基板處理裝置的制造方法
【專利摘要】一種基板處理裝置，腔室蓋部以及杯部(161)位于第一位置的狀態(tài)時(shí)，杯側(cè)壁部(611)與受液側(cè)壁部(253)在徑向上重合，擋板部(166)被受液側(cè)壁部(253)所支撐。腔室蓋部以及杯部(161)向比第一位置更靠上方的第二位置移動(dòng)時(shí)，擋板部(166)通過(guò)杯側(cè)壁部(611)被懸掛而向上方移動(dòng)。腔室蓋部以及杯部(161)在第二位置的狀態(tài)時(shí)，杯側(cè)壁部(611)的下端位于比受液側(cè)壁部(253)的上端更靠上方的位置，擋板部(166)將杯側(cè)壁部(611)的下端與受液側(cè)壁部(253)的上端之間的縫隙蓋上。由此，即使來(lái)自旋轉(zhuǎn)的基板上的處理液向杯側(cè)壁部(611)的下方飛散，也能夠抑制處理液在外側(cè)壁部(164)上附著。
【專利說(shuō)明】
基板處理裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，用于處理基板。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在半導(dǎo)體基板(下面，簡(jiǎn)稱“基板”。)的制造工序中，使用多種基板處理裝置對(duì)基板實(shí)施各種處理。例如，通過(guò)向表面上形成抗蝕劑圖案的基板上供給藥液，對(duì)基板的表面進(jìn)行蝕刻等處理。另外，蝕刻處理完成后，需要進(jìn)行基板上抗蝕劑去除、基板清洗的處理。
[0003]例如，日本專利公開(kāi)2001-110714號(hào)公報(bào)(文獻(xiàn)I)的藥液涂敷裝置中，晶片的外緣部的下方配置有筒狀的遮蓋部件。在晶片的上表面涂敷抗蝕液時(shí)，遮蓋部件上升，遮蓋部件的上端接近晶片的下表面。遮蓋部件的上端與晶片的下表面之間的距離為幾毫米。因此，抑制抗蝕劑飛沫飛向晶片下表面。
[0004]另外，日本專利公開(kāi)2010-10555號(hào)公報(bào)(文獻(xiàn)2)的基板處理裝置中，在保持基板的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周圍設(shè)有接受從基板飛散的處理液的杯體。另外，旋轉(zhuǎn)臺(tái)與杯體之間設(shè)有沿上下方向可移動(dòng)的可動(dòng)間隔體?？蓜?dòng)間隔體向上側(cè)移動(dòng)并位于旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周圍的狀態(tài)下，從基板飛散的處理液由可動(dòng)間隔體所接受。
[0005]基板處理裝置中，根據(jù)處理情況不同，也有在密閉空間內(nèi)處理的需求。日本專利公開(kāi)2011-216607號(hào)公報(bào)(文獻(xiàn)3)的基板處理裝置中，設(shè)有由腔室本體與蓋部件構(gòu)成的密閉腔室。腔室本體與蓋部件是不接觸的，他們之間設(shè)有液體密封結(jié)構(gòu)。蓋部件相對(duì)于腔室本體可進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，通過(guò)蓋部件的旋轉(zhuǎn)，能夠使密閉空間的容積變小且穩(wěn)定基板上的氣流。
[0006]但是，在低氧氣氣氛下通過(guò)處理液進(jìn)行基板處理的情況下，需要考慮在基板處理裝置內(nèi)形成的密閉空間中收容基板，且使該密閉空間作為非活性氣體等氣氛，并向基板供給處理液。這種情況，從旋轉(zhuǎn)的基板飛散的處理液被設(shè)于形成密閉空間的密閉空間形成部件的內(nèi)側(cè)的杯部所接受。另一方面，未被杯部所接受的處理液在位于杯部的周圍的密閉空間形成部件的外側(cè)壁部上附著。附著在外側(cè)壁部的處理液，可能在經(jīng)過(guò)干燥后產(chǎn)生顆粒物、也可能會(huì)發(fā)生從外側(cè)壁部的下端向密閉空間的外部泄漏現(xiàn)象。
[0007]另外，文獻(xiàn)3的裝置中，蓋部件與腔室本體之間的界線從基板側(cè)為可見(jiàn)狀態(tài)。因此，可能導(dǎo)致這個(gè)界線處處理液進(jìn)入，凝固的處理液會(huì)成為顆粒物的起因。另外，若要將腔室的高度抑制在較低的水平，蓋部件與腔室本體的界線的位置也降低，導(dǎo)致界線更加被處理液所淋澆。而且，文獻(xiàn)3的裝置中因處理液全部在腔室內(nèi)以同樣的方式流落，使用后的處理液不適宜回收。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本發(fā)明提供一種基板處理裝置，其目的在于，抑制處理液在外側(cè)壁部上附著。本發(fā)明的另外一個(gè)目的在于，實(shí)現(xiàn)腔室更小、并抑制顆粒物的產(chǎn)生以及處理液的回收。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置，其特征在于，具有:空間形成部本體，其具有筒狀的本體側(cè)壁部;空間形成蓋部，其具有位于所述本體側(cè)壁部的徑向內(nèi)側(cè)的筒狀的蓋側(cè)壁部，將所述空間形成部本體的上方蓋上；空間形成部移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述空間形成蓋部在第一位置與比所述第一位置靠上方的第二位置之間，相對(duì)于所述空間形成部本體沿上下方向相對(duì)移動(dòng)；外側(cè)壁部，其位于所述本體側(cè)壁部的徑向外側(cè)，上端部與所述空間形成蓋部連接，下端部與所述空間形成部本體連接，并跟隨通過(guò)所述空間形成部移動(dòng)機(jī)構(gòu)的相對(duì)移動(dòng)而變形;筒狀的擋板部，其配置于所述蓋側(cè)壁部與所述本體側(cè)壁部之間；基板支撐部，配置于所述空間形成部本體內(nèi)，以水平狀態(tài)保持基板；
[0010]基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述基板與所述基板支撐部一同旋轉(zhuǎn);處理液供給部，其向所述基板上供給處理液，所述空間形成蓋部位于所述第一位置的狀態(tài)下，所述蓋側(cè)壁部與所述本體側(cè)壁部在徑向上重合，所述擋板部被所述本體側(cè)壁部所支撐;所述空間形成蓋部從所述第一位置向所述第二位置移動(dòng)時(shí)，所述擋板部伴隨所述空間形成蓋部的移動(dòng)而向上方移動(dòng)；所述空間形成蓋部位于所述第二位置的狀態(tài)下，所述蓋側(cè)壁部的下端位于比所述本體側(cè)壁部的上端靠上方的位置，所述擋板部將所述蓋側(cè)壁部的所述下端與所述本體側(cè)壁部的所述上端之間的縫隙蓋上。根據(jù)該基板處理裝置，能夠抑制處理液在外側(cè)壁部上附著。
[0011]本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，所述空間形成蓋部從所述第一位置向所述第二位置移動(dòng)時(shí)，所述擋板部通過(guò)所述蓋側(cè)壁部被懸掛而向上方移動(dòng)。
[0012]本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，所述外側(cè)壁部是分別為圓周形的多個(gè)峰折線與分別為圓周形的多個(gè)谷折線沿所述上下方向交替排列的波紋管。
[0013]本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，所述空間形成蓋部位于所述第二位置的狀態(tài)下，所述擋板部的下端部與所述本體側(cè)壁部的上端部在徑向上重合。
[0014]本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，所述空間形成蓋部具有位于所述蓋側(cè)壁部的徑向內(nèi)側(cè)的筒狀的內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部;所述空間形成蓋部位于所述第一位置的狀態(tài)下，所述內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部通過(guò)與所述空間形成部本體接觸，內(nèi)部形成密閉空間；所述空間形成蓋部位于所述第二位置的狀態(tài)下，所述內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部從所述空間形成部本體分離，并在所述內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部與所述空間形成部本體之間形成環(huán)狀開(kāi)口，所述蓋側(cè)壁部通過(guò)所述環(huán)狀開(kāi)口接受從所述基板飛散的處理液。
[0015]更優(yōu)選地，其特征在于，所述處理液供給部具有噴嘴，其安裝于所述內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部與所述蓋側(cè)壁部之間的所述空間形成蓋部上，通過(guò)所述環(huán)狀開(kāi)口向所述基板的上方移動(dòng)并向所述基板上供給處理液。
[0016]本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，基板處理裝置，其特征在于，具有:腔室體，其具有腔室本體以及腔室蓋部，所述腔室蓋部接近所述腔室本體的上部開(kāi)口或接觸所述上部開(kāi)口的腔室關(guān)閉狀態(tài)下，形成腔室空間;腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)，其使所述腔室蓋部相對(duì)于所述腔室本體沿上下方向相對(duì)移動(dòng);基板保持部，其在所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，位于所述腔室空間中，以水平狀態(tài)保持基板;基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以朝向上下方向的中心軸為中心使所述基板與所述基板保持部一同旋轉(zhuǎn);處理液噴出部，其向所述基板上供給處理液;杯部，其位于所述腔室體的外側(cè)的整個(gè)全周上，在所述腔室體的外周上形成側(cè)面空間，所述腔室蓋部通過(guò)從所述腔室本體分離而在所述基板的周圍形成環(huán)狀開(kāi)口，由此接受從旋轉(zhuǎn)的所述基板飛散的處理液，所述腔室蓋部的下部包含向整個(gè)全周下方突出的下方突出部;在所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，所述下方突出部的下端位于比被所述基板保持部所保持的基板更靠下的位置，且所述下方突出部將所述腔室蓋部與所述腔室本體之間的間隙或界線的徑向內(nèi)側(cè)覆蓋;在形成所述環(huán)狀開(kāi)口的狀態(tài)下，通過(guò)所述杯部與所述腔室蓋部接觸，形成包含所述腔室本體、所述腔室蓋部以及所述杯部的部位的一個(gè)放大密閉空間。根據(jù)該基板處理裝置，能夠使腔室更小、抑制顆粒物的產(chǎn)生以及處理液的回收。
[0017]本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，所述腔室蓋部包含朝向所述下方突出部的上側(cè)及徑向外側(cè)凹陷的環(huán)狀凹部；
[0018]在所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，所述環(huán)狀凹部位于被所述基板保持部所保持的基板的側(cè)面。
[0019]本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，所述腔室本體包含在所述下方突出部的徑向外側(cè)上在整個(gè)全周向上方突出的上方突出部，
[0020]所述上方突出部的上端向上方呈尖形。
[0021 ]本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，還具有:第一排放通道，其使所述杯部?jī)?nèi)的氣體排出；第二排放通道，其使所述腔室體內(nèi)的氣體排出，在所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，所述腔室本體與所述腔室蓋部非接觸地接近，在給旋轉(zhuǎn)的基板上供給處理液時(shí)，從所述第一排放通道的排氣被停止。
[0022]本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，所述腔室本體包含在所述下方突出部的徑向外側(cè)上向上方突出的上方突出部，所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，所述上方突出部的上端與所述腔室蓋部接觸，所述上方突出部的上部或所述腔室蓋部的與所述上方突出部的上端接觸的部位包含彈性密封部件。
[0023]本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其特征在于，所述杯部還具備杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其沿上下方向移動(dòng)；
[0024]所述腔室本體的位置被固定，基板向所述腔室本體與所述腔室蓋部之間移入時(shí)的所述杯部的位置比形成所述放大密閉空間的狀態(tài)下所述杯部的位置更低。
