顯示設(shè)備的制造方法
【專利摘要】一種顯示設(shè)備包括：基板，劃分為中央?yún)^(qū)和設(shè)置為與中央?yún)^(qū)相鄰的外圍區(qū),中央?yún)^(qū)包括顯示區(qū)；第一絕緣層，對(duì)應(yīng)于基板的外圍區(qū)；至少一個(gè)切口，對(duì)應(yīng)于第一絕緣層的區(qū)域；以及覆層，覆蓋所述至少一個(gè)切口且位于第一絕緣層上。
【專利說(shuō)明】
顯示設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]—個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，顯示設(shè)備已經(jīng)被用于各種用途。隨著顯示設(shè)備薄且輕量化，其使用范圍變得寬廣。
[0003]特別是，近年來(lái)，平板顯示設(shè)備被進(jìn)一步研究并制造。
[0004]顯示設(shè)備，更具體而言，平板顯示設(shè)備具有多種不同的膜。當(dāng)向平板顯示設(shè)備施加外力時(shí)，或由于制造平板顯示設(shè)備期間的工藝條件，不同的膜可能被破壞或可產(chǎn)生裂紋擴(kuò)展的路徑。
[0005]當(dāng)顯示設(shè)備由一塊母基板形成時(shí)，制造可包括切割母基板的處理，以使顯示設(shè)備分咼。
[0006]在切割處理期間，在顯示設(shè)備的膜上可能出現(xiàn)裂紋，而且膜可產(chǎn)生裂紋擴(kuò)展的路徑。
[0007]因此，顯示設(shè)備的耐久性受到影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]—個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式包括顯示設(shè)備及制造顯示設(shè)備的方法。
[0009]附加方面將在隨后的說(shuō)明書(shū)中部分地進(jìn)行闡述，附加方面的部分將通過(guò)說(shuō)明書(shū)顯而易見(jiàn)，或者可以通過(guò)所呈現(xiàn)的實(shí)施方式的實(shí)踐來(lái)習(xí)得。
[0010]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，一種顯示設(shè)備包括:基板，劃分為中央?yún)^(qū)和設(shè)置為與中央?yún)^(qū)相鄰的外圍區(qū)，中央?yún)^(qū)包括顯示區(qū)；第一絕緣層，對(duì)應(yīng)于基板的外圍區(qū)；至少一個(gè)切口，對(duì)應(yīng)于第一絕緣層的區(qū)域；以及覆層，位于第一絕緣層上并覆蓋至少一個(gè)切口。
[0011]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括顯示區(qū)中的一個(gè)或多個(gè)絕緣層，而且覆層可以包括與一個(gè)或多個(gè)絕緣層的材料相同的材料。
[0012]至少一個(gè)切口的深度可以小于或等于第一絕緣層的厚度。
[0013]覆層可以以一個(gè)方向延伸并可以與基板的邊緣平行。
[0014]覆層的寬度可以大于至少一個(gè)切口的寬度。
[0015]覆層的長(zhǎng)度可以比至少一個(gè)切口的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
[0016]第一絕緣層可以延伸到顯示區(qū)。
[0017]第一絕緣層可以延伸到基板的邊緣。
[0018]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括基板與第一絕緣層之間的阻擋層。
[0019]阻擋層可以延伸到顯示區(qū)。
[0020]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括第一絕緣層上的第二絕緣層，而且至少一個(gè)切口可以延伸穿過(guò)第二絕緣層。
[0021]第二絕緣層可以延伸到顯示區(qū)。
[0022]至少一個(gè)切口可以與基板的至少一個(gè)邊緣分隔開(kāi)。
[0023]至少一個(gè)切口可以與基板的至少一個(gè)邊緣重疊。
[0024]覆層可以與基板的至少一個(gè)邊緣分隔開(kāi)。
[0025]覆層可以與基板的邊緣之中的至少一個(gè)邊緣重疊。
[0026]多個(gè)切口可以在一個(gè)方向上彼此分隔開(kāi)。
[0027]多個(gè)切口可以在與所述一個(gè)方向相交的方向上設(shè)置。
[0028]在多個(gè)切口之中，最靠近基板的邊緣的切口的寬度可以大于除了最靠近基板的邊緣的切口之外的切口中的每個(gè)的寬度。
[0029]在多個(gè)切口之中，距離基板的邊緣最遠(yuǎn)的切口的寬度可以大于除了距離基板的邊緣最遠(yuǎn)的切口之外的切口中的每個(gè)的寬度。
[0030]在多個(gè)切口之中，位于距離基板的邊緣最遠(yuǎn)的切口和最靠近基板的邊緣的切口之間的中間切口的寬度可以大于除了該中間切口之外的切口中的每個(gè)的寬度。
[0031]基板的邊緣之中的至少一個(gè)邊緣可被定義為切割線。
[0032]基板可以包括柔性材料。
[0033]基板可以包括有機(jī)材料。
[0034]基板可以包括多層。
[0035]基板可以進(jìn)一步包括第一層、第二層、以及位于第一層和第二層之間的插入層，其中第一層包括有機(jī)材料，第二層包括有機(jī)材料。
[0036]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括殘留在至少一個(gè)切口中的微粒，而且覆層可以形成為覆蓋微粒。
[0037]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括顯示區(qū)中的至少一個(gè)封裝層。
[0038]至少一個(gè)封裝層可以延伸到外圍區(qū)。
[0039]至少一個(gè)封裝層可以與覆層分隔開(kāi)。
[0040]至少一個(gè)封裝層可以包括一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)封裝層或者一個(gè)或多個(gè)有機(jī)封裝層。
[0041]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括基板的中央?yún)^(qū)中的多個(gè)薄膜晶體管(TFT)，多個(gè)TFT中的每個(gè)包括有源層、柵電極、源電極以及漏電極，其中一個(gè)或多個(gè)絕緣層可以與有源層、柵電極、源電極以及漏電極中的至少一個(gè)相鄰，而且覆層和一個(gè)或多個(gè)絕緣層可以包括相同的材料。
[0042]第一絕緣層可以延伸到中央?yún)^(qū)，而且可以設(shè)置在基板和多個(gè)TFT之間。
[0043]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括源電極和漏電極上的鈍化層，而且覆層和鈍化層可以由相同材料形成。
[0044]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括柵電極和有源層之間的第二絕緣層，而且第二絕緣層可以位于第一絕緣層之上，并可以延伸到外圍區(qū)，以對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)切口。
[0045]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括柵電極與源電極和漏電極之間的層間絕緣層，而且層間絕緣層可以位于第一絕緣層上，并可以延伸到外圍區(qū)，以對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)切口。
[0046]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括與多個(gè)TFT中的至少一個(gè)電連接的第一電極，以及覆蓋第一電極的一部分并限定像素區(qū)的像素限定層。
[0047]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括面對(duì)第一電極的第二電極；以及位于第一電極和第二電極之間且包括有機(jī)發(fā)射層的中間層。
[0048]覆層和像素限定層可以包括相同材料。
[0049]覆層可以圍繞顯示區(qū)。
[0050]覆層可以對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)的除了邊緣中的一個(gè)邊緣之外的邊緣。
[0051]覆層可以包括對(duì)應(yīng)于基板的邊緣的一個(gè)或多個(gè)主部分，而且可以包括連接兩個(gè)相鄰的主部分的拐角部分。
[0052]顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括基板的外圍區(qū)中的焊盤(pán)區(qū)，其中覆層靠近焊盤(pán)區(qū)并包括對(duì)應(yīng)于焊盤(pán)區(qū)的彎曲部分，并且彎曲部分朝向顯示區(qū)彎曲或遠(yuǎn)離顯示區(qū)彎曲。
[0053]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，提供了一種制造顯示設(shè)備的方法，該顯示設(shè)備包括基板，該基板劃分為中央?yún)^(qū)和與中央?yún)^(qū)相鄰的外圍區(qū)，中央?yún)^(qū)包括顯示區(qū)，該方法包括:形成對(duì)應(yīng)于基板的外圍區(qū)的第一絕緣層;通過(guò)部分地去除第一絕緣層的豎直部分來(lái)形成至少一個(gè)切口，其中至少一個(gè)切口對(duì)應(yīng)于第一絕緣層的區(qū)域；以及在第一絕緣層上形成覆層，其中覆層覆蓋至少一個(gè)切口。
[0054]方法可以進(jìn)一步包括在顯示區(qū)中形成一個(gè)或多個(gè)絕緣層，而且，覆層可以包括與在顯示區(qū)中形成的一個(gè)或多個(gè)絕緣層相同的材料。
[0055]方法可以進(jìn)一步包括在基板的中央?yún)^(qū)中形成多個(gè)薄膜晶體管(TFT)，其中多個(gè)TFT中的每一個(gè)包括有源層、柵電極、源電極以及漏電極。
[0056]方法可以進(jìn)一步包括在源電極和漏電極上形成鈍化層，其中形成鈍化層的步驟可以包括在鈍化層中形成通孔，以暴露源電極和漏電極中的至少一個(gè)的區(qū)域，而且覆層可以包括與鈍化層相同的材料，而且，覆層可通過(guò)形成通孔而同時(shí)圖案化。
[0057]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，提供了一種通過(guò)使用母基板制造顯示設(shè)備的方法，該顯示設(shè)備包括中央?yún)^(qū)和與中央?yún)^(qū)相鄰的外圍區(qū)，該方法包括:沿切割線切割母基板，形成對(duì)應(yīng)于外圍區(qū)的第一絕緣層;通過(guò)部分地去除第一絕緣層的豎直部分來(lái)形成至少一個(gè)切口，其中切口對(duì)應(yīng)于第一絕緣層的區(qū)域;在第一絕緣層上形成覆層，其中覆層覆蓋至少一個(gè)切口；以及沿切割線執(zhí)行切割處理，并因此將形成于母基板上的一個(gè)或多個(gè)顯示設(shè)備分離。
[0058]在切割處理期間，切割線可以與覆層分隔開(kāi)。
[0059]在切割處理期間，切割線可以與覆層重疊。
【附圖說(shuō)明】
[0060]通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)一些實(shí)施方式的描述，這些和/或其它方面將變得顯而易見(jiàn)且更容易理解，在附圖中:
[0061]圖1示出了根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；
[0062]圖2不出了圖1的D部分的放大圖；
[0063]圖3示出了沿圖2的II1-1II線截取的、D部分的剖視圖；
[0064]圖4至圖12示出了圖1至圖3的切口和覆層的變形例；
