第二掃描線24、第三掃描線34、初始化電壓線22和網格驅動電壓線26’ a。第二導線可以包括數據線16、第一接觸金屬CMl和第二接觸金屬CM2。
[0104]TFT陣列基板200還可以包括驅動TFT Tl、存儲電容器Cst，以及諸如數據傳輸TFTT2、補償TFT T3、第一初始化TFT T4、第一發(fā)射控制TFT T5、第二發(fā)射控制TFT T6和第二初始化TFT T7的開關TFT。TFT陣列基板200還可以包括第一層間絕緣膜ILDl和第二層間絕緣膜ILD2。第一層間絕緣膜ILDl和第二層間絕緣膜ILD2被堆疊在開關TFT上。第一層間絕緣膜ILDl在存儲電容器Cst的第一電極Cl和第二電極C2之間。
[0105]圖5的TFT陣列基板200還包括焊盤區(qū)PA和/或密封區(qū)SA。焊盤區(qū)PA可以圍繞沿線A-A’和線B-B’截取的剖視圖中圖3的像素電路2被形成的區(qū)域。焊盤區(qū)PA可以包括至少一個焊盤113。焊盤區(qū)PA是用于驅動像素電路2和其它模塊的各種組件被安裝的區(qū)域。焊盤區(qū)PA可以包括例如驅動器集成電路(IC)、連接驅動器IC和像素電路2的焊盤113、以及扇出導線112。
[0106]驅動器IC可以包括用于供給數據信號的數據驅動器，并且還可以包括用于驅動像素電路2的各種功能單元。驅動器IC可以是例如被安裝在基板110上的玻璃上芯片(COG)。驅動器IC包括被電連接到基板110上的焊盤113的連接端子。焊盤113和連接端子可以例如通過導電粘接材料被粘合，并且可以包括導電球。導電粘接材料的示例包括各向異性導電膜和自組織導電膜。
[0107]焊盤113在基板110上，并且驅動器IC的連接端子連接到焊盤113。焊盤113被電連接到扇出導線112。如圖5所示，焊盤113可以在與扇出導線112不同的層上。在一個實施例中，焊盤113可以從扇出導線112延伸，并且可以與扇出導線112在同一層上。焊盤113可以是包括Al、Cu、Ag和Ti中的至少一種的單層或多層。
[0108]扇出導線112可以將焊盤113連接到像素電路2。例如，扇出導線112可以與例如驅動柵電極G1、數據傳輸柵電極G2、補償柵電極G3、第一初始化柵電極G4、第一發(fā)射控制柵電極G5、第二發(fā)射控制柵電極G6和第二初始化柵電極G7的柵電極、存儲電容器Cst的第一電極Cl、第一至第三掃描線14、24和34或者發(fā)射控制線15相同的層上，并包括相同的材料。因此，扇出導線112可以在柵絕緣膜GI上。
[0109]包括第九接觸孔59的第一層間絕緣膜ILDl可以在扇出導線112上。在這種情況下，焊盤113可以通過第九接觸孔59被連接到扇出導線112。扇出導線112具有被連接到焊盤113的一側和被連接到像素電路2的另一側，從而從驅動器IC向像素電路2傳輸信號。
[0110]密封區(qū)SA包括用于密封包括像素電路2的區(qū)域的密封材料。密封區(qū)SA可以包圍包括至少一個像素電路2的區(qū)域。并且，密封區(qū)SA可以在像素電路2被形成的區(qū)域與焊盤區(qū)PA之間。
[0111]密封區(qū)SA可以不包括第二層間絕緣膜ILD2，例如當第二層間絕緣膜ILD2包括有機材料時。例如，當第二層間絕緣膜ILD2包括有機材料時，第二層間絕緣膜ILD2可能在被設置于密封區(qū)SA中的密封材料通過激光束被硬化時被損壞。
[0112]因此，基板110、緩沖層111、柵絕緣膜G1、扇出導線112和第一層間絕緣膜ILDI可以以所列出的次序被順序堆疊在密封區(qū)SA中?？商娲?，緩沖層111、柵絕緣膜G1、扇出導線112和第一層間絕緣膜ILDl中的至少一個可以不被設置在密封區(qū)SA中。
[0113]圖6A至圖6D示出了用于制造例如可以是TFT陣列基板100或200的TFT陣列基板的方法的一個實施例的各階段。出于例示目的，該方法將被描述為用于制造圖5中的TFT陣列基板200。
[0114]參考圖6A，多個TFT (例如驅動TFT Tl、數據傳輸TFT T2、補償TFT T3、第一初始化TFT T4、第一發(fā)射控制TFT T5、第二發(fā)射控制TFT T6和第二初始化TFT T7)被形成在基板110上。