[0025]下面將參照附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明，以更加明確本發(fā)明的目的及其他目的、特征、方式以及優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1是表示第一實(shí)施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0027]圖2是表示波紋管附近的放大剖視圖。
[0028]圖3是表示氣液供給部以及氣液排放部的模塊圖。
[0029]圖4是表示基板處理裝置中處理流程圖。
[0030]圖5是表示基板處理裝置的剖視圖。
[0031 ]圖6是表示波紋管附近的放大剖視圖。
[0032]圖7是表示基板處理裝置的局部平面圖。
[0033]圖8是表示基板處理裝置的剖視圖。
[0034]圖9是表示基板處理裝置的剖視圖。
[0035]圖10是表示第二實(shí)施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0036]圖11是表示打開(kāi)狀態(tài)的基板處理裝置的剖視圖。
[0037]圖12是表示第一關(guān)閉狀態(tài)的基板處理裝置的剖視圖。
[0038]圖13是表示第二關(guān)閉狀態(tài)的基板處理裝置的剖視圖。
[0039]圖14是表示基板處理裝置的局部剖視圖。
[0040]圖15是表示基板處理裝置的局部的另一例剖視圖。
[0041]圖16是表示基板處理裝置的局部的又另一例剖視圖。
[0042]圖17是表示基板處理裝置的局部的又另一例剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置I的剖視圖?；逄幚硌b置I是在大致圓板狀的半導(dǎo)體基板9(以下簡(jiǎn)稱為“基板9”。)上供給處理液，對(duì)基板9 一張一張進(jìn)行處理的單張式處理裝置。圖1中，基板處理裝置I的局部結(jié)構(gòu)的剖視中，省略繪制剖面線(在其他剖視圖中也同樣省略)。
[0044]基板處理裝置I具備腔室體12、上板部123、腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131、基板保持部14、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15、受液部16、外側(cè)壁部164、擋板部166、外蓋17。外蓋17將腔室體12的上方以及側(cè)面覆蓋。
[0045]腔室體12具備腔室本體121、腔室蓋部122。腔室體12是以沿上下方向的中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。腔室本體121具備腔室底部210、腔室側(cè)壁部214、杯對(duì)面部218。腔室底部210具備大致圓板狀的底中央部211、從底中央部211的外緣部向下方擴(kuò)展的大致圓筒狀的底內(nèi)側(cè)壁部212、從底內(nèi)側(cè)壁部212的下端沿徑向外側(cè)擴(kuò)展的大致圓環(huán)板狀的環(huán)狀底部213、從環(huán)狀底部213的外緣部向上擴(kuò)展的大致圓筒狀的底外側(cè)壁部215、從底外側(cè)壁部215的上端部沿徑向外側(cè)擴(kuò)展的大致圓環(huán)板狀的基部216。
[0046]腔室側(cè)壁部214是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。腔室側(cè)壁部214從基部216的內(nèi)緣部向上方突出。杯對(duì)面部218是以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)狀。杯對(duì)面部218從腔室側(cè)壁部214的下端部沿徑向外側(cè)擴(kuò)展。如圖1所示例中，腔室側(cè)壁部214與杯對(duì)面部218由一個(gè)部件形成。在下面的說(shuō)明中，將由腔室側(cè)壁部214、底外側(cè)壁部215、環(huán)狀底部213、底內(nèi)側(cè)壁部212、底中央部211的外緣部所包圍的空間稱為下部環(huán)狀空間217。
[0047]基板9由基板保持部14的基板支撐部141(后述)所支撐時(shí)，基板9的下表面92與腔室底部210的底中央部211的上表面相向設(shè)置。在下面的說(shuō)明中，將腔室底部210的底中央部211稱為“下面相向部211”，將底中央部211的上表面219稱為“相向面219”。下面相向部211的相向面219具有防水性。相向面219可由例如特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))等氟系樹(shù)脂形成。相向面219是隨著沿徑向遠(yuǎn)離中心軸Jl而向下方傾斜的傾斜面，是以中心軸Jl為中心的大致圓錐面的一部分。
[0048]腔室蓋部122是與中心軸Jl垂直的有蓋大致圓筒狀，包含腔室體12的上部。腔室蓋部122具備大致圓板狀的頂蓋部227、從頂蓋部227的外緣部向下擴(kuò)展的大致圓筒狀的蓋下筒部228。腔室蓋部122將腔室本體121的上部的開(kāi)口封閉。圖1中，腔室蓋部122為從腔室本體121脫離的狀態(tài)。當(dāng)腔室蓋部122將腔室本體121的上部開(kāi)口封閉時(shí)，蓋下筒部228的下端部與腔室側(cè)壁部214上部接觸。
[0049]腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131使腔室體12的可移動(dòng)部即腔室蓋部122相對(duì)腔室體12的腔室蓋部122之外的其他部位即腔室本體121沿上下方向移動(dòng)。即、腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131是將腔室蓋部122進(jìn)行升降的蓋部升降機(jī)構(gòu)。當(dāng)腔室蓋部122依靠腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131沿上下方向移動(dòng)時(shí)，上板部123也與腔室蓋部122共同沿上下方向移動(dòng)。腔室蓋部122的蓋下筒部228與腔室本體121的腔室側(cè)壁部214接觸則上部開(kāi)口封閉，進(jìn)而，如后述圖9所示，通過(guò)腔室蓋部122向腔室本體121推壓，在腔室體12內(nèi)部形成密閉空間即腔室空間120。
[0050]如圖1所示的基板保持部14配置于腔室蓋部122、腔室本體121之間的空間即腔室空間120內(nèi)，并將基板9保持在水平狀態(tài)。即、基板9以上表面91與中心軸Jl垂直并面朝上的狀態(tài)被基板保持部14所保持?；灞３植?4具備基板支撐部141、基板壓緊部142。基板支撐部141配置于腔室本體121內(nèi)，將水平狀態(tài)的基板9的外緣部(S卩、包含外周緣的外周緣附近的部位)從下方支撐?；鍓壕o部142從上方壓緊被基板支撐部141所支撐的基板9的外緣部。圖1所不狀態(tài)下，基板壓緊部142未被使用。
[0051]基板支撐部141是以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)狀的構(gòu)件?；逯尾?41的徑向內(nèi)偵U，配置有上述下面相向部211。基板支撐部141具備以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)板狀的支撐部底座413、被固定在支撐部底座413的上表面上的多個(gè)第一接觸部411?；鍓壕o部142具有被固定在上板部123的下表面上的多個(gè)第二接觸部421。實(shí)際上，多個(gè)第二接觸部421沿圓周方向的位置與多個(gè)第一接觸部411沿圓周方向的位置是不同的。
[0052]上板部123是與中心軸Jl垂直的大致圓板狀。上板部123配置于腔室蓋部122的下方，且在基板支撐部141的上方。上板部123的中央設(shè)有開(kāi)口。基板9被基板支撐部141所支撐時(shí)，基板9的上表面91和與中心軸Jl垂直的上板部123的下表面是相向設(shè)置的。上板部123的直徑比基板9的直徑大，上板部123的外周緣的位置要比基板9的外周緣整個(gè)全周更靠向徑向外側(cè)。
[0053]在圖1所示狀態(tài)下，上板部123通過(guò)腔室蓋部122被懸掛而支撐。腔室蓋部122的中央部具有大致環(huán)狀的板保持部222。板保持部222具備以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的筒部223、以中心軸Jl為中心的大致圓板狀的凸緣部224。凸緣部224從筒部223的下端沿徑向朝內(nèi)側(cè)擴(kuò)展。
[0054]上板部123具備環(huán)狀的被保持部237。被保持部237具備以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的筒部238、以中心軸Jl為中心的大致圓板狀的凸緣部239。筒部238從上板部123的上表面向上方擴(kuò)展。凸緣部239從筒部238的上端沿徑向朝外側(cè)擴(kuò)展。筒部238位于板保持部222的筒部223的徑向內(nèi)側(cè)。凸緣部239位于板保持部222的凸緣部224的上方，與凸緣部224沿上下方向相向設(shè)置。被保持部237的凸緣部239的下表面是通過(guò)與板保持部222的凸緣部224的上表面接觸的方式、且上板部123以被腔室蓋部122懸掛的方式安裝在腔室蓋部122上。
[0055]上板部123的外緣部的下表面上沿圓周方向排列有多個(gè)第一結(jié)合部241，支撐部底座413的上表面上沿圓周方向排列有多個(gè)第二結(jié)合部242。而實(shí)際上，第一結(jié)合部241以及第二結(jié)合部242與基板支撐部141的多個(gè)第一接觸部411以及基板壓緊部142的多個(gè)第二接觸部421是沿圓周方向被配置于不同的位置上。這些結(jié)合部?jī)?yōu)選設(shè)置3組以上，在本實(shí)施方式中被設(shè)置為4組。第一結(jié)合部241的下部設(shè)有向上方凹陷的凹部。第二結(jié)合部242是從支撐部底座413向上方突出。
[0056]如圖1所示的基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15即所謂中空電機(jī)?；逍D(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15具備以中心軸Jl為中心的環(huán)狀的定子部151、環(huán)狀的轉(zhuǎn)子部152。轉(zhuǎn)子部152包含大致圓環(huán)狀的永久磁鐵。永久磁鐵的表面是以PTFE樹(shù)脂注塑成型的。轉(zhuǎn)子部152配置于腔室體12的腔室空間120中的下部環(huán)狀空間217內(nèi)。轉(zhuǎn)子部152的上部通過(guò)連接部件安裝有基板支撐部141的支撐部底座413。支撐部底座413配置于轉(zhuǎn)子部152的上方。
[0057]定子部151在腔室體12的外側(cè)，被配置于轉(zhuǎn)子部152的周圍。換言之，定子部151在腔室空間120的外側(cè)上，被配置于轉(zhuǎn)子部152的徑向外側(cè)。在本實(shí)施方式中，定子部151被固定于腔室底部210的底外側(cè)壁部215以及基部216上，位于受液部16的下方。定子部151上包含以中心軸Jl為中心的沿圓周方向排列的多個(gè)線圈。
[0058]通過(guò)向定子部151供給電流，定子部151與轉(zhuǎn)子部152之間產(chǎn)生以中心軸Jl為中心的旋轉(zhuǎn)力。由此，轉(zhuǎn)子部152以中心軸Jl為中心以水平狀態(tài)旋轉(zhuǎn)。通過(guò)定子部151與轉(zhuǎn)子部152之間的工作磁力，在腔室體12內(nèi)轉(zhuǎn)子部152不會(huì)直接也不會(huì)間接地與腔室體12接觸，而是懸浮，且以中心軸Jl為中心，使基板9與基板保持部14的基板支撐部141 一同以懸浮狀態(tài)旋轉(zhuǎn)。
[0059]受液部16具備杯部161、杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162。杯部161是以中心軸Jl為中心的環(huán)狀，位于腔室體12沿徑向外側(cè)的整個(gè)全周上。杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162可使杯部161沿上下方向移動(dòng)。換言之，杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162可使杯部161相對(duì)腔室本體121沿上下方向相對(duì)移動(dòng)。杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162配置于杯部161的徑向外側(cè)。杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162與上述腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131在圓周方向上被配置于不同的位置上。
