薄膜晶體管陣列基板和有機發(fā)光顯示裝置的制造方法
【專利說明】薄膜晶體管陣列基板和有機發(fā)光顯示裝置
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]2014年10月27日遞交的名稱為“薄膜晶體管陣列基板和包括薄膜晶體管陣列基板的有機發(fā)光顯示裝置”的韓國專利申請N0.10-2014-0146421通過引用被整體合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本文描述的一個或多個實施例涉及薄膜晶體管陣列基板和包括薄膜晶體管陣列基板的有機發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]有機發(fā)光顯示裝置使用有機發(fā)光二極管(OLED)生成圖像。每個OLED包括位于空穴注入電極和電子注入電極之間的有機發(fā)射層。當(dāng)來自空穴注入電極的空穴和來自電子注入電極的電子在有機發(fā)射層中復(fù)合時，激子被形成。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)變化到基態(tài)時發(fā)射光。
[0005]因此，有機發(fā)光顯示器是自發(fā)光型的顯示裝置，因此不使用諸如背光的單獨光源。有機發(fā)光顯示裝置可以以低電壓驅(qū)動，相對薄，重量輕，并具有高品質(zhì)的特性，如寬視角、高對比度和快速響應(yīng)速度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)一個或多個實施例，薄膜晶體管(TFT)陣列基板包括:在基板上的驅(qū)動TFT ;存儲電容器，包括被連接到驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌O的第一電極和在第一電極上并與第一電極絕緣的第二電極；與驅(qū)動?xùn)烹姌O在同一層上的第一導(dǎo)線；覆蓋第一電極和第一導(dǎo)線的第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜上并包括暴露第一層間絕緣膜的一部分的開口的第二層間絕緣膜；以及在第二層間絕緣膜上并至少部分重疊第一導(dǎo)線的第二導(dǎo)線，其中第二電極在第二層間絕緣膜的開口中。
[0007]第二層間絕緣膜的厚度可以大于第一層間絕緣膜的厚度。第二層間絕緣膜的厚度可以比第一層間絕緣膜的厚度大大約2倍至5倍。第二層間絕緣膜的介電常數(shù)可以小于第一層間絕緣膜的介電常數(shù)。
[0008]第一層間絕緣膜可以包括無機材料，并且第二層間絕緣膜可以包括有機材料。驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一電極可以在同一層上被一體地形成為一個主體。驅(qū)動TFT可以包括在驅(qū)動?xùn)烹姌O下方并通過第一柵絕緣膜與所述驅(qū)動?xùn)烹姌O絕緣的驅(qū)動半導(dǎo)體層，其中驅(qū)動半導(dǎo)體層是曲線形的。第二導(dǎo)線可以是向驅(qū)動TFT供給電壓并從第二電極延伸的驅(qū)動電壓線。
[0009]根據(jù)一個或多個其它實施例，薄膜晶體管(TFT)陣列基板包括:基板上的驅(qū)動TFT和開關(guān)TFT ;存儲電容器，包括被連接到驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌O的第一電極和在第一電極上并與第一電極絕緣的第二電極；覆蓋第一電極和開關(guān)TFT的開關(guān)柵電極的第一層間絕緣膜；以及在第一層間絕緣膜上并包括暴露第一層間絕緣膜的一部分的開口的第二層間絕緣膜，其中第二電極在第二層間絕緣膜的開口中。
[0010]第二層間絕緣膜的厚度可以大于第一層間絕緣膜的厚度。第一層間絕緣膜可以包括無機材料，并且第二層間絕緣膜可以包括有機材料。驅(qū)動TFT和存儲電容器可以至少部分地彼此重疊。
[0011]TFT陣列基板可以包括:與驅(qū)動?xùn)烹姌O在同一層上的第一導(dǎo)線；在第二層間絕緣膜上并至少部分重疊第一導(dǎo)線的第二導(dǎo)線；在第二層間絕緣膜上并被連接到開關(guān)TFT的接觸金屬；包括被連接到用于驅(qū)動驅(qū)動TFT和開關(guān)TFT的驅(qū)動集成電路的至少一個焊盤的焊盤區(qū)；以及包括在焊盤區(qū)和驅(qū)動TFT之間的密封材料的密封區(qū)，其中密封區(qū)中不包含第二層間絕緣膜。
[0012]根據(jù)一個或多個其它實施例，一種有機發(fā)光顯示裝置包括:包括多個像素的顯示區(qū)域；以及圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，其中多個像素中的每一個包括:在基板上的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT);存儲電容器，包括被連接到驅(qū)動TFT的驅(qū)動?xùn)烹姌O的第一電極和在第一電極上并與第一電極絕緣的第二電極；與驅(qū)動?xùn)烹姌O在同一層上的第一導(dǎo)線；覆蓋第一電極和第一導(dǎo)線的第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜上并包括暴露第一層間絕緣膜的一部分的開口的第二層間絕緣膜；以及在第二層間絕緣膜上并至少部分重疊第一導(dǎo)線的第二導(dǎo)線，其中第二電極在第二層間絕緣膜的開口中。
