攝像裝置以及攝像裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種攝像裝置以及其制造方法。由形成于半導(dǎo)體襯底(SUB)的隔離區(qū)域(STI)來規(guī)定出P型阱(PW)。在P型阱(PW)中規(guī)定有像素區(qū)域(PER)和接地區(qū)域(GND)。在像素區(qū)域(PER)中規(guī)定有形成了光電二極管(PD)的光電二極管區(qū)域(PDR)和像素晶體管區(qū)域(PTR)。以至少覆蓋光電二極管區(qū)域(PDR)以及接地區(qū)域(GND)的方式形成有防反射膜(ARF)。以貫穿防反射膜(ARF)等的方式形成有與接地區(qū)域(GND)連接的插塞(PG)。
【專利說明】
攝像裝置以及攝像裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種攝像裝置以及攝像裝置的制造方法，例如涉及一種能夠適用于具有光電二極管區(qū)域和接地區(qū)域的攝像裝置的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]在數(shù)碼相機(jī)等中，例如應(yīng)用了具有CMOS ( Comp I emen tary Metal OxideSemiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器的攝像裝置。在攝像裝置中，為了將入射的光轉(zhuǎn)換成電荷，而形成有光電二極管。在光電二極管中產(chǎn)生的電荷由傳輸用晶體管傳輸至浮動擴(kuò)散區(qū)域。傳輸來的電荷由放大用晶體管轉(zhuǎn)換為電信號來作為圖像信號輸出。
[0003]在攝像裝置中，為了抑制光的反射以使光有效地入射至光電二極管，而形成有防反射膜。防反射膜是通過以覆蓋半導(dǎo)體襯底的方式形成氮化硅膜并對該氮化硅膜進(jìn)行刻蝕處理而形成的。作為公開了具有這種防反射膜的攝像裝置的專利文獻(xiàn)，有例如JP特開2012-146989號公報以及JP特開2007-165864號公報。
[0004]在攝像裝置中，在光電二極管的附近配置有將光電二極管的陽極與接地電位電連接的接地區(qū)域，接地區(qū)域經(jīng)由形成于接觸孔內(nèi)的插塞來與接地電位電連接。在接地區(qū)域中，為了良好地形成該接觸孔，在對作為防反射膜的氮化硅膜進(jìn)行刻蝕處理時，也去除位于接地區(qū)域的氮化硅膜的部分。此時，在形成有光電二極管的區(qū)域有時會產(chǎn)生刻蝕損傷。
[0005]
【發(fā)明人】確認(rèn)到:若在形成有光電二極管的區(qū)域產(chǎn)生刻蝕損傷，貝Ij在光電二極管中會產(chǎn)生暗電流。暗電流是指即使光未入射至光電二極管也會在光電二極管中流過的電流，意味著微小的漏電流。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于上述情況，本發(fā)明提供一種能夠抑制光電轉(zhuǎn)換部的暗電流的攝像裝置以及其制造方法。根據(jù)本說明書的表述以及附圖使得其他問題和新的特征變明確。
[0007]一個實(shí)施方式的攝像裝置具有半導(dǎo)體襯底、元件形成區(qū)域、像素區(qū)域、光電轉(zhuǎn)換部、接地區(qū)域、防反射膜、層間絕緣膜以及插塞。元件形成區(qū)域規(guī)定在半導(dǎo)體襯底上，由第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域形成。像素區(qū)域規(guī)定在元件形成區(qū)域上。光電轉(zhuǎn)換部形成于像素區(qū)域。接地區(qū)域以與光電轉(zhuǎn)換部隔著隔離部的方式規(guī)定在元件形成區(qū)域上，與光電轉(zhuǎn)換部電連接并且與接地電位電連接。防反射膜以至少覆蓋光電轉(zhuǎn)換部以及接地區(qū)域的方式形成。插塞以貫穿層間絕緣膜以及防反射膜的方式形成，并與接地區(qū)域電連接。
[0008]另一個實(shí)施方式的攝像裝置的制造方法包括以下的工序。在半導(dǎo)體襯底上規(guī)定包括像素區(qū)域以及接地區(qū)域在內(nèi)的第一導(dǎo)電型的元件形成區(qū)域。在像素區(qū)域形成光電轉(zhuǎn)換部。以至少覆蓋光電轉(zhuǎn)換部以及接地區(qū)域的方式來形成抑制光的反射的防反射膜。以覆蓋防反射膜的方式形成層間絕緣膜。
[0009]形成插塞，該插塞貫穿層間絕緣膜以及防反射膜而與接地區(qū)域接觸，將接地區(qū)域與接地電位電連接。
[0010]根據(jù)一個實(shí)施方式的攝像裝置，能夠抑制光電轉(zhuǎn)換部的暗電流。
[0011]根據(jù)另一個實(shí)施方式的攝像裝置的制造方法，能夠制造抑制光電轉(zhuǎn)換部的暗電流的攝像裝置。
【附圖說明】
[0012]圖1是示出各實(shí)施方式的攝像裝置中的像素電路的一例的圖。
[0013]圖2是示出實(shí)施方式I的基于絕緣隔離的攝像裝置的第一例的俯視圖。
[0014]圖3是將在同一個實(shí)施方式中分別沿著圖2所示的剖視線IIIa-1IIa、IIIb-1IIb以及IIIc-1IIc的剖視圖連接起來的剖視圖。
[0015]圖4是示出在同一個實(shí)施方式中，基于絕緣隔離的攝像裝置的第一例的制造方法的一個工序的剖視圖。
[0016]圖5是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖4所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0017]圖6是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖5所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0018]圖7是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖6所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0019]圖8是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖7所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0020]圖9是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖8所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0021]圖10是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖9所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0022]圖11是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖10所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0023]圖12是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖11所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0024]圖13是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖12所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0025]圖14是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖13所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0026]圖15是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖14所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0027]圖16是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖15所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0028]圖17是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖16所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0029]圖18是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖17所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0030]圖19是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖18所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0031]圖20是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖19所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0032]圖21是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖20所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0033]圖22是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖21所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0034]圖23是示出比較例的攝像裝置的制造方法的一個工序的剖視圖。