[0060]杯部161具備杯側(cè)壁部611、杯上面部612。杯側(cè)壁部611是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。杯上面部612是以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)板狀，并從杯側(cè)壁部611的上端部沿徑向內(nèi)側(cè)以及徑向外側(cè)擴(kuò)展。杯側(cè)壁部611的剖視形狀在后述收容掃描式噴嘴188的部位(圖1中右側(cè)的部位)、和其他部位(圖1中的左側(cè)的部位)是不同的。杯側(cè)壁部611在圖1中的右側(cè)的部位比在圖1中的左側(cè)的部位沿徑向的厚度稍薄。
[0061]擋板部166是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。擋板部166位于杯側(cè)壁部611的徑向外側(cè)。擋板部166依靠杯側(cè)壁部611而被懸掛。杯部161以及擋板部166位于杯對(duì)面部218的上方，與杯對(duì)面部218沿上下方向相向設(shè)置。
[0062 ]外側(cè)壁部164是以中心軸JI為中心的大致圓筒狀，能夠沿上下方向伸縮。如圖1所示例中，外側(cè)壁部164是分別為圓周形的多個(gè)峰折線和分別為圓周形的多個(gè)谷折線沿上下方向交替排列的波紋管。在下面的說(shuō)明中，將外側(cè)壁部164稱為波紋管164。波紋管164位于腔室側(cè)壁部214、杯對(duì)面部218、杯側(cè)壁部611以及擋板部166的徑向外側(cè)，并設(shè)置于腔室側(cè)壁部214、杯對(duì)面部218、杯側(cè)壁部611以及擋板部166的周圍整個(gè)全周上。波紋管164是由氣體或液體無(wú)法通過(guò)的材料形成。
[0063]波紋管164的上端部與杯部161的杯上面部612的外緣部下表面的整個(gè)全周連接。換言之，波紋管164的上端部通過(guò)杯上面部612間接地與杯側(cè)壁部611連接。波紋管164與杯上面部612的連接部是被密封的，以防止氣體通過(guò)。波紋管164的下端部與杯對(duì)面部218的外緣部整個(gè)全周連接。換言之，波紋管164的下端通過(guò)杯對(duì)面部218間接地與腔室本體121連接。波紋管164的下端部與杯對(duì)面部218的連接部也防止氣體通過(guò)。波紋管164通過(guò)杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162，跟隨杯部161的移動(dòng)(S卩、相對(duì)于杯部161的杯對(duì)面部218以及腔室本體121的相對(duì)移動(dòng))而變形，沿上下方向的高度變化。
[0064]圖2是表示將波紋管164以及其附近放大的局部剖視圖。如圖2所示，杯對(duì)面部218具備傾斜底部251、受液側(cè)壁部253、波紋管固定部254。傾斜底部251是以中心軸Jl (參照?qǐng)D1)為中心的大致圓環(huán)板狀，從腔室側(cè)壁部214沿徑向外側(cè)擴(kuò)展。傾斜底部251的上表面是向沿著徑向外側(cè)向下方向的傾斜面。受液側(cè)壁部253是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀，被配置于傾斜底部251的圓周方向外側(cè)。受液側(cè)壁部253的上端位于例如傾斜底部251的上表面的外緣以及比內(nèi)緣靠上方的位置。
[0065]傾斜底部251與受液側(cè)壁部253之間設(shè)有以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)狀的受液凹部252。受液凹部252的底面位于比傾斜底部251的上表面的外緣靠下方的位置。波紋管固定部254是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。波紋管固定部254位于受液側(cè)壁部253的徑向外側(cè)。波紋管164的下端部固定于波紋管固定部254的上端部上。
[0066]杯側(cè)壁部611以及擋板部166位于受液凹部252的上方，換言之，杯側(cè)壁部611以及擋板部166與受液凹部252在上下方向相向設(shè)置。杯側(cè)壁部611以及擋板部166位于受液側(cè)壁部253的徑向內(nèi)側(cè)。杯側(cè)壁部611位于擋板部166的徑向內(nèi)側(cè)。即、擋板部166在徑向上配置于受液側(cè)壁部253與杯側(cè)壁部611之間。
[0067]如圖2所示狀態(tài)下，從擋板部166的上端部向徑向內(nèi)側(cè)以及徑向外側(cè)擴(kuò)展的凸緣部661被從杯側(cè)壁部611的下端部向徑向外側(cè)擴(kuò)展的凸緣部613所支撐，擋板部166通過(guò)杯側(cè)壁部611而被懸掛。杯側(cè)壁部611的下端位于比受液側(cè)壁部253的上端靠上方的位置。擋板部166比杯側(cè)壁部611的下端更向下方擴(kuò)展。擋板部166將杯側(cè)壁部611的下端與受液側(cè)壁部253的上端之間的縫隙蓋上。由此，防止波紋管164與比杯側(cè)壁部611、擋板部166以及受液側(cè)壁部253更徑向內(nèi)側(cè)的空間在徑向上直接相向。擋板部166的下端最好位于比受液側(cè)壁部253的上端更靠下側(cè)的位置。換言之，擋板部166的下端部最好與受液側(cè)壁部253的上端部在徑向上重合。
[0068]如圖1所示，杯部161的杯上面部612安裝有掃描式噴嘴188。換言之，掃描式噴嘴188在蓋下筒部228與杯側(cè)壁部611之間安裝于杯部161上。掃描式噴嘴188具備噴出處理液的噴出噴頭881、噴頭支撐部882。噴頭支撐部882是沿大致水平方向延伸的棒形構(gòu)件。噴頭支撐部882的一側(cè)的端部即固定端部安裝于杯部161的杯上面部612的下面。噴頭支撐部882另一側(cè)的端部即自由端部上固定有噴出噴頭881。
[0069]杯部161的上部設(shè)有噴頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)189。噴頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)189位于噴頭支撐部882的固定立而部的上方，并被固定于杯部161的杯上面部612的上面。嗔頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)189具備嗔頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)891、噴頭升降機(jī)構(gòu)892。噴頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)891貫通杯上面部612與噴頭支撐部882的固定端部連接，并以固定端部為中心使噴頭支撐部882與噴出噴頭881—同在大致水平方向上旋轉(zhuǎn)。因噴頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)891而形成的杯部161的貫通部被密封，以防止氣體或液體的通過(guò)。噴頭升降機(jī)構(gòu)892通過(guò)將噴頭支撐部882的固定端部沿上下方向移動(dòng)，從而使噴頭支撐部882以及噴出噴頭881進(jìn)行升降。噴頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)189通過(guò)杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162與杯部161—同沿上下方向移動(dòng)。
[0070]腔室蓋部122的中央部上固定有以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的上部噴嘴181。上部噴嘴181能夠插入上板部123的中央部的開(kāi)口。上部噴嘴181下端中央處設(shè)有液體噴出口，其周圍設(shè)有氣體噴出口。腔室底部210的下面相向部211的中央部安裝有以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的下部噴嘴182。下部噴嘴182上端中央處設(shè)有液體噴出口。
[0071]圖3是表示備有基板處理裝置I的氣液供給部18以及氣液排放部19的模塊圖。氣液供給部18除了上述的掃描式噴嘴188、上部噴嘴181以及下部噴嘴182以外，還具備藥液供給部813、純水供給部814、I PA供給部815、非活性氣體供給部816。藥液供給部813通過(guò)閥與掃描式噴嘴188連接。純水供給部814以及IPA供給部815分別通過(guò)閥與上部噴嘴181連接。下部噴嘴182通過(guò)閥與純水供給部814連接。上部噴嘴181通過(guò)閥還與非活性氣體供給部816連接。上部噴嘴181是向腔室體12的內(nèi)部供給氣體的氣體供給部的一部分。
[0072]與受液凹部252連接的第一排放通道191與氣液分離部193連接。氣液分離部193分別通過(guò)閥與外側(cè)排氣部194、藥液回收部195以及排液部196連接。被連接在腔室底部210的第二排放通道192與氣液分離部197連接。氣液分離部197分別通過(guò)閥與內(nèi)側(cè)排氣部198以及排液部199連接。氣液供給部18以及氣液排放部19的各構(gòu)成部件通過(guò)控制部10進(jìn)行控制。腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15、杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162以及噴頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)189 (參照?qǐng)D1)也通過(guò)控制部1進(jìn)行控制。
[0073]藥液供給部813通過(guò)掃描式噴嘴188向基板9上供給的藥液可以是例如聚合物去除液、或氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等腐蝕性液體。純水供給部814通過(guò)上部噴嘴181以及下部噴嘴182向基板9供給純水(DIW:de1nized rater)。IPA供給部815通過(guò)上部噴嘴181向基板9供給異丙醇(IPA)。
[0074]上述藥液、純水以及IPA統(tǒng)稱為處理液，藥液供給部813、純水供給部814、IPA供給部815、上部噴嘴181以及掃描式噴嘴188包含于向基板9的上表面91供給處理液的處理液供給部中。在基板處理裝置I中，供給上述藥液、純水以及IPA之外的處理液的其他供給部也可以包含于該處理液供給部中。從純水供給部814向下部噴嘴182供給的純水在基板9的下表面92的中央部用于供給清洗下表面92的清洗液。純水供給部814以及下部噴嘴182包含于用于供給清洗液的清洗液供給部中。
[0075]非活性氣體供給部816通過(guò)上部噴嘴181向腔室體12內(nèi)供給非活性氣體。從非活性氣體供給部816供給的氣體，例如，氮?dú)?N2)。該氣體也可以是氮?dú)庵獾钠渌麣怏w。
[0076]圖4表示基板處理裝置I中處理基板9的一例流程示意圖。如圖5所示，基板處理裝置I中，在腔室蓋部122位于與腔室本體121分離的上方、杯部161位于與腔室蓋部122分離的下方的狀態(tài)下，使基板9通過(guò)外部傳送機(jī)構(gòu)移入腔室體12內(nèi)，并通過(guò)基板支撐部141從下側(cè)支撐(步驟Sll)。下面，將如圖5所示腔室體12以及杯部161的狀態(tài)稱為“打開(kāi)狀態(tài)”。腔室蓋部122的蓋下筒部228位于與腔室本體121分離的上方，蓋下筒部228與腔室側(cè)壁部214之間形成的開(kāi)口是以中心軸Jl為中心的環(huán)狀，下面，稱為“環(huán)狀開(kāi)口81”。在基板處理裝置I中，腔室蓋部122通過(guò)與腔室本體121分離，在基板9的周圍(S卩、徑向外側(cè))形成環(huán)狀開(kāi)口81。步驟
SII中，基板9通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81移入。
[0077]基板9被移入時(shí)，杯部161與杯對(duì)面部218之間形成的空間160里預(yù)先收容掃描式噴嘴188。空間160是將腔室體12的外周整個(gè)全周包圍的大致圓環(huán)狀的空間。在下面的說(shuō)明中，將空間160稱為“側(cè)面空間160”。在側(cè)面空間160中，杯側(cè)壁部611的下部、以及擋板部166的下部位于杯對(duì)面部218的受液凹部252內(nèi)。
[0078]圖6表示將圖5中的波紋管164以及其附近放大的局部剖視圖。在圖6所示狀態(tài)下，杯側(cè)壁部611、擋板部166、受液側(cè)壁部253在徑向上重合。擋板部166的上端部的凸緣部661與受液側(cè)壁部253的上端接觸。由此，擋板部166被受液側(cè)壁部253所支撐。
[0079]圖7是基板處理裝置I的平面圖。圖7中，為更容易理解上述的側(cè)面空間160上的掃描式噴嘴188是收容狀態(tài)，省略腔室蓋部122、杯部161等的圖示。另外，波紋管164上賦予剖面線。如圖7所示，掃描式噴嘴188的噴頭支撐部882在平面視圖中是向徑向外側(cè)凸出的方式彎曲設(shè)置的。換言之，掃描式噴嘴188為大致圓弧狀。在側(cè)面空間160中，掃描式噴嘴188的噴頭支撐部882是以沿著波紋管164以及杯部161的杯側(cè)壁部611(參照?qǐng)D5)配置的。
