曲面影像傳感器系統(tǒng)及其制造方法
【專利摘要】用以制造一個或多個曲面影像傳感器系統(tǒng)之方法包含(a)在相對于大氣壓力之升高壓力處，接合透光基板至具有至少一個光敏像素數(shù)組的影像傳感器晶圓，以形成復(fù)合晶圓，該復(fù)合晶圓具有在透光基板與各像素數(shù)組間之個別氣密封接腔穴，以及(b)薄化該復(fù)合晶圓的影像傳感器晶圓，以誘導(dǎo)影像傳感器晶圓之形變，而自各像素數(shù)組形成凹狀曲面像素數(shù)組。曲面影像傳感器系統(tǒng)包含(a)影像傳感器基板，具有凹狀光接收表面及沿著該凹狀光接收表面而被設(shè)置的像素數(shù)組，(b)透光基板，系藉由接合層而被接合至影像傳感器基板，以及(c)氣密封接腔穴，至少被凹狀光接收表面、透光基板、及接合層定界限。
【專利說明】
曲面影像傳感器系統(tǒng)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及曲面影像傳感器系統(tǒng)及曲面影像傳感器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 數(shù)字影像的質(zhì)量系受到影像傳感器之缺點、成像物鏡之缺陷、或二者所限制。通 常，由成像物鏡在影像傳感器上所形成的影像會遭受來自理想影像形成之偏差。例如，成像 物鏡可形成具有顯著模糊或崎變的影像。影像傳感器會在影像上施加電性噪聲。此外，影像 傳感器具有光學(xué)限制，其可損害由成像物鏡在該處所形成之影像的實際偵測。例如，影像傳 感器的各像素具有受限的接收角，也就是說，各像素僅能在影像傳感器上之入射角的某范 圍內(nèi)偵測出光。由于此理由之緣故，周邊定位之像素會W比中央定位之像素更少效率收集 來自成像物鏡的光，而導(dǎo)致影像的光損。
[0003] 就某種程度而言，高性能的數(shù)字相機典型地使用被設(shè)計要自行補償光學(xué)像差之復(fù) 雜的透鏡系統(tǒng)。在某些情況中，透鏡系統(tǒng)系設(shè)計要W橫跨像素數(shù)組相對均一的入射角傳遞 光至影像傳感器，W便降低由于各像素之有限接收角所導(dǎo)致的影像假影。高性能的透鏡系 統(tǒng)需要高精確的制造及/或附加的透鏡組件，且因此，生產(chǎn)系相對昂貴的。而且，甚至高階昂 貴的透鏡系統(tǒng)仍無法消除所有顯著的影像假影，或選擇性地，仍具有諸如受限的視野之受 限的性能范圍。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 在實施例中，用W制造一個或多個曲面影像傳感器系統(tǒng)之方法包含接合透光基板 至具有至少一個光敏像素數(shù)組的影像傳感器晶圓，W形成復(fù)合晶圓，該復(fù)合晶圓具有在透 光基板與該至少一個光敏像素數(shù)組的各者間之個別氣密封接腔穴。此接合步驟系在相對于 大氣壓力之升高壓力的環(huán)境中執(zhí)行。該方法進一步包含薄化復(fù)合晶圓的影像傳感器晶圓， W誘導(dǎo)影像傳感器晶圓之形變，而自該至少一個像素數(shù)組的各者形成個別凹狀曲面像素數(shù) 組。
[0005] 在實施例中，曲面影像傳感器系統(tǒng)包含影像傳感器基板，其具有凹狀光接收表面 及沿著該凹狀光接收表面而被設(shè)置的像素數(shù)組。曲面影像傳感器系統(tǒng)亦包含透光基板及氣 密封接腔穴，透光基板系藉由接合層而被接合至影像傳感器基板，W及氣密封接腔穴系至 少被凹狀光接收表面、透光基板、及接合層定界限。
【附圖說明】
[0006] 圖1描繪依據(jù)實施例之實施于代表性使用設(shè)想情況中的曲面影像傳感器系統(tǒng)。
[0007] 圖2A，2B，及2C描繪依據(jù)實施例之與相機模塊中的曲面影像傳感器系統(tǒng)使用相關(guān) 聯(lián)之圖1曲面影像傳感器系統(tǒng)的光學(xué)性質(zhì)。
[000引圖3描繪依據(jù)實施例之用W制造曲面影像傳感器系統(tǒng)及選擇性地，相關(guān)聯(lián)之相機 模塊的方法。
[0009] 圖4描繪依據(jù)實施例之用w執(zhí)行圖3方法之一部分w產(chǎn)生復(fù)合晶圓的方法。
[0010] 圖5描繪依據(jù)實施例之用W根據(jù)圖4復(fù)合晶圓而執(zhí)行圖3方法之一部分W彎曲光接 收表面的方法。
[0011] 圖6描繪依據(jù)實施例之用W根據(jù)如圖5的方法所修正之圖4復(fù)合晶圓而執(zhí)行圖3方 法之一部分的方法。
[0012] 圖7概要地顯示依據(jù)實施例之圖6方法的步驟。
[001引圖8概要地描繪依據(jù)實施例之用W制造具有背面受照CMOS影像傳感器之曲面影像 傳感器系統(tǒng)的方法。
【具體實施方式】
[0014] 圖1描繪實施于一代表性使用設(shè)想情況190中的一代表性曲面影像傳感器系統(tǒng) 100。在設(shè)想情況190中，曲面影像傳感器系統(tǒng)100系與成像物鏡140禪接，而形成相機模塊 150。相機模塊150系實施于相機裝置160中。成像物鏡140可由單一透鏡所構(gòu)成，或系具有例 如，多重透鏡、一個或多個濾光器、及/或一個或多個孔徑的復(fù)合系統(tǒng)。曲面影像傳感器系統(tǒng) 100系組構(gòu)W降低或消除某些假影，該等假影會限制使用習(xí)知平面影像傳感器可達(dá)到的性 能。該等假影可包含在相關(guān)聯(lián)的像素數(shù)組內(nèi)之場曲率及/或位置相依的偵側(cè)性質(zhì)。藉由該等 益處，相機模塊150可達(dá)成優(yōu)于根據(jù)習(xí)知平面影像傳感器的相機模塊之性能的性能。替代 地，或與其組合地，當(dāng)與根據(jù)習(xí)知平面影像傳感器的相機模塊相較時，相機模塊150可對成 像物鏡具有寬松的需求，而藉W降低制造成本。
[0015] 圖橫剖面?zhèn)纫晥D描繪曲面影像傳感器系統(tǒng)100。曲面影像傳感器系統(tǒng)100包含 曲面影像傳感器110,其具有凹狀曲面光接收表面114及沿著光接收表面114而被設(shè)置的光 敏像素數(shù)組112。因此，像素數(shù)組112被彎曲。像素數(shù)組112包含光敏像素116的數(shù)組。為圖解 之明晰起見，并非所有的光敏像素116均被標(biāo)記在圖1中。在像素數(shù)組112中之光敏像素116 的數(shù)目可與圖1中所指示者不同。例如，像素數(shù)組112可包含數(shù)百個、數(shù)千個、數(shù)百萬個、或數(shù) 千萬個光敏像素116。曲面影像傳感器系統(tǒng)100進一步包含透光基板130,及接合透光基板 130至曲面影像傳感器110的接合層120。接合層120系例如，具有黏著劑的間隔物。在此，"透 光"組件意指能至少部分地透射像素數(shù)組112的靈敏度范圍內(nèi)之波長的光之組件。光接收表 面114、透光基板130、及接合層120在曲面影像傳感器系統(tǒng)100之內(nèi)及在像素數(shù)組112之上形 成氣密封接腔穴115。在氣密封接腔穴115內(nèi)之壓力系相對于大氣壓力而被升高。氣密封接 腔穴115系在像素數(shù)組112的光學(xué)上游。