[0115]首先，TFT的半導體層(例如，驅動半導體層Al、數據傳輸半導體層A2、補償半導體層A3、第一初始化半導體層A4、第一發(fā)射控制半導體層A5、第二發(fā)射控制半導體層A6和第二初始化半導體層A7)被形成，然后柵絕緣膜GI被形成在半導體層上。
[0116]半導體層可以由半導體(例如，非晶硅或晶體硅)形成，并且可以通過各種沉積方法中的一種形成。晶體硅可以例如通過使非晶硅結晶來形成。使非晶硅結晶的方法的示例包括快速熱退火(RTA)法、固相晶化(SPC)法、準分子激光退火(ELA)法、金屬誘導晶化(MIC)法、金屬誘導橫向晶化(MILC)法和連續(xù)橫向固化(SLS)法。半導體層可以通過光刻工藝被圖案化。
[0117]柵絕緣膜GI使半導體層和將被形成在半導體層上的柵電極(例如，驅動柵電極G1、數據傳輸柵電極G2、補償柵電極G3、第一初始化柵電極G4、第一發(fā)射控制柵電極G5、第二發(fā)射控制柵電極G6和第二初始化柵電極G7)彼此絕緣。柵絕緣膜GI可以被形成在基板110的整個表面上，同時覆蓋半導體層。
[0118]柵絕緣膜GI可以包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。在一個實施例中，柵絕緣膜GI可以包括SiNx、Si02、HfO或A10。柵絕緣膜GI可以通過諸如濺射法、化學氣相沉積(CVD)法和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)法的各種沉積方法中的一種來形成。
[0119]然后，柵電極被形成在柵絕緣膜GI上，以至少部分地重疊半導體層。并且，第一至第三掃描線14、24和34、發(fā)射控制線15、初始化電壓線22、網格驅動電壓線26’和扇出導線112可以與柵電極同時形成。柵電極可以由Mo、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、T1、W和Cu中的至少一種形成。
[0120]然后，源電極(例如，驅動源電極S1、數據傳輸源電極S2、補償源電極S3、第一初始化源電極S4、第一發(fā)射控制源電極S5、第二發(fā)射控制源電極S6和第二初始化源電極S7)和漏電極(例如，驅動漏電極D1、數據傳輸漏電極D2、補償漏電極D3、第一初始化漏電極D4、第一發(fā)射控制漏電極D5、第二發(fā)射控制漏電極D6和第二初始化漏電極D7)可以通過使用柵電極作為掩模在半導體層的端部注入雜質來形成。在一個實施例中，三價摻雜劑(例如，硼(B))可以作為雜質被加入。并且，源電極和漏電極可以包括例如P型導電材料。當五價雜質(例如，磷(P)、砷(As)或銻(Sb))作為雜質被加入時，源電極和漏電極可以包括η型導電材料。
[0121]然后，第一層間絕緣膜ILDl被形成在基板110的整個表面上，以覆蓋柵電極、發(fā)射控制線15和扇出導線112。第一層間絕緣膜ILDl可以是由有機材料或無機材料形成的單層膜，或者可以具有這樣的單層的堆疊結構。在一個實施例中，第一層間絕緣膜ILDl可以由SiNx, S12, HfO或AlO形成。在一個實施例中，第一層間絕緣膜ILDl可以具有SiNx/S1y或S1y/SiNx的雙層結構。第一層間絕緣膜ILDl可以通過諸如濺射法、CVD法和PECVD法的各種沉積方法中的一種來形成。
[0122]參考圖6B，包括開口 60的第二層間絕緣膜ILD2被形成。首先，初步-第二層間絕緣膜被形成在基板110的整個表面上。初步-第二層間絕緣膜可以是由有機材料或無機材料形成的單層膜，或者可以具有這種單層的堆疊結構。在一個實施例中，初步-第二層間絕緣膜可以由聚丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂和BCB中的至少一種形成。
[0123]初步-第二層間絕緣膜可以基于形成初步-第二層間絕緣膜的材料通過旋涂法、印刷法、濺射工藝、CVD工藝、原子層沉積(ALD)工藝、PECVD工藝、高密度等離子體(HDP)-CVD工藝或真空沉積工藝形成。