[0035]圖24是示出在圖23所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0036]圖25是示出在圖24所示的工序之后進(jìn)行的工序的俯視圖，是主要部分已完成的攝像裝置的俯視圖。
[0037]圖26是將分別沿著圖25所示的剖視線XXVIa-XXVIa、XXVIb_XXVIb以及XXVIc-XXVIc的剖視圖連接起來的剖視圖。
[0038]圖27是示出實(shí)施方式I的采用pn結(jié)隔離方式的攝像裝置的第一例的俯視圖。
[0039]圖28是將在同一個實(shí)施方式中分別沿著圖27所示的剖視線XXVIIIa-XXVIIIa以及XXVIIIb-XXVIIIb的剖視圖連接起來的剖視圖。
[0040]圖29是示出在同一個實(shí)施方式中，采用pn結(jié)隔離方式的攝像裝置的第一例的制造方法的一個工序的剖視圖。
[0041]圖30是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖29所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0042]圖31是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖30所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0043]圖32是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖31所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0044]圖33是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖32所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0045]圖34是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖33所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0046]圖35是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖34所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0047]圖36是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖35所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0048]圖37是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖36所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0049]圖38是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖37所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0050]圖39是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖38所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。[0051 ]圖40是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖39所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0052]圖41是示出比較例的攝像裝置的制造方法的一個工序的剖視圖。
[0053]圖42是示出在圖41所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0054]圖43是示出在圖42所示的工序之后進(jìn)行的工序的俯視圖，是主要部分已完成的攝像裝置的俯視圖。
[0055]圖44是將分別沿著圖43所示的剖視線XLIVa-XLIVa以及XLIVb-XLIVb的剖視圖連接起來的剖視圖。
[0056]圖45是示出實(shí)施方式2的基于絕緣隔離的攝像裝置的第二例的俯視圖。
[0057]圖46是在同一個實(shí)施方式中將分別沿著圖45所示的剖視線XLVIa-XLVIa、XLVIb-XLVIb以及XLVIc-XLVIc的剖視圖連接起來的剖視圖。
[0058]圖47是示出在同一個實(shí)施方式中采用絕緣隔離方式的攝像裝置的第二例的制造方法的一個工序的剖視圖。
[0059]圖48是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖47所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0060]圖49是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖48所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。[0061 ]圖50是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖49所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0062]圖51是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖50所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0063]圖52是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖51所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0064]圖53是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖52所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0065]圖54是示出實(shí)施方式2的基于pn結(jié)隔離的攝像裝置的第二例的俯視圖。
[0066]圖55是在同一個實(shí)施方式中將分別沿著圖54所示的剖視線LVa-LVa以及LVb-LVb的剖視圖連接起來的剖視圖。
[0067]圖56是示出在同一個實(shí)施方式中基于pn結(jié)隔離的攝像裝置的第二例的制造方法的一個工序的剖視圖。
[0068]圖57是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖56所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0069]圖58是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖57所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0070]圖59是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖58所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0071]圖60是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖59所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0072]圖61是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖60所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0073]圖62是示出在同一個實(shí)施方式中，在圖61所示的工序之后進(jìn)行的工序的剖視圖。
[0074]圖63是示出實(shí)施方式3的基于絕緣隔離的攝像裝置的第三例的俯視圖。
[0075]圖64是示出比較例的攝像裝置的俯視圖。
[0076]圖65是示出在同一個實(shí)施方式中基于絕緣隔離的攝像裝置的第四例的俯視圖。
[0077]圖66是示出在同一個實(shí)施方式中基于pn結(jié)隔離的攝像裝置的第三例的俯視圖。
[0078]圖67是示出比較例的攝像裝置的俯視圖。
[0079]圖68是示出在同一個實(shí)施方式中基于pn結(jié)隔離的攝像裝置的第四例的俯視圖。
[0080]圖69是示出在各實(shí)施方式中，插塞與接地區(qū)域之間的連接狀態(tài)的變形例的局部剖視圖。
[0081]圖70是示出在各實(shí)施方式中，插塞與接地區(qū)域之間的連接狀態(tài)的另一變形例的局部剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0082]首先，針對攝像裝置的整體結(jié)構(gòu)(電路)簡單地進(jìn)行說明。首先，攝像裝置由配置為矩陣狀的多個像素構(gòu)成。如圖1所示，在這些像素中的每一個中都設(shè)有光電二極管PD、傳輸用晶體管TT、放大用晶體管AM1、選擇用晶體管SEL以及復(fù)位用晶體管RST。
[0083]在光電二極管PD中，來自被攝體的光作為電荷被蓄積。傳輸用晶體管TT將電荷傳輸至浮動擴(kuò)散區(qū)域(未圖示)。復(fù)位用晶體管RST在電荷被傳輸至浮動擴(kuò)散區(qū)域之前，將浮動擴(kuò)散區(qū)域的電荷復(fù)位。將傳輸至浮動擴(kuò)散區(qū)域的電荷輸入至放大用晶體管AMI的柵電極，將其轉(zhuǎn)換為電壓(Vdd)并放大。當(dāng)將對像素的特定的行進(jìn)行選擇的信號輸入至選擇用晶體管SEL的柵電極時，轉(zhuǎn)換為電壓的信號作為圖像信號而被讀出。
[0084]像這樣，在圖1所示的電路中，在兩個光電二極管H)中產(chǎn)生的電荷由兩個傳輸用晶體管TT、一個放大用晶體管AM1、一個選擇用晶體管SEL以及一個復(fù)位用晶體管RST這5個晶體管來控制。即，針對一個光電二極管H)，由2.5個晶體管來控制電荷(2.5晶體管像素)。