[0016] 在設(shè)想情況190中，成像物鏡140在像素數(shù)組112上形成場景170的影像。像素數(shù)組 112偵測出由成像物鏡140鎖形成的影像，且選擇性地，與相機裝置160的其它處理功能協(xié)力 而產(chǎn)生場景170的電子影像180。因為像素數(shù)組112被彎曲，所W電子影像180系較少受到存 在于使用諸如，在習(xí)知影像傳感器中所使用的平面像素數(shù)組所俘獲之影像中的若干假影所 影響。
[0017]在實施例中，曲面影像傳感器110系互補型金氧半(CMOS)影像傳感器。例如，曲面 影像傳感器110系正面受照CMOS影像傳感器，其中對像素116的電性連接系設(shè)置在光接收表 面114與像素116的光敏組件之間。制造正面受照CMOS影像傳感器系比背面受照CMOS影像傳 感器更簡單且更便宜。惟，電性連接的干擾位置會使正面受照CMOS影像傳感器特別容易產(chǎn) 生具有光損的影像。因此，正面受照CMOS影像傳感器可格外受益于依據(jù)曲面影像傳感器110 的彎曲組態(tài)而被建構(gòu)。
[0018] 圖2A，2B，及2C描繪出與圖1中所示的相機模塊150中之曲面影像傳感器系統(tǒng)100的 使用相關(guān)聯(lián)之曲面影像傳感器系統(tǒng)100的某些代表性光學(xué)性質(zhì)。圖2A，2B，及2C系最佳地一 起觀看。
[0019] 圖2A概要地指示成像物鏡140的性質(zhì)，其可應(yīng)用至一般的成像物鏡。成像物鏡140 具有光軸248。成像物鏡140包含最接近場景170(場景170并未被顯示于圖2A中）的第一透鏡 表面242,及最接近曲面影像傳感器系統(tǒng)100的最后透鏡表面244。成像物鏡140亦具有孔徑 闊246。孔徑闊246可被設(shè)置在透鏡表面242與244之間，比透鏡表面242更靠近場景170,或比 透鏡表面244更靠近曲面影像傳感器系統(tǒng)100。
[0020] 在實施例中，像素數(shù)組112系圍繞著光軸248為中屯、。在實施例中，光軸248與光接 收表面114相交于像素數(shù)組112與透光基板130間之與光軸248平行的尺寸中之最大距離所 表征的位置處或附近，W致使光線210(1)與光接收表面114之相關(guān)聯(lián)部分間的角度系90度 或接近90度。
[0021] 圖2A進一步指示光線210(1)、210(2)、及210(3)，其自場景170中之目標(biāo)點，穿過孔 徑闊246的中屯、，且朝向像素數(shù)組112而傳播。光線210(2)及210(3)系主要射線，亦即，光線 210(2)及210(3)源自場景170中之遠(yuǎn)離光軸248的個別目標(biāo)點。光線210(1)相當(dāng)于場景170 中之位于光軸248上之目標(biāo)點的主要射線。在此，與成像物鏡140相關(guān)聯(lián)的主要射線角系視 為包含光線210(1)。光線210(1)系與光軸248平行，且在像素數(shù)組112的中屯、處或附近沖撞 在像素數(shù)組112上。主要光線210(2)及210(3)在像素數(shù)組112的個別周邊位置處沖撞在像素 數(shù)組112上。圖2A亦指示光線220(1)及220(2)。光線220(1)及220(2)源自與主要光線210(2) 相同的目標(biāo)點，在孔徑闊246的兩個相反極端邊緣處穿過孔徑闊246, W及朝向像素數(shù)組 112。光線220(1)及220(2)在與主要光線210(2)相同的位置處沖撞在像素數(shù)組112上。光線 220(1)及220(2)指出來自與主要光線210(2)相同的目標(biāo)點相關(guān)聯(lián)之最大角偏差。因此，光 線220(1)及220(2)界定來自成像物鏡140之在與主要光線210(2)相同的位置處所入射在像 素數(shù)組112上之射線的集束。
[0022] 圖2B系當(dāng)如圖2A中所示的該等光線沖撞在光接收表面114上時之主要光線210(2) 與光線220(1)及220(2)的特寫。為圖解之明晰起見，像素數(shù)組112并未被顯示在圖2B中。在 圖2B中所示的實施例中，光接收表面114系成形W使電子影像180中的場曲率降低、最小化、 或消除。通常，場曲率起因于具有非平面影像平面的成像物鏡，亦即，成像物鏡使場景成像 至本項技藝中所熟知為巧茲伐(Petzval)面之曲面影像平面上。于此實施例中，在像素數(shù)組 112處之光接收表面114系至少近似成像物鏡140的巧茲伐(Petzval)面而被成形。對照地， 線230指出成像物鏡140之位在光軸248上的焦點處之對應(yīng)平面像素數(shù)組的位置。明顯地，光 線220(1 )、220(2)、及210(2)在不同的位置處沖撞在線230上，其將在使用成像物鏡140及習(xí) 知平面影像傳感器所俘獲的電子影像中導(dǎo)致模糊。然而，在像素數(shù)組112處之光接收表面 114被成形W至少降低此模糊。
[0023] 于圖2B中所示之實施例的一實例中，在像素數(shù)組112處之光接收表面114系與成像 物鏡140的巧茲伐面一致。在此實例中，曲面影像傳感器系統(tǒng)100消除由相機模塊150所俘獲 之電子影像180中的場曲率。在另一實例中，于像素數(shù)組112處之光接收表面114系在距離光 軸248的距離中，與成像物鏡140的巧茲伐面一致到至少第二階。在此實例中，曲面影像傳感 器系統(tǒng)100大部分地消除由相機模塊150所俘獲之電子影像180中的場曲率。在又一實例中， 于像素數(shù)組112處之光接收表面114系與成像物鏡140的巧茲伐面很接近。在此實例中，當(dāng)與 使用成像物鏡140及習(xí)知平面影像傳感器所俘獲之影像中的場曲率相較時，曲面影像傳感 器系統(tǒng)100大大地降低由相機模塊150所俘獲之電子影像180中的場曲率。在進一步的實例 中，于像素數(shù)組112處之光接收表面114系W與成像物鏡140的巧茲伐面相同的方向彎曲。在 此實例中，當(dāng)與使用成像物鏡140及習(xí)知平面影像傳感器所俘獲之影像中的場曲率相較時， 曲面影像傳感器系統(tǒng)100降低了由相機模塊150所俘獲之電子影像180中的場曲率。