[0080]掃描式噴嘴188被收容時(shí)，杯部161位于如圖1所示位置的狀態(tài)下，掃描式噴嘴188通過(guò)噴頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)891而被旋轉(zhuǎn)，并通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81向腔室體12的外側(cè)移動(dòng)。由此，掃描式噴嘴188被收容在杯部161與杯對(duì)面部218之間的側(cè)面空間160中。然后，通過(guò)杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162，杯部161下降至如圖5所示的位置。伴隨杯部161的下降，側(cè)面空間160變小。
[0081]基板9被移入時(shí)，杯部161從如圖5所示的位置上升至如圖8所示的位置，并位于環(huán)狀開(kāi)口 81的徑向外側(cè)的整個(gè)全周上。下面的說(shuō)明中，將如圖8所示腔室體12以及杯部161的狀態(tài)稱為“第一密閉狀態(tài)”(也與圖1的狀態(tài)相同)。另外，將如圖8所示杯部161的位置稱為“受液位置”，將如圖5所示杯部161的位置稱為“回避位置”。杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162使杯部161在環(huán)狀開(kāi)口 81的徑向外側(cè)的受液位置與比受液位置靠下方的回避位置之間沿上下方向移動(dòng)。
[0082]位于受液位置的杯部161中，杯側(cè)壁部611和位于杯側(cè)壁部611的徑向內(nèi)側(cè)的蓋下筒部228與腔室側(cè)壁部214之間形成的環(huán)狀開(kāi)口 81在徑向上相向設(shè)置。另外，位于受液位置的杯部161中，杯上面部612的內(nèi)緣部的上表面與腔室蓋部122的外緣部下端(S卩、蓋下筒部228的下端)的唇型密封件232的整個(gè)全周接觸。腔室蓋部122與杯部161的杯上面部612之間，形成有防止氣體或液體通過(guò)的密封部。由此，形成由腔室蓋部122、杯部161、波紋管164以及腔室本體121所包圍的密閉空間(下面，稱為“放大密閉空間100”。)。放大密閉空間100是由腔室蓋部122與腔室本體121之間的腔室空間120、被杯部161與波紋管164以及杯對(duì)面部218所包圍的側(cè)面空間160，通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81而以連通的方式形成的一個(gè)空間。
[0083]杯部161從如圖5所示回避位置向如圖8所示受液位置上升時(shí)，杯側(cè)壁部611從圖6所示位置上升至規(guī)定位置的過(guò)程中，擋板部166以被受液側(cè)壁部253支撐的狀態(tài)保持靜止。杯側(cè)壁部611上升至該規(guī)定位置時(shí)，擋板部166的上端部的凸緣部661與杯側(cè)壁部611的下端的凸緣部613接觸。而后，通過(guò)杯側(cè)壁部611更加上升，擋板部166通過(guò)杯側(cè)壁部611被懸掛而與杯側(cè)壁部611 —同上升至如圖2所示位置。由此，擋板部166將杯側(cè)壁部611的下端與受液側(cè)壁部253的上端之間的縫隙蓋上。再者，只要擋板部166能伴隨杯部161向上方的移動(dòng)而向上方移動(dòng)，未必一定需要被杯側(cè)壁部611懸掛下移動(dòng)。
[0084]接著，如圖8所示，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15，基板9以一定的轉(zhuǎn)速(S卩、較低轉(zhuǎn)速，下面稱為“穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)速”。)開(kāi)始旋轉(zhuǎn)。進(jìn)而，從非活性氣體供給部816(參照?qǐng)D3)開(kāi)始向放大密閉空間100供給非活性氣體(此處為氮?dú)?的同時(shí)，通過(guò)外側(cè)排氣部194(參照?qǐng)D3)，開(kāi)始將放大密閉空間100內(nèi)的氣體排出。由此，經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，放大密閉空間100為被非活性氣體填充的非活性氣體填充狀態(tài)(即、氧氣濃度低的低氧氣氛)。再者，向放大密閉空間100供給非活性氣體、以及，放大密閉空間100內(nèi)的氣體排出也可以從如圖5所示的打開(kāi)狀態(tài)下開(kāi)始進(jìn)行。
[0085]接著，通過(guò)控制部1(參照?qǐng)D3)的控制，在側(cè)面空間160中，向杯部161上安裝的掃描式噴嘴188供給來(lái)自藥液供給部813的規(guī)定量的藥液。由此，掃描式噴嘴188在被側(cè)面空間160收容的狀態(tài)(S卩、掃描式噴嘴188整體位于側(cè)面空間160內(nèi)的狀態(tài))下，進(jìn)行來(lái)自噴出噴頭881的預(yù)涂敷處理。來(lái)自噴出噴頭881的預(yù)涂敷處理過(guò)的藥液被受液凹部252所接受。
[0086]預(yù)涂敷處理結(jié)束后，通過(guò)放大密閉空間100的外側(cè)配置的噴頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)891，使噴頭支撐部882旋轉(zhuǎn)，如圖1所示，掃描式噴嘴188的噴出噴頭881通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81向基板9的上方移動(dòng)。進(jìn)而，噴頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)891被控制部1所控制，基板9的上方的噴出噴頭881開(kāi)始往復(fù)移動(dòng)。噴出噴頭881沿連接基板9的中心部和外緣部的規(guī)定的移動(dòng)線路在水平方向上持續(xù)地往復(fù)移動(dòng)。
[0087]而后，從藥液供給部813向噴出噴頭881供給藥液，從沿水平方向擺動(dòng)的噴出噴頭881向基板9的上表面91供給藥液(步驟S12)。來(lái)自噴出噴頭881的藥液持續(xù)向旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91供給。藥液因基板9的旋轉(zhuǎn)而向基板9的外周圍擴(kuò)散，上表面91整體被藥液所覆蓋。通過(guò)從沿水平方向擺動(dòng)的噴出噴頭881向旋轉(zhuǎn)中的基板9供給藥液，能夠向基板9的上表面91完全均勻地供給藥液。另外，還能夠提高基板9上的藥液溫度的均勻性。其結(jié)果，能夠提高對(duì)于基板9的藥液處理的均勻性。
[0088]在放大密閉空間100中，從旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91飛散的藥液通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口81被杯部161的杯側(cè)壁部611所接受，導(dǎo)流到受液凹部252。導(dǎo)流到受液凹部252的藥液如圖3所示，通過(guò)第一排放通道191流入氣液分離部193。在藥液回收部195中，從氣液分離部193回收藥液，通過(guò)過(guò)濾器等將藥液中雜質(zhì)等去除后，循環(huán)利用。
[0089]從藥液開(kāi)始供給，經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間(例如，60?120秒)后，來(lái)自掃描式噴嘴188的藥液的供給便被停止。接著，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15，只在規(guī)定時(shí)間(例如，I?3秒)內(nèi)基板9的轉(zhuǎn)速比穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)速高，以從基板9上去除藥液。另外，如圖8所示，掃描式噴嘴188通過(guò)噴頭旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)891旋轉(zhuǎn)，從腔室空間120通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81向側(cè)面空間160移動(dòng)。
[0090]掃描式噴嘴188向側(cè)面空間160移動(dòng)時(shí)，腔室蓋部122以及杯部161同時(shí)向下方移動(dòng)。而后，如圖9所示，腔室蓋部122的外緣部下端(S卩、蓋下筒部228的下端)的唇型密封件231通過(guò)與腔室側(cè)壁部214的上部接觸，環(huán)狀開(kāi)口 81被關(guān)閉，腔室空間120在與側(cè)面空間160隔絕的狀態(tài)下被密閉。杯部161與圖5所示相同，位于回避位置。隨之，與圖6相同，杯側(cè)壁部611、擋板部166、受液側(cè)壁部253在徑向上重合。另外，擋板部166被受液側(cè)壁部253所支撐。
[0091]在下面的說(shuō)明中，圖9所示腔室體12以及杯部161的狀態(tài)稱為“第二密閉狀態(tài)”。在第二密閉狀態(tài)下，基板9與腔室體12的內(nèi)壁直接相向設(shè)置，他們之間不存在其他受液部。另夕卜，掃描式噴嘴188從腔室空間120隔離，被收容于側(cè)面空間160內(nèi)。
[0092]在第二密閉狀態(tài)下，基板壓緊部142的多個(gè)第二接觸部421與基板9的外緣部接觸。上板部123的下表面以及基板支撐部141的支撐部底座413上，沿上下方向相向設(shè)置多對(duì)磁鐵(未圖示)。下面，將各對(duì)磁鐵稱為“磁鐵對(duì)”。在基板處理裝置I中，多個(gè)磁鐵對(duì)在圓周方向上與第一接觸部411、第二接觸部421、第一結(jié)合部241以及第二結(jié)合部242不同的位置以等角度間隔配置。在基板壓緊部142接觸基板9的狀態(tài)下，通過(guò)磁鐵對(duì)之間的工作磁力(引力)，向下的力作用在上板部123上。由此，基板壓緊部142向基板支撐部141推壓基板9。
[0093]在基板處理裝置I中，基板壓緊部142通過(guò)上板部123的自重、以及磁鐵對(duì)的磁力使基板9向基板支撐部141推壓，從而能夠使基板9在基板壓緊部142與基板支撐部141之間從上下夾持并堅(jiān)固地保持住。
[0094]在第二密閉狀態(tài)下，被保持部237的凸緣部239與板保持部222的凸緣部224的上方分離，板保持部222與被保持部237之間不接觸。換言之，通過(guò)板保持部222，上板部123的保持被解除。因此，上板部123從腔室蓋部122中獨(dú)立，并與基板保持部14、以及被基板保持部14所保持的基板9 一同跟隨基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15旋轉(zhuǎn)。
[0095]另外，在第二密閉狀態(tài)下，第二結(jié)合部242嵌入第一結(jié)合部241的下部的凹部。由此，上板部123在以中心軸Jl為中心的圓周方向上與基板支撐部141的支撐部底座413結(jié)合。換言之，第一結(jié)合部241以及第二結(jié)合部242是限制上板部123的相對(duì)于基板支撐部141在旋轉(zhuǎn)方向上的相對(duì)位置(即、在圓周方向中，使上板部123固定在基板支撐部141上)的位置限制部件。腔室蓋部122下降時(shí)，以第一結(jié)合部241與第二結(jié)合部242的嵌合的方式，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15控制支撐部底座413的旋轉(zhuǎn)位置。
[0096]腔室空間120以及側(cè)面空間160分別獨(dú)立并密閉后，通過(guò)外側(cè)排氣部194(參照?qǐng)D3)的氣體的排出被停止的同時(shí)，通過(guò)內(nèi)側(cè)排氣部198的腔室空間120內(nèi)的氣體開(kāi)始被排出。而后，通過(guò)純水供給部814開(kāi)始向基板9供給純水(步驟S13)。
[0097]來(lái)自純水供給部814的純水從上部噴嘴181以及下部噴嘴182噴出，連續(xù)向基板9的上表面91以及下表面92的中央部供給。純水通過(guò)基板9的旋轉(zhuǎn)向上表面91以及下表面92的外周部擴(kuò)散，并從基板9的外周緣向徑向外側(cè)飛散。從基板9飛散的純水被腔室體12內(nèi)壁(SP、蓋下筒部228的內(nèi)壁以及腔室側(cè)壁部214內(nèi)壁)所接受，如圖3所示，通過(guò)第二排放通道192、氣液分離部197以及排液部199被廢棄(在后述的基板9的干燥處理中也相同)。由此，在基板9的上表面91的沖洗處理以及下表面92的清洗處理的同時(shí)，實(shí)際上也進(jìn)行了腔室體12內(nèi)的清洗。