[0085]此外，像素電路并不限于此。例如，有在一個光電二極管中產(chǎn)生的電荷由一個傳輸用晶體管、一個放大用晶體管、一個選擇用晶體管以及一個復(fù)位用晶體管這4個晶體管來控制的電路(4晶體管像素)。另外，還有在4個光電二極管中產(chǎn)生的電荷由4個傳輸用晶體管、一個放大用晶體管、一個選擇用晶體管以及一個復(fù)位用晶體管這7個晶體管來控制的電路(1.75晶體管像素)。
[0086]以下，針對具有光電二極管區(qū)域和接地區(qū)域的各實(shí)施方式的攝像裝置具體地進(jìn)行說明。
[0087]實(shí)施方式I
[0088](絕緣隔離)
[0089]首先，針對利用隔離絕緣膜將光電二極管區(qū)域與接地區(qū)域絕緣隔離的攝像裝置的第一例進(jìn)行說明。
[0090]如圖2以及圖3所示，通過在半導(dǎo)體襯底SUB的規(guī)定的區(qū)域埋入絕緣膜來形成隔離區(qū)域STI。由該隔離區(qū)域STI來規(guī)定出作為元件形成區(qū)域的P型阱PW(第一雜質(zhì)區(qū)域)。在P型阱PW中規(guī)定有像素區(qū)域PER和接地區(qū)域GND。而且，在像素區(qū)域PER中規(guī)定有光電二極管區(qū)域PDR和像素晶體管區(qū)域PTR。在像素晶體管區(qū)域PTR中形成有放大用晶體管AM1、選擇用晶體管SEL或者復(fù)位用晶體管RST。
[0091]以橫截P型阱PW的方式形成有傳輸用晶體管TT的柵電極GET。在隔著柵電極GET位于該柵電極GET的一側(cè)的P型阱PW的一部分上形成有光電二極管區(qū)域TOR，在隔著柵電極GET位于該柵電極GET的另一側(cè)的P型阱PW的一部分上形成有浮動擴(kuò)散區(qū)域H)。在浮動擴(kuò)散區(qū)域FD的表面上形成有金屬硅化物膜MSF。
[0092]在光電二極管區(qū)域PDR中形成有光電二極管PD。光電二極管PD包括N型雜質(zhì)區(qū)域NR。在該N型雜質(zhì)區(qū)域NR的上方形成有P型雜質(zhì)區(qū)域PSR。另外，在N型雜質(zhì)區(qū)域NR的側(cè)方形成有P型保護(hù)環(huán)PGR。
[0093]在光電二極管區(qū)域TOR與接地區(qū)域GND之間配置有隔離區(qū)域STI。利用隔離區(qū)域STI的絕緣膜將光電二極管區(qū)域TOR與接地區(qū)域GND絕緣隔離。P型保護(hù)環(huán)PGR是沿著該隔離區(qū)域STI形成的。
[0094]在接地區(qū)域GND中形成有P型雜質(zhì)區(qū)域GPR(第二雜質(zhì)區(qū)域KP型雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度被設(shè)定得比P型阱PW的雜質(zhì)濃度高。P型雜質(zhì)區(qū)域GPR經(jīng)由P型阱PW與光電二極管ro(陽極)電連接。
[0095]在像素晶體管區(qū)域PTR中形成有像素晶體管PT。此外，在圖3中，像素晶體管PT代表放大用晶體管AM1、選擇用晶體管SEL以及復(fù)位用晶體管RST，作為一個晶體管而示出。在像素晶體管區(qū)域PTR以橫截P型阱PW的方式形成有柵電極GEN。
[0096]在隔著柵電極GEN位于該柵電極GEN的一側(cè)的P型阱PW的一部分與位于另一側(cè)的P型阱PW的一部分上分別形成有N型的源極、漏極區(qū)域NSD。在源極、漏極區(qū)域NSD的表面上形成有金屬硅化物膜MSF。
[0097]以覆蓋光電二極管區(qū)域TOR以及接地區(qū)域GND的方式形成有二氧化硅膜SOF以及防反射膜ARF。如圖2所示，特別地，防反射膜ARF只要形成為至少分別覆蓋光電二極管區(qū)域TOR以及接地區(qū)域GND的整體即可。此外，在圖3中，為了便于說明等，示出了從光電二極管區(qū)域PDR到接地區(qū)域GND連續(xù)地形成有防反射膜ARF等的結(jié)構(gòu)。該防反射膜ARF例如是由氮化硅膜SNF形成的。
[0098]以覆蓋防反射膜ARF和柵電極GEN等的方式形成有襯墊(liner)膜LF。以覆蓋襯墊膜LF的方式形成有第一層間絕緣膜IL1。在接地區(qū)域GND，以貫穿第一層間絕緣膜ILl以及防反射膜ARF等的方式形成有與P型雜質(zhì)區(qū)域GPR連接的插塞PG。在像素區(qū)域PER，以貫穿第一層間絕緣膜ILl的方式分別形成有與浮動擴(kuò)散區(qū)域H)連接的插塞PG和與源極、漏極區(qū)域NSD連接的插塞PG。
[0099]在第一層間絕緣膜ILl的上方形成有與插塞PG電連接的第一布線Ml。以覆蓋該第一布線Ml的方式形成有第二層間絕緣膜IL2。第二層間絕緣膜IL2由多層形成，在該層間形成有多個布線(雙點(diǎn)劃線)。在該第二層間絕緣膜IL2的上方形成有彩色濾光片CF，在該彩色濾光片CF的上方形成有微透鏡ML。如上所述地構(gòu)成第一例的攝像裝置IS。
[0100]接著，針對上述的攝像裝置IS的制造方法的一例進(jìn)行說明。
[0101]首先，采用一般的方法，利用絕緣膜來形成隔離區(qū)域。通過對以覆蓋半導(dǎo)體襯底的表面的方式形成的氮化硅膜進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理以及刻蝕處理，形成用于形成溝道的掩膜。以下，如圖4所示，通過以氮化硅膜SSN作為刻蝕掩膜，對半導(dǎo)體襯底SUB進(jìn)行刻蝕處理，來形成溝道TC。
[0102]接著，以埋入溝道TC的方式在氮化硅膜SSN的上方形成有氧化硅膜等絕緣膜(未圖示)。以下，如圖5所示，對絕緣膜進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨處理，進(jìn)一步去除氮化硅膜SSN等，由此，形成有在溝道TC中填充了絕緣膜的隔離區(qū)域STI。
[0103]接著，如圖6所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成有露出像素區(qū)域PER以及接地區(qū)域GND并覆蓋其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PRl ο接著，以光致抗蝕圖案PRl作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，由此，形成作為元件形成區(qū)域EFR的P型阱PW的一部分。然后，去除光致抗蝕圖案 PRl ο
[0104]接著，如圖7所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域TOR等的光致抗蝕圖案PR2。接著，以光致抗蝕圖案PR2作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)。該注入為用于防止對相鄰的像素的串?dāng)_的注入。然后，去除光致抗蝕圖案PR2。
[0105]接著，如圖8所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出像素區(qū)域PER以及接地區(qū)域GND并覆蓋其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PR3。接著，通過以光致抗蝕圖案PR3作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，形成P型阱PW的剩余部分。然后，去除光致抗蝕圖案PR3。
[0106]接著，如圖9所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出接地區(qū)域GND和光電二極管區(qū)域TOR的一部分區(qū)域PDRl并覆蓋其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PR4。接著，通過以光致抗蝕圖案PR4作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，在接地區(qū)域GND形成有P型雜質(zhì)區(qū)域GPR。
[0107]在光電二極管區(qū)域PDR的一部分區(qū)域PDRl，沿著隔離區(qū)域STI形成有P型保護(hù)環(huán)PGR。該P(yáng)型保護(hù)環(huán)PGR是作為防止在隔離區(qū)域STI與光電二極管區(qū)域TOR的邊界所產(chǎn)生的電荷影響到光電二極管的阻擋物(Barrier)而形成的。然后，去除光致抗蝕圖案PR4。
[0108]接著，以覆蓋半導(dǎo)體襯底SUB的表面的方式形成有作為柵電極的多晶硅膜等導(dǎo)電性膜(未圖示)和作為硬質(zhì)掩膜的膜(未圖示)。接著，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理以及刻蝕處理，形成有用于對柵電極進(jìn)行圖案化的硬質(zhì)掩膜。接著，以該硬質(zhì)掩膜等作為刻蝕掩膜來對導(dǎo)電性膜進(jìn)行刻蝕處理。由此，如圖10所示，形成有柵電極GET以及柵電極GEN等。
[0109]此外，此處，針對利用硬質(zhì)掩膜對柵電極GET等進(jìn)行圖案化的情況進(jìn)行了說明，但是并不一定要應(yīng)用硬質(zhì)掩膜來進(jìn)行圖案化。例如，也可以通過以光致抗蝕圖案作為刻蝕掩膜來進(jìn)行干法刻蝕處理，來對柵電極GET等進(jìn)行圖案化。
[0110]接著，如圖11所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出光電二極管區(qū)域PDR并覆蓋其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PR5。接著，通過以該光致抗蝕圖案PR5作為注入掩膜來注入η型雜質(zhì)，形成光電二極管的N型雜質(zhì)區(qū)域NR。然后，去除光致抗蝕圖案PR5。
[0111]接著，如圖12所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND并覆蓋其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PR6。接著，通過以該光致抗蝕圖案PR6作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，形成雜質(zhì)濃度高的P型雜質(zhì)區(qū)域PSR13P型雜質(zhì)區(qū)域PSR是為了保護(hù)光電二極管的表面而形成的。由此，在光電二極管區(qū)域I3DR形成光電二極管H)。然后，去除光致抗蝕圖案PR6。