[0065]圖13示出了根據(jù)實(shí)施方式的微粒殘留在顯示設(shè)備的切口中的示例；
[0066]圖14示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；
[0067]圖15不出了圖14的D部分的放大圖；
[0068]圖16示出了沿圖15的XV1-XVI線截取的、D部分的剖視圖；
[0069]圖17示出了圖15和圖16中示出的切口和覆層的變形例；
[0070]圖18示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；
[0071]圖19不出了圖18的D部分的放大圖；
[0072]圖20示出了沿圖19的IXX-1XX線截取的、D部分的剖視圖；
[0073]圖21示出了圖18至圖20中示出的切口和覆層的變形例；
[0074]圖22示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；
[0075]圖23示出了沿圖22的XXI1-XXII線截取的剖視圖；
[0076]圖24示出了圖22和圖23的顯示設(shè)備的變形例；
[0077]圖25示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；
[0078]圖26示出了沿圖25的XXVA-XXVA和XXVB-XXVB線截取的、顯示設(shè)備的剖視圖；
[0079]圖27示出了圖25和圖26中示出的顯示設(shè)備的變形例；
[0080]圖28示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；
[0081 ]圖29示出了沿圖28的XXXA-XXXA和XXXB-XXXB線截取的剖視圖；
[0082]圖30至圖33示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；
[0083]圖34示出了根據(jù)實(shí)施方式的、用于制造顯示設(shè)備的母基板的平面圖；
[0084]圖35示出了圖34的M部分的放大平面圖；
[0085]圖36示出了沿圖35的XXX-XXX線截取的、M部分的剖視圖；以及[0086 ]圖37示出了圖36中示出的結(jié)構(gòu)的變形例。
【具體實(shí)施方式】
[0087]由于發(fā)明構(gòu)思允許各種改變和多種實(shí)施方式，所以【具體實(shí)施方式】將在附圖中示出并在書(shū)面描述中進(jìn)行詳細(xì)描述。通過(guò)參照下面對(duì)實(shí)施方式的詳細(xì)描述和附圖可以更容易地理解發(fā)明構(gòu)思及實(shí)現(xiàn)發(fā)明構(gòu)思的方法的效果和特征。然而，發(fā)明構(gòu)思可以以多種不同的形式實(shí)施，而且不應(yīng)被解釋為受限于本文闡述的實(shí)施方式。
[0088]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，可使用諸如“第一”、“第二”等的術(shù)語(yǔ)，但是，這些組件應(yīng)當(dāng)不限于上述術(shù)語(yǔ)，而且上述術(shù)語(yǔ)僅用于區(qū)分一個(gè)組件與另一組件。
[0089]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，除非存在與此相反的具體描述，否則，單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。
[°09°] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，術(shù)語(yǔ)諸如“包括(include)”或“包括(comprising)”用于說(shuō)明所指的特征或組件的存在，并不排除一個(gè)或多個(gè)其他所指的特征或一個(gè)或多個(gè)其他組件的存在。
[0091]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，還將理解的是，在諸如層、區(qū)域、區(qū)、或組件的元件被稱為在另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在另一元件上，或也可以在二者之間插入諸如層、區(qū)域、區(qū)、或組件的中間元件。
[0092]在附圖中，為了便于描述，層和區(qū)域的大小為了清楚而可以放大。例如，為了便于描述，各元件的大小和厚度可以是任意的，因此，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式不限于此。
[0093]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，X軸、Y軸、以及Z軸可以不限于直角坐標(biāo)系上的三個(gè)軸，而可以解釋為包括這三個(gè)軸的廣義含義。例如，X軸、Y軸、以及Z軸可以彼此垂直，或可以指示彼此不垂直的不同方向。
[0094]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，處理的順序可以與描述的不同。例如，順序描述的兩個(gè)處理可以基本同時(shí)執(zhí)行，或可以以與描述的順序相反的順序執(zhí)行。
[0095]下面，將參照附圖對(duì)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式更詳細(xì)地進(jìn)行描述。相同或相對(duì)應(yīng)的那些組件通常都標(biāo)記相同的參考數(shù)字而不管附圖號(hào)，并省略冗余的解釋。
[0096]如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列舉項(xiàng)目的任意和所有組合。諸如“…中的至少一個(gè)”的措詞在位于一列元素之后時(shí)，修飾整列元素而不修飾該列中的單個(gè)元素。
[0097]圖1示出了根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備1000的平面圖。圖2示出了圖1的D部分的放大圖，以及圖3示出了沿圖2的II1-1II線截取的、D部分的剖視圖。
[0098]參照?qǐng)D1至圖3，顯示設(shè)備1000包括基板101?；?01可以包括各種材料。在一些實(shí)施方式中，基板1I可以包括玻璃材料、金屬材料或其它有機(jī)材料。
[0099]在一些實(shí)施方式中，基板101可以包括柔性材料。例如，基板101可以是充分彎曲的、曲面的、折疊的或卷曲的。
[0100]在一些實(shí)施方式中，基板101可以包括超薄玻璃、金屬或塑料。例如，在使用塑料時(shí)，基板101可以包括聚酰亞胺(PI)，但實(shí)施方式并不限于此，并因此可以使用各種材料。
[0101]可以在母基板上形成多個(gè)顯示設(shè)備1000，而且可以按照沿基板101的切割線CL切割母基板的方式使多個(gè)顯示設(shè)備1000分離成各個(gè)顯示設(shè)備1000。圖1示出了沿切割線CL切割并因此分離的一個(gè)顯示設(shè)備1000。因此，基板101的邊緣通過(guò)切割線CL定義。
[0102]基板101的所有邊緣，例如圖1中所示出的基板101的四個(gè)邊緣，均可以為切割線CL。在實(shí)施方式中，基板101的四個(gè)邊緣中的I個(gè)、2個(gè)或3個(gè)邊緣可以為切割線CL。
[0103]根據(jù)母基板的大小或形狀，顯示設(shè)備1000的所有邊緣之中的、確定為切割線CL的邊緣的位置或數(shù)量可以變化。
[0104]基板101劃分為外圍區(qū)PA和中央?yún)^(qū)CA。外圍區(qū)PA包括切割線CL周圍的區(qū)，即與切割線CL相鄰的區(qū)，而且中央?yún)^(qū)CA指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。
[0105]實(shí)施方式并不限于此?？梢圆淮嬖谇懈罹€CL?？梢栽谀富迳闲纬梢粋€(gè)顯示設(shè)備1000，而且在這種情況下，基板101可以對(duì)應(yīng)于母基板，使得切割線CL可以不存在。在這種情況下，外圍區(qū)PA可以指示與基板101的邊緣相鄰的區(qū)域，而且中央?yún)^(qū)CA可以指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。為了便于描述，假設(shè)在下述實(shí)施方式中存在切割線CL。
[0106]中央?yún)^(qū)CA可以包括至少一個(gè)顯示區(qū)DA。
[0107]顯示區(qū)DA可以包括至少一個(gè)顯示器件(未示出)，例如用于顯示圖像的有機(jī)發(fā)光器件(OLED)。此外，可以在顯示區(qū)DA中設(shè)置多個(gè)像素(未示出)，而且可以在多個(gè)像素的每個(gè)中設(shè)置至少一個(gè)顯示器件(未示出)。
[0108]繞顯示區(qū)DA可以形成非顯示區(qū)(未示出)。非顯示區(qū)可以形成為包圍顯示區(qū)DA。在一些實(shí)施方式中，非顯示區(qū)可以形成為與顯示區(qū)DA的多側(cè)相鄰。在一些實(shí)施方式中，非顯示區(qū)可以形成為與顯示區(qū)DA的一側(cè)相鄰。
[0109]在一些實(shí)施方式中，可以在中央?yún)^(qū)CA僅布置顯示區(qū)DA。非顯示區(qū)可以僅形成在外圍區(qū)PA中。
[0110]在非顯示區(qū)中可以形成焊盤(pán)區(qū)(未示出)。在焊盤(pán)區(qū)中可以設(shè)置驅(qū)動(dòng)器或多個(gè)焊盤(pán)單元(未示出)。
[0111]在一些實(shí)施方式中，在中央?yún)^(qū)CA的顯示區(qū)DA中可以形成至少一個(gè)絕緣層(未示出)O絕緣層可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
[0112]外圍區(qū)PA指示與切割線CL相鄰的區(qū)，而且外圍區(qū)PA布置在基板101的、沿切割線CL的邊緣中。
[0113]在外圍區(qū)PA中，在基板101上形成第一絕緣層111。在第一絕緣層111上形成切口SL。切口 SL形成于外圍區(qū)PA中，以便與顯示區(qū)DA分隔開(kāi)。
[0114]第一絕緣層111可以包括各種絕緣材料。在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層111可以包括無(wú)機(jī)材料。例如，第一絕緣層111可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物。第一絕緣層111可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)、或氮氧化硅(S1xNy)。
[0115]在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層111可以在延伸至中央?yún)^(qū)CA或顯示區(qū)DA的情況下形成。在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層111可以共同地形成在基板101的中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA上。第一絕緣層111可以形成于基板101的整個(gè)頂面上。
[0116]第一絕緣層111可以減少或防止?jié)駳饣螂s質(zhì)經(jīng)由基板101滲入顯示設(shè)備1000中，而且可以在基板101的頂面上提供平面。
[0117]在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層111可以延伸到基板101的切割線CL。
[0118]實(shí)施方式不限于此，而且，第一絕緣層111可以不覆蓋基板101的、位于外圍區(qū)PA的區(qū)域中的頂面。
[0119]切口 SL由第一絕緣層111通過(guò)去除第一絕緣層111的豎直部分而形成。但是，形成切口 SL的方法不限于蝕刻法。