[0024] 圖2C系與圖2B相同的特寫。惟，圖2C顯示與像素數(shù)組112的像素116之集光效率相 關(guān)聯(lián)的性質(zhì)。通常，影像傳感器像素僅能在離開垂直入射之受限范圍的角度內(nèi)偵測出光線 入射。例如，接收角可系相對于垂直入射±20度。像素數(shù)組112的各像素116能偵測圓錐形 250(粗實線）內(nèi)的光入射。在一實例中，曲面影像傳感器系統(tǒng)100及成像物鏡140系組構(gòu)使得 圓錐形250包含與光線210(1)相關(guān)聯(lián)之集束內(nèi)的所有光線。此集束系由光線222(1)及222 (2)所界定，其源自與光線210(1)相同的目標(biāo)點，但與光線220(1)及220(2)相似地，在孔徑 闊246的兩個相反極端邊緣處通過孔徑闊246。
[0025] 主要光線210(2)系相對于光線210(1)而傾斜。然而，光接收表面114的曲率至少部 分地補償此傾斜。圖2C顯示實施例，其中到光接收表面114上之主要光線210(2)的入射角 262系實質(zhì)地90度，而在由光線220(1)及220(2)所界定的集束內(nèi)促成光的最佳收集。例如， 與偵測主要光線210(2)之像素116相關(guān)聯(lián)的圓錐形250包含由光線220(1)及220(2)所界定 的集束。
[0026] 對照地，圓錐形252指出其中主要光線210 (2)沖撞在光接收表面114上所定位之習(xí) 知平面影像傳感器之像素的接收角。圓錐形252并不包含由光線220(1)及220(2)所界定的 全部集束，且因此，習(xí)知平面影像傳感器已在相對于中屯、位置(諸如用于光線210(1)之偵測 的位置)的周邊位置(諸如用于主要光線210(2)之偵測的位置)處，縮減了集光效率。此導(dǎo)致 使用習(xí)知平面影像傳感器所俘獲之影像的光損。
[0027] 在一實施例中，光接收表面114系成形用于與入射在像素數(shù)組112上的所有主要光 線垂直，W消除或至少有效地降低光損。在另一實施例中，當(dāng)與使用習(xí)知平面影像傳感器所 經(jīng)歷的該等偏差相較時，光接收表面114系成形用W降低垂直入射至像素數(shù)組112上之主要 光線的偏差。當(dāng)與根據(jù)習(xí)知平面影像傳感器之系統(tǒng)相較時，此實施例降低了光損。
[0028] 圖3描繪用W制造曲面影像傳感器系統(tǒng)100(圖1)，且選擇性地，相機模塊150之一 代表性方法300。方法300使用壓力差W形成凹狀曲面光接收表面114。在一實施例中，方法 300系在用于復(fù)數(shù)個曲面影像傳感器系統(tǒng)100之制造的晶圓位準(zhǔn)執(zhí)行，例如，每晶圓成百或 成千個曲面影像傳感器系統(tǒng)100。在下文，方法300系就晶圓位準(zhǔn)生產(chǎn)的情況討論。然而，方 法300可應(yīng)用至僅包含單一像素數(shù)組112的晶圓，W供僅單一曲面影像傳感器系統(tǒng)100的生 產(chǎn)之用，而不會背離關(guān)于此點的范疇。
[0029] 步驟310系在相對于大氣壓力之升高壓力的環(huán)境中執(zhí)行。在升高壓力處，透光基板 被接合至影像傳感器晶圓。影像傳感器晶圓包含復(fù)數(shù)個像素數(shù)組112,其系在方法中之此處 實質(zhì)地平面的。透光基板系接合至影像傳感器晶圓的光接收表面，亦即，與像素數(shù)組112之 光接收表面相關(guān)聯(lián)的影像傳感器晶圓之側(cè)。在方法中之此處，個別像素數(shù)組112的各光接收 表面系凹狀曲面光接收表面114之實質(zhì)平面先驅(qū)物。步驟310包含在透光基板與影像傳感器 晶圓間施加接合層于各像素數(shù)組112之周圍，W形成用于各像素數(shù)組112的氣密封接腔穴 115。因為步驟310系在升高壓力處執(zhí)行，所W氣密封接腔穴115具有升高壓力。步驟310導(dǎo)致 復(fù)合晶圓的生產(chǎn)，該復(fù)合晶圓包含透光基板及影像傳感器晶圓二者。
[0030] 在實施例中，影像傳感器晶圓系CMOS影像傳感器晶圓，W及像素數(shù)組112系諸如， 正面受照CMOS像素數(shù)組的CMOS像素數(shù)組。
[0031] 在此，"大氣壓力"意指在制造之地方的周遭壓力。在大部分情況下，此壓力系地球 氛圍的壓力，或至少與其相似，且亦系與其中曲面影像傳感器系統(tǒng)100將被使用之環(huán)境的壓 力相似。惟，該"大氣壓力"可與地球氛圍的壓力不同，而不會背離關(guān)于此點之范疇。例如，針 對諸如，清潔的理由，曲面影像傳感器系統(tǒng)100可在高于或低于地球大氣壓力之"大氣壓力" 所操作的環(huán)境中被制造。在一實例中，曲面影像傳感器系統(tǒng)100系打算在諸如，真空室之非 典型環(huán)境中用于操作。在此實例中，可將"大氣壓力"選擇成與真空室的該者相似。
[0032] 在步驟320中，于步驟310中所形成的復(fù)合晶圓被轉(zhuǎn)移至大氣壓力。當(dāng)放置于大氣 壓力的環(huán)境之中時，在氣密封接腔穴115內(nèi)的壓力系相對于復(fù)合晶圓外面的壓力而被提升。
[0033] 在步驟330中，影像傳感器晶圓被薄化W允許各像素數(shù)組112之光接收表面的形 變。步驟330藉由自背對透光基板之影像傳感器晶圓的外表面去除材料，而薄化該影像傳感 器晶圓。步驟330可包含研磨影像傳感器。光接收表面的形變系由各氣密封接腔穴115內(nèi)之 升高壓力，與復(fù)合晶圓外面之大氣壓力間的壓力差所驅(qū)動。當(dāng)步驟330薄化影像傳感器晶圓 時，影像傳感器晶圓變成可漸增地形變，W致使該壓力差凹狀地彎曲與各像素數(shù)組112相關(guān) 聯(lián)之個別的光接收表面。此導(dǎo)致現(xiàn)階段之具有個別復(fù)數(shù)個曲面像素數(shù)組112之復(fù)數(shù)個凹狀 曲面光接收表面114的形成。