[0124]然后，開口 60被形成在存儲電容器Cst的第二電極C2要被形成的區(qū)域中。密封區(qū)SA和焊盤區(qū)PA中的初步-第二層間絕緣膜通過諸如濕刻工藝、干刻工藝或它們的組合的各種蝕刻工藝中的一種被去除。
[0125]參考圖6C，穿過第一層間絕緣膜ILDl的第一至第九接觸孔51至59被形成。第一至第九接觸孔51至59可以通過使用掩模的圖案化工藝和蝕刻工藝形成。蝕刻工藝可以是濕刻工藝、干刻工藝或它們的組合。
[0126]參考圖6B所描述的形成開口 60的次序和參考圖6C所描述的形成第一至第九接觸孔51至59的次序可以被改變。如果第一至第九接觸孔51至59被首先形成，第一至第九接觸孔51至59在第一層間絕緣膜ILDl中的寬度可以小于在第二層間絕緣膜ILD2中的寬度。
[0127]參考圖6D，存儲電容器Cst的第二電極C2被形成在第二層間絕緣膜ILD2的開口60中。然后，第二接觸金屬CM2被形成在第二層間絕緣膜ILD2的上表面上，并且焊盤113被形成在焊盤區(qū)PA中。
[0128]然后，覆蓋存儲電容器Cst和第二接觸金屬CM2的平坦化層PL被形成在像素電路區(qū)域中。然后，暴露第二接觸金屬CM2的通孔VIA被形成。通過通孔VIA被連接到第二接觸金屬CM2的像素電極121被形成在平坦化層PL上。
[0129]圖7示出了有機發(fā)光顯示裝置1001的另一實施例，并且圖8是有機發(fā)光顯示裝置1001的剖視圖。參考圖7和圖8，有機發(fā)光顯示裝置1001可以包括TFT陣列基板100和200中的任何一個。
[0130]有機發(fā)光顯示裝置1001包括第一導線和第二導線。第一導線與基板110上的驅動TFT Tl的驅動柵電極Gl和存儲電容器Cst的第一電極Cl在同一層上。第二導線與第一導線絕緣，并至少部分地重疊第一導線。第一層間絕緣膜ILDl和第二層間絕緣膜ILD2被堆疊在第一導線和第二導線之間。第一層間絕緣膜ILDl在存儲電容器Cst的第一電極Cl和第二電極C2之間。
[0131 ] 在圖7和圖8中，第一導線對應于發(fā)射控制線15，并且第二導線對應于驅動電壓線26。在一個實施例中，第一導線可以包括與驅動柵電極Gl被設置在同一層上的第一掃描線14、第二掃描線24、第三掃描線34、初始化電壓線22和網格驅動電壓線26’。第二導線可以包括數據線16、第一接觸金屬CMl和第二接觸金屬CM2。
[0132]有機發(fā)光顯示裝置1001還可以包括驅動TFT Tl、存儲電容器Cst、開關TFT、第一層間絕緣膜ILDl和第二層間絕緣膜ILD2。第一層間絕緣膜ILDl和第二層間絕緣膜ILD2被堆疊在開關TFT上。第一層間絕緣膜ILDl在存儲電容器Cst的第一電極Cl和第二電極C2之間。
[0133]有機發(fā)光顯示裝置1001還可以包括至少一個有機發(fā)光二極管0LED、密封基板210、密封材料310或驅動器IC 510。
[0134]有機發(fā)光顯示裝置1001可以包括圖像被顯示的顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域DA的非顯示區(qū)域NDA。非顯示區(qū)域NDA可以包括密封區(qū)SA和焊盤區(qū)PA。
[0135]用于從外部空氣密封顯示區(qū)域DA的密封材料310可以在密封區(qū)SA中，以包圍顯示區(qū)域DA。然而，如果密封基板210是薄膜封裝型，則密封材料310可以被省略。密封基板210可以阻止外部空氣或濕氣進入基板110上的TFT和有機發(fā)光二極管0LED。偏振膜或彩色濾光片可以被可選地設置在密封基板210上。
[0136]密封材料310包圍顯示區(qū)域DA，并且可以包括諸如玻璃料或環(huán)氧樹脂的無機材料。玻璃料可以是處于粉末狀態(tài)或糊狀的玻璃原料，并且可以包括被包括在諸如Si02的主材料中的激光或紅外線吸收材料、有機粘合劑或用于減小熱膨脹系數的填料。密封材料310可以例如通過分配器或絲網印刷法涂覆。
[0137]由于有機粘合劑和水分可以通過干燥工藝或塑化工藝被去除，