[0120]切口SL可以通過(guò)不完全去除而是部分地去除第一絕緣層111的豎直部分來(lái)形成，使得可以不暴露基板101的區(qū)域。切口 SL的深度可以小于第一絕緣層111的厚度。
[0121]切口SL可以具有各種形狀，包括例如以一個(gè)方向延伸的形狀。
[0122]在一些實(shí)施方式中，如圖2所示，切口SL可以以這種方式形成:切口SL可以具有與基板1I的邊緣或切割線CL平行的側(cè)面。
[0123]在此，切口SL的長(zhǎng)度可以變化，并因此可以小于或大于顯示區(qū)DA的長(zhǎng)度。
[0124]在一些實(shí)施方式中，切口SL可以與中央?yún)^(qū)CA分隔開(kāi)，而且例如，切口SL可以與顯示區(qū)DA分隔開(kāi)。
[0125]在第一絕緣層111上形成覆層CLL以覆蓋切口 SL。
[0126]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL的寬度可以大于切口SL的寬度，而且覆層CLL的長(zhǎng)度可以大于切口 SL的長(zhǎng)度。通過(guò)這樣，覆層CLL可以完全覆蓋切口 SL，以防止切口 SL被暴露。
[0127]覆層CLL可以包括各種材料。覆層CLL可以包括無(wú)機(jī)或有機(jī)材料。
[0128]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括有機(jī)材料。通過(guò)這樣，可以確保覆層CLL的適當(dāng)?shù)暮穸群瓦m當(dāng)?shù)膶挾龋?，其結(jié)果為覆層CLL可以覆蓋切口 SL。
[0129]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括與可形成于基板101的顯示區(qū)DA中的絕緣層(未示出)相同的材料。此外，覆層CLL和可形成于基板101的顯示區(qū)DA中的絕緣層(未示出)可以同時(shí)形成。
[0130]覆層CLL可以形成于外圍區(qū)PA中。
[0131]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以設(shè)置在基板101的邊緣和中央?yún)^(qū)CA的邊界之間。
[0132]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以設(shè)置在切割線CL和中央?yún)^(qū)CA的邊界之間。
[0133]覆層CLL可以縱向延伸。如圖2中所示，覆層CLL可以具有與基板101的切割線CL平行地縱向延伸的形狀。覆層CLL的長(zhǎng)度可以變化，并因此可以大于或小于顯示區(qū)DA的長(zhǎng)度。
[0134]在布置于顯示設(shè)備1000的外圍區(qū)PA中的第一絕緣層111中的切口SL阻止來(lái)自基板1I的邊緣的裂紋擴(kuò)展。例如，與基板1I的切割線CL相鄰的切口 SL主要防止在各個(gè)顯示設(shè)備1000被切割并隨后與母基板分離時(shí)、在基板101上可能出現(xiàn)的裂紋的擴(kuò)展。
[0135]具體地，第一絕緣層111可以形成于基板101的外圍區(qū)PA中，而且可以選擇性延伸到切割線CL，從而保護(hù)基板101的頂面。此外，切口SL可以阻止或減少因施加到第一絕緣層111的壓力而導(dǎo)致在第一絕緣層111上可能出現(xiàn)的裂紋或裂紋的擴(kuò)展。
[0136]覆層CLL形成在切口SL上。由于覆層CLL，所以可以防止在切口 SL中可能產(chǎn)生的外來(lái)物質(zhì)或微粒的移動(dòng)。在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以覆蓋切口SL，并因此可以不暴露切口 SL中的外來(lái)物質(zhì)或微粒。
[0137]當(dāng)制造顯示設(shè)備1000時(shí)，可能在切口SL中產(chǎn)生外來(lái)物質(zhì)或微粒。例如，在顯示設(shè)備1000的制造工序中用于形成電極(未示出)的導(dǎo)電材料可能殘留在切口 SL中。殘留在切口 SL中的導(dǎo)電材料可能在后續(xù)工序中引起顯不設(shè)備1000的缺陷，例如殘留的導(dǎo)電材料可能移動(dòng)到顯示區(qū)DA，而且可能引起顯示區(qū)DA的電氣缺陷，這導(dǎo)致電氣特性和圖像質(zhì)量的劣化。
[0138]然而，在切口SL上形成覆層CLL，并由此可以防止殘留的外來(lái)物質(zhì)和微粒的移動(dòng)，從而可以減少并防止可能出現(xiàn)在顯示區(qū)DA中的缺陷。
[0139]另外，由于第一絕緣層111，所以能夠防止覆層CLL與基板101分層。
[0140]圖4至圖12示出了圖1至圖3的切口SL和覆層CLL的變形例。為了便于描述，將僅考慮與上述實(shí)施方式的特征不同的特征對(duì)變形例進(jìn)行描述。
[0141]參照?qǐng)D4，第一絕緣層111形成于基板101上，而且切口 SL通過(guò)部分地去除第一絕緣層111而形成。切口 SL的深度對(duì)應(yīng)于第一絕緣層111的厚度。
[0142]—些實(shí)施方式可以具有以下結(jié)構(gòu)，其中如圖4所示，切口 SL具有對(duì)應(yīng)于第一絕緣層111的厚度的深度。
[0143]參照?qǐng)D5，在基板101和第一絕緣層111之間設(shè)置阻擋層102。切口 SL形成于第一絕緣層111中。
[0144]切口SL未形成于阻擋層102中，并且僅形成于第一絕緣層111中。阻擋層102可以減少或防止?jié)駳饣蛲鈦?lái)物質(zhì)經(jīng)由基板101滲入顯示設(shè)備1000中。由于切口SL未形成于阻擋層102中，所以阻擋層102可以減少或防止?jié)駳饣蛲鈦?lái)物質(zhì)朝向切口SL滲透。
[0145]在一些實(shí)施方式中，切口SL可以具有大于圖5中示出的深度的深度，并因此甚至可形成在阻擋層102中。
[0146]阻擋層102可以包括，例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)、或氮氧化硅(S1xNy)。
[0147]參照?qǐng)D6，在第一絕緣層111上形成第二絕緣層121。第二絕緣層121可以包括各種絕緣材料。在一些實(shí)施方式中，第二絕緣層121可以包括與第一絕緣層111相同的材料。
[0148]在一些實(shí)施方式中，第二絕緣層121可以包括無(wú)機(jī)材料。
[0149]例如，第二絕緣層121可以包括氧化物、氮化物、或氮氧化物。第二絕緣層121可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)、或氮氧化硅(S1xNy)。
[0150]在一些實(shí)施方式中，第二絕緣層121可以延伸到中央?yún)^(qū)CA，而且可以形成于顯示區(qū)DA中。在一些實(shí)施方式中，第二絕緣層121可以完全形成于基板101的中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA中。[0151 ]在一些實(shí)施方式中，第二絕緣層121可以延伸到基板101的切割線CL。
[0152]實(shí)施方式并不限于此，而且在外圍區(qū)PA的區(qū)域中，第二絕緣層121可以不覆蓋基板101的頂面。
[0153]切口SL形成于第二絕緣層121中。切口 SL形成于第二絕緣層121和第一絕緣層111中。切口 SL可以延伸穿過(guò)第二絕緣層121。通過(guò)這樣，切口 SL可以具有等于或大于預(yù)定值的厚度，使得當(dāng)在切口 SL中形成覆層CLL時(shí)，覆層CLL深深地填埋在切口 SL中，并因此覆層CLL牢固地設(shè)置于切口 SL中。通過(guò)這樣，能夠減少或防止覆層CLL與切口 SL分層。
[0154]雖然未示出，但是在第二絕緣層121上可以附加地形成至少一個(gè)絕緣層(未示出)，而且切口 SL可以延伸穿過(guò)該至少一個(gè)絕緣層。
[0155]此外，可以在基板101和第一絕緣層111之間形成阻擋層102。在一些實(shí)施方式中，圖6的阻擋層102可以省略。
[0156]參照?qǐng)D7，基板101不是單層，而是包括第一層101a、第二層1lb以及插入層1lc的多層。第一層1la和第二層1lb可以包括有機(jī)材料，而且插入層1lc可以包括無(wú)機(jī)材料。在一些實(shí)施方式中，第一層1la和第二層1lb可以包括塑性材料，例如聚酰亞胺，而且插入層101 c可以包括例如氧化硅。
[0157]實(shí)施方式并不限于此，而且第一層1la和第二層1lb可以包括各種類型的相同或不同的有機(jī)材料。插入層1lc可以包括能夠用作阻擋件的各種材料，而且可以不具有單層結(jié)構(gòu)，而可具有多層結(jié)構(gòu)。
[0158]雖然未示出，但圖7中示出的基板101的多層結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于以上實(shí)施方式、它們的變形例、以及以下描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式。
[0159]參照?qǐng)D8，在第一絕緣層111中形成多個(gè)切口 SL。雖然圖8示出了兩個(gè)切口 SL，但實(shí)施方式不限于此。在其它實(shí)施方式中可以形成更多的切口 SL，例如三個(gè)或多于三個(gè)切口 SL。
[0160]在一些實(shí)施方式中，多個(gè)切口SL可以彼此分隔開(kāi)。多個(gè)切口 SL可以排列在一個(gè)方向中，例如在多個(gè)切口 SL的寬度方向(見(jiàn)圖8的X軸方向)中。
[0161]圖9示出了沿圖8的IX-1X線截取的剖視圖。如圖9中所看到的，覆層CLL可以覆蓋多個(gè)切口 SL中的所有切口。雖然未示出，但是在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以形成為彼此分隔開(kāi)的多個(gè)覆層CLL，以分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)切口 SL。
[0162]在一些實(shí)施方式中，多個(gè)切口SL可以彼此平行地形成，而且可以具有固定寬度。雖然未示出，但是多個(gè)切口 SL的寬度可以彼此不同。圖9中所示出的多個(gè)切口 SL的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于以上實(shí)施方式和以下描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式。
[0163]多個(gè)切口SL和形成在多個(gè)切口 SL之間的空間可以有效阻止裂紋經(jīng)由基板101的切割線CL擴(kuò)展到基板101。由于多個(gè)切口 SL之中的、最靠近切割線CL或基板101的邊緣的切口SL，所以可以使裂紋的出現(xiàn)最小化，而且由于次最靠近切割線CL的另一切口 SL，所以可以提高阻止另外的裂紋出現(xiàn)和擴(kuò)展的效果。
[0164]參照?qǐng)D1O，形成有多個(gè)切口SL。在切口 SL之中，最靠近基板1I的邊緣或切割線CL的切口SL的寬度Wl可以與其它切口SL的寬度W2不同。在切口SL之中，最靠近基板101的邊緣或切割線CL的切口 SL的寬度Wl大于其它切口 SL的寬度W2中的每一個(gè)。通過(guò)這樣，可以增加主要防止已經(jīng)出現(xiàn)在基板101的切割線CL處的裂紋的擴(kuò)展的效果。
[0165]實(shí)施方式不限于此，并且多個(gè)切口SL的寬度可以不同地設(shè)定。例如，如圖11所示，在切口 SL之中，距離基板101的邊緣或切割線CL最遠(yuǎn)的切口 SL的寬度Wl可以大于其它切口SL的寬度W2中的每一個(gè)。此外，如圖12所示，在多個(gè)切口SL之中，位于最靠近基板101的邊緣或切割線CL的切口 SL與距離基板101的邊緣或切割線CL最遠(yuǎn)的切口 SL之間的、切口 SL的寬度Wl可以大于其它切口 SL的寬度W2。
[0166]圖13示出了根據(jù)實(shí)施方式的微粒MR殘留在顯示設(shè)備1000的切口SL中的示例。