[0034] 在實施例中，透光基板之可形變系比薄化的影像傳感器晶圓更有效地少，W致使 該壓力差保持透光基板實質(zhì)地不被修正。例如，該透光基板系玻璃基板，而選擇性地具有一 個或多個光學(xué)涂層，W及該影像傳感器晶圓系娃或娃基。透光基板可不同于玻璃基板，而不 會背離關(guān)于此點之范疇。在一該實例中，透光基板系由塑料及/或另一透光物質(zhì)所構(gòu)成，且 具有足W使該透光基板比薄化的影像傳感器晶圓更有效地剛硬之厚度。
[0035] 為了要生產(chǎn)具有預(yù)定曲率的光接收表面114,方法300W根據(jù)參數(shù)的選擇執(zhí)行步驟 310及330。預(yù)定曲率系例如，可導(dǎo)致相機模塊150之有益性質(zhì)的曲率，如參照圖1、2A、2B、及 2C所討論地。鑒于影像傳感器晶圓的某些材料性質(zhì)，相關(guān)之參數(shù)包含(a)步驟310的升高壓 力，（b)步驟330中的薄化后之影像傳感器晶圓的厚度，W及(C)各氣密封接腔穴115的尺寸。
[0036] 選擇性地，步驟330包含平坦化影像傳感器晶圓之外表面的步驟332。在一實例中， 步驟330在與影像傳感器晶圓之形變的時間刻度特征相似或更長的時間刻度上，均勻地研 磨影像傳感器晶圓。在此實例中，該研磨處理本質(zhì)地平坦化該外表面。
[0037] 在圖3中并未被顯示出之替代性實施例中，步驟310、320、及330系W順序310、330 (無步驟332)、及320重安排而執(zhí)行，W致使步驟330亦在升高壓力處被執(zhí)行。在此實施例中， 影像傳感器系在升高壓力處薄化，且當(dāng)隨后轉(zhuǎn)移復(fù)合晶圓至大氣壓力時，用W凹狀彎曲光 接收表面的形變發(fā)生。在此實施例中，步驟332可在步驟320之后被添加，用W平坦化該外表 面。
[0038] 在步驟340中，方法300修正復(fù)合晶圓W產(chǎn)生用于曲面像素數(shù)組112之各者的電性 界面。步驟340可使用本項技藝中所已知的方法。
[0039] 在選擇性步驟345中，方法300加強復(fù)合晶圓，例如，藉由接合加強基板至影像傳感 器晶圓。此加強可用作維持光接收表面114的曲率，而不管其中曲面影像傳感器系統(tǒng)100被 實施之環(huán)境中的壓力。例如，該加強可確保的是，在海平面處及在較高海拔處，該曲面影像 傳感器系統(tǒng)100的性能系相同的。
[0040] 在步驟350中，復(fù)合晶圓系晶粒切割W產(chǎn)生復(fù)數(shù)個曲面影像傳感器系統(tǒng)100。步驟 350可使用銀片、雷射切割、或在本項技藝中所已知之其它方法/工具，而晶粒切割復(fù)合晶 圓。
[0041] 在選擇性步驟360中，一個或多個復(fù)數(shù)個曲面影像傳感器系統(tǒng)100的各者系禪接至 個別成像物鏡140，而產(chǎn)生個別相機模塊150。
[0042] 步驟310、320、及330, W及選擇性地，步驟332可形成用W形成復(fù)合晶圓，亦即，步 驟330的成品之獨立方法的基礎(chǔ)，而不會背離關(guān)于此點之范疇。該獨立方法可由用W處理復(fù) 合晶圓W產(chǎn)生復(fù)數(shù)個曲面影像傳感器系統(tǒng)100之諸如，在本項技藝中所已知之方法的替代 方法所跟隨。
[0043] 圖4描繪用W執(zhí)行方法300(圖3)之步驟310W產(chǎn)生復(fù)合晶圓440的一代表性方法 400。方法400發(fā)生在具有升高壓力的環(huán)境中。例如，方法400發(fā)生在加壓室中。圖5描繪用W 根據(jù)方法400中所形成的復(fù)合晶圓440,而執(zhí)行方法300(圖3)之步驟330的一代表性方法 500。方法500發(fā)生在具有大氣壓力中。圖4及5系最佳地一起觀看。
[0044] 方法400施加接合層430至具有復(fù)數(shù)個CMOS像素數(shù)組422的CMOS影像傳感器晶圓 420。各CMOS像素數(shù)組422系在平面形式中之像素數(shù)組112(圖1)的實施例。接合層430系在各 像素數(shù)組422的周圍而被施加在影像傳感器晶圓420的表面424上。接合層430系例如，具有 黏著劑的間隔物。表面424系影像傳感器晶圓420的光接收表面，亦即，與像素數(shù)組422之光 接收表面相關(guān)聯(lián)的表面。雖然圖4顯示各像素數(shù)組422為藉由接合層430的矩形成形部分而 予W圍繞，但在像素數(shù)組422的各者或某些者周圍之接合層430的形狀可與矩形不同，例如， 楠圓形，而不會背離關(guān)于此點之范疇。
[0045] 在影像傳感器晶圓420上沉積接合層430之后，方法400在接合層430上設(shè)置透光基 板410。接著，方法400硬化接合層430的黏著劑，W完成具有氣密封接腔穴在各像素數(shù)組422 上面之復(fù)合晶圓440的形成。在方法400的一實例中，接合層430包含間隔物及環(huán)氧，W及方 法400模板印刷第一環(huán)氧層至表面424上，設(shè)置間隔物于第一環(huán)氧層上，模板印刷第二環(huán)氧 層于間隔物上，設(shè)置透光基板410于第二環(huán)氧層上，及使用紫外光及/或熱硬化環(huán)氧層二者。
[0046] 圖5之圖形510W橫剖面?zhèn)纫晥D顯示具有像素數(shù)組422之復(fù)合晶圓440的一部分。由 方法500所執(zhí)行的處理系參照圖形510所示之復(fù)合晶圓的該部分，而在下文討論。然而，應(yīng)了 解的是，方法500W晶圓位準(zhǔn)施加圖5所示之處理至復(fù)合晶圓440的全部，或至少至與復(fù)數(shù)個 像素數(shù)組422相關(guān)聯(lián)之復(fù)合晶圓440的部分。
[0047] 圖形510中所示之復(fù)合晶圓440的部分包含具有一像素數(shù)組422之影像傳感器晶圓 420的部分，圍繞像素數(shù)組422之接合層430的部分，W及被接合至接合層430的此部分上之 透光基板410的部分。在像素數(shù)組422上面系在方法400中所形成的氣密封接腔穴515。氣密 封接腔穴515系藉由光接收表面424、接合層430、及透光基板410而定界限。氣密封接腔穴 515具有與透光基板410平行的特征尺寸524。尺寸524系例如，直徑、矩形之邊長、或楠圓形 之長軸或短軸。對像素數(shù)組422之電性接點系在影像傳感器晶圓420與接合層430間的接口 處，設(shè)置于光接收表面424上。接合層430具有厚度526，其系例如，在20至100微米的范圍中。 在一實施例中，厚度526系大約45微米，W及接合層430包含具有大約40微米之厚度的間隔 物。
