層疊型陶瓷電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明抑制具有0.5μm以下的內(nèi)部電極層的層疊型陶瓷電子部件的裂紋和脫層，并且使該陶瓷電子部件抗彎強(qiáng)度良好。本發(fā)明涉及一種層疊型陶瓷電子部件，其是內(nèi)部電極層與介電體陶瓷層交替層疊而成的層疊體，其特征在于所述內(nèi)部電極層具有電極中斷部，在所述的電極中斷部的一部分中，從正交于層疊體的層疊方向的截面來看，含有比介電體陶瓷層厚度更大的介電體陶瓷顆粒，所述介電體陶瓷顆粒具有與形成介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆粒同種的晶體結(jié)構(gòu)，并且與夾著介電體陶瓷層相對(duì)的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸。
【專利說明】
層疊型陶瓷電子部件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種層疊型陶瓷電子部件。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，在電子設(shè)備的小型化、薄型化發(fā)展過程中要求搭載于運(yùn)些電子設(shè)備中的 電子部件也為小型電子部件。尤其是關(guān)于層疊陶瓷電容器，根據(jù)薄型民用設(shè)備的需要受限 于電子部件的安裝面積而要求小型部件的高容量化。
[0003] 從運(yùn)樣的市場要求出發(fā)，層疊陶瓷電容器必須確保容量并且小型化。在此，層疊陶 瓷電容器的靜電容量W式1表示。
[0004]
[0005] C:靜電容量;Er:相對(duì)介電常數(shù);e〇:真空介電常數(shù)
[0006] S:內(nèi)部電極重疊面積;d:介電體陶瓷層厚度;n:層疊數(shù)
[0007] 如式1所示，為了提高層疊陶瓷電容器的靜電容量，如果考慮到內(nèi)部電極重疊面積 基本是恒定的，則通過提高陶瓷材料所具有的固有的相對(duì)介電常數(shù)、減薄介電體陶瓷層厚 度、或者通過減薄內(nèi)部電極層厚度來增加層疊數(shù)等來進(jìn)行調(diào)整。
[000引然而，對(duì)于相對(duì)介電常數(shù)，由于其是物質(zhì)固有的值，所W如果沒有發(fā)現(xiàn)新型介電體 物質(zhì)則不能預(yù)期待有大幅度的提高。為此需要進(jìn)行減薄內(nèi)部電極層厚度或介電體陶瓷層厚 度等設(shè)計(jì)上的探討研究。近年來，要求由0.50皿W下的內(nèi)部電極層W及介電體陶瓷層形成 的層疊陶瓷電容器。其中最主要的技術(shù)問題是抑制伴隨內(nèi)部結(jié)構(gòu)的薄層化所容易產(chǎn)生的裂 紋或脫層等結(jié)構(gòu)缺陷的技術(shù)。
[0009] 作為抑制層疊陶瓷電容器等的脫層的現(xiàn)有技術(shù)，例如W專利文獻(xiàn)1為代表，提出了 一種方法:在內(nèi)部電極層中生成由晶粒生長至電極層厚度程度的介電陶瓷顆粒構(gòu)成的電極 中斷部，并使該電極中斷部具有連接配置于內(nèi)部電極層的上下的介電體陶瓷層之間的柱子 一樣的錯(cuò)栓的功能。
[0010] 另外，在專利文獻(xiàn)2中提出了一種方法:在內(nèi)部電極層的中斷部設(shè)置針狀偏析物， 并且針狀顆粒配置為貫通電極中斷部，像在介電體陶瓷層之間架設(shè)橋梁一樣，并增大與介 電體陶瓷層的接觸面積，從而提高內(nèi)部電極層和介電體陶瓷層的粘結(jié)強(qiáng)度。
[0011] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) [0012]專利文獻(xiàn)
[0013] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-77761號(hào)公報(bào)
[0014] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2008-258190號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[001引發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0016]然而，專利文獻(xiàn)1所提出的結(jié)構(gòu)中，在具備1.0皿左右的內(nèi)部電極層的層疊陶瓷電 容器中，可W期待脫層的抑制效果。但是在具備薄層化至0.5皿W下的內(nèi)部電極層的層疊陶 瓷電容器中，內(nèi)部電極層中的晶粒生長后的介電體陶瓷顆粒與介電體陶瓷層中晶粒生長被 抑制的介電體陶瓷顆粒的界面處會(huì)產(chǎn)生裂紋，裂紋延伸，最后發(fā)生脫層。在近來薄層多層化 后的層疊陶瓷電容器中，不足W作為抑制結(jié)構(gòu)缺陷的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
[0017] 另外，即便在專利文獻(xiàn)2所提出的結(jié)構(gòu)中，雖然可W期待抑制脫層的效果，但是在 具有薄層化至0.SwnW下的內(nèi)部電極層的層疊陶瓷電容器中，相對(duì)于使內(nèi)部電極顆粒球狀 化的能量，由于貫通內(nèi)部電極層的中斷部分的針狀偏析物（WBa與Ti作為主要成分)相對(duì)于 形成介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆粒是異相，因此針狀偏析物和介電體陶瓷顆粒的粘結(jié)強(qiáng) 度不足，結(jié)果在針狀偏析物和介電體陶瓷顆粒之間的界面處會(huì)產(chǎn)生裂紋，從而在近來的薄 層多層化層疊陶瓷電容器中，不足W作為改善結(jié)構(gòu)缺陷的手段。
[0018] 在此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有0.5皿W下內(nèi)部電極層的層疊型陶瓷電子 部件，其抑制內(nèi)部電極層導(dǎo)電性成分的球狀化，并改善內(nèi)部電極層和介電體陶瓷層的粘結(jié) 強(qiáng)度，抑制裂紋和脫層的發(fā)生，從而提高了抗彎強(qiáng)度。
[0019] 解決技術(shù)問題的手段