[0098]從純水的供給開(kāi)始經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，來(lái)自純水供給部814(參照?qǐng)D3)的純水供給被停止。而后，腔室空間120內(nèi)，使基板9的轉(zhuǎn)速充分高于穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)速。由此，純水從基板9上被去除，進(jìn)行基板9的干燥處理(步驟S14)。從基板9開(kāi)始干燥經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，基板9的旋轉(zhuǎn)停止。基板9的干燥處理也可以通過(guò)內(nèi)側(cè)排氣部198使腔室空間120減壓，在比大氣壓低的減壓氣氛中進(jìn)行。
[0099]此后，腔室蓋部122與上板部123上升，如圖5所示，腔室體12變?yōu)榇蜷_(kāi)狀態(tài)。步驟S14中，由于上板部123與基板支撐部141 一同旋轉(zhuǎn)，上板部123的下表面上幾乎無(wú)殘留液體，因此在腔室蓋部122上升時(shí)，防止液體從上板部123掉落到基板9上。基板9通過(guò)外部的傳送機(jī)構(gòu)從腔室體12移出(步驟S15)。再者，通過(guò)純水供給部814供給純水后，在基板9干燥前，也可以從IPA供給部815向基板9上供給IPA，在基板9上以IPA替換純水。
[0100]基板處理裝置I中，腔室蓋部122以及杯部161是放大密閉空間100的蓋部，Sr空間形成蓋部”。另外，腔室本體121通過(guò)空間形成蓋部將上方覆蓋，即“空間形成部本體”。受液側(cè)壁部253位于空間形成部本體的外周部即“本體側(cè)壁部”。杯側(cè)壁部611位于空間形成蓋部的外周部即“蓋側(cè)壁部”，并位于本體側(cè)壁部的徑向內(nèi)側(cè)。蓋下筒部228位于空間形成蓋部中蓋側(cè)壁部的徑向內(nèi)側(cè)即“內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部”。
[0101]如圖9所示空間形成蓋部(S卩、腔室蓋部122以及杯部161)的位置稱為“第一位置”，如圖1所示空間形成蓋部的位置稱為“第二位置”，腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131以及杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162位于第一位置與比第一位置更靠上方的第二位置之間，即對(duì)于空間形成部本體，將空間形成蓋部沿上下方向相對(duì)移動(dòng)的空間形成部移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
[0102]如上所述，在基板處理裝置I中，空間形成蓋部位于第一位置的狀態(tài)下，蓋側(cè)壁部即杯側(cè)壁部611與本體側(cè)壁部即受液側(cè)壁部253在徑向上重合，擋板部166被本體側(cè)壁部所支撐?？臻g形成蓋部從第一位置向第二位置移動(dòng)時(shí)，擋板部166通過(guò)蓋側(cè)壁部被懸掛而向上方移動(dòng)。而后，空間形成蓋部位于第二位置的狀態(tài)下，蓋側(cè)壁部的下端位于比本體側(cè)壁部的上端更靠上方的位置，擋板部166將蓋側(cè)壁部的下端與本體側(cè)壁部的上端之間的縫隙蓋上。
[0103]由此，即使處理液從旋轉(zhuǎn)的基板9向比杯側(cè)壁部611更靠下方飛散時(shí)，也可抑制處理液附著在外側(cè)壁部164上。其結(jié)果，能夠抑制外側(cè)壁部164上附著的處理液經(jīng)干燥后發(fā)生顆粒物附著現(xiàn)象。另外，也能夠抑制處理液從外側(cè)壁部164與波紋管固定部254的連接部向放大密閉空間10的外部泄漏。
[0104]進(jìn)而，如上所述，擋板部166沿上下方向的移動(dòng)通過(guò)杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162與杯部161沿上下方向的移動(dòng)一同進(jìn)行。隨之，沒(méi)必要單獨(dú)設(shè)置使擋板部166沿上下方向移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)基板處理裝置I的小型化。
[0105]基板處理裝置I中，空間形成蓋部位于第二位置的狀態(tài)下，擋板部166的下端部與本體側(cè)壁部的上端部在徑向上重合。由此，比擋板部166靠徑向內(nèi)側(cè)的空間、本體側(cè)壁部即受液側(cè)壁部253與外側(cè)壁部164之間的空間之間，形成所謂迷宮結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步抑制處理液在外側(cè)壁部164上附著。
[0106]如上所述，空間形成蓋部位于第一位置的狀態(tài)下，內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部即蓋下筒部228與空間形成部本體即腔室本體121的腔室側(cè)壁部214接觸，從而在內(nèi)部形成密閉空間即腔室空間120。另外，空間形成蓋部位于第二位置的狀態(tài)下，內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部從空間形成部本體分離，在內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部與空間形成部本體之間形成環(huán)狀開(kāi)口 81，從而蓋側(cè)壁部，通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81接受從基板9飛散的處理液。
[0107]如此，在基板處理裝置I中，配合對(duì)基板9的處理，能夠選擇使用2種處理空間(SP、腔室空間120以及放大密閉空間100)。另外，即使外側(cè)壁部164包含形成處理空間的部件時(shí)(即、在放大密閉空間100中進(jìn)行處理時(shí))，也能夠抑制處理液附著在外側(cè)壁部164上。隨之，基板處理裝置I的結(jié)構(gòu)尤其適合于設(shè)置有通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81向基板9的上方移動(dòng)并向基板9供給處理液掃描式噴嘴188的基板處理裝置上。
[0108]如上所述，在基板處理裝置I中，能夠抑制處理液附著于外側(cè)壁部164上。因此，基板處理裝置I的結(jié)構(gòu)尤其適合于具備去除附著的處理液較難的波紋管作為外側(cè)壁部164的基板處理裝置上。
[0109]圖10是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理裝置Ia的剖視圖。基板處理裝置Ia是向大致圓板狀的半導(dǎo)體基板9(下面，簡(jiǎn)稱“基板9”。)供給處理液并對(duì)基板9 一張一張進(jìn)行處理的單張式裝置。圖10中，基板處理裝置Ia的局部結(jié)構(gòu)的剖視中，省略繪制剖面線(其他剖視圖中也同樣省略)。
[0110]基板處理裝置Ia具備腔室體12、上板部123、腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131、基板保持部14、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15、受液部16、外蓋17。外蓋17將腔室體12的上方以及側(cè)面覆蓋。
[0111]腔室體12具備腔室本體121、腔室蓋部122。腔室體12的內(nèi)周面是以沿上下方向的中心軸Jl為中心的大致圓筒面。腔室本體121具備腔室底部210、腔室側(cè)壁部214。腔室底部210具備大致圓板狀的中央部211、從中央部211的外緣部向下方擴(kuò)展的大致圓筒狀的內(nèi)側(cè)壁部212、從內(nèi)側(cè)壁部212的下端向徑向外側(cè)擴(kuò)展的大致圓環(huán)板狀的環(huán)狀底部213、從環(huán)狀底部213的外緣部向上擴(kuò)展的大致圓筒狀的外側(cè)壁部215、從外側(cè)壁部215的上端部向徑向外側(cè)擴(kuò)展的大致圓環(huán)板狀的基部216。
[0112]腔室側(cè)壁部214是以中心軸Jl為中心的環(huán)狀。腔室側(cè)壁部214位于基部216上，形成腔室本體121的內(nèi)周面的一部分。形成腔室側(cè)壁部214的部件如后所述，兼任受液部16的一部分。在下面的說(shuō)明中，腔室側(cè)壁部214、外側(cè)壁部215、環(huán)狀底部213、內(nèi)側(cè)壁部212與中央部211的外緣部所包圍的空間稱為下部環(huán)狀空間217。
[0113]基板9由基板保持部14支撐被支撐時(shí)，基板9的下表面92與腔室底部210的中央部211的上表面相向設(shè)置。在下面的說(shuō)明中，將腔室底部210的中央部211稱為“下面相向部211”。
[0114]腔室蓋部122是與中心軸Jl垂直的大致圓板狀，并包含腔室體12的上部。腔室蓋部122封閉腔室本體121的上部開(kāi)口。圖10中，表示腔室蓋部122從腔室本體121分離的狀態(tài)。當(dāng)腔室蓋部122將腔室本體121的上部開(kāi)口關(guān)閉時(shí)，腔室蓋部122的外緣部接觸腔室側(cè)壁部214的上部。
[0115]腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131使腔室體12的可移動(dòng)部即腔室蓋部122相對(duì)腔室體12的腔室蓋部122之外的其他部位即腔室本體121沿上下方向移動(dòng)。在本實(shí)施方式中，腔室本體121的位置是固定設(shè)置的，腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131是將腔室蓋部122進(jìn)行升降的蓋部升降機(jī)構(gòu)。腔室蓋部122沿上下方向移動(dòng)時(shí)，上板部123也與腔室蓋部122—同沿上下方向移動(dòng)。腔室蓋部122接近腔室本體121而使上部開(kāi)口關(guān)閉，從而在腔室體12內(nèi)形成腔室空間120(參照?qǐng)D13)。換言之，通過(guò)腔室蓋部122與腔室本體121接近，腔室空間120實(shí)際上成為關(guān)閉的狀態(tài)。
[0116]再者，如后所述，通過(guò)腔室蓋部122與腔室本體121接觸，上部開(kāi)口可以被關(guān)閉。這種情況下，通過(guò)腔室蓋部122，腔室本體121的上部開(kāi)口關(guān)閉，從而使腔室空間120成為密閉狀態(tài)。下面，將腔室蓋部122接近或接觸上部開(kāi)口的而形成腔室空間120的狀態(tài)稱為“腔室關(guān)閉狀態(tài)”。
[0117]基板保持部14使基板9保持在水平狀態(tài)。即、基板9以表面91與中心軸Jl垂直并面朝上側(cè)的狀態(tài)被基板保持部14所保持。腔室關(guān)閉狀態(tài)下，基板9位于腔室空間120中?；灞３植?4具備將基板9的外緣部(S卩、包含外周緣的外周緣附近的部位)從下側(cè)支撐的上述基板支撐部141、將被基板支撐部141所支撐的基板9的外緣部從上側(cè)推壓的基板壓緊部142?；逯尾?41具備以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)板狀的支撐部底座413、固定于支撐部底座413的上表面的多個(gè)第一接觸部411?；鍓壕o部142具備固定于上板部123的下表面的多個(gè)第二接觸部421。多個(gè)第二接觸部421的圓周方向的位置實(shí)際上與多個(gè)第一接觸部411的圓周方向的位置不同。
[0118]上板部123是與中心軸Jl垂直的大致圓板狀。上板部123配置于腔室蓋部122的下方，且位于基板支撐部141的上方。上板部123的中央設(shè)有開(kāi)口。基板9被基板支撐部141所支撐時(shí)，基板9的上表面91和與中心軸Jl垂直的上板部123的下表面是相向設(shè)置的。上板部123的直徑比基板9的直徑還大，上板部123的外周緣的位置要比基板9的外周緣整個(gè)全周更靠徑向外側(cè)的位置。
[0119]如圖10所示狀態(tài)下，上板部123是以被腔室蓋部122懸掛的方式所支撐。腔室蓋部122在中央部設(shè)有大致環(huán)狀的板保持部222。板保持部222具備以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的筒部223、以中心軸Jl為中心的大致圓板狀的凸緣部224。凸緣部224從筒部223的下端沿徑向朝內(nèi)側(cè)擴(kuò)展。
[0120]上板部123具備環(huán)狀的被保持部237。被保持部237具備以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的筒部238、以中心軸Jl為中心的大致圓板狀的凸緣部239。筒部238從上板部123的上表面向上方擴(kuò)展。凸緣部239是從筒部238的上端向徑向外側(cè)擴(kuò)展的。筒部238位于板保持部222的筒部223的徑向內(nèi)側(cè)。凸緣部239位于板保持部222的凸緣部224的上方，并與凸緣部224沿上下方向相向設(shè)置。被保持部237的凸緣部239的下表面通過(guò)與板保持部222的凸緣部224的上表面接觸的方式、且上板部123以被腔室蓋部122懸掛的方式安裝在腔室蓋部122上。
