí)施例中可以使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等方法形成層間絕緣層。
[0055]步驟S7、形成源漏極金屬層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形,其中,源極通過第一過孔與一個歐姆接觸部連接,漏極通過第二過孔與另一個歐姆接觸部連接,從而使得源極、漏極與有源層之間具有良好的歐姆接觸,使薄膜晶體管具有良好的性能。步驟S7結(jié)束后形成如圖7所示的薄膜晶體管。示例性地,本發(fā)明實(shí)施例中可以使用濺射或者蒸鍍等方法形成源漏極金屬層。
[0056]此外,本發(fā)明實(shí)施例中,優(yōu)選在襯底基板和摻雜的非晶硅層之間形成緩沖層。緩沖層可以將襯底基板與有源層隔絕,避免襯底基板中的雜質(zhì)進(jìn)入有源層,影響有源層的性能,此外還可減少非晶硅與襯底基板之間的熱擴(kuò)散,降低準(zhǔn)分子激光退火工藝過程中溫度對襯底基板的影響。
[0057]在本發(fā)明實(shí)施例中,使用上述薄膜晶體管的制作方法制作薄膜晶體管時,只需先形成一層摻雜的非晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成兩個歐姆接觸部,再形成低溫多晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成溝道部即可完成薄膜晶體管中的有源層的制作,而現(xiàn)有技術(shù)中,需要先形成低溫多晶硅層,并經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形之后,采用doping工藝,對有源層的兩端進(jìn)行摻雜,并在摻雜之后進(jìn)行快速升溫退火,才能完成薄膜晶體管中的有源層的制作。由此可見,使用本發(fā)明中的薄膜晶體管的制作方法時,制作工藝更為簡單。
[0058]以上所述,僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管,包括襯底基板,以及依次層疊設(shè)置于所述襯底基板上的有源層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、同層設(shè)置的源極和漏極,其特征在于,所述有源層包括兩個歐姆接觸部以及一個溝道部,所述溝道部的一端搭在一個所述歐姆接觸部的一端上,所述溝道部的另一端搭在另一個所述歐姆接觸部的一端上,所述溝道部的材質(zhì)為低溫多晶硅,所述歐姆接觸部的材質(zhì)為摻雜的非晶硅;所述薄膜晶體管還包括均貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第一過孔和第二過孔,其中,所述第一過孔與一個所述歐姆接觸部對應(yīng),所述第二過孔與另一個所述歐姆接觸部對應(yīng),所述源極通過所述第一過孔與一個所述歐姆接觸部連接,所述漏極通過所述第二過孔與另一個所述歐姆接觸部連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于,所述歐姆接觸部的材質(zhì)為N型摻雜的非晶硅或P型摻雜的非晶硅。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管,其特征在于, 當(dāng)所述歐姆接觸部的材質(zhì)為N型摻雜的非晶硅時,所述歐姆接觸部中的雜質(zhì)為磷原子和/或砷原子; 當(dāng)所述歐姆接觸部的材質(zhì)為P型摻雜的非晶硅時,所述歐姆接觸部中的雜質(zhì)為硼原子和/或稼原子。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于,所述薄膜晶體管還包括設(shè)置于所述襯底基板和所述有源層之間的緩沖層。5.—種陣列基板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。6.—種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求5所述的陣列基板。7.一種薄膜晶體管的制作方法,其特征在于,包括: 提供一襯底基板; 在所述襯底基板上形成摻雜的非晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成有源層的兩個歐姆接觸部的圖形; 形成低溫多晶硅層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成有源層的溝道部的圖形,其中,所述溝道部的一端搭在一個所述歐姆接觸部的一端上,所述溝道部的另一端搭在另一個所述歐姆接觸部的一端上; 在形成了所述兩個歐姆接觸部的圖形和所述溝道部的圖形的襯底基板上,形成柵極絕緣層; 在所述柵極絕緣層上,形成柵極金屬層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形; 形成層間絕緣層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成均貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第一過孔和第二過孔,其中,所述第一過孔與一個所述歐姆接觸部對應(yīng),所述第二過孔與另一個所述歐姆接觸部對應(yīng); 形成源漏極金屬層,經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形,其中,所述源極通過所述第一過孔與一個所述歐姆接觸部連接,所述漏極通過所述第二過孔與另一個所述歐姆接觸部連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法,其特征在于,通過濺射的方式在所述襯底基板上形成摻雜的非晶硅層。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法,其特征在于,形成低溫多晶硅層的步驟具體包括: 在形成了兩個所述歐姆接觸部的圖形的襯底基板上,形成一層非晶硅層; 使用準(zhǔn)分子激光退火工藝對所述非晶硅層進(jìn)行處理,使非晶硅轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法,其特征在于,所述薄膜晶體管的制作方法還包括:在所述襯底基板和所述摻雜的非晶硅層之間形成緩沖層。
【文檔編號】H01L29/786GK105914237SQ201610383556
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年6月1日
【發(fā)明人】馬應(yīng)海, 左岳平
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
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