[0020] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件是一種內(nèi)部電極層 與介電體陶瓷層交替層疊而成的層疊體，其特征在于:所述內(nèi)部電極層具有電極中斷部，在 所述的電極中斷部的一部分中，在正交于層疊體的層疊方向的截面中，含有比介電體陶瓷 層厚度更大的介電體陶瓷顆粒，所述介電體陶瓷顆粒具有與介電體陶瓷層中含有的介電體 陶瓷顆粒同種的晶體結(jié)構(gòu)，并且與夾著上述介電體陶瓷層相對(duì)的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相 接觸。
[0021] 本發(fā)明的層疊型陶瓷電子部件具有電極中斷部，電極中斷部由各種陶瓷顆粒或不 存在導(dǎo)電性成分部、陶瓷顆粒的空隙部構(gòu)成。在此，該陶瓷顆粒是介電體陶瓷顆粒，不止局 限于內(nèi)部電極層內(nèi)，還與夾著介電體陶瓷層鄰接的內(nèi)部電極層中至少一個(gè)相接觸。由此，可 W像在介電體陶瓷層架橋一樣配置，提高顆粒間的粘結(jié)強(qiáng)度，通過電極中斷部的介電體陶 瓷顆粒將內(nèi)部電極層牢固地固定。
[0022] 通過上述的結(jié)構(gòu)，粘結(jié)強(qiáng)度得W提高，抑制燒成工序或再氧化工序中發(fā)生的導(dǎo)電 性成分的球狀化，并且內(nèi)部電極層可W維持較薄。進(jìn)一步，因?yàn)榭蒞抑制使導(dǎo)電性成分球狀 化從而在層疊方向上膨脹的能量，所W可W有效地抑制在內(nèi)部電極層和介電體陶瓷層的界 面上產(chǎn)生的裂紋和剝離現(xiàn)象(脫層）。更進(jìn)一步，晶粒生長變大的介電體陶瓷顆粒夾在內(nèi)部 電極層從而層疊體的強(qiáng)度提高，并且可W減少因內(nèi)部電極層中的導(dǎo)電性成分的球狀化所產(chǎn) 生的空隙。因此，層疊體的密度提高，也可W提高抗彎強(qiáng)度。
[0023] 上述介電體陶瓷顆粒與形成介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆粒具有同樣的晶體結(jié) 構(gòu)。其結(jié)果提高電極中斷部的介電體陶瓷顆粒和介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆粒的粘結(jié)強(qiáng) 度，并且可W有效地抑制裂紋的產(chǎn)生或在內(nèi)部電極層和介電體陶瓷層的界面處發(fā)生的脫 層。
[0024] 本發(fā)明的層疊型陶瓷電子部件優(yōu)選上述介電體陶瓷顆粒的一部分與形成上述電 極中斷部的導(dǎo)電性成分部端部相接觸，從而晶粒生長為比形成介電體陶瓷層的介電體陶瓷 顆粒更大。
[0025] 因?yàn)橥ㄟ^上述結(jié)構(gòu)，由于W無間隙部，并且通過電極中斷部的介電體陶瓷顆粒與 介電體陶瓷層架橋的方式插入電極中斷部和導(dǎo)電性成分部分端部，所W可W抑制導(dǎo)電性成 分的球狀化，并有效地抑制在介電體陶瓷層的界面上發(fā)生的脫層。另外，由于構(gòu)成電極中斷 部的介電體陶瓷顆粒的粒徑大所W相對(duì)介電常數(shù)大，由于沒有夾著間隙部，所W電極中斷 部也可W對(duì)靜電容量有貢獻(xiàn)。
[0026] 本發(fā)明的層疊型陶瓷電子部件中，優(yōu)選從正交于層疊體層疊方向的截面來看，具 有上述介電體陶瓷顆粒的電極中斷部在內(nèi)部電極層中占有的比例為5% W上且15% W下。
[0027] 根據(jù)具有上述介電體陶瓷顆粒的電極中斷部在上述范圍內(nèi)存在于內(nèi)部電極層中， 可W不減損層疊型陶瓷電子部件的電特性，并且可W有效地抑制裂紋W及脫層。
[002引發(fā)明的效果
[0029] 根據(jù)本發(fā)明，可W抑制具有薄層的，具體為0.SwnW下的內(nèi)部電極層的薄層多層的 層疊型陶瓷電子部件的裂紋和脫層的產(chǎn)生，并使抗彎強(qiáng)度良好。
【附圖說明】
[0030] 圖1是通過本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件的制造方法所制 造的層疊陶瓷電容器的示意截面圖。
[0031] 圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的熱壓燒成爐的示意圖。
[0032] 圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的熱壓燒成爐的燒成時(shí)的示意圖。
[0033] 圖4是用于說明本發(fā)明所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)體的形態(tài)的層疊 陶瓷電容器的部分截面圖。
[0034] 圖5是本發(fā)明所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件的電極中斷部的介電體陶瓷顆粒的一 個(gè)例子。
[0035] 圖6是本發(fā)明所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件的電極中斷部的介電體陶瓷顆粒的一 個(gè)例子。
[0036] 圖7是本發(fā)明所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件的電極中斷部的介電體陶瓷顆粒的一 個(gè)例子。
[0037] 圖8是本發(fā)明所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件的電極中斷部的介電體陶瓷顆粒的一 個(gè)例子。
[0038] 圖9是實(shí)施例1的樣品的場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)觀察圖像(4萬倍倍率）。
[0039] 圖10是比較例1的樣品的場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)觀察圖像(3萬倍倍率）。
[0040] 符號(hào)說明
[0041] 1…介電體陶瓷層、2…內(nèi)部電極層、3…層疊體、4…外部電極、10…層疊陶瓷電容 器、20…加壓沖頭加熱室、21…加壓室、22…沖頭、23…工作臺(tái)、24…加熱器、25…推板、26… 接受板、27…層疊體樣品、28…高強(qiáng)度板、29…陶瓷臺(tái)、33…導(dǎo)電性成分部、34…陶瓷部、 35…間隙部、36…介電體陶瓷顆粒、37…比介電體陶瓷層厚度大的介電體陶瓷顆粒。