[0112]接著，如圖13所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出像素晶體管區(qū)域PTR等并覆蓋光電二極管區(qū)域I3DR以及接地區(qū)域GND的光致抗蝕圖案PR7。接著，通過以該光致抗蝕圖案PR7作為注入掩膜來注入η型雜質(zhì)，形成作為LDD(Lightly Doped Drain，輕摻雜漏極)區(qū)域的N型雜質(zhì)區(qū)域LNR。然后，去除光致抗蝕圖案PR7。
[0113]接著，如圖14所示，例如采用CVD(Chemical Vapor Deposit1n，化學(xué)氣相沉積)法等，以覆蓋柵電極GET、GEN等的方式形成氧化硅膜SOF來作為間隔膜(Spacer)。以下，以覆蓋該氧化硅膜SOF的方式形成作為防反射膜的氮化硅膜SNF。此外，此處，針對在氧化硅膜SOF的上方形成氮化硅膜SNF的情況進(jìn)行了說明，但是也可以調(diào)換順序，在氮化硅膜SNF的上方形成氧化硅膜SOF。
[0114]接著，如圖15所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND并露出像素晶體管區(qū)域PTR等的光致抗蝕圖案PR8。以下，以該光致抗蝕圖案PR8作為刻蝕掩膜來對氮化硅膜SNF等進(jìn)行刻蝕處理。
[0115]通過這種刻蝕處理，形成至少覆蓋光電二極管區(qū)域I3DR的整體和接地區(qū)域GND的整體的防反射膜ARF。另外，在柵電極GET以及柵電極GEN各自的側(cè)表面上形成側(cè)壁絕緣膜SWF。然后，去除光致抗蝕圖案PR8。
[0116]接著，如圖16所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND并露出像素晶體管區(qū)域PTR等的光致抗蝕圖案PR9。以下，以該光致抗蝕圖案PR9作為注入掩膜來注入η型雜質(zhì)，形成N型雜質(zhì)區(qū)域HNR。
[0117]由此，在柵電極GET的側(cè)方，由N型雜質(zhì)區(qū)域LNR以及N型雜質(zhì)區(qū)域HNR形成浮動擴(kuò)散區(qū)域H)。另外，在像素晶體管區(qū)域PTR，由N型雜質(zhì)區(qū)域LNR以及N型雜質(zhì)區(qū)域HNR形成一對源極及漏極區(qū)域NSD ο然后，去除光致抗蝕圖案PR9。
[0118]接著，如圖17所示，例如，采用CVD法以覆蓋防反射膜ARF等的方式形成有氧化硅膜SS。接著，如圖18所示，通過對氧化硅膜SS的整個表面進(jìn)行各向異性刻蝕處理，而在柵電極GET以及柵電極GET的側(cè)壁側(cè)等形成側(cè)壁氧化膜SSW。
[0119]接著，如圖19所示，采用自對準(zhǔn)娃化物(Self Aligned silicide)法，在柵電極GET的上表面的一部分和浮動擴(kuò)散區(qū)域H)的表面上形成金屬硅化物膜MSF。另外，在柵電極GEN的上表面和源極及漏極區(qū)域NSD的表面上形成金屬硅化物膜MSF。
[0120]接著，如圖20所示，例如，采用CVD法以覆蓋防反射膜ARF等的方式來形成由氮化硅膜構(gòu)成的襯墊膜LF。接著，如圖21所示，例如，采用CVD法以覆蓋襯墊膜LF的方式形成有由TE0S(Tetra Ethyl Ortho Silicate，等娃酸乙酯)膜等構(gòu)成的第一層間絕緣膜IL1。
[0121]接著，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成用于形成接觸孔的光致抗蝕圖案(未圖示)。以下，以該光致抗蝕圖案作為刻蝕掩膜來對第一層間絕緣膜ILl進(jìn)行刻蝕處理。
[0122]由此，在接地區(qū)域GND中形成接觸孔CH，該接觸孔CH貫穿第一層間絕緣膜ILl、襯墊膜LF以及防反射膜ARF等，并使位于接地區(qū)域GND的P型雜質(zhì)區(qū)域GPR露出(參照圖21)。
[0123]另外，在像素區(qū)域PER中分別形成有貫穿第一層間絕緣膜IL1、襯墊膜LF以及防反射膜ARF等而使浮動擴(kuò)散區(qū)域H)露出的接觸孔CH(參照圖21)和使源極、漏極區(qū)域NSD露出的接觸孔CH(參照圖21)。
[0124]接著，以埋入接觸孔的方式在第一層間絕緣膜ILl上形成阻擋金屬以及鎢膜(任一者都未圖示)。接著，通過進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨處理，去除位于第一層間絕緣膜ILl的上表面上的阻擋金屬以及鎢膜的部分，進(jìn)一步使第一層間絕緣膜ILl平坦化。由此，如圖21所示，在接觸孔CH內(nèi)形成插塞PG。
[0125]接著，通過重復(fù)通常的成膜和刻蝕處理等，在第二層間絕緣膜IL2上形成包括第一布線Ml在內(nèi)的多個布線(雙點(diǎn)劃線)。使用鋁或者銅作為第一布線Ml等的布線材料。在使用銅作為材料的情況下，采用金屬鑲嵌法形成布線。
[0126]在形成這些布線時，在氫氣環(huán)境中進(jìn)行熱處理(氫氣燒結(jié))O如后文所述，通過氫氣燒結(jié)，使氫與硅的懸掛鍵結(jié)合，使懸掛鍵終止。然后，如圖22所示，形成彩色濾光片CF以及微透鏡ML，由此，完成攝像裝置IS的主要部分。
[0127]在上述的基于絕緣隔離的攝像裝置IS中，通過以至少分別覆蓋光電二極管區(qū)域PDR的整體和接地區(qū)域GND的整體的方式來形成由氮化硅膜構(gòu)成的防反射膜ARF，能夠抑制暗電流。針對這一點(diǎn)，與比較例的攝像裝置相比較來進(jìn)行說明。
[0128]首先，針對比較例的基于絕緣隔離的攝像裝置的制造方法，來說明主要的工序。首先，如圖23所示，經(jīng)過與上述的圖4?圖14所示的工序同樣的工序，在半導(dǎo)體襯底CSUB上形成隔離區(qū)域CST1、元件形成區(qū)域CEFR、P型阱CPW、包括N型雜質(zhì)區(qū)域CNR在內(nèi)的光電二極管CPD、P型雜質(zhì)區(qū)域CPSR、P型保護(hù)環(huán)CPGR、？型雜質(zhì)區(qū)域CGPR、柵電極CGET等。以覆蓋該柵電極CGET等的方式形成有氧化硅膜CSOI，以覆蓋該氧化硅膜CSOI的方式形成有氮化硅膜CSNF。
[0129]接著，如圖24所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域CPDR的光致抗蝕圖案CPR8。接著，通過以該光致抗蝕圖案CPR8作為刻蝕掩膜來對氮化硅膜CSNF進(jìn)行刻蝕處理，作為防反射膜CARF而形成有位于光電二極管區(qū)域CPDR的氮化硅膜CSNF的部分。
[0130]然后，如圖25以及圖26所示，去除光致抗蝕圖案CPR8，經(jīng)過與上述的圖16?圖22所示的工序同樣的工序，完成比較例的基于絕緣隔離的攝像裝置CIS的主要部分。
[0131 ]如圖24所示，在比較例的攝像裝置CIS中，在形成防反射膜CARF時，剩下由光致抗蝕圖案CPR8所覆蓋的氮化硅膜CSNF的部分，并對未被光阻所覆蓋而露出的氮化硅膜CSNF的部分進(jìn)行刻蝕處理。
[0132]有時在對露出的氮化硅膜CSNF進(jìn)行刻蝕處理時，等離子體損傷會影響到光電二極管區(qū)域CPDR ο特別是，在對位于接地區(qū)域CGND的氮化硅膜CSNF的部分進(jìn)行刻蝕處理時，等離子體損傷容易影響到光電二極管區(qū)域CPDR。
[0133]針對這種情況進(jìn)行說明。接地區(qū)域CGND配置于光電二極管區(qū)域CPDR的附近。在該接地區(qū)域CGND上形成有接觸孔CCH(參照圖26)以露出接地區(qū)域CGND。在接觸孔CCH中形成有將光電二極管CPD的陽極與接地電位電連接的插塞CPG (參照圖26)。
[0134]因此，為了將插塞CPG與接地區(qū)域CGND可靠地連接，在形成防反射膜CARF時，至少通過刻蝕處理同時去除位于形成接觸孔CCH的部分和位于其周圍的氮化硅膜CSNF的部分。此外，在該基于絕緣隔離的比較例中，接地區(qū)域CGND的整體被去除了。
[0135]由于該接地區(qū)域CGND配置于光電二極管區(qū)域CPDR的附近，所以伴隨刻蝕處理而產(chǎn)生的等離子體損傷容易影響到光電二極管區(qū)域CPDR。根據(jù)發(fā)明人的評估確認(rèn)到:在光電二極管區(qū)域CPDR產(chǎn)生刻蝕損傷時，會在光電二極管(PD中產(chǎn)生暗電流。
[0136]相對于基于比較例的攝像裝置CIS，在實(shí)施方式的攝像裝置IS中，當(dāng)形成防反射膜ARF時，如圖16所示，光致抗蝕圖案PR8以除了光電二極管區(qū)域TOR以外至少還覆蓋接地區(qū)域GND的方式形成。
[0137]因此，不會對位于配置在光電二極管區(qū)域PDR的附近的接地區(qū)域GND中的氮化硅膜SNF的部分進(jìn)行刻蝕處理，與比較例的攝像裝置CIS相比，能夠抑制伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷影響到光電二極管區(qū)域CPDR的情況。
[0138]而且，在實(shí)施方式的攝像裝置IS中，對成為防反射膜的氮化硅膜SNF以至少覆蓋光電二極管區(qū)域PDR和接地區(qū)域GND的方式進(jìn)行圖案化，去除位于其他區(qū)域的氮化硅膜SNF的部分。發(fā)明人們明確到這種結(jié)構(gòu)也有助于抑制在光電二極管H)中產(chǎn)生暗電流。
[0139]針對這一點(diǎn)進(jìn)行說明。已知在攝像裝置IS中，位于結(jié)晶性的半導(dǎo)體襯底SUB的表面上的硅存在因鍵斷開而產(chǎn)生的懸掛鍵(不飽和鍵)。具有懸掛鍵的硅成為漏電流的泄漏路徑。由于在光電二極管ro中產(chǎn)生的暗電流是很微小的漏電流，所以無法忽視成為泄漏路徑的具有懸掛鍵的硅的存在。
[0140]因此，為了進(jìn)一步抑制暗電流，不僅要降低刻蝕損傷，還要求減少硅的懸掛鍵。作為減少作為不飽和鍵的懸掛鍵的方法之一，有使懸掛鍵與氫(H原子)鍵合的方法。在實(shí)施方式的攝像裝置IS的一系列制造方法中，當(dāng)形成布線時，在氫氣環(huán)境中進(jìn)行熱處理(氫氣燒結(jié))。這種熱處理成為使硅的懸掛鍵終止的氫的供給源。