[004引方法500薄化影像傳感器晶圓420的表面540,如圖形520中所示。表面540背對透光 基板410。方法500自表面540連續(xù)去除材料且平坦化表面540。當(dāng)影像傳感器晶圓420變成更 可形變時，在氣密封接腔穴515與周遭大氣壓力間的壓力差凹狀地彎曲光接收表面424。當(dāng) 影像傳感器晶圓420已被薄化至導(dǎo)致光接收表面424之預(yù)定曲率的厚度時，方法500停止。
[0049] 在方法400及500的一實施例中，于方法400中之環(huán)境490的升高壓力與厚度522及 尺寸524協(xié)力，而產(chǎn)生預(yù)定曲率。
[0050] 光接收表面424的曲率可至少部分地由圖形520中之光接收表面424自圖形510中 之光接收表面424的最初平面狀態(tài)之最大偏向528所特征化。在一實施例中，偏向528系在1 至50微米的范圍中，W及尺寸524系在1.5至10毫米的范圍中。惟，偏向528及/或尺寸524可 與該等值不同，而不會背離關(guān)于此點之范疇。
[0051] 理論上的模型考慮到遭受壓力差之娃膜片的形變。雖理想化，但此模型提供用W 達(dá)成在像素數(shù)組之光接收表面424的曲率所需之方法400及500的近似參數(shù)值。為此模型之 目的，光接收表面424的曲率系由偏向528所代表。
[0052] 依據(jù)此模型，偏向528系由
[0化3] Y = 3(1-v2)P(D/2)4/(16ET3)所給定，其中 V 系用于娃 <100〉的泊松比（Poisson's ratio)，其中<100〉系指示晶體取向的米勒指數(shù)(Miller index)，E系用于娃的楊氏模數(shù)，P 系橫跨影像傳感器晶圓的壓力差，D系尺寸524, W及T系厚度522。該模型假定的是，尺寸524 指示直徑。表1顯示用于偏向528(Υ)的代表值，用于P、D、及T的給定代表值，且假定v = 0.25 W 及 E = 1.9x 1〇-11 帕（Pascal)。
[0化4]
[0055] 如表1中所看到，偏向528的不同大小可由壓力差、尺寸524、及厚度522之適當(dāng)選擇 所達(dá)成。表1亦顯示的是，通常與較大尺寸524相關(guān)聯(lián)之較大像素數(shù)組112,比通常與較小尺 寸524相關(guān)聯(lián)之較小像素數(shù)組112,需要更小的壓力差，W達(dá)到一定大小的偏向528。對于預(yù) 定曲率及給定的尺寸524,方法300提出壓力差與厚度522之間的交換。在一實例中，為了要 在曲面影像傳感器系統(tǒng)100之此實施例的使用期期間減少氣密封接腔穴515之潛在壓力差 損失的沖擊，相對低的壓力差系較佳的。
[0056] 圖6描繪用W根據(jù)如方法500(圖5)中所修正的復(fù)合晶圓440(圖4)，而執(zhí)行方法300 (圖3)之步驟340及345的一代表性方法600。對方法600之輸入系W由圖5的圖形520所指示 之形式的復(fù)合晶圓440。方法600處理復(fù)合晶圓440的表面540。圖7系概要顯示方法600之代 表性步驟的圖形710、720、730、740、750、及760的系列。圖6及7系最佳地一起觀看。
[0057]在步驟610中，方法600蝕刻溝渠712(請參閱圖形710)至影像傳感器晶圓420之內(nèi)， W暴露出電性接點530。步驟610可使用光阻圖案化，W適合地定位溝渠712于電性接點530 及接合層430之__t。
[005引在步驟620中，方法600在影像傳感器晶圓420上沉積隔離層722(請參閱圖形720)， 包含在溝渠712之內(nèi)。
[0059] 在步驟630中，方法600在隔離層722上沉積加強基板724(請參閱圖形720)。加強基 板724可系玻璃基板。在步驟630的一實例中，加強基板724系厚度在50微米與200微米間的 范圍中之諸如，大約100微米的玻璃基板。加強基板724可使用在本項技藝中所已知之方法 而被接合至隔罔層722。
[0060] 在步驟640中，溝渠712被重開啟W取回對電性接點530的接達(dá)(請參閱圖形730)。 步驟640可使用諸如，刀開槽、雷射鉆孔、及/或蝕刻之在本項技藝中所已知的方法。步驟640 包含自加強基板724及隔離層722，且選擇性地，亦自接合層430及電性接點530之一或二者 去除材料。
[0061] 在步驟650中，方法600在影像傳感器晶圓420上沉積重分配層742(請參閱圖形 740)。重分配層742在影像傳感器晶圓420的頂部表面732與電性接點530之間形成電性連 接。重分配層742包含金屬。在一實例中，重分配層742系使用電鍛、或在本項技藝中所已知 之其它方法而被沉積至影像傳感器晶圓420上的AlCu、Cu、或另一金屬。在另一實例中，重分 配層742系非電解電鍛之Ni/Au。
[0062] 在步驟660中，方法600沉積純化層752(請參閱圖形750)，例如，使用本項技藝中所 已知之方法。純化層752系電絕緣物。純化層752可系焊料屏蔽或另一有機材料。純化層具有 開口 754，其暴露出重分配層742。
[0063] 在步驟670中，方法600在開口 754中沉積外部電性接點762 (請參閱圖形760)。步驟 670可使用本項技藝中所已知之方法。在一實例中，外部電性接點762系藉由印刷、植球、或 在本項技藝中所已知之其它方法而被沉積的球柵數(shù)組。
[0064] 現(xiàn)請再翻閱圖3,在實施例中，方法300施加步驟350至藉由完成方法600而產(chǎn)生且 藉由圖形760而描繪之復(fù)合晶圓。在此實施例中，步驟350產(chǎn)生圖形760中所示的曲面影像傳 感器系統(tǒng)。此曲面影像傳感器系統(tǒng)系正面受照CMOS影像傳感器，其系曲面影像傳感器系統(tǒng) 100(圖1)的實施例。
[0065] 應(yīng)了解的是，在圖4、5、及7中所示的實施例可不按比例而繪制，且實際的實施例可 具有與圖4、5、及7中所示之該等者不同的尺寸及形狀。例如，加強基板724可W比隔離層722 更大大地厚。
[0066] 加強基板724可系諸如，具有用于各像素數(shù)組422之影像處理及驅(qū)動器電路的CMOS 邏輯晶圓之集成電路基板，而不會背離關(guān)于此點之范疇。在一實施中，此CMOS邏輯晶圓具有 背對隔離層722的電性連接接墊。在此實施中，步驟650沉積重分配層742, W連接電性接點 530至CMOS邏輯晶圓之電性連接接墊的至少若干者，W及步驟660及670協(xié)力W在CMOS邏輯 晶圓的電性連接接墊上安置外部電性接點762。在另一相似的實施中，此CMOS邏輯晶圓具有 面向隔離層722的電性連接接墊。在此實施中，步驟640暴露出該等電性連接接墊，W及步驟 650沉積重分配層742, W連接電性接點530至CMOS邏輯晶圓之該等暴露的電性連接接墊。