【具體實(shí)施方式】
[0042] W下，舉例說明層疊陶瓷電容器作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。對(duì)相同部件賦予相 同符號(hào)并省略重復(fù)的說明。另外，附圖是示意性的，部件相互之間的尺寸的比率或部件的形 狀等可W與實(shí)物不同。
[0043] (層疊陶瓷電容器）
[0044] 如圖1所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的層疊陶瓷電容器10具有介電體陶瓷 層1和內(nèi)部電極層2交替層疊的結(jié)構(gòu)的層疊體3。在該層疊體3的兩端部形成分別與在層疊體 的內(nèi)部交替配置的內(nèi)部電極層2相導(dǎo)通的一對(duì)外部電極4。層疊體3的形狀不特別地限制，通 常為長方體形狀。另外，其尺寸也不特別地限制，可W根據(jù)用途做成適當(dāng)?shù)某叽纭?br>[0045] (介電體陶瓷層的陶瓷組成）
[0046] 上述的介電體陶瓷層的組成沒有特別的限定，優(yōu)選為下述所示的組成范圍的組 成，即，將AB化(其中，表示A位點(diǎn)至少包含Ba并且B位點(diǎn)至少包含Ti的巧鐵礦型結(jié)晶）作為主 成分，并且作為副原料相對(duì)于IOOmol的AB03含有WMgO換算為0.0 lmol W上且2. OOmol W下 的Mg、WR2〇3換算為0.20molW上且l.OOmolW下的R的氧化物（其中，R為選自Y、Dy、Ho、化、 山、6(1^及化中的至少1種）、0.40111〇1^上且2.00111〇1^下的8102、^1110換算為超過0.00111〇1 且小于0.50mol的Mn的氧化物、WV2〇日換算為0.0 lmol W上且0.50mol W下的V的氧化物。
[0047] (層疊陶瓷電容器的制造）
[0048] 在制造運(yùn)樣的層疊陶瓷電容器10時(shí)，可W通過介電體陶瓷膏體的制作、內(nèi)部電極 膏體的制作、印刷、層疊、切割等公知的方法來制作層疊體3的包含有機(jī)成分等狀態(tài)的巧體。 接著，為了碳化、燃燒有機(jī)成分等、燒結(jié)層疊體3而經(jīng)過脫粘結(jié)劑工序、燒成工序和再氧化工 序。然后，在燒結(jié)后的層疊體3的端面上形成外部電極4,從而完成層疊陶瓷電容器10。
[0049] (介電體陶瓷膏體）
[0050] 本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中的介電體陶瓷層用陶瓷膏體優(yōu)選使用平均粒徑為20nm~ IOOnm的介電體陶瓷粉末。通過將平均粒徑控制在該范圍內(nèi)，從而能夠制作致密的介電體生 巧薄片，并且在燒成工序中可W促進(jìn)介電體陶瓷粉末的顆粒生長，從而能夠制造本發(fā)明所 設(shè)及的結(jié)構(gòu)體。
[0051] (內(nèi)部電極膏體）
[0052] 本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中的內(nèi)部電極膏體中，作為導(dǎo)電性粉末的粒徑?jīng)]有特別的限 審IJ，優(yōu)選使用平均粒徑為50nm~200nm的導(dǎo)電性粉末。另外，為延遲導(dǎo)電性粉末的燒結(jié)行為 而作為輔助材料添加的介電體陶瓷粉末，優(yōu)選使用與在介電體陶瓷膏體中所使用的介電體 陶瓷粉末相同組成且平均粒徑為IOOnm~200nm左右的介電體陶瓷粉末。通過將輔助材料的 平均粒徑控制在該范圍內(nèi)，從而可W在燒成工序中，與介電體陶瓷層的介電體陶瓷粉末發(fā) 生反應(yīng)并在電極中斷部制造本發(fā)明所設(shè)及的結(jié)構(gòu)體。
[0053] 作為輔助材料的含量，優(yōu)選相對(duì)于導(dǎo)電性粉末為10% W上且30% W下。輔助材料 的含量是控制電極中斷部的比例的手段之一。作為輔助材料使用的原料粉末，優(yōu)選為球狀 且結(jié)晶性差的粉末，例如優(yōu)選為將鐵酸領(lǐng)粉末的結(jié)晶性控制在從X射線衍射強(qiáng)度中作為 (111)面的半峰寬化alf Wi化h)求得的值為0.200W上的粉末。如果粒徑大結(jié)晶性好的話， 在燒成工序中會(huì)與介電體陶瓷層的介電體陶瓷粉末發(fā)生反應(yīng)，從而晶粒難W生長變大。
[0054] 另外，在作為輔助材料添加入內(nèi)部電極膏體的介電體陶瓷粉末中，優(yōu)選添加副原 料至成為與介電體陶瓷層的同樣組成，添加的形態(tài)沒有特別的限制，例如有賠燒添加方式、 包覆、樹脂處理等方法。
[0055] (燒成工序）
[0056] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的燒成工序，本發(fā)明使用的內(nèi)部電極膏體的輔助材 料的粒徑大，因?yàn)闊o法期待導(dǎo)電性粉末的燒結(jié)行為延遲效果，所W采用特殊的熱壓燒結(jié)法。 但是，本發(fā)明的特征在于結(jié)構(gòu)體，只要是可W制造本發(fā)明結(jié)構(gòu)體的方法，則可W使用任何介 電體陶瓷膏體、內(nèi)部電極膏體、各種燒成方法，例如可W列舉漉道害燒成、熱等靜壓化Ot isos1:atic pressing)燒成、間歇式爐燒成等。
[0057] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的熱壓燒成裝置如圖2、圖3所示為連續(xù)式高速熱壓 燒成。
[0058] 如圖2所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的連續(xù)式高速熱壓燒成爐由加壓沖頭加熱 室20、加壓室21、沖頭22、工作臺(tái)23、加熱器24、推板25、接受板26構(gòu)成，層疊體樣品27置于高 強(qiáng)度板28之上，高強(qiáng)度板安裝于陶瓷臺(tái)29之上且沖頭22的底部。
[0059] 如圖3所示，本發(fā)明中的連續(xù)式高速熱壓燒成爐通過在加壓沖頭加熱室20中從 Iiocrc被加熱到1300°C的沖頭22和高強(qiáng)度板28對(duì)通過推板25被送到工作臺(tái)23并且放置于 陶瓷臺(tái)29和高強(qiáng)度板28上的層疊體樣品27進(jìn)行加壓加熱，從而進(jìn)行燒結(jié)。燒結(jié)后的層疊體 樣品通過接受板26送出至加壓室21之外。