[0141]然而，成為防反射膜的氮化硅膜SNF最終阻止氫到達(dá)硅的懸掛鍵。針對成為該防反射膜的氮化硅膜SNF，在實(shí)施方式的攝像裝置IS中，氮化硅膜SNF形成為至少覆蓋光電二極管區(qū)域TOR和接地區(qū)域GND，去除位于其他區(qū)域的氮化硅膜SNF的部分。
[0142]由此，與以覆蓋除了光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND以外的區(qū)域的方式來留下成為防反射膜的氮化硅膜的結(jié)構(gòu)相比，氫能夠容易地到達(dá)硅的懸掛鍵來使懸掛鍵終止。因此，發(fā)明人明確到能夠進(jìn)一步減少光電二極管ro的暗電流。
[0143](pn 結(jié)隔離)
[0144]接著，針對利用pn結(jié)將光電二極管區(qū)域與接地區(qū)域pn結(jié)隔離的攝像裝置的第一例進(jìn)行說明。
[0145]如圖27以及圖28所示，光電二極管區(qū)域I3DR與接地區(qū)域GND相鄰地配置。光電二極管區(qū)域TOR與接地區(qū)域GND通過光電二極管H)的N型雜質(zhì)區(qū)域NR與接地區(qū)域GND的P型雜質(zhì)區(qū)域PIS(第五雜質(zhì)區(qū)域)之間的結(jié)合而被pn結(jié)隔離。
[0146]成為防反射膜ARF的氮化硅膜SNF是以至少覆蓋光電二極管區(qū)域TOR以及接地區(qū)域GND的方式形成的。此外，針對除此以外的結(jié)構(gòu)，與圖2以及圖3所示出的攝像裝置IS是同樣的，因此，對相同構(gòu)件標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記，除了必要的情況以外不重復(fù)其說明。
[0147]接著，針對上述的基于pn結(jié)隔離的攝像裝置IS的制造方法的一例進(jìn)行說明。除了在光電二極管區(qū)域PDR與接地區(qū)域GND之間沒有形成隔離區(qū)域以外，與上述的基于絕緣隔離的攝像裝置的制造方法實(shí)質(zhì)上相同，因此，針對相同構(gòu)件或者相同的工序標(biāo)記上相同的附圖標(biāo)記，簡單地進(jìn)行說明。
[0148]首先，如圖29所示，在規(guī)定的區(qū)域形成有溝道TC。此時，在光電二極管區(qū)域TOR與接地區(qū)域GND之間沒有形成溝道。接著，如圖30所示，形成隔離區(qū)域STI。接著，如圖31所示，通過注入P型雜質(zhì)來形成P型阱PW的一部分。接著，如圖32所示，注入用于防止串?dāng)_的P型雜質(zhì)。接著，如圖33所示，還通過注入P型雜質(zhì)來形成P型阱PW的剩余部分。
[0149]接著，如圖34所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出接地區(qū)域GND并覆蓋光電二極管區(qū)域I3DR的光致抗蝕圖案PR4 ο接著，通過以該光致抗蝕圖案PR4作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，在接地區(qū)域GND形成雜質(zhì)濃度高的P型雜質(zhì)區(qū)域PIS。然后，去除光致抗蝕圖案PR4。
[0150]接著，如圖35所示，形成傳輸用晶體管的柵電極GET以及像素晶體管的柵電極GEN。接著，如圖36所示，在光電二極管區(qū)域I3DR上形成作為光電二極管的N型雜質(zhì)區(qū)域NR。由此，光電二極管區(qū)域I3DR與接地區(qū)域GND因N型雜質(zhì)區(qū)域NR與P型雜質(zhì)區(qū)域PIS之間的pn結(jié)而成為pn結(jié)隔尚。
[0151]接著，如圖37所示，通過注入P型雜質(zhì)，形成雜質(zhì)濃度高的P型雜質(zhì)區(qū)域PSR。接著，如圖38所示，形成作為LDD區(qū)域的N型雜質(zhì)區(qū)域LNR。接著，以覆蓋柵電極GET、GEN等的方式形成有氧化硅膜S0F，進(jìn)而形成作為防反射膜的氮化硅膜SNF。
[0152]接著，如圖39所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND并露出像素晶體管區(qū)域PTR等的光致抗蝕圖案PR8。接著，以該光致抗蝕圖案PR8作為刻蝕掩膜來對氮化硅膜SNF等進(jìn)行刻蝕處理。
[0153]通過該刻蝕處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域TOR的整體和接地區(qū)域GND的整體的防反射膜ARF。另外，在柵電極GET以及柵電極GEN各自的側(cè)面形成側(cè)壁絕緣膜SWF。然后，去除光致抗蝕圖案PR8，而且，經(jīng)過與圖17?圖21所不的工序同樣的工序，如圖40所不，完成基于pn結(jié)隔離的攝像裝置IS的主要部分。
[0154]在上述的基于pn結(jié)隔離的攝像裝置IS中，通過以至少分別覆蓋光電二極管區(qū)域PDR的整體和接地區(qū)域GND的整體，能夠抑制暗電流。針對這一點(diǎn)，與比較例的攝像裝置相比較來進(jìn)行說明。
[0155]首先，針對比較例的基于pn結(jié)隔離的攝像裝置的制造方法，說明主要的工序。經(jīng)過與上述的圖29?圖38所示的工序同樣的工序，如圖41所示，在半導(dǎo)體襯底CSUB上形成隔離區(qū)域CST1、元件形成區(qū)域CEFR、P型阱CPW、包括N型雜質(zhì)區(qū)域CNR在內(nèi)的光電二極管CPD、P型雜質(zhì)區(qū)域CPSR、P型保護(hù)環(huán)CPGR、P型雜質(zhì)區(qū)域CGPR、柵電極CGET等。以覆蓋該柵電極CGET等的方式形成有氧化硅膜CSOI，以覆蓋該氧化硅膜CSOI的方式形成有氮化硅膜CSNF。
[0156]接著，如圖42所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域CPDR的光致抗蝕圖案CPR8。接著，通過以該光致抗蝕圖案CPR8作為刻蝕掩膜來對氮化硅膜CSNF進(jìn)行刻蝕處理，對位于光電二極管區(qū)域CPDR的氮化硅膜CSNF的部分進(jìn)行圖案化來作為防反射膜CARF1^Mt，在接地區(qū)域CGND形成使形成有接觸孔CCH的部分及其周圍露出的開口部HP(參照圖43以及圖44)。
[0157]然后，去除光致抗蝕圖案CPR8，經(jīng)過與上述的圖39?圖40所示的工序同樣的工序，如圖43以及圖44所示，完成比較例的基于pn結(jié)隔離的攝像裝置CIS的主要部分。
[0158]如圖42所示，在比較例的攝像裝置CIS中，在形成防反射膜CARF時，在位于接地區(qū)域CGND的氮化硅膜CSNF的部分上形成開口部HP，該接地區(qū)域CGND與光電二極管區(qū)域CPDR相鄰。因此，與上述的比較例的基于絕緣隔離的攝像裝置的情況同樣地，等離子體損傷伴隨著刻蝕處理容易影響到光電二極管區(qū)域CPDR。因此，有時在光電二極管CPD中會產(chǎn)生暗電流。
[0159]相對于比較例的攝像裝置CIS，在實(shí)施方式的攝像裝置IS中，在形成防反射膜ARF時，如圖39所示，光致抗蝕圖案PR8形成為至少覆蓋光電二極管區(qū)域I3DR與接地區(qū)域GND這兩個區(qū)域。
[0160]因此，不會對位于與光電二極管區(qū)域PDR相鄰的接地區(qū)域GND的氮化硅膜SNF的部分進(jìn)行刻蝕處理，與比較例的攝像裝置CIS相比，能夠抑制伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷影響到光電二極管區(qū)域TOR的情況。
[0161]另外，在實(shí)施方式的基于pn結(jié)隔離的攝像裝置IS中，與基于絕緣隔離的攝像裝置IS的情況同樣地，氮化硅膜SNF形成為至少覆蓋光電二極管區(qū)域TOR和接地區(qū)域GND，去除位于其他區(qū)域的氮化硅膜SNF的部分。由此，例如，通過氫氣燒結(jié)，能夠使硅的懸掛鍵終止(中和)，進(jìn)而減少光電二極管ro的暗電流。
[0162]實(shí)施方式2
[0163](絕緣隔離)
[0164]此處，針對利用隔離絕緣膜將光電二極管區(qū)域與接地區(qū)域絕緣隔離的攝像裝置的第二例進(jìn)行說明。
[0165]如圖45以及圖46所示，具有比較低的雜質(zhì)濃度的P型阱PW的部分位于接地區(qū)域GND。另外，在光電二極管區(qū)域TOR中，在隔離區(qū)域STI與光電二極管H)之間沿著隔離區(qū)域STI形成有P型保護(hù)環(huán)PGR(第三雜質(zhì)區(qū)域)，該P(yáng)型保護(hù)環(huán)PGR具有比P型阱PW的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。
[0166]這樣一來，在攝像裝置IS中，在接地區(qū)域GND與光電二極管H)之間針對P型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度設(shè)有濃度梯度，P型保護(hù)環(huán)PGR成為勢皇。此外，針對除此以外的結(jié)構(gòu)，與圖2以及圖3所示的攝像裝置IS同樣，因此，對相同構(gòu)件標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記，除了必要的情況以外不重復(fù)其說明。
[0167]接著，針對上述的基于絕緣隔離的攝像裝置IS的制造方法的一例進(jìn)行說明。除了在接地區(qū)域GND沒有形成P型雜質(zhì)區(qū)域GPR以外，與采用上述的絕緣隔離方式的攝像裝置的制造方法實(shí)質(zhì)上相同，因此，針對相同構(gòu)件或者相同工序標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記，簡單地進(jìn)行說明。
[0168]首先，經(jīng)過與上述的圖4?圖6所示的工序同樣的工序，如圖47所示，通過以光致抗蝕圖案20作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，形成P型阱PW的一部分。然后，去除光致抗蝕圖案
20 ο