[0067] 而且，方法600可在復(fù)合晶圓440中形成貫穿娃通孔，W產(chǎn)生至少一些電性連接，而 不會背離關(guān)于此點之范疇。
[0068] 圖8概要地描繪用W制造曲面影像傳感器系統(tǒng)100(圖1)之實施例的一代表性方法 800,該曲面影像傳感器系統(tǒng)100實施曲面影像傳感器110為背面受照CMOS影像傳感器。方法 800系方法300 (圖3)之實施例。方法800系與參照圖4、5、6、及7所討論之方法300 (圖3)的實 施例相似，除了系根據(jù)背面受照CMOS影像傳感器之外。下文系有關(guān)方法800與根據(jù)方法400、 500、及600之實施例間的差異。
[0069] 當(dāng)與方法400相較時，方法800W背面受照CMOS影像傳感器晶圓820(請參閱圖形 810,其系被修正W描繪方法800的等效階段之圖形510的版本)取代影像傳感器晶圓420。背 面受照影像傳感器晶圓820包含(a)載體晶圓826,（b)至少一個背面受照CMOS影像傳感器 822,（C)一個或多個氧化物層824,其接合各背面受照CMOS影像傳感器822至載體晶圓826。 各背面受照CMOS影像傳感器822依據(jù)背面受照之組態(tài)而實施光接收表面424及像素數(shù)組 422。各背面受照CMOS影像傳感器822進一步包含電性接點530及電性連接832。電性連接832 連接電性接點530至鄰接影像傳感器822之正面，亦即，背對像素數(shù)組422的影像傳感器822 之側(cè)的像素電路(未被顯示于圖8中）。
[0070] 載體晶圓826,或如參照圖7所討論之加強基板724可包含用于各背面受照CMOS影 像傳感器822的影像處理及驅(qū)動器電路，而不會背離關(guān)于此點之范疇。
[0071] 方法800處理如參照圖5、6、及7所討論之圖形810的復(fù)合晶圓，W產(chǎn)生具有至少一 個背面受照影像傳感器的復(fù)合晶圓（請參閱圖形860,其系被修正W描繪方法800的等效階 段之圖形760的版本）。
[0072] 現(xiàn)請再翻閱圖3,在實施例中，方法300施加步驟350至藉由方法800而產(chǎn)生且被描 繪于圖形860中之復(fù)合晶圓。在此實施例中，步驟350產(chǎn)生圖形860中所示的曲面影像傳感器 系統(tǒng)。此曲面影像傳感器系統(tǒng)系背面受照CMOS影像傳感器，其系曲面影像傳感器系統(tǒng)100 (圖1)的實施例。
[0073] 特性之組合
[0074] 上文所敘述之特性W及下文所主張專利范圍之該等者可種種方式結(jié)合，而不 會背離關(guān)于此之范疇。例如，應(yīng)理解的是，在本文所敘述之一曲面影像傳感器系統(tǒng)，或其制 造方法的觀點可與在本文所敘述之另一曲面影像傳感器系統(tǒng)，或其制造方法的特性結(jié)合或 交換。W下實例描繪上述實施例之可能的，非限制的組合。應(yīng)呈明顯的是，許多其它的改變 及修正可對本文之方法及裝置予W做成，而不會背離此發(fā)明的精神及范疇：
[0075] (A1)用W制造一個或多個曲面影像傳感器系統(tǒng)之方法可包含(a)在相對于大氣壓 力之升高壓力處，接合透光基板至具有至少一個光敏像素數(shù)組的影像傳感器晶圓，W形成 復(fù)合晶圓，該復(fù)合晶圓具有在透光基板與該至少一個光敏像素數(shù)組的各者間之個別氣密封 接腔穴，W及(b)薄化該復(fù)合晶圓的影像傳感器晶圓，W誘導(dǎo)影像傳感器晶圓之形變，而自 該至少一個像素數(shù)組的各者形成個別凹狀曲面像素數(shù)組。
[0076] (A2)在如(A1)所示之方法中，該薄化的步驟包含，對于該至少一個像素數(shù)組的各 者，使該像素數(shù)組之光接收表面變形W凹狀彎曲該光接收表面。
[0077] (A3)在如(Al)及(A2)所示之方法的各者中，該薄化的步驟包含，對于該至少一個 像素數(shù)組的各者，當(dāng)該復(fù)合晶圓系在大氣壓力時，薄化該影像傳感器晶圓至一厚度，其與 (a)該個別氣密封接腔穴中之升高壓力及(b)該個別氣密封接腔穴之尺寸協(xié)力，而W預(yù)定曲 率凹狀彎曲該光接收表面。
[0078] (A4)在如(A3)所示之方法中，對于各凹狀曲面像素數(shù)組，當(dāng)與平面像素數(shù)組相較 時，該預(yù)定曲率跨越該凹狀曲面像素數(shù)組而產(chǎn)生所入射在該凹狀曲面像素數(shù)組上之光的主 要射線角之增進的均勻度。
[0079] (A5)在如(A3)及(A4)所示之方法的各者中，對于各凹狀曲面像素數(shù)組，當(dāng)與使用 平面像素數(shù)組所俘獲之影像相較時，該預(yù)定曲率在使用該凹狀曲面像素數(shù)組所俘獲之影像 中，產(chǎn)生降低的場曲率。
[0080] (A6)如(A1)至(A5)所示之方法的各者可包含在大氣壓力處執(zhí)行薄化的步驟。
[0081] (A7)在如(A1)至(A6)所示之方法的各者中，該接合的步驟包含(a)在影像傳感器 晶圓上及在該至少一個像素數(shù)組的各者周圍，沉積具有黏著劑之接合層，（b)在接合層上設(shè) 置透光基板，W及(C)硬化黏著劑W形成氣密封接腔穴。
[0082] (A8)在如(A1)至(A7)所示之方法的各者中，該薄化的步驟包含薄化影像傳感器晶 圓的第一表面，該第一表面背對透光基板。
[0083] (A9)在如(A8)所示之方法中，該薄化的步驟包含薄化第一表面至一厚度，其允許 在氣密封接腔穴中之升高壓力，W凹狀彎曲該個別像素數(shù)組。
[0084] (A10)如(A8)至(A9)所示之方法的各者可包含在大氣壓力處執(zhí)行該薄化的步驟， 薄化第一表面的步驟包含平坦化該第一表面。
[0085] (All)如(A8)至(A10)所示之方法的各者可進一步包含修正第一表面W對各凹狀 曲面像素數(shù)組產(chǎn)生電性接口。
[0086] (A12)在如(All)所示之方法中，該薄化的步驟可包含平坦化第一表面W形成平面 第一表面;W及該修正的步驟包含處理該平面第一表面W產(chǎn)生電性接口。
[0087] (A13)在如(A12)所示之方法中，該處理的步驟可包含自該平面第一表面蝕刻貫穿 影像傳感器晶圓W暴露出電性連接，該等電性連接系位于面向透光基板之影像傳感器晶圓 的表面處。
[0088] (A14)在如(A1)至(A13)所示之方法的各者中，該至少一個像素數(shù)組系復(fù)數(shù)個像素 數(shù)組。