[0167]參照?qǐng)D13，微粒MR殘留在參照?qǐng)D1至圖3描述的顯示設(shè)備1000的切口 SL中。微粒MR可以是例如，金屬微粒、金屬層廢物或其他金屬殘?jiān)?。微粒MR可以從外部源產(chǎn)生，或?yàn)樵陲@示設(shè)備1000的制造工序過(guò)程中用于形成顯示設(shè)備1000的元件的材料的殘?jiān)?br>[0168]當(dāng)在覆層CLL形成于切口SL上時(shí)，覆層CLL覆蓋微粒MR，因此，可以防止微粒MR的移動(dòng)或可以減少微粒MR移動(dòng)的可能性。覆層CLL可以防止微粒MR移動(dòng)至顯示設(shè)備1000的顯示區(qū)DA。通過(guò)這樣，可以防止顯示設(shè)備1000的顯示區(qū)DA的缺陷，使得顯示設(shè)備1000可以具有改善的電氣特性和/或改善的圖像質(zhì)量。
[0169]圖14示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備2000的平面圖。圖15示出了圖14的D部分的放大圖，以及圖16示出了沿圖15的XV1-XVI線截取的、D部分的剖視圖。
[0170]參照?qǐng)D14至圖16，顯示設(shè)備2000包括基板201?；?01可以包括各種材料?；?01的各種材料的詳細(xì)示例與在以上實(shí)施方式中描述的那些相同，并因此在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0171]多個(gè)顯示設(shè)備2000可以形成于母基板上，而且可以以沿基板201的切割線CL切割母基板的方式分離成每個(gè)顯示設(shè)備2000。圖14示出了沿切割線CL切割并因此分離的一個(gè)顯示設(shè)備2000。因此，基板201的邊緣由切割線CL定義。
[0172]基板201的所有邊緣，諸如圖14中所示出的基板201的四個(gè)邊緣，均可以為切割線CL。在其它實(shí)施方式中，基板201的四個(gè)邊緣中的I個(gè)、2個(gè)或3個(gè)邊緣可以為切割線CL。
[0173]根據(jù)母基板的大小或形狀，顯示設(shè)備2000的所有邊緣之中被確定為切割線CL的邊緣的位置或數(shù)量可以變化。
[0174]基板201劃分為外圍區(qū)PA和中央?yún)^(qū)CA。外圍區(qū)PA包括切割線CL周圍的區(qū)，即與切割線CL相鄰的區(qū)，而且中央?yún)^(qū)CA指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。
[0175]實(shí)施方式并不限于此。可以不存在切割線CL?？梢栽谀富迳闲纬梢粋€(gè)顯示設(shè)備2000，而且在這種情況下，基板201可以對(duì)應(yīng)于母基板，使得切割線CL可以不存在。在這種情況下，外圍區(qū)PA可以指示與基板201的邊緣相鄰的區(qū)，而且中央?yún)^(qū)CA可以指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。為了便于描述，假設(shè)在下述實(shí)施方式中存在切割線CL。
[0176]中央?yún)^(qū)CA可以包括至少一個(gè)顯示區(qū)DA。
[0177]顯示區(qū)DA可以具有至少一個(gè)顯示器件(未示出)，例如用于顯示圖像的0LED。此外，可以在顯示區(qū)DA中布置多個(gè)像素。
[0178]繞顯示區(qū)DA可以形成非顯示區(qū)(未示出)。非顯示區(qū)可以形成為包圍顯示區(qū)DA。在一些實(shí)施方式中，非顯示區(qū)可以形成為與顯示區(qū)DA的多側(cè)相鄰。在一些實(shí)施方式中，非顯示區(qū)可以形成為與顯示區(qū)DA的一側(cè)相鄰。
[0179]在另一實(shí)施方式中，可以在中央?yún)^(qū)CA中僅布置顯示區(qū)DA。非顯示區(qū)可以僅形成在外圍區(qū)PA中。
[0180]在非顯示區(qū)中可以形成焊盤(pán)區(qū)(未示出)。在焊盤(pán)區(qū)中可以設(shè)置驅(qū)動(dòng)器或多個(gè)焊盤(pán)單元(未示出)。
[0181]在一些實(shí)施方式中，在中央?yún)^(qū)CA的顯示區(qū)DA中可以形成至少一個(gè)絕緣層(未示出)O絕緣層可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
[0182]外圍區(qū)PA指示與切割線CL相鄰的區(qū)，而且外圍區(qū)PA布置在基板201的、沿切割線CL的邊緣中。
[0183]在外圍區(qū)PA中，在基板201上形成第一絕緣層211。在第一絕緣層211中形成切口SL。切口 SL形成于外圍區(qū)PA中，以與顯示區(qū)DA分隔開(kāi)。
[0184]第一絕緣層211可以包括各種絕緣材料。在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層211可以包括無(wú)機(jī)材料。例如，第一絕緣層211可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物。第一絕緣層211可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)、或氮氧化硅(S1xNy)。
[0185]在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層211可以在延伸至中央?yún)^(qū)CA或顯示區(qū)DA的情況下形成。在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層211可以共同地形成于基板201的中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA上。第一絕緣層211可以形成于基板201的整個(gè)頂面上。
[0186]在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層211可以延伸到基板201的切割線CL。
[0187]實(shí)施方式不限于此，而且，第一絕緣層211可以不覆蓋基板201的、位于外圍區(qū)PA的區(qū)域中的頂面。
[0188]在第一絕緣層211上形成覆層CLL以覆蓋切口 SL。
[0189]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL的寬度可以大于切口SL的寬度，而且覆層CLL的長(zhǎng)度可以大于切口 SL的長(zhǎng)度。通過(guò)這樣，覆層CLL可以完全覆蓋切口 SL，以防止切口 SL被暴露。
[0190]覆層CLL可以包括各種材料。覆層CLL可以包括無(wú)機(jī)或有機(jī)材料。
[0191 ] 在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括有機(jī)材料。通過(guò)這樣，可以確保覆層CLL的適當(dāng)?shù)暮穸群瓦m當(dāng)?shù)膶挾龋?，其結(jié)果為覆層CLL可以覆蓋切口 SL。
[0192]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括與可以形成于基板201的中央?yún)^(qū)CA中的絕緣層(未示出)相同的材料。此外，覆層CLL和可以形成于基板201的顯示區(qū)DA中的絕緣層(未示出)可以同時(shí)形成。
[0193]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以形成為與基板201的邊緣或切割線CL相鄰。
[0194]覆層CLL的、與基板201的邊緣或切割線CL相鄰的一側(cè)面，以及覆層CLL的、面對(duì)該側(cè)面的另一側(cè)面可以具有不同的形狀。例如，覆層CLL的、與基板201的邊緣或切割線CL相鄰的一側(cè)面可以為幾乎與地面垂直的平面，以及覆層CLL的、面對(duì)該側(cè)面的另一側(cè)面可以為斜面或曲面。
[0195]當(dāng)沿切割線CL切割母基板時(shí)，通過(guò)在設(shè)置于切割線CL處的覆層CLL上執(zhí)行切割處理可以得到顯示設(shè)備2000，而且，其結(jié)果為覆層CLL的側(cè)面可以具有由切割處理而產(chǎn)生的剖面。
[0196]圖17示出了圖15和圖16中所示出的切口SL和覆層CLL的變形例。
[0197]參照?qǐng)D17，形成有多個(gè)切口 SL。雖然未示出，但是多個(gè)切口 SL中一個(gè)可以與切割線
CL重疊。
[0198]圖18示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備3000的平面圖。圖19示出了圖18的D部分的放大圖，以及圖20示出了沿圖19的IXX-1XX線截取的、D部分的剖視圖。
[0199]參照?qǐng)D18至圖20，顯示設(shè)備3000包括基板301。基板301可以包括各種材料?；?01的各種材料的詳細(xì)示例與在以上實(shí)施方式中描述的那些相同，并因此在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0200]多個(gè)顯示設(shè)備3000可以形成于母基板上，而且可以以沿基板301的切割線CL切割母基板的方式分離成每個(gè)顯示設(shè)備3000。圖18示出了沿切割線CL切割并因此分離的一個(gè)顯示設(shè)備3000。因此，基板301的邊緣由切割線CL定義。
[0201]基板301的所有邊緣，例如圖18中所示出的基板301的四個(gè)邊緣均可以為切割線CL。在一些實(shí)施方式中，基板301的四個(gè)邊緣中的I個(gè)、2個(gè)或3個(gè)邊緣可以為切割線CL。
[0202]根據(jù)母基板的大小或形狀，顯示設(shè)備3000的所有邊緣之中被確定為切割線CL的邊緣的位置或數(shù)量可以變化。
[0203]基板301劃分為外圍區(qū)PA和中央?yún)^(qū)CA。外圍區(qū)PA指示切割線CL周圍的區(qū)，而且中央?yún)^(qū)CA指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。
[0204]實(shí)施方式并不限于此?？梢圆淮嬖谇懈罹€CL?？梢栽谀富迳闲纬梢粋€(gè)顯示設(shè)備3000，而且在這種情況下，基板301可以對(duì)應(yīng)于母基板，使得切割線CL可以不存在。在這種情況下，外圍區(qū)PA可以指示與基板301的邊緣相鄰的區(qū)，而且中央?yún)^(qū)CA可以指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。為了便于描述，假設(shè)在以下描述的實(shí)施方式中存在切割線CL。
[0205]中央?yún)^(qū)CA可以包括至少一個(gè)顯示區(qū)DA。
[0206]顯示區(qū)DA可以包括至少一個(gè)顯示器件(未示出)，例如用于顯示圖像的0LED。此外，可以在顯示區(qū)DA中設(shè)置多個(gè)像素。
[0207]繞顯示區(qū)DA可以形成非顯示區(qū)(未示出)。非顯示區(qū)可以形成為包圍顯示區(qū)DA。在一些實(shí)施方式中，非顯示區(qū)可以形成為與顯示區(qū)DA的多側(cè)相鄰。在一些實(shí)施方式中，非顯示區(qū)可以形成為與顯示區(qū)DA的一側(cè)相鄰。
[0208]在一些實(shí)施方式中，可以在中央?yún)^(qū)CA中僅布置顯示區(qū)DA。非顯示區(qū)可以僅形成在外圍區(qū)PA中。
[0209]在非顯示區(qū)中可以形成焊盤(pán)區(qū)(未示出)。在焊盤(pán)區(qū)中可以設(shè)置驅(qū)動(dòng)器或多個(gè)焊盤(pán)單元(未示出)。
[0210]在一些實(shí)施方式中，在中央?yún)^(qū)CA的顯示區(qū)DA中可以形成至少一個(gè)絕緣層(未示出)O絕緣層可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