[0169]接著，如圖48所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出像素晶體管區(qū)域PTR并覆蓋包括接地區(qū)域GND的其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PR21。接著，以該光致抗蝕圖案PR21作為注入掩膜，注入用于防止干擾的P型雜質(zhì)。然后，去除光致抗蝕圖案PR21。
[0170]接著，如圖49所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出像素區(qū)域PER以及接地區(qū)域GND并覆蓋其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PR22。接著，通過以光致抗蝕圖案PR22作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，形成P型阱PW的剩余部分。然后，去除光致抗蝕圖案PR22。
[0171]接著，如圖50所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出光電二極管區(qū)域PDR的一部分的區(qū)域PDRl并覆蓋其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PR23。接著，通過以光致抗蝕圖案PR23作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，在光電二極管區(qū)域TOR的一部分的區(qū)域TORl沿著隔離區(qū)域STI形成雜質(zhì)濃度高的P型保護(hù)環(huán)PGR。
[0172]該P(yáng)型保護(hù)環(huán)PGR是作為防止在與隔離區(qū)域STI的邊界產(chǎn)生的電荷影響到光電二極管ro的阻擋物(Barrier)而形成的。另外，如后文所述，P型保護(hù)環(huán)PGR成為防止電荷從接地區(qū)±或6冊影響光電二極管的勢皇。然后，去除光致抗蝕圖案PR2 3。
[0173]接著，在經(jīng)過與圖10所示的工序同樣的工序之后，如圖51所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出光電二極管區(qū)域PDR并覆蓋其他的區(qū)域的光致抗蝕圖案PR24。接著，通過以該光致抗蝕圖案PR24作為注入掩膜來注入η型雜質(zhì)，形成光電二極管的N型雜質(zhì)區(qū)域NR。然后，去除光致抗蝕圖案PR24。
[0174]接著，經(jīng)過與圖12?圖15所示的工序同樣的工序，如圖52所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND并露出像素晶體管區(qū)域PTR等的光致抗蝕圖案PR25。接著，以該光致抗蝕圖案PR25作為刻蝕掩膜來對氮化硅膜SNF等進(jìn)行刻蝕處理。
[0175]通過該刻蝕處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域TOR的整體和接地區(qū)域GND的整體的防反射膜ARF。另外，在柵電極GET以及柵電極GEN各自的側(cè)面上形成側(cè)壁絕緣膜SWF。然后，去除光致抗蝕圖案PR25，而且，經(jīng)過與圖16?圖22所示的工序同樣的工序，如圖53所示，完成攝像裝置IS的主要部分。
[0176]在上述的攝像裝置IS中，首先，與在實(shí)施方式I中的說明同樣地，在形成防反射膜ARF時，不會對位于配置于光電二極管區(qū)域TOR的附近的接地區(qū)域GND的氮化硅膜SNF的部分進(jìn)行刻蝕處理，能夠抑制伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷影響到光電二極管區(qū)域CPDR的情況。因此，能夠抑制光電二極管ro的暗電流。
[0177]另外，通過以至少覆蓋光電二極管區(qū)域PDR和接地區(qū)域GND的方式形成氮化硅膜SNF，去除位于其他區(qū)域的部分的氮化硅膜SNF，例如，通過氫氣燒結(jié)來使硅的懸掛鍵終止，能夠進(jìn)一步減少光電二極管H)的暗電流。
[0178]而且，在上述的攝像裝置IS中，在位于接地區(qū)域GND的P型阱PW的部分與光電二極管ro之間形成有P型保護(hù)環(huán)PGR，該P(yáng)型保護(hù)環(huán)PGR具有比P型阱PW的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。該P(yáng)型保護(hù)環(huán)PGR作為P型雜質(zhì)濃度相對較高的勢皇位于接地區(qū)域GND(P型阱PW的部分)與光電二極管ro之間。由此，即使因注入到接地區(qū)域GND的P型雜質(zhì)導(dǎo)致在接地區(qū)域GND產(chǎn)生了過剩電子，也能夠抑制該過剩電子流入光電二極管ro側(cè)而成為暗電流。
[0179](pn 結(jié)隔離)
[0180]此處，針對利用pn結(jié)將光電二極管區(qū)域與接地區(qū)域pn結(jié)隔離的攝像裝置的第二例進(jìn)行說明。
[0181]如圖54以及圖55所示，光電二極管區(qū)域PDR與接地區(qū)域GND相鄰地配置。雜質(zhì)濃度比較低的P型阱PW的部分位于接地區(qū)域GND。在該P(yáng)型阱PW的部分與光電二極管ro之間形成有P型雜質(zhì)區(qū)域PIS(第六雜質(zhì)濃度)，該P(yáng)型雜質(zhì)區(qū)域PIS具有比P型阱PW的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。
[0182]光電二極管區(qū)域PDR與接地區(qū)域GND因光電二極管ro的N型雜質(zhì)區(qū)域NR與P型雜質(zhì)區(qū)域PIS之間的結(jié)合而被pn結(jié)隔離。這樣一來，在攝像裝置IS中，在接地區(qū)域GND與光電二極管H)之間針對P型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度設(shè)有濃度梯度，P型雜質(zhì)區(qū)域PIS成為勢皇。
[0183]成為防反射膜ARF的氮化硅膜SNF是以至少覆蓋光電二極管區(qū)域TOR以及接地區(qū)域GND的方式形成的。此外，針對除此以外的結(jié)構(gòu)，與圖45以及圖46所示的攝像裝置IS同樣，因此，對相同構(gòu)件標(biāo)記上相同的附圖標(biāo)記，除了必要的情況以外不重復(fù)其說明。
[0184]接著，針對上述的基于pn結(jié)隔離的攝像裝置IS的制造方法的一例進(jìn)行說明。除了在光電二極管區(qū)域PDR與接地區(qū)域GND之間沒有形成隔離區(qū)域以外，與采用第二例的絕緣隔離方式的攝像裝置的制造方法實(shí)質(zhì)上相同，因此，針對相同構(gòu)件或者相同工序標(biāo)記上相同的附圖標(biāo)記，簡單地進(jìn)行說明。
[0185]首先，經(jīng)過與上述的圖4?圖6所示的工序同樣的工序，如圖56所示，通過以光致抗蝕圖案26作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，形成P型阱PW的一部分。然后，去除光致抗蝕圖案
26 ο
[0186]接著，如圖57所示，以光致抗蝕圖案PR27作為注入掩膜來注入用于防止串?dāng)_的p型雜質(zhì)。接著，如圖58所示，通過以光致抗蝕圖案PR28作為注入掩膜來進(jìn)一步注入P型雜質(zhì)，形成P型阱PW的剩余部分。
[0187]接著，如圖59所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出光電二極管區(qū)域PDR的一部分區(qū)域PDRl并覆蓋其他區(qū)域的光致抗蝕圖案PR29。接著，通過以光致抗蝕圖案PR29作為注入掩膜來注入P型雜質(zhì)，在光電二極管區(qū)域PDR的一部分的區(qū)域PDRl上形成有P型雜質(zhì)區(qū)域PIS。該P(yáng)型雜質(zhì)區(qū)域PIS成為防止電荷從接地區(qū)域GND影響光電二極管PD的勢皇。然后，去除光致抗蝕圖案PR29。
[0188]接著，在經(jīng)過與圖10所示的工序同樣的工序之后，如圖60所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成露出光電二極管區(qū)域PDR并覆蓋其他的區(qū)域的光致抗蝕圖案PR30。接著，通過以該光致抗蝕圖案PR30作為注入掩膜來注入η型雜質(zhì)，形成光電二極管的N型雜質(zhì)區(qū)域NR。然后，去除光致抗蝕圖案PR30。
[0189]接著，經(jīng)過與圖12?圖15所示的工序同樣的工序，如圖61所示，通過進(jìn)行規(guī)定的照相制版處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND并露出像素晶體管區(qū)域PTR等的光致抗蝕圖案PR31。接著，以該光致抗蝕圖案PR31作為刻蝕掩膜來對氮化硅膜SNF等進(jìn)行刻蝕處理。
[0190]通過該刻蝕處理，形成覆蓋光電二極管區(qū)域TOR的整體和接地區(qū)域GND的整體的防反射膜ARF。另外，在柵電極GET以及柵電極GEN各自的側(cè)面形成側(cè)壁絕緣膜SWF。然后，去除光致抗蝕圖案PR31，而且，經(jīng)過與圖16?圖22所示的工序同樣的工序，如圖62所示，完成攝像裝置IS的主要部分。
[0191]在實(shí)施方式的攝像裝置IS中，在形成防反射膜ARF時，不會對位于與光電二極管區(qū)域PDR相鄰的接地區(qū)域GND的氮化硅膜SNF的部分進(jìn)行刻蝕處理，能夠抑制伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷影響到光電二極管區(qū)域TOR的情況。
[0192]另外，通過以至少覆蓋光電二極管區(qū)域PDR和接地區(qū)域GND的方式形成氮化硅膜SNF，去除位于其他區(qū)域的部分的氮化硅膜SNF，例如，通過氫氣燒結(jié)來使硅的懸掛鍵終止，能夠進(jìn)一步減少光電二極管H)的暗電流。