[0089] (A15)如(A14)所示之方法可進一步包含晶粒切割復(fù)合晶圓W產(chǎn)生復(fù)數(shù)個曲面影 像傳感器系統(tǒng)，各包含凹狀曲面像素數(shù)組。
[0090] (A16)在如(A1)至(A13)所示之方法的各者中，該至少一個像素數(shù)組可系恰好一像 素數(shù)組。
[0091] (A17)在如(A1)至(A16)所示之方法的各者中，該光敏像素數(shù)組可系背面受照的。
[0092] (A18)在如(A1)至(A16)所示之方法的各者中，該光敏像素數(shù)組可系正面受照的。
[0093] (B1)曲面影像傳感器系統(tǒng)可包含(a)影像傳感器基板，具有凹狀光接收表面及沿 著該凹狀光接收表面而被設(shè)置的光敏像素數(shù)組，（b)透光基板，系藉由接合層而被接合至影 像傳感器基板，W及(C)氣密封接腔穴，在像素數(shù)組之光學(xué)上游，且至少被凹狀光接收表面、 透光基板、及接合層定界限。
[0094] (B2)在如(Bl)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)中，該氣密封接腔穴具有相對于大氣壓 力之升高壓力。
[00M] (B3)如(B1)及(B2)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)的各者可進一步包含加強基板，用 W維持凹狀光接收表面。
[0096] (B4)在如(B3)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)中，該加強基板系互補型金氧半集成電 路，其系電性禪接至光敏像素數(shù)組。
[0097] (B5)在如(B1)至(B4)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)的各者中，背對光接收表面之影 像傳感器基板的表面可系平面的。
[0098] (B6)在如(B1)至(B5)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)的各者中，該光敏像素數(shù)組可系 正面受照的。
[0099] (B7)如(B6)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)可包含電路，用于與光敏像素數(shù)組通訊， 其中該電路系部分位于影像傳感器基板與接合層之間的接口處。
[0100] (B8)在如(B1)至(B4)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)的各者中，該光敏像素數(shù)組可被 實施于背面受照影像傳感器中
[0101] (B9)如（B8)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)可進一步包含電路，用于與像素數(shù)組通 訊，其中該電路系部分位于該背面受照影像傳感器與接合層之間的接口處。
[0102] (B10)如(B8)及(B9)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)的各者可進一步包含加強基板， 用于背面受照影像傳感器。
[0103] (B11)在如(B10)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)中，該加強基板可系CMOS集成電路， 其系電性禪接至該背面受照影像傳感器。
[0104] (B12)如(B1)至(B11)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)的各者可進一步包含成像物鏡， 用W在像素數(shù)組上形成影像。
[0105] (B13)在如(B12)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)中，在像素數(shù)組之各像素處的光接收 表面可與被接收自成像物鏡之光的對應(yīng)主要射線角實質(zhì)垂直。
[0106] (B14)在如(B12)及(B13)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)的各者中，在像素數(shù)組處的 光接收表面可與成像物鏡之巧茲伐(Petzval)面實質(zhì)一致。
[0107] (B15)如(B1)至(B14)所示之曲面影像傳感器系統(tǒng)的各者可使用如(A1)至(A18)所 示之方法的一或多者而制造。
[0108] 改變可在上述系統(tǒng)及方法中予W做成，而不會背離關(guān)于此之范疇。因此，應(yīng)注意的 是，在上述說明中所包含或在附圖中所顯示之事物應(yīng)被解讀成描繪性，且不在限制的觀念 中。下文申請專利范圍系打算要涵蓋本文所敘述之一般及特定的特性，W及有關(guān)措詞之本 方法及系統(tǒng)的范疇之所有聲明可說是落在其間。
【主權(quán)項】
1. 一種用以制造一個或多個曲面影像傳感器系統(tǒng)的方法，其包含： 在相對于大氣壓力的升高壓力處，接合透光基板至具有至少光敏像素數(shù)組的影像傳感 器晶圓，以形成復(fù)合晶圓，所述復(fù)合晶圓具有在所述透光基板與所述至少一個光敏像素數(shù) 組的各者之間的一個別氣密封接腔穴；以及 薄化所述復(fù)合晶圓的所述影像傳感器晶圓，以誘導(dǎo)所述影像傳感器晶圓的形變，而自 所述至少一個像素數(shù)組的各者形成一個別凹狀曲面像素數(shù)組。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述薄化的步驟包含，對于所述至少一個像素數(shù)組的各 者，使所述像素數(shù)組的光接收表面變形以凹狀彎曲所述光接收表面。3. 如權(quán)利要求2所述的方法，所述薄化的步驟包含，對于所述至少一個像素數(shù)組的各 者，當(dāng)所述復(fù)合晶圓系在大氣壓力時，薄化所述影像傳感器晶圓至厚度，其與(a)所述個別 氣密封接腔穴中的升高壓力及(b)所述個別氣密封接腔穴的尺寸協(xié)力，而以預(yù)定曲率凹狀 彎曲所述光接收表面。4. 如權(quán)利要求3所述的方法，對于各凹狀曲面像素數(shù)組，當(dāng)與平面像素數(shù)組相較時，所 述預(yù)定曲率跨越所述凹狀曲面像素數(shù)組而產(chǎn)生所入射在所述凹狀曲面像素數(shù)組上的光的 主要射線角的增進的均勻度。5. 