[0121]基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15即所謂中空電機(jī)。基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15具有以中心軸Jl為中心的環(huán)狀的定子部151、環(huán)狀的轉(zhuǎn)子部152。轉(zhuǎn)子部152包含大致圓環(huán)狀的永久磁鐵。永久磁鐵的表面是以PTFE樹(shù)脂注塑成型的。轉(zhuǎn)子部152配置于下部環(huán)狀空間217內(nèi)。在轉(zhuǎn)子部152的上部通過(guò)連接部件安裝有基板支撐部141的支撐部底座413。支撐部底座413配置于轉(zhuǎn)子部152的上方。
[0122]定子部151配置在腔室體12外轉(zhuǎn)子部152的徑向外側(cè)。在本實(shí)施方式中，定子部151被固定于腔室底部210的外側(cè)壁部215以及基部216，并位于受液部16的下方。定子部151包含以中心軸Jl為中心的沿圓周方向排列的多個(gè)線圈。
[0123]通過(guò)向定子部151供給電流，定子部151與轉(zhuǎn)子部152之間產(chǎn)生以中心軸Jl為中心的旋轉(zhuǎn)力。由此，轉(zhuǎn)子部152以中心軸Jl為中心以水平狀態(tài)旋轉(zhuǎn)。通過(guò)定子部151與轉(zhuǎn)子部152之間的工作磁力，在腔室體12內(nèi)轉(zhuǎn)子部152不會(huì)直接也不間接地與腔室體12接觸，而是懸浮，且以中心軸JI為中心，使基板9與基板支撐部141 一同以懸浮狀態(tài)旋轉(zhuǎn)。
[0124]受液部16具備杯部161、杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162、杯對(duì)面部163。杯部161是以中心軸Jl為中心的環(huán)狀，位于腔室體12的徑向外側(cè)的整個(gè)全周位置上。杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162使杯部161沿上下方向移動(dòng)。杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162位于杯部161的徑向外側(cè)。杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162位于與上述腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131在圓周方向上不同的位置上。杯對(duì)面部163位于杯部161的下方，與杯部161沿上下方向相向設(shè)置。杯對(duì)面部163是形成腔室側(cè)壁部214的部件的一部分。杯對(duì)面部163具有位于腔室側(cè)壁部214的徑向外側(cè)的環(huán)狀的受液凹部165。
[0125]杯部161具備側(cè)壁部611、上面部612、波紋管617。側(cè)壁部611是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。上面部612是以中心軸Jl為中心的大致圓環(huán)板狀，并從側(cè)壁部611的上端部向徑向內(nèi)側(cè)以及徑向外側(cè)擴(kuò)展。杯部161下降時(shí)，側(cè)壁部611的下部位于受液凹部165內(nèi)。
[0126]波紋管617是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀，可沿上下方向伸縮。波紋管617被設(shè)置在側(cè)壁部611的徑向外側(cè)上的整個(gè)全周上。波紋管617是由氣體或液體無(wú)法通過(guò)的材料形成的。波紋管617的上端部與上面部612的外緣部的下表面的整個(gè)全周上連接。換言之，波紋管617的上端部通過(guò)上面部612與側(cè)壁部611間接連接。波紋管617與上面部612的連接部是被密封的，以防止氣體或液體的通過(guò)。波紋管617的下端部通過(guò)杯對(duì)面部163與腔室本體121間接連接。波紋管617的下端部與杯對(duì)面部163的連接部上，也防止氣體或液體的通過(guò)。
[0127]腔室蓋部122的中央上固定有上部噴嘴181。上部噴嘴181能夠插入上板部123的中央的開(kāi)口中。上部噴嘴181在中央處設(shè)有多個(gè)液體噴出口，其周圍設(shè)有氣體噴出口。從多個(gè)液體噴出口噴出不同種類的處理液。上部噴嘴181是將向基板9上供給處理液的處理液噴出部，同時(shí)也是向基板9上供給氣體的氣體噴出部。再者，腔室體12內(nèi)可以設(shè)有掃描式噴嘴，將處理液噴出到基板9上的噴出噴頭能夠進(jìn)行掃描。腔室底部210的下面相向部211的中央處安裝有下部噴嘴182。上部噴嘴181以及下部噴嘴182的設(shè)置位置并不限于中央部分，例如也可以設(shè)置于與基板9的外緣部的相向的位置上。
[0128]受液部16的受液凹部165上連接有第一排放通道191。第一排放通道191與氣液分離部連接。腔室底部210的下部環(huán)狀空間217上連接有第二排放通道192。第二排放通道192與其他氣液分離部連接。腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15以及杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162的運(yùn)作、以及噴嘴或排放通道中液體或氣體的流動(dòng)是由未圖示的控制部進(jìn)行控制的。
[0129]上部噴嘴181通過(guò)閥與藥液供給部連接。通過(guò)上部噴嘴181向基板9上供給的藥液是例如氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等腐蝕性液體。上部噴嘴181通過(guò)閥與IPA供給部以及純水供給部也連接。上部噴嘴181向基板9供給純水(DIW: de1nized water)以及異丙醇(IPA)。下部噴嘴182通過(guò)閥與純水供給部連接。通過(guò)下部噴嘴182，向基板9的下表面供給純水。基板處理裝置Ia中，也可以設(shè)有供給處理液即上述藥液、純水以及IPA之外的處理液的處理液供給部。
[0130]上部噴嘴181通過(guò)閥與非活性氣體供給部也連接。通過(guò)上部噴嘴181，向腔室體12內(nèi)供給非活性氣體。在本實(shí)施方式中，作為非活性氣體可采用氮?dú)?N2)，也可以采用氮?dú)庵獾臍怏w。
[0131]如圖10所示，上板部123的外緣部的下表面上，多個(gè)第一結(jié)合部241沿圓周方向排列，支撐部底座413的上表面上，多個(gè)第二結(jié)合部242沿圓周方向排列。實(shí)際上，第一結(jié)合部241以及第二結(jié)合部242與基板支撐部141的多個(gè)第一接觸部411以及基板壓緊部142的多個(gè)第二接觸部421沿圓周方向上不同的位置上配置。這些結(jié)合部?jī)?yōu)選設(shè)置3組以上，在本實(shí)施方式中設(shè)置為4組。第一結(jié)合部241的下部設(shè)有向上方凹陷的凹部。第二結(jié)合部242從支撐部底座413向上方突出。
[0132]基板處理裝置Ia中基板9的處理的流程與圖2相同。基板處理裝置Ia中，如圖11所示，在腔室蓋部122位于與腔室本體121分離的上方、杯部161位于與腔室蓋部122分離的下方的狀態(tài)，基板9通過(guò)外部的傳送機(jī)構(gòu)向腔室體12內(nèi)移入，通過(guò)基板支撐部141從下側(cè)支撐(步驟Sll)。下面，將如圖11所示腔室體12以及杯部161的狀態(tài)稱為“打開(kāi)狀態(tài)”。腔室蓋部122與腔室側(cè)壁部214之間的開(kāi)口是以中心軸Jl為中心的環(huán)狀，下面稱為“環(huán)狀開(kāi)口 81”。換言之，基板處理裝置Ia中，通過(guò)腔室蓋部122從腔室本體121分離，在基板9的周圍(S卩、徑向外側(cè))形成環(huán)狀開(kāi)口 81。步驟SI I中，基板9通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81被移入。
[0133]基板9被移入后，通過(guò)杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162，杯部161從如圖11所示位置上升至如圖12所示位置，并位于環(huán)狀開(kāi)口81的徑向外側(cè)的整個(gè)全周上。在下面的說(shuō)明中，將圖12所示腔室體12以及杯部161的狀態(tài)稱為“第一關(guān)閉狀態(tài)”(與圖10的狀態(tài)相同)。另外，將如圖12所示杯部161的位置稱為“受液位置”，將如圖11所示杯部161的位置稱為“回避位置”。杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)162使杯部161在環(huán)狀開(kāi)口 81的徑向外側(cè)的受液位置與比受液位置靠下方的回避位置之間沿上下方向移動(dòng)。
[0134]在位于受液位置的杯部161中，側(cè)壁部611與環(huán)狀開(kāi)口 81在徑向上相向設(shè)置。另外，上面部612的內(nèi)緣部的上表面與腔室蓋部122的外緣部下端的唇型密封件232的整個(gè)全周接觸。由此，腔室蓋部122與杯部161的上面部612之間形成防止氣體或液體通過(guò)的密封部。在形成環(huán)狀開(kāi)口 81的狀態(tài)下，杯部161位于受液位置，由此，形成由腔室本體121、腔室蓋部122、杯部161以及杯對(duì)面部163所包圍的密閉空間(下面稱為“放大密閉空間100”。)。放大密閉空間100是由腔室蓋部122與腔室本體121之間的空間即沿上下方向放大的腔室空間120、被杯部161與杯對(duì)面部163所包圍的側(cè)面空間160通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口 81而以連通的方式形成的一個(gè)空間。放大密閉空間100只要是通過(guò)包含腔室本體121、腔室蓋部122以及杯部161的部位形成的，也可以采用其他部位形成。
[0135]接著，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15開(kāi)始以一定的轉(zhuǎn)速(比較低的轉(zhuǎn)速，下面稱為“穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)速”。)旋轉(zhuǎn)基板9。進(jìn)而，開(kāi)始從上部噴嘴181向放大密閉空間100供給非活性氣體(在此為氮?dú)?的同時(shí)，開(kāi)始從第一排放通道191排出放大密閉空間100內(nèi)的氣體。由此，經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，放大密閉空間100成為被非活性氣體所填充的非活性氣體填充狀態(tài)(S卩、氧氣濃度低的低氧氣氛)。再者，向放大密閉空間100供給非活性氣體、以及從放大密閉空間100內(nèi)排出氣體，也可以從如圖11所示的打開(kāi)狀態(tài)下開(kāi)始進(jìn)行。
[0136]接著，從藥液供給部向上部噴嘴181供給藥液，向基板9的上表面91噴出藥液(步驟S12)。藥液隨基板9的旋轉(zhuǎn)而向外周部擴(kuò)散，上表面91整體被藥液所覆蓋。上表面91通過(guò)藥液進(jìn)行蝕刻。再者，腔室體12上可以設(shè)置加熱器，在藥液供給時(shí)加熱基板9。
[0137]在放大密閉空間100中，從旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91飛散的藥液通過(guò)環(huán)狀開(kāi)口81被杯部161所接受，導(dǎo)流至受液凹部165。導(dǎo)流至受液凹部165的藥液通過(guò)第一排放通道191流入氣液分離部。在氣液分離部中回收的藥液通過(guò)過(guò)濾器等將雜質(zhì)等去除后，再循環(huán)利用。
[0138]藥液的供給開(kāi)始后經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間(例如，60?120秒)，藥液的供給停止。接著，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15，只在規(guī)定時(shí)間(例如，I?3秒)內(nèi)基板9的轉(zhuǎn)速比穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)速高，從基板9上去除藥液。
[0139 ]腔室蓋部122以及杯部161維持接觸的狀態(tài)且向下方移動(dòng)。而后，如圖13所示，腔室蓋部122的外緣部下端與腔室側(cè)壁部214的上部以細(xì)小的間隙隔開(kāi)而接近。由此，環(huán)狀開(kāi)口81實(shí)際上關(guān)閉，腔室空間120與側(cè)面空間160與隔絕。杯部161與圖11相同，位于回避位置。下面將圖13所示腔室體12以及杯部161的狀態(tài)稱為“第二關(guān)閉狀態(tài)”。在第二關(guān)閉狀態(tài)下，基板9與腔室體12內(nèi)壁直接相向設(shè)置，他們之間不存在其他受液部。在第二關(guān)閉狀態(tài)下，腔室體12是腔室關(guān)閉狀態(tài)。