[0193]而且，在上述的攝像裝置IS中，形成于位于接地區(qū)域GND的P型阱PW的部分與光電二極管ro之間的P型雜質(zhì)區(qū)域pis成為P型雜質(zhì)濃度相對較高的勢皇。由此，即使因注入到接地區(qū)域GND的P型雜質(zhì)導(dǎo)致在接地區(qū)域GND產(chǎn)生了過剩電子，也能夠抑制該過剩電子流入光電二極管ro側(cè)而成為暗電流。
[0194]實(shí)施方式3
[0195](絕緣隔離方式)
[0196]此處，針對利用隔離絕緣膜將光電二極管區(qū)域與接地區(qū)域絕緣隔離的攝像裝置的第三例進(jìn)行說明。
[0197]如圖63所示，在半導(dǎo)體襯底SUB的表面上，由隔離區(qū)域STI來規(guī)定出光電二極管區(qū)域PDR、浮動擴(kuò)散區(qū)域H)、形成有像素晶體管PT的像素晶體管區(qū)域PTR以及接地區(qū)域GND等。以至少覆蓋光電二極管區(qū)域TOR以及接地區(qū)域GND的方式形成有作為防反射膜ARF的氮化硅膜 SNF ο
[0198]像素晶體管區(qū)域PTR配置于光電二極管區(qū)域PDR的側(cè)方。接地區(qū)域GND配置于與該像素晶體管區(qū)域PTR相比更遠(yuǎn)離光電二極管區(qū)域PDR的方向(例如Y方向)上。即，接地區(qū)域GND配置在相對于光電二極管區(qū)域TOR相隔更遠(yuǎn)距離的位置。此外，針對除此以外的結(jié)構(gòu)，與圖2以及圖3所示的攝像裝置IS同樣地，因此，對相同構(gòu)件標(biāo)記上相同的附圖標(biāo)記，除了必要的情況以外不重復(fù)其說明。
[0199]在上述的攝像裝置IS中，通過以相隔更遠(yuǎn)距離的方式配置接地區(qū)域GND與光電二極管區(qū)域PDR，能夠抑制光電二極管PD的暗電流。針對這一點(diǎn)，與比較例的攝像裝置相比較來進(jìn)行說明。
[0200]如圖64所示，在比較例的攝像裝置CIS中，在半導(dǎo)體襯底CSUB的表面上，由隔離區(qū)域CSTI來規(guī)定出光電二極管區(qū)域CPDR、浮動擴(kuò)散區(qū)域CFD、像素晶體管區(qū)域CPTR以及接地區(qū)域CGND等。以覆蓋光電二極管區(qū)域CPDR的方式形成作為防反射膜CARF的氮化硅膜CSNF。
[0201]像素晶體管區(qū)域CPTR配置于光電二極管區(qū)域CPDR的側(cè)方。接地區(qū)域CGND配置于與該像素晶體管區(qū)域CPTR相同的Y方向位置上。此外，針對除此以外的結(jié)構(gòu)，與圖25所示的攝像裝置CIS同樣，因此，對相同構(gòu)件標(biāo)記上相同的附圖標(biāo)記，除了必要的情況以外不重復(fù)其說明。
[0202]在比較例的攝像裝置ClS中，在對位于接地區(qū)域CGND的成為防反射膜CARF的氮化硅膜CSNF的部分進(jìn)行刻蝕處理時，等離子體損傷容易影響到光電二極管區(qū)域CPDR。而且，接地區(qū)域CGND是以位于與像素晶體管區(qū)域CPTR相同的Y方向位置上的方式配置的，并位于比較接近光電二極管區(qū)域CPDR的位置上，因此，容易受等離子體損傷影響。
[0203]相對于比較例的攝像裝置IS，在實(shí)施方式的攝像裝置IS中，通過以至少覆蓋光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND的方式形成防反射膜ARF，不會對位于接地區(qū)域GND的氮化硅膜SNF的部分進(jìn)行刻蝕處理，能夠抑制伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷影響到光電二極管區(qū)域CPDR的情況。另外，能夠使硅的懸掛鍵終止。
[0204]而且，接地區(qū)域GND配置于與像素晶體管區(qū)域PTR相比更遠(yuǎn)離光電二極管區(qū)域PDR的方向上(例如Y方向)，以相隔更遠(yuǎn)距離的方式配置了接地區(qū)域GND和光電二極管區(qū)域I3DR。由此，減輕伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷。因此，能夠可靠地抑制因等離子體損傷引起的暗電流。
[0205](絕緣隔離)
[0206]此處，針對利用隔離絕緣膜將光電二極管區(qū)域與接地區(qū)域絕緣隔離的攝像裝置的第四例進(jìn)行說明。
[0207]如圖65所示，在半導(dǎo)體襯底SUB的表面上，由隔離區(qū)域STI來規(guī)定出光電二極管區(qū)域PDR、浮動擴(kuò)散區(qū)域H)、像素晶體管區(qū)域PTR以及接地區(qū)域GND等。以至少覆蓋光電二極管區(qū)域I3DR以及接地區(qū)±或6冊的方式形成有作為防反射膜ARF的氮化硅膜SNF。
[0208]像素晶體管區(qū)域PTR配置于光電二極管區(qū)域PDR的側(cè)方。接地區(qū)域GND配置于與該像素晶體管區(qū)域PTR相同的Y方向位置上。光電二極管區(qū)域I3DR的角部分以從接地區(qū)域GND或者接觸部PGC遠(yuǎn)離的方式后退。
[0209]S卩，與接地區(qū)域GND或者接觸部PGC相比，光電二極管區(qū)域TOR以相隔更遠(yuǎn)距離的方式配置。此外，針對除此以外的結(jié)構(gòu)，與圖2以及圖3所示的攝像裝置IS同樣，因此，對相同構(gòu)件標(biāo)記上相同的附圖標(biāo)記，除了必要的情況以外不重復(fù)其說明。
[0210]在上述的攝像裝置IS中，通過以至少覆蓋光電二極管區(qū)域I3DR以及接地區(qū)域GND的方式形成防反射膜ARF，不會對位于接地區(qū)域GND的部分的氮化硅膜SNF進(jìn)行刻蝕處理，能夠抑制伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷影響到光電二極管區(qū)域PDR的情況。另外，能夠使硅的懸掛鍵終止。
[0211]而且，光電二極管區(qū)域TOR的角部分以從接地區(qū)域GND或者接觸部PGC遠(yuǎn)離的方式后退，以相隔更遠(yuǎn)距離的方式配置。由此，減輕伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷。因此，能夠可靠地抑制因等離子體損傷引起的暗電流。
[0212](pn 結(jié)隔離)
[0213]此處，針對利用pn結(jié)將光電二極管區(qū)域與接地區(qū)域分離的攝像裝置的第三例進(jìn)行說明。
[0214]如圖66所示，光電二極管區(qū)域I3DR與接地區(qū)域GND相鄰地配置。光電二極管區(qū)域I3DR與接地區(qū)域GND因光電二極管H)的N型雜質(zhì)區(qū)域NR (參照圖28)與接地區(qū)域GND的P型雜質(zhì)區(qū)域PIS(參照圖28)之間的結(jié)合而被pn結(jié)隔離。
[0215]成為防反射膜ARF的氮化硅膜SNF是以至少覆蓋光電二極管區(qū)域TOR以及接地區(qū)域GND的方式形成的。特別是，接地區(qū)域GND的接觸部PGC的位置配置于光電二極管區(qū)域TOR的Y方向上的端部側(cè)。
[0216]光電二極管區(qū)域TOR的角部分以從接觸部PGC遠(yuǎn)離的方式后退。即，光電二極管區(qū)域PDR配置成相對于接地區(qū)域GND的接觸部PGC相隔更遠(yuǎn)距離。此外，針對除此以外的結(jié)構(gòu)，與圖27以及圖28所示的攝像裝置IS同樣，因此，對相同構(gòu)件標(biāo)記上相同的附圖標(biāo)記，除了必要的情況以外不重復(fù)其說明。
[0217]在上述的攝像裝置IS中，通過以相隔更遠(yuǎn)距離的方式配置接地區(qū)域GND的接觸部PGC與光電二極管區(qū)域TOR，能夠抑制光電二極管ro的暗電流。針對這一點(diǎn)，與比較例的攝像裝置相比較來進(jìn)行說明。
[0218]如圖67所示，在比較例的攝像裝置CIS中，以相接觸的方式配置有光電二極管區(qū)域CPDR與接地區(qū)域CGND。成為防反射膜CARF的氮化硅膜CSNF是以覆蓋光電二極管區(qū)域CPDR與接地區(qū)域CGND的方式形成的，在接地區(qū)域CGND形成使形成接觸孔CCH的部分(接觸部CPGC)和其周圍露出的開口部HP。
[0219]因此，當(dāng)在位于與光電二極管區(qū)域CPDR相鄰的接地區(qū)域CGND的部分的氮化硅膜CSNF上形成開口部HP時，等離子體損傷容易伴隨著刻蝕處理影響到光電二極管區(qū)域CPDR。因此，有時會在光電二極管(PD中產(chǎn)生暗電流。
[0220]相對于比較例的攝像裝置CIS，在實(shí)施方式的攝像裝置IS中，通過以至少覆蓋光電二極管區(qū)域PDR以及接地區(qū)域GND的方式形成防反射膜ARF，不會對位于接地區(qū)域GND的氮化硅膜SNF的部分進(jìn)行刻蝕處理，能夠抑制伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷影響到光電二極管區(qū)域PDR的情況。
[0221]而且，接觸部PGC的位置配置于光電二極管區(qū)域PDR的Y方向上的端部側(cè)，而且，光電二極管區(qū)域PDR的角部分以從接觸部PGC遠(yuǎn)離的方式后退。由此，能夠減輕伴隨當(dāng)形成防反射膜ARF時的刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷，能夠抑制在光電二極管中產(chǎn)生的暗電流。光電二極管區(qū)域I3DR與接觸部PGC的距離越遠(yuǎn)，等離子體損傷就越減輕，在此基礎(chǔ)上，優(yōu)選只要相距例如Ο.?μπι以上即可。
[0222](pn 結(jié)隔離)
[0223]此處，針對利用pn結(jié)將光電二極管區(qū)域與接地區(qū)域分離的攝像裝置的第四例進(jìn)行說明。
[0224]如圖68所示，光電二極管區(qū)域I3DR與接地區(qū)域GND相鄰地配置。光電二極管區(qū)域I3DR與接地區(qū)域GND因光電二極管H)的N型雜質(zhì)區(qū)域NR (參照圖28)與接地區(qū)域GND的P型雜質(zhì)區(qū)域PIS(參照圖28)之間的結(jié)合而被pn結(jié)隔離。
[0225]成為防反射膜ARF的氮化硅膜SNF是以至少覆蓋光電二極管區(qū)域TOR以及接地區(qū)域GND的方式形成的。特別是，接地區(qū)域GND的接觸部PGC配置于光電二極管區(qū)域I3DR的Y方向上的中央附近。