[0060] 作為燒成條件，例如可W列舉升溫速度為7000°C/hW上且looooor/hW下，加壓 量為1. OMPa W上且SOMPa W下的條件。
[0061] 作為燒成氣氛，優(yōu)選在氮、氨W及水蒸氣共存的氣氛下氨濃度為大于0.1%且 4.0% W下進(jìn)行。如果氨濃度過高，則在脫粘結(jié)劑工序中殘留的碳在燒成工序中也會(huì)殘留， 并且再氧化條件會(huì)移到高溫側(cè)，因而不優(yōu)選。相反地，如果過低，則導(dǎo)電性粉末會(huì)發(fā)生氧化， 因而不優(yōu)選。
[0062] 作為上述的高強(qiáng)度板，可W列舉碳化鶴、碳化娃、氮化娃等抗熱沖擊性強(qiáng)并且彎曲 強(qiáng)度大的材料。從與樣品的反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用碳化娃。
[0063] 作為上述的加壓沖頭，可W列舉碳化娃、氮化侶等熱導(dǎo)率高的材料。從耐熱性、熱 導(dǎo)率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用碳化娃。
[0064] 作為上述的陶瓷臺(tái)，可W列舉穩(wěn)定化氧化錯(cuò)、氧化侶、氮化娃等熱導(dǎo)率低的材料。 從抗熱沖擊性、熱導(dǎo)率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用穩(wěn)定化氧化錯(cuò)、氮化娃。
[0065] 對(duì)進(jìn)行如此燒結(jié)的燒成之后的層疊體進(jìn)行再氧化處理。在再氧化處理中，在熱壓 裝置內(nèi)進(jìn)行加壓，另外，也可W用其它的間歇爐、連續(xù)爐等來進(jìn)行。另外，通常來說在將氧分 壓控制在l(T 8atm~l(T4atm的范圍內(nèi)的氮和水蒸氣的共存氣氛下進(jìn)行。另外，優(yōu)選在保持溫 度為8〇o°c~Iiocrc的范圍內(nèi)進(jìn)行。如果退火時(shí)的保持溫度小于上述的溫度范圍，則因?yàn)榻?電體材料的再氧化不充分，所W會(huì)有絕緣電阻W及壽命特性降低的情況。另外，如果超過上 述的范圍，則難W獲得本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
[0066] 運(yùn)樣，對(duì)使用上述介電體陶瓷膏體和內(nèi)部電極膏體制得的層疊體通過上述熱處理 工序、再氧化工序能夠制得本發(fā)明的結(jié)構(gòu)體。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)體所設(shè)及的形態(tài)用圖4來進(jìn)行說 明。
[0067] 圖4是圖1的層疊陶瓷電容器的示意截面圖的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一部分放大圖。
[0068] -般地，如果放大層疊陶瓷電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面，則如圖4所示，由介電體陶 瓷層1、內(nèi)部電極層2構(gòu)成，內(nèi)部電極層2由電極中斷部和導(dǎo)電性成分部33構(gòu)成。進(jìn)一步電極 中斷部由形成介電體陶瓷層1的介電體陶瓷顆粒、或者由此類推的由陶瓷顆粒所構(gòu)成的陶 瓷部34和不存在導(dǎo)電性成分或陶瓷顆粒的間隙部35中的至少一者構(gòu)成。
[0069] 另外，在電極中斷部的陶瓷部分34中，介電體陶瓷顆粒36或添加材料副成分的偏 析氧化物顆粒、由介電體陶瓷顆粒主相變化而來的陶瓷顆粒、玻璃成分等各種顆粒混在一 起。在此介電體陶瓷顆粒是顯示鐵電性的陶瓷顆粒，陶瓷顆粒是指也包括狀態(tài)不明物在內(nèi) 的陶瓷顆粒全體。
[0070] 在此，在電極中斷部的陶瓷層34的一部分中，具備介電體陶瓷顆粒37,它不止局限 于內(nèi)部電極層2內(nèi)，還與夾著介電體陶瓷層1鄰接的內(nèi)部電極層2中的至少一個(gè)相接觸。
[0071] 另外，上述電極中斷部的介電體陶瓷顆粒37優(yōu)選為與WAB化(其中，表示A位點(diǎn)至 少包含Ba并且B位點(diǎn)至少包含Ti的巧鐵礦型晶體)作為主成分的介電體陶瓷層1的主相顆粒 同種的陶瓷顆粒。
[0072] 圖5~圖8列舉了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的電極中斷部的陶瓷部的結(jié)構(gòu)的 一部分。
[0073] 如圖5~圖8所示，如果有具備介電體陶瓷顆粒37的陶瓷部，則在熱處理工序中內(nèi) 部電極層的導(dǎo)電性成分燒結(jié)W后，相對(duì)于要球狀化的能量，介電體陶瓷層被牢固地固定，從 而抑制了導(dǎo)電性成分的球狀化，內(nèi)部電極層得W實(shí)質(zhì)性的薄層化;其中，上述介電體陶瓷顆 粒37不止局限于內(nèi)部電極層2(圖4)中的導(dǎo)電性成分部33內(nèi)，還與夾著介電體陶瓷層1鄰接 的內(nèi)部電極層2的導(dǎo)電性成分33中至少一者相連接。
[0074] 另外，如圖5~圖8所示，上述介電體陶瓷顆粒37由于與WAB03(其中，表示A位點(diǎn)至 少包含Ba并且B位點(diǎn)至少包含Ti的巧鐵礦型結(jié)晶）作為主相的介電體陶瓷層1的主相顆粒為 同種的成分，所W其與介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆粒的粘結(jié)強(qiáng)度強(qiáng)，可W抑制在燒成、再 氧化工序中內(nèi)部電極層的導(dǎo)電性成分燒結(jié)之后的球狀化，并可抑制裂紋W及脫層的發(fā)生， 其中，該介電體陶瓷顆粒37不止局限于內(nèi)部電極層2(圖4)中的導(dǎo)電性成分部33內(nèi)，還與夾 著介電體陶瓷層1鄰接的內(nèi)部電極層2的至少一個(gè)相接觸。
[0075] 進(jìn)一步，晶粒生長變大的介電體陶瓷顆粒通過夾在內(nèi)部電極層之間從而層疊體的 強(qiáng)度提高，并且可W減少因內(nèi)部電極層中的導(dǎo)電性成分的球狀化引起的空隙，因此，層疊體 的密度提高，抗彎強(qiáng)度提高。