[0140]在第二關(guān)閉狀態(tài)下，基板壓緊部142的多個(gè)第二接觸部421與基板9的外緣部接觸。上板部123的下表面以及基板支撐部141的支撐部底座413上設(shè)有沿上下方向相向設(shè)置的多對(duì)磁鐵(未圖示)。下面，將各對(duì)磁鐵稱為“磁鐵對(duì)”。基板處理裝置Ia中，在圓周方向上多個(gè)磁鐵對(duì)與第一接觸部411、第二接觸部421、第一結(jié)合部241以及第二結(jié)合部242不同的位置上以等角度間隔配置?；鍓壕o部142與基板9接觸的狀態(tài)下，通過(guò)磁鐵對(duì)之間工作磁力(弓丨力)，向下的力作用在上板部123上。
[0141]基板處理裝置Ia中，基板壓緊部142通過(guò)上板部123的自重、以及磁鐵對(duì)的磁力使基板9向基板支撐部141推壓，從而能夠使基板9在基板壓緊部142與基板支撐部141之間從上下夾持并堅(jiān)固地保持住。
[0142]在第二關(guān)閉狀態(tài)下，被保持部237的凸緣部239與板保持部222的凸緣部224的上方分離設(shè)置，板保持部222與被保持部237之間不接觸。換言之，通過(guò)板保持部222，上板部123的保持被解除。因此，上板部123從腔室蓋部122中獨(dú)立，并與基板保持部14、以及被基板保持部14所保持的基板9 一同跟隨基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15旋轉(zhuǎn)。
[0143]另外，第二關(guān)閉狀態(tài)下，第二結(jié)合部242嵌入第一結(jié)合部241的下部的凹部。由此，上板部123在以中心軸Jl為中心的圓周方向上與基板支撐部141的支撐部底座413結(jié)合。換言之，第一結(jié)合部241以及第二結(jié)合部242是固定上板部123的相對(duì)于基板支撐部141在旋轉(zhuǎn)方向上的相對(duì)位置，即位置固定部件。腔室蓋部122下降時(shí)，以第一結(jié)合部241與第二結(jié)合部242的嵌合的方式，通過(guò)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15控制支撐部底座413的旋轉(zhuǎn)位置。
[0144]腔室空間120以及側(cè)面空間160分別獨(dú)立后，從第一排放通道191停止排出氣體，同時(shí)，從第二排放通道192開(kāi)始排出腔室空間120內(nèi)的氣體。而后，通過(guò)純水供給部，開(kāi)始向基板9供給沖洗液或清洗液即純水(步驟S13)。
[0145]來(lái)自純水供給部的純水從上部噴嘴181以及下部噴嘴182噴出，連續(xù)向基板9的上表面91以及下表面92的中央部供給。純水通過(guò)基板9的旋轉(zhuǎn)向上表面91以及下表面92的外周部擴(kuò)散，并從基板9的外周緣向外側(cè)飛散。從基板9飛散的純水被腔室蓋部122內(nèi)壁所接受，通過(guò)第二排放通道192以及氣液分離部被廢棄(在后述的基板9的干燥處理中也相同)。由此，在基板9的上表面91的沖洗處理以及下表面92的清洗處理的同時(shí)，實(shí)際上也進(jìn)行了腔室體12內(nèi)的清洗。
[0146]從純水的供給開(kāi)始經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，純水的供給被停止。而后，腔室空間120內(nèi)，使基板9的轉(zhuǎn)速充分高于穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)速。由此，純水從基板9上被去除，進(jìn)行基板9的干燥處理(步驟S14)。從基板9開(kāi)始干燥經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，基板9的旋轉(zhuǎn)停止。
[0147]此后，腔室蓋部122與上板部123上升，如圖11所示，腔室體12變?yōu)榇蜷_(kāi)狀態(tài)。步驟S14中，由于上板部123與基板支撐部141 一同旋轉(zhuǎn)，上板部123的下表面上幾乎無(wú)殘留液體，因此在腔室蓋部122上升時(shí)，不會(huì)有液體從上板部123掉落到基板9上?；?通過(guò)外部的傳送機(jī)構(gòu)從腔室體12移出(步驟S15)。再者，向基板9上供給純水后，在基板9干燥前，也可以從IPA供給部向基板9上供給IPA，在基板9上以IPA替換純水。
[0148]如圖12所示，基板處理裝置Ia中，腔室體12的外周設(shè)有形成側(cè)面空間160的杯部161，腔室蓋部122是從腔室本體121分離的狀態(tài)，S卩、形成環(huán)狀開(kāi)口 81的狀態(tài)下，通過(guò)杯部161與腔室蓋部122接觸，放大的腔室空間120以及側(cè)面空間160成為一個(gè)放大密閉空間100。進(jìn)而，從如圖12所示第一關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)換為如圖13所示第二關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，腔室蓋部122與杯部161以接觸的狀態(tài)下降。由此，無(wú)需在基板9的處理中開(kāi)放內(nèi)部空間，就能夠?qū)⑶皇铱臻g120與側(cè)面空間160分咼。
[0149]圖14是表示在第二關(guān)閉狀態(tài)下腔室本體121與腔室蓋部122之間的界線附近。腔室蓋部122的內(nèi)周部的下部設(shè)有向下方突出的下方突出部31。下方突出部31是在整個(gè)全周存在的環(huán)狀。下方突出部31只要是向下方突出，即使相對(duì)重力方向傾斜也可。另外，在腔室蓋部122中下方突出部31的位置不限定于腔室蓋部122的內(nèi)周部。腔室關(guān)閉狀態(tài)下，下方突出部31的下端位于比被基板保持部14所保持的基板9靠下的位置。
[0150]腔室蓋部122的內(nèi)周面上，在下方突出部31的上側(cè)包含向徑向外側(cè)凹陷的環(huán)狀凹部33。腔室關(guān)閉狀態(tài)下，環(huán)狀凹部33位于被基板保持部14所保持的基板9的側(cè)面。因此，從基板9飛散的處理液被環(huán)狀凹部33所接受，此后，沿腔室蓋部122的內(nèi)周面向下方流動(dòng)至下方突出部31的前端并落下。因設(shè)有環(huán)狀凹部33，能夠擴(kuò)大從基板9飛散的處理液的飛翔距離，從而能夠抑制飛沫向基板9彈回。為使液體順滑地流動(dòng)，環(huán)狀凹部33優(yōu)選為曲面。
[0151]基板處理裝置Ia中，因腔室蓋部122的內(nèi)周面上接受飛散的處理液，可將腔室蓋部122的位置設(shè)置于相對(duì)基板9更低的位置，可在上下方向上縮小腔室體12。加之，如上所述，通過(guò)利用位于腔室體12外的杯部161，可實(shí)現(xiàn)腔室體12的小型化的同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)處理液的分離回收。再者，腔室關(guān)閉狀態(tài)下在腔室體12內(nèi)流動(dòng)并落下的處理液被回收，第二關(guān)閉狀態(tài)下杯部161接受的處理液也可以被廢棄。也可以將雙方的處理液回收。
[0152]基板處理裝置Ia中，基板9被移入腔室本體121與腔室蓋部122之間時(shí)，如圖11所示，杯部161位于比形成放大密閉空間100的狀態(tài)如圖12所示杯部161的位置更低的位置。因此，將基板9移入時(shí)，能夠?qū)⑶皇疑w部122的上升控制在最小范圍內(nèi)。其結(jié)果，能夠?qū)⒒逄幚硌b置I a的設(shè)置中所必要的空間沿上下方向的大小控制在更小范圍內(nèi)。
[0153]如圖14所示，腔室本體121包含向上方突出的上方突出部32。上方突出部32設(shè)置在腔室側(cè)壁部214的上端，在下方突出部31的徑向外側(cè)的整個(gè)全周上存在。上方突出部32的上端朝上方呈尖形。上方突出部32的上端的位置位于比下方突出部31的下端的位置更靠上的位置。如上所述，腔室關(guān)閉狀態(tài)下，腔室本體121與腔室蓋部122以非接觸方式接近。下方突出部31與上方突出部32之間形成細(xì)小的間隙82。間隙82朝向徑向外側(cè)后朝向上方。
[0154]下方突出部31的下端與腔室側(cè)壁部214的內(nèi)周面沿徑向充分分離。由此，從環(huán)狀凹部33到達(dá)下方突出部31的下端的處理液不會(huì)進(jìn)入間隙82而是落下。下方突出部31優(yōu)選為比腔室本體121的內(nèi)周面更向徑向內(nèi)側(cè)突出。
[0155]另外，下方突出部31在腔室關(guān)閉狀態(tài)下，將間隙82的徑向內(nèi)側(cè)蓋上。這樣也可防止飛散的處理液直接到達(dá)間隙82并進(jìn)入。通過(guò)防止處理液向間隙82進(jìn)入，從而防止凝固的處理液成為顆粒物的起因。再者，下方突出部31從基板9上看去最好能覆蓋間隙82的徑向內(nèi)偵U，從與中心軸Jl垂直的方向看時(shí)，間隙82的開(kāi)口也可露出。
[0156]因間隙82的存在，在腔室關(guān)閉狀態(tài)下，在旋轉(zhuǎn)的基板9上供給處理液時(shí)，如圖13所示停止從第一排放通道191排出杯部161內(nèi)的氣體。原則上進(jìn)行從第二排放通道192排出腔室本體121內(nèi)的氣體以及處理液。由此，能夠更為確實(shí)地抑制處理液向間隙82進(jìn)入。再者，下方突出部31的上端向上方呈尖形，因此即便間隙82中進(jìn)入處理液，也能夠降低處理液的附著量。
[0157]腔室蓋部122與杯部161通過(guò)唇型密封件232而接觸的狀態(tài)下，上面部612的內(nèi)周部的下表面的位置位于比下方突出部31的下端的位置更靠上的位置。由此，如圖12所示的第一關(guān)閉狀態(tài)下，能夠?qū)⑶皇疑w部122與杯部161之間附著藥液的可能性降低。
[0158]圖15是表示腔室蓋部122的下部的另一例。圖15中，腔室蓋部122的下部設(shè)有另一個(gè)下方突出部31a。下面，將該下方突出部31a稱為“附加下方突出部31a”。腔室蓋部122的其他部位的結(jié)構(gòu)與圖14相同。附加下方突出部31a位于上方突出部32的徑向外側(cè)，沿整個(gè)全周向下方突出。。附加下方突出部31a的下端的位置位于比上方突出部32的上端的位置更靠下的位置。通過(guò)下方突出部31、上方突出部32以及附加下方突出部31a形成間隙82。由此，間隙82沿徑向外側(cè)先朝向上方后，再朝向下方。
[0159]間隙82通過(guò)設(shè)置更為復(fù)雜的迷宮結(jié)構(gòu)，更加抑制了處理液的非常細(xì)小的液滴向腔室空間120的外部移動(dòng)。
[0160]圖16是表示上方突出部32的另一例。圖16的上方突出部32的上端在腔室關(guān)閉狀態(tài)下，與腔室蓋部122的下部接觸。換言之，腔室關(guān)閉狀態(tài)下，腔室蓋部122與腔室本體121的上部開(kāi)口接觸。由此，腔室空間120成為密閉空間。隨之，基板9的處理中能夠使腔室空間120減壓。例如，基板9的干燥處理也可在比大氣壓更低的減壓氣氛下進(jìn)行。
[0161]為實(shí)現(xiàn)腔室空間120的密閉，上方突出部32的上部包含由樹(shù)脂形成的彈性密封部件35。如圖17所示，與腔室蓋部122的上方突出部32的上端接觸的部位也可包含彈性密封部件35。
[0162]在圖16以及圖17中，腔室本體121以及腔室蓋部122的其他部位的結(jié)構(gòu)與圖14與相同。在腔室關(guān)閉狀態(tài)下，下方突出部31將腔室蓋部122與腔室本體121之間的界線83的徑向內(nèi)側(cè)蓋上。由此，腔室體12可設(shè)置為更小、且可抑制顆粒物的產(chǎn)生、以及實(shí)現(xiàn)處理液的回收。
[0163]上述基板處理裝置I，Ia可以有各種變化。
[0164]基板處理裝置I中，上述迷宮結(jié)構(gòu)沒(méi)必要必須形成，例如，在空間形成蓋部位于第二位置的狀態(tài)下，擋板部166的下端與受液側(cè)壁部253的上端沿上下方向上可以在大概相同的位置上設(shè)置。另外，擋板部166只要能夠?qū)⒈瓊?cè)壁部611的下端與受液側(cè)壁部253的上端之間的縫隙實(shí)質(zhì)地蓋上，擋板部166的下端可以位于比受液側(cè)壁部253的上端更靠上方的位置。
[0165]基板處理裝置I中，由腔室蓋部122、杯部161、外側(cè)壁部164以及腔室本體121形成的放大密閉空間100未必一定是嚴(yán)密的氣密性密閉空間。另外，外側(cè)壁部164不限定于波紋管，也可以采用其他各種部件(例如，沿上下方向的高度縮小時(shí)，沿徑向外側(cè)凸出可能的可彈性變形的部件)作為外側(cè)壁部164。
[0166]基板處理裝置I中，代替掃描式噴嘴188，設(shè)置在側(cè)面空間160內(nèi)被固定的噴嘴，也可以通過(guò)從該噴嘴環(huán)狀開(kāi)口 81傾斜并向下方噴出處理液，使該處理液向基板9的上表面91供給。
[0167]基板處理裝置I中，上述空間形成蓋部未必一定具備相互獨(dú)立并沿上下方向移動(dòng)的腔室蓋部122以及杯部161，也可以是一個(gè)關(guān)聯(lián)的部件。在這種情況下，例如，也可從空間形成蓋部省略內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部。