[0211]在外圍區(qū)PA中，在基板301中形成第一絕緣層311。在第一絕緣層311中形成多個(gè)切口 SL。多個(gè)切口 SL可以彼此分隔開(kāi)。
[0212]多個(gè)切口SL可以排列在一個(gè)方向中，該方向與從基板301的邊緣或切割線CL到顯示區(qū)DA的另一方向相交。
[0213]另外，如圖21所示，多個(gè)切口SL可以形成于一個(gè)方向(見(jiàn)圖21的Y軸方向)以及與該方向相交的另一方向(見(jiàn)圖21的X軸方向)中。
[0214]覆層CLL可以形成為覆蓋多個(gè)切口SL中的所有切口。
[0215]圖22示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備4000的平面圖。圖23示出了沿圖22的XXI1-XXII線截取的剖視圖。
[0216]參照?qǐng)D22和圖23，顯示設(shè)備4000包括基板401。基板401可以包括各種材料?；?01的各種材料的詳細(xì)示例與在以上實(shí)施方式中描述的那些相同，并因此在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0217]顯示設(shè)備4000的切割線CL與在以上實(shí)施方式中的相同，并因此在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0218]基板401劃分為外圍區(qū)PA和中央?yún)^(qū)CA。外圍區(qū)PA指示切割線CL周圍的區(qū)，而且中央?yún)^(qū)CA指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。由于在以上實(shí)施方式中對(duì)此進(jìn)行了描述，所以在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0219]在一些實(shí)施方式中，在中央?yún)^(qū)CA的顯示區(qū)DA中形成至少一個(gè)絕緣層(未示出)。絕緣層可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
[0220]在外圍區(qū)PA中，在基板401上形成第一絕緣層411。在第一絕緣層411上形成切口SL。切口 SL形成于外圍區(qū)PA中，以與顯示區(qū)DA分隔開(kāi)。
[0221]在中央?yún)^(qū)CA的顯示區(qū)DA中，可形成至少一個(gè)封裝層以減少或防止?jié)駳饣蛲鈦?lái)物質(zhì)滲入顯示區(qū)DA中的顯示器件(未示出)中。圖23示出了兩個(gè)封裝層461和462，第一無(wú)機(jī)封裝層461和第二無(wú)機(jī)封裝層462。參照?qǐng)D23，第一無(wú)機(jī)封裝層461和第二無(wú)機(jī)封裝層462從顯示區(qū)DA延伸到外圍區(qū)PA。第一無(wú)機(jī)封裝層461形成于第一絕緣層411上，以及第二無(wú)機(jī)封裝層462形成于第一無(wú)機(jī)封裝層461上。
?0222] 第一無(wú)機(jī)封裝層461和第二無(wú)機(jī)封裝層462可以與覆層CLL和切口 SL分隔開(kāi)。
[0223]雖然未示出，但是第一無(wú)機(jī)封裝層461和第二無(wú)機(jī)封裝層462可以不延伸到外圍區(qū)PA，而且可以不與外圍區(qū)PA重疊。
[0224]在一些實(shí)施方式中，可以設(shè)置第一無(wú)機(jī)封裝層461和第二無(wú)機(jī)封裝層462中的一個(gè)。在一些實(shí)施方式中，可以形成包括有機(jī)材料而非無(wú)機(jī)材料的封裝層(未示出)。
[0225]圖24示出了圖22和圖23的顯示設(shè)備4000的變形例。
[0226]圖24示出了四個(gè)封裝層:第一無(wú)機(jī)封裝層461、第二無(wú)機(jī)封裝層462、第一有機(jī)封裝層471、以及第二有機(jī)封裝層472。
[0227]參照?qǐng)D24，四個(gè)封裝層461、462、471以及472從顯示區(qū)DA延伸到外圍區(qū)PA。第一無(wú)機(jī)封裝層461可以形成于第一絕緣層411上，第一有機(jī)封裝層471可以形成于第一絕緣層411和第一無(wú)機(jī)封裝層461之間，第二無(wú)機(jī)封裝層462可以形成于第一無(wú)機(jī)封裝層461上，以及第二有機(jī)封裝層472可以設(shè)置在第一無(wú)機(jī)封裝層461和第二無(wú)機(jī)封裝層462之間。
[0228]第一無(wú)機(jī)封裝層461的頂面的、靠近外圍區(qū)PA的區(qū)域可以與第二無(wú)機(jī)封裝層462的底面的、靠近外圍區(qū)PA的區(qū)域接觸。
[0229]四個(gè)封裝層461、462、471以及472可以與覆層CLL和切口SL分隔開(kāi)。
[0230]由于四個(gè)封裝層461、462、471以及472與覆層CLL和切口SL分隔開(kāi)，所以能夠防止在切口 SL中可能出現(xiàn)的裂紋經(jīng)由四個(gè)封裝層461、462、471以及472中的一個(gè)擴(kuò)展，而且能夠防止可能殘留在切口 SL中的微粒經(jīng)由四個(gè)封裝層461、462、471以及472中的一個(gè)移動(dòng)。
[0231]雖然未示出，但四個(gè)封裝層461、462、471以及472可以不延伸到外圍區(qū)PA，而且可以不與外圍區(qū)PA重疊。
[0232]圖25示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備5000的平面圖。圖26示出了沿圖25的XXVA-XXVA和XXVB-XXVB線截取的顯示設(shè)備5000的剖視圖。
[0233]參照?qǐng)D25和圖26，顯示設(shè)備5000包括基板501?；?01可以包括各種材料?；?01的各種材料的詳細(xì)示例與在以上實(shí)施方式中描述的那些相同，并因此在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0234]顯示設(shè)備5000的切割線CL與在以上實(shí)施方式中的相同，并因而在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0235]基板501劃分為外圍區(qū)PA和中央?yún)^(qū)CA。外圍區(qū)PA指示切割線CL周圍的區(qū)，而且中央?yún)^(qū)CA指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。由于在以上實(shí)施方式中對(duì)此進(jìn)行了描述，所以在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0236]在基板501上形成第一絕緣層511。第一絕緣層511可以包括各種絕緣材料。例如，第一絕緣層511可以包括無(wú)機(jī)材料。
[0237]第一絕緣層511可以形成于中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA中。在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層511可以在無(wú)需單獨(dú)圖案化處理的情況下形成于基板501上。
[0238]第一絕緣層511可以包括各種絕緣材料。在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層511可以包括無(wú)機(jī)材料。例如，第一絕緣層511可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物。第一絕緣層511可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)或氮氧化硅(S1xNy)。此外，第一絕緣層511可以通過(guò)使用包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PE CVD)法、大氣壓CVD (AP CVD)法、低壓C VD(LPCVD)法等的各種沉積法形成。
[0239]在第一絕緣層511上，在顯示區(qū)DA中可以形成薄膜晶體管(TFT)。形成于顯示區(qū)DA中的TFT用作像素電路的一部分。此外，TFT可以形成于非顯示區(qū)中。形成于非顯示區(qū)中的TFT用作包括在驅(qū)動(dòng)器中的電路的一部分。
[0240]在一些實(shí)施方式中，TFT對(duì)應(yīng)于頂柵型TFT，在頂柵型TFT中依次形成有源層513、柵電極515、源電極517以及漏電極518。在其它實(shí)施方式中，包括底柵型TFT的各種類型的TFT可以用作TFT。
[0241]有源層513形成在第一絕緣層511上。有源層513可以包括半導(dǎo)體材料，例如非晶硅或多晶硅。在一些實(shí)施方式中，有源層513可以包括各種材料。在一些實(shí)施方式中，有源層513可以包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。
[0242]在一些實(shí)施方式中，有源層513可以包括氧化物半導(dǎo)體材料。例如，有源層513可以包括氧化物，該氧化物包括選自第12、13以及14族金屬元素的材料，諸如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)以及給(Hf)，或它們的組合。
[0243]如上所述，一個(gè)實(shí)施方式可以包括底柵型TFT。如果有源層513包括氧化物或非晶硅，則該實(shí)施方式可以包括底柵型TFT。
[0244]底柵型TFT可以具有各種結(jié)構(gòu)。對(duì)于一個(gè)示例，可以在第一絕緣層511上形成柵電極，可以在柵電極上形成有源層，并且可以在有源層上設(shè)置源電極和漏電極。作為另一示例，可以在基板上形成柵電極，可以在柵電極上形成源電極和漏電極，并且可以在源電極和漏電極上形成有源層。在這種情況下，絕緣層，例如無(wú)機(jī)層可以形成為與柵電極、有源層以及源電極和漏電極中的至少一個(gè)相鄰。
[0245]在有源層513上形成第二絕緣層521。第二絕緣層521可以形成為包括例如氧化硅和/或氮化硅的無(wú)機(jī)材料的多層或單層。第二絕緣層521使有源層513與柵電極515絕緣。
[0246]第二絕緣層521可以形成于中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA中。在一些實(shí)施方式中，第二絕緣層521可以在無(wú)需單獨(dú)的圖案化處理的情況下，形成于有源層513和柵電極515之間。
[0247]在第二絕緣層521上設(shè)置柵電極515。柵電極515可以連接至向TFT施加導(dǎo)通(ON)信號(hào)或截止(OFF)信號(hào)的柵極線(未示出)。
[0248]柵電極515可以包括低電阻金屬材料。例如，柵電極515可以形成為包括導(dǎo)電材料的多層或單層，導(dǎo)電材料包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)或鈦(Ti)。
[0249]在柵電極515上形成層間絕緣層522。層間絕緣層522使柵電極515與源電極517和漏電極518絕緣。
[0250]層間絕緣層522可以形成于中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA中。在一些實(shí)施方式中，層間絕緣層522可以在無(wú)需單獨(dú)的圖案化處理的情況下，形成于源電極517和漏電極518與柵電極515之間。
[0251]層間絕緣層522可以形成為包括無(wú)機(jī)材料的多層或單層。例如，無(wú)機(jī)材料可以為金屬氧化物或金屬氮化物。在一些實(shí)施方式中，無(wú)機(jī)材料可以包括氧化硅(S12)、氮化硅(SiNx)、氮氧化娃(S1xNy)、氧化招(AI2O3)、氧化鈦(Ti02)、氧化鉭(Ta205)、氧化給(Hf02)或氧化錯(cuò)(Zr02)。