[0076] 另外，如圖5~圖8所示，上述介電體陶瓷顆粒37與電極中斷部的導(dǎo)電性成分部33 的電極端部相接觸，進(jìn)一步與相對(duì)的電極至少一個(gè)相接觸，因此W無空隙部的方式用介電 體陶瓷顆粒夾住內(nèi)部電極層，從而可W有效抑制在內(nèi)部電極層和介電體陶瓷層的界面發(fā)生 的脫層，其中，該介電體陶瓷顆粒37不止局限于內(nèi)部電極層2中的導(dǎo)電性成分部33內(nèi)，還與 夾著介電體陶瓷層1鄰接的內(nèi)部電極層2中的導(dǎo)電性成分部33的至少一者相接觸。
[0077] 進(jìn)一步，從正交于層疊體的層疊方向的方向觀察截面，優(yōu)選具有介電體陶瓷顆粒 37的電極中斷部在內(nèi)部電極層2中占有的比例為5% W上且15% W下。
[0078] 本發(fā)明的電極中斷部的結(jié)構(gòu)為構(gòu)成現(xiàn)有的電極中斷部的要素，與空隙或偏析顆粒 或晶粒異常生長的陶瓷顆粒不同，由與介電體陶瓷層主相顆粒同樣的晶體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，與夾 著介電體陶瓷層相對(duì)的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸，并W5% W上15% W下較少的比例 含有，從而顯著表現(xiàn)裂紋W及脫層的抑制的效果W及抗彎強(qiáng)度提高的效果。
[0079] 在此，本發(fā)明所設(shè)及的電極中斷部在內(nèi)部電極層2中所占的比例是指相對(duì)于觀察 視野中內(nèi)部電極層2的總長度而言，電極中斷部的總長度的比例?？傞L度為相對(duì)于內(nèi)部電極 層2厚度水平地延伸中屯、線，求出該中屯、線長度W及水平線上電極中斷部的長度。
[0080] 另外，在電極中斷部的一部分中存在的介電體陶瓷顆粒的形狀優(yōu)選具有不定形的 形狀。
[0081] 在此，顆粒形狀為不定形狀是指，在相對(duì)于層疊面垂直地切開截面來觀察層疊型 電子部件時(shí)所觀察到的介電體陶瓷顆粒的截面形狀不是圓形、正方形、長方形運(yùn)樣具有規(guī) 則性的簡單的形狀，而是W不規(guī)則間隔具有頂點(diǎn)、邊的形狀，優(yōu)選多角形狀。
[0082] 如上所述通過顆粒形狀為不定形，從而顆粒間的接觸面積增多，提高顆粒間的粘 結(jié)強(qiáng)度，可W用電極中斷部牢固地固定住內(nèi)部電極層，并可有效地抑制裂紋W及脫層的發(fā) 生。
[0083] 根據(jù)達(dá)成W上結(jié)構(gòu)，在內(nèi)部電極層2的平均厚度為0.5皿W下的層疊型陶瓷電子部 件中，與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，大幅改善了脫層的發(fā)生W及抗彎強(qiáng)度。
[0084] W上針對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式作了說明，但是本發(fā)明絲毫不限定于上述的實(shí)施 方式，例如也可W在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變并適用于層疊忍片熱敏電 阻、層疊型電感元件、層疊型壓電元件、層疊型變阻器等的層疊型陶瓷電子部件中。
[0085] 實(shí)施例
[0086] W下基于實(shí)施例來更加詳細(xì)地說明本發(fā)明，可W在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi) 進(jìn)行各種變更。
[0087] (介電體陶瓷粉末的合成）
[008引在原料中使用BaC03、CaC03、Ti02、Zr02分別調(diào)節(jié)至成為Ba: Ca為96:4，Ti :化為94:6 的元素比，在700°C的大氣中燒成之后用珠磨機(jī)粉碎，得到50nm的錯(cuò)鐵酸領(lǐng)巧顆粒。
[0089] 另外相對(duì)于IOOmol的上述記載的錯(cuò)鐵酸領(lǐng)巧，準(zhǔn)備組成成為0.1mol Mg、 0.2molMn、0.1molV、0.8molY、1.3molSi、0.7molBa、0.5molCa 的副原料。作為原料 Mg 使用 MgO、Mn使用MnC〇3、V使用V205、Y使用￥2〇3、51、8曰、化分別使用51〇2、8曰0)3、化0)3，通過將它們 混合、粉碎、般燒，從而準(zhǔn)備為玻璃狀微粉末。
[0090] (內(nèi)部電極膏體的制作）
[0091] 準(zhǔn)備Ni粉末(平均粒徑為150皿）、通過用上述方法將般燒溫度改為800°C從而制作 的平均粒徑為150nm錯(cuò)鐵酸領(lǐng)巧類介電體陶瓷粉末、作為副原料W成為與介電體陶瓷粉末 相同構(gòu)成的各種樹脂酸鹽和有機(jī)載體。
[0092] 將Ni粉末、錯(cuò)鐵酸領(lǐng)巧類的介電體陶瓷粉末、副原料的各種樹脂酸鹽，有機(jī)載體用 均相混合機(jī)混合后，用超聲波均化器進(jìn)行30分鐘分散處理。
[0093] 接著，用蒸發(fā)器使溶劑一定程度地蒸發(fā)，使膏體中的無機(jī)固體成分濃度成為40% 質(zhì)量W后，用S漉磨進(jìn)行混煉，調(diào)整粘度并制作。
[0094] (層疊陶瓷電容器的制作）
[0095] 首先，為了形成構(gòu)成介電體陶瓷層的介電體生巧薄片，準(zhǔn)備了含有錯(cuò)鐵酸領(lǐng)巧類 介電體陶瓷粉末的介電體陶瓷層用膏體。
[0096] 介電體陶瓷層用膏體是通過將上述介電體陶瓷粉末與有機(jī)載體用均相混合機(jī)混 合后，與分散劑混合，并使用0.5mm的氧化錯(cuò)珠粉碎混合16小時(shí)來制成的。
[0097] 然后，使用該介電體陶瓷層用膏體，通過狹縫模具式涂布法在作為支撐體的載體 薄膜上形成介電體生巧薄片。
[0098] 接著，為了形成內(nèi)部電極層而使用上述的內(nèi)部電極膏體，用絲網(wǎng)印刷在介電體生 巧薄片上形成內(nèi)部電極圖案并進(jìn)行干燥。
[0099] 進(jìn)一步，在內(nèi)部電極圖案間的凹部涂布用于空白用介電體膏體并進(jìn)行干燥。W此 準(zhǔn)備內(nèi)層用生巧薄片。
[0100] 另外，在內(nèi)層用生巧薄片之外，準(zhǔn)備了在載體薄膜上僅形成有介電體生巧薄片的 外層用生巧薄片。