如權(quán)利要求3所述的方法，對于各凹狀曲面像素數(shù)組，當(dāng)與使用平面像素數(shù)組所俘獲 的影像相較時，所述預(yù)定曲率在使用所述凹狀曲面像素數(shù)組所俘獲的影像中，產(chǎn)生降低的 場曲率。6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其包含在所述大氣壓力處執(zhí)行所述薄化的步驟。7. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述接合的步驟包含： 在所述影像傳感器晶圓上及在所述至少一個像素數(shù)組的各者周圍，沉積具有黏著劑的 接合層； 在所述接合層上設(shè)置所述透光基板；以及 硬化所述黏著劑以形成所述氣密封接腔穴。8. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述薄化的步驟包含薄化所述影像傳感器晶圓的第一表 面，所述第一表面背對所述透光基板。9. 如權(quán)利要求8所述的方法，所述薄化的步驟包含薄化所述第一表面的厚度，其允許在 所述氣密封接腔穴中的升高壓力，以凹狀彎曲所述個別像素數(shù)組。10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其包含在所述大氣壓力處執(zhí)行所述薄化的步驟，所述薄 化所述第一表面的步驟包含平坦化所述第一表面。11. 如權(quán)利要求8所述的方法，進一步包含修正所述第一表面以對各凹狀曲面像素數(shù)組 產(chǎn)生電性接口。12. 如權(quán)利要求11所述的方法， 所述薄化的步驟包含平坦化所述第一表面以形成平面第一表面；以及 所述修正的步驟包含處理所述平面第一表面以產(chǎn)生所述電性接口。13. 如權(quán)利要求12所述的方法，所述處理的步驟包含自所述平面第一表面蝕刻貫穿所 述影像傳感器晶圓以暴露出電性連接，所述等電性連接系位于面向所述透光基板的所述影 像傳感器晶圓的表面處。14. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述至少一個像素數(shù)組系復(fù)數(shù)個像素數(shù)組，所述方法進 一步包含： 晶粒切割所述復(fù)合晶圓以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個曲面影像傳感器系統(tǒng)，各包含凹狀曲面像素數(shù) 組。15. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述至少一個像素數(shù)組系恰好像素數(shù)組。16. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述光敏像素數(shù)組系背面受照的。17. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述光敏像素數(shù)組系正面受照的。18. -種曲面影像傳感器系統(tǒng)，其包含： 影像傳感器基板，具有凹狀光接收表面及光敏像素數(shù)組，所述光敏像素數(shù)組系沿著所 述凹狀光接收表面而被設(shè)置； 透光基板，系藉由接合層而被接合至所述影像傳感器基板；以及 氣密封接腔穴，在所述像素數(shù)組的光學(xué)上游，且至少被所述凹狀光接收表面、所述透光 基板、及所述接合層定界限。19. 如權(quán)利要求18所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)，所述氣密封接腔穴具有相對于大氣壓 力的升高壓力。20. 如權(quán)利要求18所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)，進一步包含加強基板，用以維持所述凹 狀光接收表面。21. 如權(quán)利要求20所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)，所述加強基板系互補型金氧半集成電 路，其系電性耦接至所述光敏像素數(shù)組。22. 如權(quán)利要求18所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)，背對所述光接收表面的所述影像傳感 器基板的表面系平面的。23. 如權(quán)利要求18所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)，所述光敏像素數(shù)組系正面受照的，且包 含電路，用于與所述像素數(shù)組通訊，所述電路系部分位于所述影像傳感器基板與所述接合 層之間的接口處。24. 如權(quán)利要求18所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)， 所述光敏像素數(shù)組系實施于背面受照影像傳感器中；以及 所述曲面影像傳感器系統(tǒng)進一步包含電路，用于與所述像素數(shù)組通訊，所述電路系部 分位于所述背面受照影像傳感器與所述接合層之間的接口處。25. 如權(quán)利要求24所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)，其進一步包含加強基板，用于所述背面 受照影像傳感器。26. 如權(quán)利要求25所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)，所述加強基板系互補型金氧半集成電 路，其系電性耦接至所述背面受照影像傳感器。27. 如權(quán)利要求18所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)， 進一步包含成像物鏡，用以在所述像素數(shù)組上形成影像；以及 在所述像素數(shù)組的各像素處的所述光接收表面系與被接收自所述成像物鏡的光的對 應(yīng)主要射線角實質(zhì)垂直。28. 如權(quán)利要求18所述的曲面影像傳感器系統(tǒng)， 進一步包含成像物鏡，用以在所述像素數(shù)組上形成影像；以及 在所述像素數(shù)組處的所述光接收表面系與所述成像物鏡的珀茲伐(Petzval)面實質(zhì)一 致。
【文檔編號】H01L27/146GK105870141SQ201610086038
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月15日
【發(fā)明人】林蔚峰, 黃吉志
【申請人】全視技術(shù)有限公司