[0252]在源電極517和漏電極518形成于層間絕緣層522上之前，執(zhí)行形成接觸孔的處理，以使源電極517和漏電極518分別與有源層513的區(qū)域接觸。去除第二絕緣層521和層間絕緣層522的、形成于有源層513上的區(qū)域。
[0253]在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行形成接觸孔的處理時(shí)，可以執(zhí)行在外圍區(qū)PA中形成切口 SL的處理。將第二絕緣層521和層間絕緣層522的在有源層513上的區(qū)域去除的處理和形成切口 SL的處理可以同時(shí)執(zhí)行。
[0254]各切口 SL延伸穿過(guò)第二絕緣層521和層間絕緣層522，而且對(duì)應(yīng)于第一絕緣層511的預(yù)定厚度。
[0255]在一些實(shí)施方式中，各切口 SL可以延伸穿過(guò)層間絕緣層522，而且可以對(duì)應(yīng)于第二絕緣層521的厚度的一部分。在一些實(shí)施方式中，各切口 SL可以對(duì)應(yīng)于層間絕緣層522的厚度的一部分。
[0256]圖26示出了多個(gè)切口SL，但是在其他實(shí)施方式中可以形成一個(gè)切口 SL。
[0257]在層間絕緣層522上形成源電極517和漏電極518。源電極517和漏電極518中的每個(gè)可以形成為包括高導(dǎo)電性材料的單層或多層。
[0258]源電極517和漏電極518形成為與有源層513接觸。用于形成源極517和漏極518的一些金屬材料可能殘留在切口 SL中。
[0259]在源電極517和漏電極518上形成鈍化層530以覆蓋TFT。
[0260]鈍化層530可以去除由TFT導(dǎo)致的階梯，在TFT之上提供平坦層，并因此防止由TFT引起的凹凸而導(dǎo)致在OLED 540中出現(xiàn)缺陷。鈍化層530可以形成為包括有機(jī)材料的單層或多層。有機(jī)材料可以包括具有商用聚合物的聚合物衍生物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，以及酚基聚合物、丙烯基聚合物、酰亞胺基聚合物、芳醚基聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它們的組合。此外，鈍化層530可以形成為包括無(wú)機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層的多堆疊。
[0261 ]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括與鈍化層530相同的材料。覆層CLL可以包括有機(jī)材料。
[0262]在一些實(shí)施方式中，鈍化層530和覆層CLL可以同時(shí)形成。當(dāng)形成鈍化層530時(shí)，執(zhí)行通孔形成處理以暴露源電極517和漏電極518中的一個(gè)的表面，而且可以執(zhí)行通孔形成處理且同時(shí)可以圖案化覆層CLL。覆層CLL可以在無(wú)需使用額外掩模的情況下容易地形成。
[0263]覆層CLL可以覆蓋切口SL，并因此可以減少或防止可能殘留在切口 SL中的微粒的移動(dòng)。通過(guò)這樣，可以減少包括OLED 540在顯示區(qū)DA中的短路缺陷的電氣缺陷。
[0264]在鈍化層530上形成OLED 5400OLED 540與TFT電連接。
[0265]OLED 540包括第一電極541、第二電極542、以及設(shè)置在第一電極541和第二電極542之間的中間層543。
[0266]第一電極541與源電極517和漏電極518中的一個(gè)電連接。參照?qǐng)D26，第一電極541可以與漏電極518電連接。
[0267]第一電極541可以具有各種形式中的一種。例如，第一電極541可以圖案化為島的形式。
[0268]第一電極541可以包括各種材料。第一電極541可以包括至少一種透明導(dǎo)電氧化物材料，例如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、或氧化鋁鋅(ΑΖ0)。第一電極541可以包括具有高反射率的金屬，例如，銀(Ag)。
[0269]中間層543可以包括有機(jī)發(fā)射層，該有機(jī)發(fā)射層包括小分子有機(jī)材料或聚合物分子有機(jī)材料。在一些實(shí)施方式中，中間層543包括有機(jī)發(fā)射層，而且可以進(jìn)一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的一個(gè)或多個(gè)。
[0270]有機(jī)發(fā)射層可以形成在每個(gè)OLED中。在這種情況下，OLED可以分別發(fā)射紅光、綠光以及藍(lán)光。在一些實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)射層可以共同地形成在OLED中。例如，發(fā)射紅光、綠光以及藍(lán)光的多個(gè)有機(jī)發(fā)射層可以豎直地堆疊或混合，并因此可以發(fā)射白光。用于發(fā)射白光的顏色組合不限于上述描述?？梢詥为?dú)地布置顏色轉(zhuǎn)換層或?yàn)V色器以將發(fā)射的白光轉(zhuǎn)換成預(yù)定顏色。
[0271]第二電極542可以包括各種導(dǎo)電材料。例如，第二電極542可以形成為包括鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)或包括這些材料中的至少兩種的合金中的至少一種的多層或單層。
[0272]在鈍化層530上形成像素限定層535。像素限定層535形成但未覆蓋第一電極541的預(yù)定區(qū)域，在第一電極541的、未由像素限定層535覆蓋的預(yù)定區(qū)域上形成中間層543，以及在中間層543上形成第二電極542。
[0273]像素限定層535可以包括至少一種無(wú)機(jī)絕緣材料，例如聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯或酚醛樹(shù)脂，而且像素限定層535可以通過(guò)使用旋涂法形成。
[0274]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括與像素限定層535相同的材料。
[0275]雖然在第二電極542上未示出，但是在一些實(shí)施方式中，在第二電極542上可以進(jìn)一步形成功能層(未示出)。功能層可以包括形成在第二電極542上的多個(gè)層。功能層的至少一層可以防止第二電極542在后續(xù)處理中被污染，以及功能層的另一層可以提高從中間層543向第二電極542排放的可見(jiàn)光的效率。
[0276]布置在顯示設(shè)備5000的外圍區(qū)PA中的第一絕緣層511中的切口 SL防止從基板501的邊緣擴(kuò)展的裂紋。例如，與基板501的切割線CL相鄰的切口 SL主要防止在各顯示設(shè)備5000被切割并與母基板分離時(shí)，可能出現(xiàn)在基板501上的裂紋的擴(kuò)展。
[0277]當(dāng)基板501包括柔性材料并因此顯示設(shè)備5000具有柔性時(shí)，切口SL可以在外圍區(qū)PA處出現(xiàn)彎曲或彎折動(dòng)作的情況下，有效地減少或防止裂紋在外圍區(qū)PA中的出現(xiàn)和擴(kuò)展。
[0278]在切口SL上形成覆層CLL。由于覆層CLL，所以可以防止可能殘留在切口 SL中的外來(lái)物質(zhì)或微粒的移動(dòng)。在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以覆蓋切口SL，使得可以不暴露可能殘留在切口 SL中的外來(lái)物質(zhì)或微粒。
[0279]由于第一絕緣層511，覆層CLL可以與基板501不分層。
[0280]覆層CLL可以包括與中央?yún)^(qū)CA中的鈍化層530相同的材料，而且，在一些實(shí)施方式中，在形成鈍化層530時(shí)，可以同時(shí)執(zhí)行通孔形成處理和覆層形成處理。因此，可以容易地形成覆層CLL，而且可以不增加使用單獨(dú)掩模的圖案化處理。
[0281 ] 實(shí)施方式可以包括多種類型的TFT中的一種，而且在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括與TFT的絕緣層相同的材料，絕緣層與有源層、柵電極、源電極以及漏電極中的一個(gè)相鄰。在一些實(shí)施方式中，覆層CLL和TFT的絕緣層可以同時(shí)形成。
[0282]圖27示出了圖25和圖26中所示出的顯示設(shè)備5000的變形例。
[0283]為了便于描述，將針對(duì)與以上實(shí)施方式的不同之處描述本實(shí)施方式。
[0284]參照?qǐng)D27，顯示設(shè)備5000包括位于基板501和第一絕緣層511之間的阻擋層502。
[0285]阻擋層502可以減少或防止?jié)駳饣蛲鈦?lái)物質(zhì)經(jīng)由基板501滲入顯示設(shè)備5000中。由于切口SL未形成在阻擋層502中，所以阻擋層502可以減少或防止?jié)駳饣蛲鈦?lái)物質(zhì)朝向切口SL滲透。
[0286]在一些實(shí)施方式中，各切口SL可以具有大于圖27中所示出的深度的深度，并因此各切口 SL甚至可以形成在阻擋層502中。
[0287]阻擋層502可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)或氮氧化硅(S1xNy)。
[0288]圖28示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備6000的平面圖。圖29示出了沿圖28的XXXA-XXXA和XXXB-XXXB線截取的剖視圖。
[0289]參照?qǐng)D28和圖29，顯示設(shè)備6000包括基板601。基板601可以包括各種材料?；?01的各種材料的詳細(xì)示例和在以上實(shí)施方式中描述的示例相同，并因此在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0290]顯示設(shè)備6000的切割線CL與在以上實(shí)施方式中的相同，并因此，在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0291]基板601劃分為外圍區(qū)PA和中央?yún)^(qū)CA。外圍區(qū)PA指示與切割線CL相鄰的區(qū)，以及中央?yún)^(qū)CA指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。由于在以上實(shí)施方式中對(duì)此進(jìn)行了描述，所以在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0292]在基板601和第一絕緣層611之間形成阻擋層602。
[0293]阻擋層602可以減少或防止?jié)駳饣蛲鈦?lái)物質(zhì)經(jīng)由基板601滲入顯示設(shè)備6000中。由于切口SL未形成在阻擋層602中，所以阻擋層602可以減少或防止?jié)駳饣蛲鈦?lái)物質(zhì)朝向切口
SL滲透。
[0294]在一些實(shí)施方式中，各切口SL可以具有大于圖29中所示出的深度的深度，并因此各切口 SL甚至可以形成在阻擋層602中。
[0295]阻擋層602可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)或氮氧化硅(S1xNy)。
[0296]在阻擋層602上形成第一絕緣層611。第一絕緣層611可以包括各種絕緣材料。例如，第一絕緣層611可以包括無(wú)機(jī)材料。
[0297]第一絕緣層611可以形成于中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA中。在一些實(shí)施方式中，第一絕緣層611可以在無(wú)需單獨(dú)的圖案化處理的情況下，形成于基板601上。
[0298]第一絕緣層611可以包括各種絕緣材料。例如，第一絕緣層611可以包括無(wú)機(jī)材料。例如，第一絕緣層611可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物。第一絕緣層611可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)或氮氧化硅(S1xNy)。此外，第一絕緣層611可以通過(guò)使用包括PECVD法、APCVD法、LPCVD法等的各種沉積法形成。