[0101] 接著，在外層用生巧薄片上層疊內(nèi)層用生巧薄片，之后剝離了載體薄膜。
[0102] 進(jìn)一步，反復(fù)層疊內(nèi)層用生巧薄片，反復(fù)此操作至規(guī)定層疊數(shù)。最后層疊外層用生 巧薄片W后，進(jìn)行熱壓從而得到燒成前的層疊體。
[0103] 使用切割機(jī)來切割所獲得的層疊體。
[0104] 接著，WO. Imm的間隔將上述切割后的單片化后的層疊體排列于高強(qiáng)度板上，與高 強(qiáng)度板一起進(jìn)行脫粘結(jié)劑。
[0105] 在本實(shí)施例中，作為高強(qiáng)度板使用了碳化娃。
[0106] 脫粘結(jié)劑條件為:在氨濃度4.0%的加濕后的氮氨混合氣體中將保持溫度設(shè)定為 800°C，將保持時(shí)間設(shè)定為12小時(shí)。升溫速度沒有特別的限制，一直進(jìn)行至殘留碳量成為0.1 質(zhì)量下。
[0107] 使用圖2所示的熱壓燒成裝置，W約86400°C/h的升溫速度、1160°C的燒成溫度、 IOM化的加壓量的燒成條件燒結(jié)所獲得的高強(qiáng)度板上的脫粘結(jié)劑后的層疊體忍片。
[0108] 燒成時(shí)的氣氛設(shè)為加濕后的氮和氨的混合氣體，并且氧分壓為ICTiiatm。
[0109] 作為上述的熱壓燒成裝置的夾具材料種類，在本實(shí)施例中作為加壓沖頭使用碳化 娃，作為陶瓷臺(tái)使用氮化娃。
[0110] 對(duì)運(yùn)樣燒結(jié)后的層疊體進(jìn)行再氧化處理。在本發(fā)明中用無加壓的間歇式爐在控制 在l(T5atm的氮和水蒸氣共存的氣氛下進(jìn)行再氧化處理。另外，保持溫度為1050°C。
[0111] 對(duì)所制得的層疊體(燒結(jié)體忍片）用滾筒研磨(barrel milling)進(jìn)行端面研磨，燒 附化端子電極用膏體形成端子電極，并形成了具有本發(fā)明的結(jié)構(gòu)體的層疊陶瓷電容器。
[0112] (層疊陶瓷電容器的評(píng)價(jià)）
[0113] 對(duì)所制得的層疊陶瓷電容器通過W下的評(píng)價(jià)方法評(píng)價(jià)了構(gòu)成電極中斷部的陶瓷 部的顆粒形狀、組成、陶瓷部的比例、脫層發(fā)生數(shù)量、裂紋產(chǎn)生數(shù)量、抗彎強(qiáng)度。
[0114] (構(gòu)成陶瓷部的陶瓷顆粒的顆粒形狀的評(píng)價(jià)）
[0115] 使用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM) W5000倍倍率觀察所得到的層疊陶瓷電容 器的截面，選定電極中斷部的陶瓷部W后，W30000倍W及40000倍的倍率評(píng)價(jià)構(gòu)成顆粒形 狀。
[0116] 在本實(shí)施例中，關(guān)于所有評(píng)價(jià)樣品，確認(rèn)了在電極中斷部中存在不止局限于內(nèi)部 電極層內(nèi)，還與夾著介電體陶瓷層鄰接的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸的陶瓷顆粒。
[0117] (構(gòu)成陶瓷部的陶瓷顆粒的組成的評(píng)價(jià)）
[0118] 用STCM觀察所制得的層疊陶瓷電容器的截面的陶瓷部的陶瓷顆粒，并進(jìn)行X射線 能量分散譜化DS)分析，評(píng)價(jià)與本發(fā)明相關(guān)的陶瓷顆粒的組成。
[0119] 在本實(shí)施例中，確認(rèn)了評(píng)價(jià)的所有的不止局限于內(nèi)部電極層內(nèi)的與夾著介電體陶 瓷層鄰接的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸的陶瓷顆粒為與介電體陶瓷層的主相顆粒同樣 是介電體陶瓷顆粒。
[0120] (內(nèi)部電極層厚度的評(píng)價(jià)）
[0121] 用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM) W2500倍倍率觀察所制得的層疊陶瓷電容器 的截面，并評(píng)價(jià)了內(nèi)部電極層厚度。
[0122] 在本實(shí)施例中，對(duì)于所有的評(píng)價(jià)樣品，確認(rèn)了觀察視野中的內(nèi)部電極層厚度的平 均值為0.5皿W下。
[0123] (電極中斷部的比例評(píng)價(jià)）
[0124] 用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM) W2500倍倍率觀察制得的層疊陶瓷電容器的 截面，評(píng)價(jià)電極中斷部的比例。在此，后述表1、表2所示的電極中斷部是指在含有下述介電 體陶瓷顆粒的電極中斷部，即，觀察相對(duì)于層疊體的層疊方向正交的切割面時(shí)，具有比介電 體陶瓷層的厚度更厚、與形成介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆粒同種晶體結(jié)構(gòu)、且與夾著介 電體陶瓷層相對(duì)的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸的介電體陶瓷顆粒。
[0125] 在此，電極中斷部在內(nèi)部電極層中所占的比例是上述記載的觀察倍率下的視野中 的作為電極中斷部的長度相對(duì)于內(nèi)部電極層的長度的比例。內(nèi)部電極層W及電極中斷部的 長度為，相對(duì)于內(nèi)部電極層的厚度水平地劃出中屯、線，內(nèi)部電極層的長度作為該水平線上 的長度之和求得，電極中斷部的長度也由水平線上電極中斷部的長度之和求得。
[0126] (結(jié)構(gòu)缺陷的評(píng)價(jià)）
[0127] 使用激光顯微鏡(奧林己斯制造）W20倍倍率觀察所制得的層疊陶瓷電容器的六 個(gè)表面W及可觀察到外部電極的截面，評(píng)價(jià)裂紋的產(chǎn)生數(shù)W及脫層的發(fā)生數(shù)。
[0128] (抗彎強(qiáng)度試驗(yàn)）
[0129] 對(duì)于所制得的層疊陶瓷電容器，測定=點(diǎn)彎曲強(qiáng)度。測定條件為，支點(diǎn)間距離L = 0.5mm、載荷速度=lmm/sec，算出破壞時(shí)的載荷P W及從下式算出的層疊型陶瓷電容器的抗 彎強(qiáng)度F。