[0226]光電二極管區(qū)域PDR的在接觸部PGC側(cè)的Y方向中央附近以從接觸部PGC遠(yuǎn)離的方式后退。即，光電二極管區(qū)域PDR以與接地區(qū)域GND的接觸部PGC相隔更遠(yuǎn)距離的方式配置。此外，針對除此以外的結(jié)構(gòu)，與圖27以及圖28所示的攝像裝置IS同樣，因此，對相同構(gòu)件標(biāo)記上相同的附圖標(biāo)記，除了必要的情況以外不重復(fù)其說明。
[0227]在上述的攝像裝置IS中，通過以至少覆蓋光電二極管區(qū)域I3DR以及接地區(qū)域GND的方式形成防反射膜ARF，不會對位于接地區(qū)域GND的氮化硅膜SNF的部分進(jìn)行刻蝕處理，能夠抑制伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷影響到光電二極管區(qū)域TOR的情況。
[0228]而且，接觸部PGC配置于光電二極管區(qū)域TOR的Y方向上的中央附近，光電二極管區(qū)域PDR在接觸部PGC側(cè)的Y方向中央附近以遠(yuǎn)離接觸部PGC的方式后退，光電二極管區(qū)域PDR以與接地區(qū)域GND(接觸部PGC)相隔更遠(yuǎn)距離的方式配置。由此，減輕伴隨刻蝕處理而導(dǎo)致的等離子體損傷。因此，能夠可靠地抑制因等離子損傷引起的暗電流。
[0229]此外，在上述的各實(shí)施方式中，如圖69所示，在將插塞PG與接地區(qū)域GND連接的接觸部PGC上也可以形成金屬硅化物膜MSC。另外，如圖70所示，也可以與接觸孔CH自對準(zhǔn)地形成雜質(zhì)濃度相對較高的P型雜質(zhì)區(qū)域HC。由此，能夠減少插塞PG與接地區(qū)域GND的接觸電阻。
[0230]另外，針對在各實(shí)施方式中說明的半導(dǎo)體裝置，根據(jù)需要能夠進(jìn)行各種各樣的組入口 ο
[0231]以上，基于實(shí)施方式來具體地說明了由本發(fā)明人作出的發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，當(dāng)然在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)還能夠進(jìn)行各種各樣的變更。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種攝像裝置，其特征在于，具有: 半導(dǎo)體襯底，其具有主表面； 元件形成區(qū)域，其規(guī)定在所述半導(dǎo)體襯底上，由第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域形成； 像素區(qū)域，其規(guī)定在所述元件形成區(qū)域上； 光電轉(zhuǎn)換部，其形成于所述像素區(qū)域； 接地區(qū)域，其以與所述光電轉(zhuǎn)換部隔著隔離部的方式規(guī)定在所述元件形成區(qū)域上，與所述光電轉(zhuǎn)換部電連接并且與接地電位電連接； 防反射膜，其以至少覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換部以及所述接地區(qū)域的方式形成，用于抑制光的反射； 層間絕緣膜，其以覆蓋所述防反射膜的方式形成；以及 插塞，其以貫穿所述層間絕緣膜以及所述防反射膜的方式形成，與所述接地區(qū)域電連接。2.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 所述隔離部利用絕緣膜而被絕緣隔離， 在所述接地區(qū)域形成有第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，該第二雜質(zhì)區(qū)域具有比所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度。3.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 所述隔離部利用絕緣膜而被絕緣隔離， 在位于所述接地區(qū)域的所述第一雜質(zhì)區(qū)域的部分與所述光電轉(zhuǎn)換部之間形成有第一導(dǎo)電型的第三雜質(zhì)濃度區(qū)域，該第三雜質(zhì)濃度區(qū)域具有比所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度。4.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 所述隔離部利用絕緣膜而被絕緣隔離， 所述攝像裝置具有像素晶體管區(qū)域，該像素晶體管區(qū)域規(guī)定在所述像素區(qū)域中的所述光電轉(zhuǎn)換部的側(cè)方， 所述接地區(qū)域相對于所述像素晶體管區(qū)域而配置在從所述光電轉(zhuǎn)換部遠(yuǎn)離的方向上。5.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 所述隔離部利用絕緣膜而被絕緣隔離， 所述光電轉(zhuǎn)換部包括以從所述插塞所接觸的所述接地區(qū)域的接觸部遠(yuǎn)離的方式后退的部分。6.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 所述隔離部利用Pn結(jié)而被pn結(jié)隔離， 在所述接地區(qū)域形成有第一導(dǎo)電型的第五雜質(zhì)區(qū)域，該第五雜質(zhì)區(qū)域具有比所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度， 所述光電轉(zhuǎn)換部具有第二導(dǎo)電型的光電轉(zhuǎn)換雜質(zhì)區(qū)域， 所述pn結(jié)包括第一導(dǎo)電型的所述第五雜質(zhì)區(qū)域與第二導(dǎo)電型的所述光電轉(zhuǎn)換雜質(zhì)區(qū)域之間的結(jié)合部分。7.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 所述隔離部利用pn結(jié)而被pn結(jié)隔離， 在所述接地區(qū)域與所述光電轉(zhuǎn)換部之間具有第一導(dǎo)電型的第六雜質(zhì)區(qū)域，該第六雜質(zhì)區(qū)域具有比所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度， 所述光電轉(zhuǎn)換部具有第二導(dǎo)電型的光電轉(zhuǎn)換雜質(zhì)區(qū)域， 所述pn結(jié)包括第一導(dǎo)電型的所述第六雜質(zhì)區(qū)域與第二導(dǎo)電型的所述光電轉(zhuǎn)換雜質(zhì)區(qū)域之間的結(jié)合部分。8.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 所述隔離部利用pn結(jié)而被pn結(jié)隔離， 所述光電轉(zhuǎn)換部包括以從所述插塞所接觸的所述接地區(qū)域的接觸部遠(yuǎn)離的方式后退的部分。9.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 在所述插塞與所述接地區(qū)域之間的接觸部形成有接觸注入部，該接觸注入部注入了第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)。10.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于， 在所述插塞與所述接地區(qū)域之間的接觸部形成有金屬娃化物。11.一種攝像裝置的制造方法，其特征在于，具有: 在半導(dǎo)體襯底上規(guī)定包括像素區(qū)域以及接地區(qū)域在內(nèi)的第一導(dǎo)電型的元件形成區(qū)域的工序； 在所述像素區(qū)域形成光電轉(zhuǎn)換部的工序； 以至少覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換部以及所述接地區(qū)域的方式，形成用于抑制光的反射的防反射膜的工序； 以覆蓋所述防反射膜的方式形成層間絕緣膜的工序；以及 形成插塞的工序，該插塞貫穿所述層間絕緣膜以及所述防反射膜而與所述接地區(qū)域接觸，將所述接地區(qū)域與接地電位電連接。12.如權(quán)利要求11所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于， 規(guī)定所述元件形成區(qū)域的工序包括利用隔離絕緣膜來規(guī)定形成有所述光電轉(zhuǎn)換部的區(qū)域和所述接地區(qū)域的工序， 所述接地區(qū)域與所述光電轉(zhuǎn)換部利用所述隔離絕緣膜而被絕緣隔離。13.如權(quán)利要求11所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于， 形成所述光電轉(zhuǎn)換部的工序包括形成第二導(dǎo)電型的光電轉(zhuǎn)換雜質(zhì)區(qū)域的工序， 所述接地區(qū)域與所述光電轉(zhuǎn)換部利用如下的結(jié)合而被pn結(jié)隔離，S卩，位于所述接地區(qū)域的第一導(dǎo)電型的所述元件形成區(qū)域的部分與第二導(dǎo)電型的所述光電轉(zhuǎn)換雜質(zhì)區(qū)域之間的結(jié)合。14.如權(quán)利要求11所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于， 具有通過向所述插塞與所述接地區(qū)域之間的接觸部注入雜質(zhì)來形成接觸注入部的工序。15.如權(quán)利要求11所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于， 具有在所述插塞與所述接地區(qū)域的接觸部形成金屬娃化物的工序。
【文檔編號】H01L27/146GK105870140SQ201610082713
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月5日
【發(fā)明人】岡田康隆
【申請人】瑞薩電子株式會社