[0299]在第一絕緣層611上，在顯示區(qū)DA中可以形成TFT。形成于顯示區(qū)DA中的TFT用作像素電路的一部分。此外，TFT可以形成于非顯示區(qū)中。形成于非顯示區(qū)中的TFT用作包括在驅(qū)動(dòng)器中的電路的一部分。
[0300]在一些實(shí)施方式中，TFT對(duì)應(yīng)于頂柵型TFT，在頂柵型TFT中依次形成有源層613、柵電極615、源電極617以及漏電極618。在其它實(shí)施方式中，包括底柵型TFT的各種類型的TFT可以應(yīng)用于TFT。
[0301]在第一絕緣層611上形成有源層613。用于形成第一絕緣層611的材料在以上實(shí)施方式中進(jìn)行了描述，并因此在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0302]在有源層613上形成第二絕緣層621。第二絕緣層621可以形成為包括例如氧化硅和/或氮化硅的無(wú)機(jī)材料的多層或單層。第二絕緣層621可以形成在中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA中。在一些實(shí)施方式中，第二絕緣層621可以在無(wú)需單獨(dú)的圖案化處理的情況下，形成于有源層613和柵電極615之間。
[0303]在第二絕緣層621上設(shè)置柵電極615。柵電極615可以連接至向TFT施加ON信號(hào)或OFF信號(hào)的柵極線(未示出)。
[0304]在柵電極615上形成層間絕緣層622。層間絕緣層622使柵電極615與源電極617和漏電極618絕緣。
[0305]層間絕緣層622可以形成于中央?yún)^(qū)CA和外圍區(qū)PA中。在一些實(shí)施方式中，層間絕緣層622可以在無(wú)需單獨(dú)的圖案化處理的情況下，形成于源電極617和漏電極618與柵電極615之間。
[0306]層間絕緣層622可以形成為包括無(wú)機(jī)材料的多層或單層。例如，無(wú)機(jī)材料可以為金屬氧化物或金屬氮化物。無(wú)機(jī)材料可以包括氧化硅(S12)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(S1xNy)、氧化招(Al2Ο3)、氧化鈦(Ti02)、氧化鉭(Ta20s)、氧化給(Hf(?)或氧化錯(cuò)(Zr〇2)。
[0307]在源電極617和漏電極618形成于層間絕緣層622上之前，執(zhí)行形成接觸孔的處理，以使源電極617和漏電極618分別與有源層613的區(qū)域接觸。去除第二絕緣層621和層間絕緣層622的、形成于有源層613上的區(qū)域。
[0308]在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行形成接觸孔的處理時(shí)，可以執(zhí)行在外圍區(qū)PA中形成切口 SL的處理。將第二絕緣層621和層間絕緣層622的、在有源層613上的區(qū)域去除的處理和形成切口 SL的處理可以同時(shí)執(zhí)行。
[0309]各切口 SL延伸穿過(guò)第二絕緣層621和層間絕緣層622，而且對(duì)應(yīng)于第一絕緣層611的預(yù)定厚度。
[0310]在一些實(shí)施方式中，各切口 SL可以延伸穿過(guò)層間絕緣層622，而且可以對(duì)應(yīng)于第二絕緣層621的厚度的一部分。在一些實(shí)施方式中，各切口 SL可以對(duì)應(yīng)于層間絕緣層622的厚度的一部分。
[0311 ] 圖29示出了多個(gè)切口 SL，但是在一些實(shí)施方式中，可以形成一個(gè)切口 SL。
[0312]在層間絕緣層622上形成源電極617和漏電極618。源電極617和漏電極618中的每一個(gè)可以形成為包括高導(dǎo)電性材料的單層或多層。
[0313]源電極617和漏電極618形成為與有源層613接觸。用于形成源電極617和漏電極618的一些金屬材料可能殘留在切口 SL中。
[0314]在源電極617和漏電極618上形成鈍化層630以覆蓋TFT。
[0315]鈍化層630可以去除由TFT導(dǎo)致的階梯，在TFT之上提供平坦層，并因此防止由TFT引起的凹凸而導(dǎo)致在OLED 640中出現(xiàn)缺陷。鈍化層630可以形成為包括有機(jī)材料的單層或多層。有機(jī)材料可以包括具有商用聚合物的聚合物衍生物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，以及芳香族、丙烯基聚合物、酰亞胺基聚合物、芳醚基聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它們的組合。鈍化層630可以形成為包括無(wú)機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層的多堆疊。
[0316]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括與鈍化層630相同的材料。覆層CLL可以包括有機(jī)材料。
[0317]在一些實(shí)施方式中，鈍化層630和覆層CLL可以同時(shí)形成。當(dāng)形成鈍化層630時(shí)，執(zhí)行通孔形成處理，以暴露源電極617和漏電極618中的一個(gè)的表面，而且，可以執(zhí)行通孔形成處理且同時(shí)可以圖案化覆層CLL。覆層CLL可以在無(wú)需使用額外掩模的情況下容易地形成。
[0318]在鈍化層630上形成OLED 6400OLED 640與TFT電連接。
[0319]OLED 640包括第一電極641、第二電極642、以及設(shè)置在第一電極641和第二電極642之間的中間層643。
[0320]第一電極641與源電極617和漏電極618中的一個(gè)電連接。參照?qǐng)D29，第一電極641可以與漏電極618電連接。
[0321]第一電極641可以具有各種形式中的一種。例如，第一電極641可以圖案化為島的形式。
[0322]第一電極641可以包括各種材料。第一電極641可以包括至少一種透明導(dǎo)電氧化物材料，包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(Ιη203)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(ΑΖ0)。此外，第一電極641可以包括具有高反射率的金屬，諸如銀(Ag)。
[0323]中間層643可以包括有機(jī)發(fā)射層，該有機(jī)發(fā)射層包括小分子有機(jī)材料或聚合物分子有機(jī)材料。在一些實(shí)施方式中，中間層643包括有機(jī)發(fā)射層，而且可以進(jìn)一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層中的至少一個(gè)。
[0324]有機(jī)發(fā)射層可以形成在每個(gè)OLED中。OLED可以分別發(fā)射紅光、綠光以及藍(lán)光。在其他實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)射層可以共同地形成在OLED中。例如，發(fā)射紅光、綠光以及藍(lán)光的多個(gè)有機(jī)發(fā)射層可以豎直地堆疊或混合，并因此可以發(fā)射白光。用于發(fā)射白光的顏色組合不限于上述描述?？梢詥为?dú)地布置顏色轉(zhuǎn)換層或?yàn)V色器以將發(fā)射的白光轉(zhuǎn)換成預(yù)定顏色。
[0325]第二電極642可以包括各種導(dǎo)電材料。例如，第二電極642可以形成為包括鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)或包括這些材料中的至少兩種的合金中的至少一種的多層或單層。
[0326]在鈍化層630上形成像素限定層635。像素限定層635形成但未覆蓋第一電極641的預(yù)定區(qū)域，在第一電極641的、未由像素限定層635覆蓋的預(yù)定區(qū)域上形成中間層643，以及在中間層643上形成第二電極642。
[0327]像素限定層635可以包括至少一種無(wú)機(jī)絕緣材料，例如聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯或酚醛樹(shù)脂，而且像素限定層635可以通過(guò)使用旋涂法形成。
[0328]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL可以包括與像素限定層635相同的材料。
[0329]雖然在第二電極642上未示出，但是在一些實(shí)施方式中，在第二電極642上可以進(jìn)一步形成功能層(未示出)。功能層可以包括形成在第二電極642上的多個(gè)層。功能層的至少一層可以防止第二電極642在后續(xù)處理中被污染，并且功能層的另一層可以提高從中間層643向第二電極642排放的可見(jiàn)光的效率。
[0330]在第二電極642上可以形成一個(gè)或多個(gè)封裝層661、662、671以及672，以減少或防止?jié)駳饣蛲鈦?lái)物質(zhì)滲透至OLED 640。
[0331]圖29示出了四個(gè)封裝層:第一無(wú)機(jī)封裝層661、第二無(wú)機(jī)封裝層662、第一有機(jī)封裝層671以及第二有機(jī)封裝層672。
[0332]第一無(wú)機(jī)封裝層661形成于第一有機(jī)封裝層671上，第二有機(jī)封裝層672形成于第一無(wú)機(jī)封裝層661上，而且第二無(wú)機(jī)封裝層662形成于第二有機(jī)封裝層672上。
[0333]第一無(wú)機(jī)封裝層661的區(qū)域和第二無(wú)機(jī)封裝層662的區(qū)域可以彼此接觸。第一無(wú)機(jī)封裝層661和第二無(wú)機(jī)封裝層662的寬度可以在一個(gè)方向上延伸，以便大于第一有機(jī)封裝層671和第二有機(jī)封裝層672的寬度。在一些實(shí)施方式中，第一無(wú)機(jī)封裝層661和第二無(wú)機(jī)封裝層662的整個(gè)面積可以大于第一有機(jī)封裝層671和第二有機(jī)封裝層672的整個(gè)面積。
[0334]在一些實(shí)施方式中，四個(gè)封裝層661、662、671以及672中的至少一個(gè)可以省略，而且在一些實(shí)施方式中，顯示設(shè)備6000至少可以進(jìn)一步包括附加有機(jī)封裝層或附加無(wú)機(jī)封裝層。
[0335]第一有機(jī)封裝層671和第二有機(jī)封裝層672可以包括包含丙烯基材料、環(huán)氧基材料、PI基材料等的各種有機(jī)材料。
[0336]第一無(wú)機(jī)封裝層661和第二無(wú)機(jī)封裝層662可以包括各種無(wú)機(jī)材料，包括金屬氧化物，例如，AI2O3、Ti02、MgO或CrO。在一些實(shí)施方式中，第一無(wú)機(jī)封裝層661和第二無(wú)機(jī)封裝層662可以包括硅基材料，例如SiNx、S1N或S12或其他陶瓷材料。
[0337]四個(gè)封裝層661、662、671以及672可以從顯示區(qū)DA延伸至外圍區(qū)PA。
[0338]四個(gè)封裝層661、662、671以及672可以與覆層CLL和切口 SL分隔開(kāi)。
[0339]在一些實(shí)施方式中，四個(gè)封裝層661、662、671以及672可以不向外圍區(qū)PA延伸，而且可以不與外圍區(qū)PA重疊。
[0340]在一些實(shí)施方式中，覆層CLL和四個(gè)封裝層661、662、671以及672中的至少一個(gè)可以包括相同的材料。
[0341 ]圖30至圖33示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備7000的平面圖。