[0130] F=(3XPXL)/(2XwXt^)
[0131] 其中，W為層疊型陶瓷電容器的寬度;t為層疊型陶瓷電容器的厚度。測定100個(gè)層 疊型陶瓷電容器的抗彎強(qiáng)度F并求其平均值。
[0132] (靜電容量的測定）
[0133] 針對(duì)所制得的層疊陶瓷電容器10忍片使用LCR測試儀化P公司制造，4284A)在 1曲z、l.OVrms的條件下測定靜電容量，并用平均值進(jìn)行比較評(píng)價(jià)。
[0134] 圖9示出了實(shí)施例1的電極中斷部的陶瓷部的截面觀察FE-SEM像。如圖9所示，可W 確認(rèn)在內(nèi)部電極層的電極中斷部，存在比介電體陶瓷層厚度更大的介電體陶瓷顆粒37,其 與夾著介電體陶瓷層相對(duì)的內(nèi)部電極層的導(dǎo)電性成分部33的至少一個(gè)相接觸。
[0135] 實(shí)施例2W及實(shí)施例3的樣品由與實(shí)施例1同樣的工序制作得到，為了減薄內(nèi)部電 極層厚度，減少內(nèi)部電極膏體的印刷附著量，進(jìn)一步為了調(diào)整電極中斷部的比例等，在實(shí)施 例2中將燒成保持溫度設(shè)為1130°C、加壓量設(shè)為20MPa、再氧化處理保持溫度設(shè)為1000°C。
[0136] 另外，在實(shí)施例3中將燒成保持溫度設(shè)為114(TC、加壓量設(shè)為15MPa、再氧化處理溫 度設(shè)為IOOCTC，從而制作了樣品。
[0137] (比較例）
[0138] 比較例1為用專利文獻(xiàn)1所示的方法制作的樣品，在使用了專利文獻(xiàn)1中記載的各 種材料、粉末的情況下，由于內(nèi)部電極層厚度不到0.5皿W下，所W使用W下所示的介電體 陶瓷材料、內(nèi)部電極膏體來制作。
[0139] 作為介電體陶瓷材料，使用平均粒徑為200nm的鐵酸領(lǐng)顆粒，作為材料組成，相對(duì) 于IOOmol的鐵酸領(lǐng)，1旨^1旨0換算為1.〇111〇1、￥的氧化物^￥2〇3換算為0.6〇111〇1、51〇2為 0. SOmol、Mn的氧化物WMnO換算為0. SOmol、V的氧化物WV2〇5換算為0.20mol。
[0140] 使用上述介電體陶瓷材料、組成用與實(shí)施例相同的方法，制作介電體陶瓷層用膏 體。
[0141] 作為內(nèi)部電極膏體，使用Ni粉末(平均粒徑為150nm)和20nm的鐵酸領(lǐng)用與實(shí)施例 相同的方法制作膏體。
[0142] 使用上述介電體陶瓷層用膏體與內(nèi)部電極膏體，用與實(shí)施例相同的方法進(jìn)行印 巧IJ、層疊、切割、脫粘結(jié)劑。
[0143] 將用W上的方法制作的、脫粘結(jié)劑后的樣品WeootVh的升溫速度、在120(TC下進(jìn) 行燒成，之后的工序與實(shí)施例相同。
[0144] 圖10示出了比較例1的截面觀察FE-SEM像。結(jié)構(gòu)本身得到了專利文獻(xiàn)1中提及結(jié)構(gòu) 的結(jié)構(gòu)，不能確認(rèn)到本發(fā)明所設(shè)及的電極中斷部。
[0145] 比較例2為用專利文獻(xiàn)2所示的方法制作的樣品，在使用了專利文獻(xiàn)2中記載的內(nèi) 部電極膏體的情況下，內(nèi)部電極層厚度不到〇.5miW下，所W使用W下所示的介電體陶瓷材 料和內(nèi)部電極膏體來制作。
[0146] 作為介電體陶瓷材料，使用平均粒徑為200nm的鐵酸領(lǐng)顆粒，作為材料組成，相對(duì) 于IOOmol的鐵酸領(lǐng)，MgWMg0換算為1.9mol、Y的氧化物WY203換算為0.54mol、BaSi03為 0.50mol、Cr的氧化物WCr2〇3換算為0.21mol、V的氧化物WV2〇5換算為0.0 Smol。
[0147] 使用上述的介電體陶瓷材料、組成用與實(shí)施例相同的方法，制作了介電體陶瓷層 用膏體。
[0148] 作為內(nèi)部電極膏體，使用Ni粉末(平均粒徑為150nm)，20nm的鐵酸領(lǐng)，用與實(shí)施例 相同的方法制作膏體。
[0149] 使用上述介電體陶瓷層用膏體與內(nèi)部電極膏體，用與實(shí)施例相同的方法進(jìn)行印 巧IJ、層疊、切割、脫粘結(jié)劑。
[0150] 將用W上的方法制作的脫粘結(jié)劑后的樣品WeootVh的升溫速度、在120(TC下進(jìn) 行燒成，之后的工序與實(shí)施例相同。
[0151] 在W上的方法中，結(jié)構(gòu)本身得到專利文獻(xiàn)2中提及的結(jié)構(gòu)，針狀顆粒是Ba-Ti-Mg-Ni-化相的氧化物，但是不能確認(rèn)到本發(fā)明所設(shè)及的電極中斷部。
[0152] 表1示出了實(shí)施例1、實(shí)施例2、實(shí)施例3W及比較例1、比較例2有關(guān)的評(píng)價(jià)結(jié)果。
[0153] [表 1]
[0154]
[0155] 如表1的實(shí)施例1所示，根據(jù)本發(fā)明所制備的存在不止局限于內(nèi)部電極層內(nèi)的、與 夾著介電體陶瓷層鄰接的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸的介電體陶瓷顆粒的樣品，即使在 成為0.5皿W下的內(nèi)部電極層厚度的情況下，裂紋的產(chǎn)生數(shù)目、脫層的發(fā)生數(shù)目與現(xiàn)有的技 術(shù)相比也能大幅改善，抗彎強(qiáng)度也得W提高。
[0156] 實(shí)施例2與實(shí)施例3的樣品是在電極中斷部中存在不止局限于內(nèi)部電極層內(nèi)的、與 夾著介電體陶瓷層鄰接的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸、不夾著空隙與導(dǎo)電性成分部分端 部相接觸、晶粒生長為比形成介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆粒大的介電體陶瓷顆粒的樣 品。雖然內(nèi)部電極層極度薄層化至0.3WH，在再氧化工序時(shí)導(dǎo)電性成分變得容易球狀化，但 如表1所示在100個(gè)樣本中并未觀察到脫層、裂紋產(chǎn)生數(shù)目。