[0168]基板處理裝置Ia中，例如，也可省去環(huán)狀凹部33。上方突出部32也可不存在。通過(guò)下方突出部31以及上方突出部32等形成的迷宮結(jié)構(gòu)也可以是更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。
[0169]通過(guò)基板處理裝置Ia實(shí)施的處理不限定于上述實(shí)施方式中所表示的方式?；逄幚硌b置Ia中，腔室空間120為密閉可能的情況下，也可設(shè)置向腔室空間120供給氣體的進(jìn)行加壓的加壓部。
[0170]基板處理裝置I，Ia中，腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)131未必一定將腔室蓋部122沿上下方向移動(dòng)，也可以在腔室蓋部122被固定的狀態(tài)下，將腔室本體121沿上下方向移動(dòng)。腔室體12未必一定限定于大致圓筒狀，也可以是各種形狀。
[0171]基板處理裝置l，la中，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15的定子部151以及轉(zhuǎn)子部152的形狀以及結(jié)構(gòu)可以有多種變化。轉(zhuǎn)子部152未必一定以懸浮狀態(tài)旋轉(zhuǎn)，也可以在腔室體12內(nèi)設(shè)置使轉(zhuǎn)子部152機(jī)械地支撐的導(dǎo)軌等結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)子部152沿該導(dǎo)軌旋轉(zhuǎn)?；逍D(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15未必一定是中空電機(jī)，也可采用軸旋轉(zhuǎn)型電機(jī)作為基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。
[0172]基板處理裝置I，Ia中，杯部161的上面部612之外的部位，例如，通過(guò)側(cè)壁部611與腔室蓋部122接觸，也可以形成放大密閉空間100 ο受液部16的結(jié)構(gòu)也可以適當(dāng)變化。例如，杯部161的內(nèi)側(cè)也可設(shè)置其他杯部。
[0173]基板處理裝置I，Ia中，上部噴嘴181、下部噴嘴182的形狀不限定于突出的形狀。只要是設(shè)有將處理液噴出的噴出口的部位全部涵蓋于上述實(shí)施方式噴出部的概念中。
[0174]基板處理裝置1，Ia中，除能用于半導(dǎo)體基板之外，還可用于液晶顯示裝置、等離子顯示器、FED(場(chǎng)致發(fā)射顯示器)等的顯示裝置上的玻璃基板的處理。又或者，基板處理裝置I，la還可用于光盤(pán)用基板、磁盤(pán)用基板、光磁盤(pán)用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板以及太陽(yáng)能電池用基板等處理。
[0175]上述實(shí)施方式以及各種變形例的結(jié)構(gòu)可以在相互不矛盾的范圍內(nèi)適當(dāng)組合。
[0176]以上，詳細(xì)描述并說(shuō)明了本發(fā)明，但是上述說(shuō)明僅僅是例示而非限定。因此，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，能夠采用多種變形或方式。
[0177]Ula基板處理裝置
[0178]9 基板
[0179]12腔室體
[0180]14基板保持部
[0181]15基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)
[0182]31下方突出部
[0183]32上方突出部
[0184]33環(huán)狀凹部
[0185]35彈性密封部件
[0186]81環(huán)狀開(kāi)口
[0187]82 間隙
[0188]83 界線
[0189]100放大密閉空間
[0190]120腔室空間
[0191]121腔室本體
[0192]122腔室蓋部
[0193]131腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)
[0194]160側(cè)面空間
[0195]161 杯部
[0196]162杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)
[0197]164外側(cè)壁部(波紋管)
[0198]166擋板部
[0199]181上部噴嘴(處理液噴出部)
[0200]182下部噴嘴
[0201]188掃描式噴嘴
[0202]191第一排放通道
[0203]192第二排放通道
[0204]228蓋下筒部
[0205]253受液側(cè)壁部
[0206]611杯側(cè)壁部
[0207]813藥液供給部
[0208]814純水供給部
[0209]815IPA 供給部
[0210]Jl中心軸
[0211]Sll?S15 步驟
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種處理基板的基板處理裝置，其特征在于，具有: 空間形成部本體，其具有筒狀的本體側(cè)壁部； 空間形成蓋部，其具有位于所述本體側(cè)壁部的徑向內(nèi)側(cè)的筒狀的蓋側(cè)壁部，將所述空間形成部本體的上方蓋上； 空間形成部移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述空間形成蓋部在第一位置與比所述第一位置靠上方的第二位置之間，相對(duì)于所述空間形成部本體沿上下方向相對(duì)移動(dòng)； 外側(cè)壁部，其位于所述本體側(cè)壁部的徑向外側(cè)，上端部與所述空間形成蓋部連接，下端部與所述空間形成部本體連接，并跟隨通過(guò)所述空間形成部移動(dòng)機(jī)構(gòu)的相對(duì)移動(dòng)而變形；筒狀的擋板部，其配置于所述蓋側(cè)壁部與所述本體側(cè)壁部之間； 基板支撐部，配置于所述空間形成部本體內(nèi)，以水平狀態(tài)保持基板； 基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述基板與所述基板支撐部一同旋轉(zhuǎn)； 處理液供給部，其向所述基板上供給處理液， 所述空間形成蓋部位于所述第一位置的狀態(tài)下，所述蓋側(cè)壁部與所述本體側(cè)壁部在徑向上重合，所述擋板部被所述本體側(cè)壁部所支撐； 所述空間形成蓋部從所述第一位置向所述第二位置移動(dòng)時(shí)，所述擋板部伴隨所述空間形成蓋部的移動(dòng)而向上方移動(dòng)； 所述空間形成蓋部位于所述第二位置的狀態(tài)下，所述蓋側(cè)壁部的下端位于比所述本體側(cè)壁部的上端靠上方的位置，所述擋板部將所述蓋側(cè)壁部的所述下端與所述本體側(cè)壁部的所述上端之間的縫隙蓋上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述空間形成蓋部從所述第一位置向所述第二位置移動(dòng)時(shí)，所述擋板部通過(guò)所述蓋側(cè)壁部被懸掛而向上方移動(dòng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述外側(cè)壁部是分別為圓周形的多個(gè)峰折線與分別為圓周形的多個(gè)谷折線沿所述上下方向交替排列的波紋管。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述空間形成蓋部位于所述第二位置的狀態(tài)下，所述擋板部的下端部與所述本體側(cè)壁部的上端部在徑向上重合。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述空間形成蓋部具有位于所述蓋側(cè)壁部的徑向內(nèi)側(cè)的筒狀的內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部； 所述空間形成蓋部位于所述第一位置的狀態(tài)下，所述內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部通過(guò)與所述空間形成部本體接觸，內(nèi)部形成密閉空間； 所述空間形成蓋部位于所述第二位置的狀態(tài)下，所述內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部從所述空間形成部本體分離，并在所述內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部與所述空間形成部本體之間形成環(huán)狀開(kāi)口，所述蓋側(cè)壁部通過(guò)所述環(huán)狀開(kāi)口接受從所述基板飛散的處理液。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述處理液供給部具有噴嘴，其安裝于所述內(nèi)側(cè)蓋側(cè)壁部與所述蓋側(cè)壁部之間的所述空間形成蓋部上，通過(guò)所述環(huán)狀開(kāi)口向所述基板的上方移動(dòng)并向所述基板上供給處理液。7.一種處理基板的基板處理裝置，其特征在于，具有: 腔室體，其具有腔室本體以及腔室蓋部，所述腔室蓋部接近所述腔室本體的上部開(kāi)口或接觸所述上部開(kāi)口的腔室關(guān)閉狀態(tài)下，形成腔室空間； 腔室開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)，其使所述腔室蓋部相對(duì)于所述腔室本體沿上下方向相對(duì)移動(dòng)； 基板保持部，其在所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，位于所述腔室空間中，以水平狀態(tài)保持基板；基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以朝向上下方向的中心軸為中心使所述基板與所述基板保持部一同旋轉(zhuǎn)； 處理液噴出部，其向所述基板上供給處理液； 杯部，其位于所述腔室體的外側(cè)的整個(gè)全周上，在所述腔室體的外周上形成側(cè)面空間，所述腔室蓋部通過(guò)從所述腔室本體分離而在所述基板的周圍形成環(huán)狀開(kāi)口，由此接受從旋轉(zhuǎn)的所述基板飛散的處理液， 所述腔室蓋部的下部包含向整個(gè)全周下方突出的下方突出部； 在所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，所述下方突出部的下端位于比被所述基板保持部所保持的基板更靠下的位置，且所述下方突出部將所述腔室蓋部與所述腔室本體之間的間隙或界線的徑向內(nèi)側(cè)覆蓋； 在形成所述環(huán)狀開(kāi)口的狀態(tài)下，通過(guò)所述杯部與所述腔室蓋部接觸，形成包含所述腔室本體、所述腔室蓋部以及所述杯部的部位的一個(gè)放大密閉空間。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述腔室蓋部包含朝向所述下方突出部的上側(cè)及徑向外側(cè)凹陷的環(huán)狀凹部； 在所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，所述環(huán)狀凹部位于被所述基板保持部所保持的基板的側(cè)面。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述腔室本體包含在所述下方突出部的徑向外側(cè)上在整個(gè)全周向上方突出的上方突出部， 所述上方突出部的上端向上方呈尖形。10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有: 第一排放通道，其使所述杯部?jī)?nèi)的氣體排出； 第二排放通道，其使所述腔室體內(nèi)的氣體排出， 在所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，所述腔室本體與所述腔室蓋部非接觸地接近，在給旋轉(zhuǎn)的基板上供給處理液時(shí)，從所述第一排放通道的排氣被停止。11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述腔室本體包含在所述下方突出部的徑向外側(cè)上向上方突出的上方突出部， 所述腔室關(guān)閉狀態(tài)下，所述上方突出部的上端與所述腔室蓋部接觸， 所述上方突出部的上部或所述腔室蓋部的與所述上方突出部的上端接觸的部位包含彈性密封部件。12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述杯部還具備杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其沿上下方向移動(dòng)； 所述腔室本體的位置被固定， 基板向所述腔室本體與所述腔室蓋部之間移入時(shí)的所述杯部的位置比形成所述放大密閉空間的狀態(tài)下所述杯部的位置更低。
【文檔編號(hào)】H01L21/304GK105849871SQ201480068799
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2014年12月17日
【發(fā)明人】菊本憲幸
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社思可林集團(tuán)