[0342]參照?qǐng)D30至圖33，顯示設(shè)備7000包括在基板701上的顯示區(qū)DA和覆層CLL。圖30至圖33中所示出的顯示設(shè)備7000的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于以上實(shí)施方式和下述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式。
[0343]為了便于描述，在此省略對(duì)除了覆層CLL以外的元素的詳細(xì)描述。
[0344]參照?qǐng)D30，覆層CLL可以圍繞顯示區(qū)DA，而且可以具有與基板701的邊緣平行的邊緣。
[0345]參照?qǐng)D31，覆層CLL的邊緣可以對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)DA的除了顯示區(qū)DA的一個(gè)邊緣以外的邊緣。
[0346]參照?qǐng)D32，覆層CLL的邊緣可以對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)DA的除了顯示區(qū)DA的一個(gè)邊緣以外的邊緣。
[0347]如圖32所示，覆層CLL可以包括對(duì)應(yīng)于基板701的邊緣的一個(gè)或多個(gè)主部分CLLm，而且可以包括與兩個(gè)相鄰的主部分CLLm連接的至少一個(gè)拐角部分CLLa。在一些實(shí)施方式中，拐角部分CLLa可以對(duì)應(yīng)于基板701的拐角。
[0348]此外，如圖33所示，當(dāng)焊盤(pán)區(qū)PDA形成于基板701的顯示區(qū)DA外部的區(qū)域中時(shí)，覆層CLL可以形成于焊盤(pán)區(qū)PDA附近，并同時(shí)覆層CLL與焊盤(pán)區(qū)PDA分隔開(kāi)。覆層CLL可以根據(jù)焊盤(pán)區(qū)I3DA的形狀而包括彎曲部分CLLt。參照?qǐng)D33，彎曲部分CLLt朝向顯示區(qū)DA彎曲。然而，在一些實(shí)施方式中，彎曲部分CLLt可以遠(yuǎn)離顯示區(qū)DA而彎曲。
[0349]圖34示出了根據(jù)實(shí)施方式的在制造顯示設(shè)備中使用的母基板MSU的平面圖。圖35示出了圖34的M部分的放大平面圖，以及圖36示出了沿圖35的XXX-XXX線截取的1部分的剖視圖。
[0350]參照?qǐng)D34，在母基板MSU上設(shè)置有多個(gè)單元Cl、C2、C3以及C4。多個(gè)單元Cl、C2、C3以及C4分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)顯示設(shè)備。
[0351]沿切割線CL切割母基板MSU，并因此使多個(gè)單元C1、C2、C3以及C4分離。之后，經(jīng)由后續(xù)處理制造四個(gè)顯示設(shè)備。制造的四個(gè)顯示設(shè)備中的每一個(gè)可以是根據(jù)上述實(shí)施方式的顯示設(shè)備中的一個(gè)。
[0352]母基板MSU包括基板101。
[0353]基板101可以包括各種材料。基板101的各種材料的詳細(xì)示例和在以上實(shí)施方式中描述的那些相同，并因此在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0354]母基板MSU的多個(gè)單元Cl、C2、C3以及C4中的每一個(gè)劃分為外圍區(qū)PA和中央?yún)^(qū)CA。外圍區(qū)PA指示與切割線CL相鄰的區(qū)，以及中央?yún)^(qū)CA指示相比外圍區(qū)PA布置于內(nèi)部的區(qū)。
[0355]中央?yún)^(qū)CA可以包括至少一個(gè)顯示區(qū)DA。
[0356]顯示區(qū)DA可以具有用于顯示圖像的至少一個(gè)顯示器件(未示出)，例如0LED。此外，在顯示區(qū)DA中可以布置多個(gè)像素。
[0357]繞顯示區(qū)DA可以形成非顯示區(qū)(未示出)。非顯示區(qū)可以形成為環(huán)繞顯示區(qū)DA。在一些實(shí)施方式中，非顯示區(qū)可以形成為與顯示區(qū)DA的多側(cè)相鄰。在一些實(shí)施方式中，非顯示區(qū)可以形成為與顯示區(qū)DA的一側(cè)相鄰。
[0358]在一些實(shí)施方式中，可以在中央?yún)^(qū)CA中僅布置顯示區(qū)DA。非顯示區(qū)可以僅形成于外圍區(qū)PA中。
[0359]在非顯示區(qū)中可以形成焊盤(pán)區(qū)(未示出)。在焊盤(pán)區(qū)中可以設(shè)置驅(qū)動(dòng)器或多個(gè)焊盤(pán)單元(未示出)。
[0360]外圍區(qū)PA指示切割線CL周圍的區(qū)域，而且外圍區(qū)PA可以沿切割線CL布置在母基板MSU的側(cè)端中。
[0361]在外圍區(qū)PA中，在基板101上形成第一絕緣層111。在第一絕緣層111上形成切口SL。切口 SL形成于外圍區(qū)PA中以與顯示區(qū)DA分隔開(kāi)。
[0362]切口SL可以與切割線CL分隔開(kāi)。在第一絕緣層111上形成覆層CLL以覆蓋切口 SL。覆層CLL可以與切割線CL分隔開(kāi)。
[0363]由于切口SL，可以防止或可以減少在沿切割線CL執(zhí)行切割處理期間，在第一絕緣層111上可能出現(xiàn)的裂紋的移動(dòng)。此外，由于覆層CLL，可以防止或可以減少可能殘留在切口SL中的微粒的移動(dòng)，使得可以防止可能出現(xiàn)在顯示設(shè)備中的電氣缺陷。
[0364]由于第一絕緣層111和覆層CLL彼此接觸，所以能夠防止覆層CLL與基板101分層。
[0365]為了便于描述，圖1中所示出的顯示設(shè)備1000的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于本實(shí)施方式，而且以上實(shí)施方式中的任一個(gè)的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于本實(shí)施方式。
[0366]圖37示出了圖36中所示出的結(jié)構(gòu)的變形例。
[0367]參照?qǐng)D37，在外圍區(qū)PA中，在基板101上形成第一絕緣層111。在第一絕緣層111上形成多個(gè)切口 SL。多個(gè)切口 SL形成于外圍區(qū)PA中，以與顯示區(qū)DA分隔開(kāi)。
[0368]此外，多個(gè)切口SL之中的切口 SLC可以與切割線CL重疊。與切割線CL重疊的切口SLC可以增加防止在沿切割線CL執(zhí)行切割處理期間在第一絕緣層111上出現(xiàn)裂紋的效果。
[0369]在第一絕緣層111上形成覆層CLL以覆蓋多個(gè)切口SL。覆層CLL可以與切割線CL重疊。在執(zhí)行切割處理后，覆層CLL可以具有與切割線CL平行的剖面。
[0370]如上所述，根據(jù)以上實(shí)施方式中的一個(gè)或多個(gè)，顯示設(shè)備可以具有改善的耐久性和改善的圖像質(zhì)量。
[0371]應(yīng)該理解，本文描述的實(shí)施方式應(yīng)該被認(rèn)為僅僅是描述性的意思，并非出于限制的目的。對(duì)各實(shí)施方式內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)該被認(rèn)為可用于其他實(shí)施方式中的其他相似特征或方面。
[0372]雖然參照附圖對(duì)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，在本文中可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯不設(shè)備，包括: 基板，劃分為中央?yún)^(qū)和設(shè)置為與所述中央?yún)^(qū)相鄰的外圍區(qū)，所述中央?yún)^(qū)包括顯示區(qū)； 第一絕緣層，對(duì)應(yīng)于所述基板的所述外圍區(qū)； 至少一個(gè)切口，對(duì)應(yīng)于所述第一絕緣層的區(qū)域；以及 覆層，位于所述第一絕緣層上并覆蓋所述至少一個(gè)切口。2.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，在所述顯示區(qū)中還包括一個(gè)或多個(gè)絕緣層，以及 其中，所述覆層包括與所述一個(gè)或多個(gè)絕緣層的材料相同的材料。3.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)切口的深度小于或等于所述第一絕緣層的厚度。4.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述覆層以一個(gè)方向延伸并且與所述基板的邊緣平行。5.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述覆層的寬度大于所述至少一個(gè)切口的寬度。6.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述覆層的長(zhǎng)度比所述至少一個(gè)切口的長(zhǎng)度長(zhǎng)。7.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一絕緣層延伸到所述顯示區(qū)。8.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一絕緣層延伸到所述基板的邊緣。9.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括所述基板與所述第一絕緣層之間的阻擋層。10.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括所述第一絕緣層上的第二絕緣層，以及 其中，所述至少一個(gè)切口延伸穿過(guò)所述第二絕緣層。11.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)切口與所述基板的至少一個(gè)邊緣分隔開(kāi)。12.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)切口與所述基板的至少一個(gè)邊緣重疊。13.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述覆層與所述基板的至少一個(gè)邊緣分隔開(kāi)。14.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述覆層與所述基板的邊緣之中的至少一個(gè)邊緣重疊。15.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)切口包括多個(gè)切口，所述多個(gè)切口在一個(gè)方向上彼此分隔開(kāi)。16.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述基板的邊緣之中的至少一個(gè)邊緣被定義為切割線。17.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述基板包括柔性材料。18.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述基板包括有機(jī)材料。19.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述基板包括多層。20.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括殘留在所述至少一個(gè)切口中的微粒，以及 其中，所述覆層被形成為覆蓋所述微粒。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105870147SQ201610034254
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年1月19日
【發(fā)明人】郭源奎, 李在容
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司