[0157] 另外，在實(shí)施例2與實(shí)施例3中，靜電容量提升了 10%左右。在實(shí)施例2中電極中斷 部的比例也做出了貢獻(xiàn)，在實(shí)施例3中確認(rèn)了電極中斷部的比例W同等程度提高靜電容量。 運(yùn)是因?yàn)橥ㄟ^配置由下述的一個(gè)顆粒構(gòu)成的介電體顆粒，從而可W取得更大的容量，其中， 該一個(gè)顆粒與形成在電極中斷部的內(nèi)部電極端部相接觸，從而跨坐形成有電極中斷部的內(nèi) 部電極層和夾著介電體陶瓷層相對(duì)的內(nèi)部電極層的電極面。
[0158] 在實(shí)施例4~實(shí)施例9中，為了觀察電極中斷部的比例的效果，制作了控制電極中 斷部比例的樣品。其中，電極中斷部的比例是從相對(duì)于層疊體的層疊方向看，含有比介電體 陶瓷層的厚度更大、具有與形成介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆粒同種的晶體結(jié)構(gòu)、且與夾 著介電體陶瓷層相對(duì)的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸的介電體陶瓷顆粒的電極中斷部的 比例。
[0159] 在本發(fā)明所設(shè)及的電極中斷部比例的控制中，通過內(nèi)部電極膏體中含有的粒徑為 150nm的錯(cuò)鐵酸領(lǐng)巧類介電體陶瓷粉末的添加量、W及燒成、再氧化工序條件的調(diào)整來進(jìn) 行。
[0160] 另外，配合內(nèi)部電極膏體中的介電體陶瓷粉末的添加量，并適當(dāng)調(diào)整內(nèi)部電極膏 體附著量，至內(nèi)部電極厚度成為0.3皿。
[0161] 將實(shí)施例4和實(shí)施例6~實(shí)施例9中的燒成保持溫度設(shè)為1140°C，在實(shí)施例5中設(shè)為 113(TC。
[0162] 實(shí)施例4與實(shí)施例5的加壓量設(shè)為20MPa，實(shí)施例6與實(shí)施例7的加壓量設(shè)為15MPa， 實(shí)施例8與實(shí)施例9的加壓量設(shè)為lOMPa。
[0163] 將實(shí)施例4~實(shí)施例9中的再氧化工序的保持溫度設(shè)為950°C。
[0164] 將實(shí)施例4~實(shí)施例9相關(guān)的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2中。
[01 化][表 2]
[0166]
[0167] 如表2所示，可W確認(rèn)在通過本發(fā)明所得到的在電極中斷部中存在不止局限于內(nèi) 部電極層內(nèi)、并與夾著介電體陶瓷層鄰接的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸的介電體陶瓷顆 粒的樣品中，如果有本發(fā)明所設(shè)及的電極中斷部在內(nèi)部電極層中占有的比例為5% W上且 15% W下的結(jié)構(gòu)，則裂紋的產(chǎn)生數(shù)在總體參數(shù)為1000的情況下，裂紋W及脫層的發(fā)生頻率 非常小。
[0168] 另外，觀察表2可W確認(rèn)到，如果本發(fā)明所設(shè)及的電極中斷部的比例增加，則裂紋 的產(chǎn)生數(shù)有若干增加，抗彎強(qiáng)度提升。運(yùn)是因?yàn)殡姌O中斷部是由本發(fā)明所設(shè)及的介電體陶 瓷顆粒構(gòu)成并且剛性上升，但如果電極中斷部變多，則考慮會(huì)不會(huì)內(nèi)部應(yīng)力變大而裂紋產(chǎn) 生數(shù)有若干增加。
[0169] 如上所述，在即使內(nèi)部電極層厚度薄至0.SwnW下，但具備有不止局限于內(nèi)部電極 層內(nèi)、并與夾著介電體陶瓷層鄰接的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸的介電體陶瓷顆粒的電 極中斷部的本發(fā)明中，可大幅抑制裂紋、脫層等的結(jié)構(gòu)缺陷，并提升抗彎強(qiáng)度。
[0170] 產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
[0171] 本發(fā)明所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件，即使內(nèi)部電極層厚度變得極薄，也能抑制 結(jié)構(gòu)缺陷并保證高可靠性。因此，作為薄層多層的電子部件的結(jié)構(gòu)非常有意義。本發(fā)明所設(shè) 及的層疊型陶瓷電子部件，例如如果是層疊陶瓷電容器，則可W制得容量高的層疊陶瓷電 容器。因此具有本結(jié)構(gòu)的層疊陶瓷電容器可W利用于各種通信設(shè)備類的去禪用途、波形成 形用途、過濾用途、平滑(濾波）用途、分流用途。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種層疊型陶瓷電子部件，其特征在于： 該層疊型陶瓷電子部件是一種內(nèi)部電極層與介電體陶瓷層交替層疊而成的層疊體， 所述內(nèi)部電極層具有電極中斷部， 在所述的電極中斷部的一部分中，在正交于層疊體的層疊方向的截面中，包含比所述 介電體陶瓷層厚度更大的介電體陶瓷顆粒， 所述介電體陶瓷顆粒具有與介電體陶瓷層中所含的介電體陶瓷顆粒同種的晶體結(jié)構(gòu)， 并且與夾著所述介電體陶瓷層而相對(duì)的內(nèi)部電極層的至少一個(gè)相接觸。2. 如權(quán)利要求1所述的層疊型陶瓷電子部件，其特征在于： 存在于所述電極中斷部的一部分的介電體陶瓷顆粒與所述電極中斷部上形成的導(dǎo)電 性成分部分的端部相接觸，并且晶粒生長為比形成所述介電體陶瓷層的所述介電體陶瓷顆 粒更大。3. 如權(quán)利要求1或2所述的層疊型陶瓷電子部件，其特征在于： 在正交于所述層疊體的層疊方向的截面中，具有所述介電體陶瓷顆粒的電極中斷部在 內(nèi)部電極層中所占的比例為5%以上且15%以下。
【文檔編號(hào)】H01G4/30GK105849836SQ201480071257
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2014年12月19日
【發(fā)明人】石田慶介, 遠(yuǎn)藤誠, 山口孝, 山口孝一
【申請(qǐng)人】Tdk株式會(huì)社