[0013]第二層間絕緣膜的厚度可以大于第一層間絕緣膜的厚度。第一層間絕緣膜可以包括無機材料，并且第二層間絕緣膜可以包括有機材料。顯示裝置可以包括:面對基板的密封基板；以及粘附基板和密封基板的密封材料，密封材料包圍顯示區(qū)域，其中密封材料直接接觸第一層間絕緣膜。
[0014]顯示裝置可以包括:在顯示區(qū)域中并包括像素電極、包括有機發(fā)射層的中間層以及對電極的有機發(fā)光二極管；維持基板和密封基板之間的基本均勻的間隔的間隔件；以及在非顯示區(qū)域中并包括被連接到用于驅(qū)動多個像素的驅(qū)動器集成電路的至少一個焊盤的焊盤區(qū)。多個像素中的每一個可以進(jìn)一步包括開關(guān)薄膜晶體管，并且第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜被堆疊在開關(guān)薄膜晶體管的柵電極上。
【附圖說明】
[0015]通過參考附圖詳細(xì)描述示例性實施例，特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將變得顯而易見，附圖中:
[0016]圖1示出了有機發(fā)光顯示裝置的一個實施例；
[0017]圖2示出了像素的一個實施例；
[0018]圖3示出了像素電路的一個實施例；
[0019]圖4示出了沿圖3中的線A-A’和線B-B’的剖視圖；
[0020]圖5示出了 TFT陣列基板的一個實施例；
[0021]圖6A至圖6D示出了用于制造TFT陣列基板的方法的一個實施例的各階段；
[0022]圖7示出了有機發(fā)光顯示裝置的另一實施例；和
[0023]圖8示出了有機發(fā)光顯示裝置的橫截面。
【具體實施方式】
[0024]下面將參考附圖更充分地描述示例性實施例；然而，示例性實施例可以以不同的形式體現(xiàn)，不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限于本文所提出的實施例。相反，提供這些實施例是為了使得本公開全面且完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)示例性實施方式。
[0025]在圖中，為了例示清楚，層和區(qū)域的尺寸可能被夸大。還將理解的是，當(dāng)層或元件被稱為在另一層或基板“上”時，它可以直接在另一層或基板上，或者也可以存在中間層。此夕卜，將理解的是，當(dāng)層被稱為在另一層“下”時，它可以直接在下方，或者也可以存在一個或多個中間層。此外，還將理解的是，當(dāng)層被稱為在兩個層“之間”時，它可以是兩個層之間的唯一層，或者也可以存在一個或多個中間層。貫穿全文，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。
[0026]圖1示出了有機發(fā)光顯示裝置1000的一個實施例，有機發(fā)光顯示裝置1000包括包含多個像素I的顯示單元10、掃描驅(qū)動器20、數(shù)據(jù)驅(qū)動器30、發(fā)射控制驅(qū)動器40和控制器50。
[0027]顯示單元10包括多個像素1，多個像素I被布置成大致矩陣形狀，并且位于多條掃描線SLl至SLn+Ι、多條數(shù)據(jù)線DLl至DLm以及多條發(fā)射控制線ELl至ELn的交叉點。掃描線SLl至SLn+Ι和發(fā)射控制線ELl至ELn在第二方向(例如，行方向)上延伸，并且數(shù)據(jù)線DLl至DLm和驅(qū)動電壓線ELVDDL在第一方向(例如，列方向)上延伸。在一個像素行中，掃描線SLl至SLn+Ι的η的值和發(fā)射控制線ELl至ELn的η的值可以彼此不同。
[0028]每個像素I可以被連接到掃描線SLl至SLn+Ι中的三條掃描線。掃描驅(qū)動器20生成并通過掃描線SLl至SLn+Ι傳輸三個掃描信號到每個像素I。例如，掃描驅(qū)動器20將掃描信號順序供給到第一掃描線SL2至SLn、第二掃描線SLl至SLn-1和第三掃描線SL3至SLn+1 ο
[0029]初始化電壓線IL可以從外部電力供給源接收顯示單元10的初始化電壓VINT。此夕卜，每個像素I被連接到被連接到顯示單元10的多條數(shù)據(jù)線DLl至DLm中的一條數(shù)據(jù)線和被連接到顯示單元10的多條發(fā)射控制線ELl至ELn中的一條發(fā)射控制線。
[0030]數(shù)據(jù)驅(qū)動器30通過數(shù)據(jù)線DLl至DLm將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)矫總€像素I。每當(dāng)掃描信號被供給到第一掃描線SL2至SLn時，數(shù)據(jù)信號被供給到由掃描信號選擇的像素I。
[0031]發(fā)射控制驅(qū)動器40生成并通過發(fā)射控制線ELl至ELn傳輸發(fā)射控制信號到每個像素I。發(fā)射控制信號控制每個像素I的發(fā)射時間?？蛇x地，例如基于像素I的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，發(fā)射控制驅(qū)動器40可以被省略。
[0032]控制器50將例如從外部源接收的多個圖像信號R、G和B改變成多個圖像數(shù)據(jù)信號DR、DG和DB，并將圖像數(shù)據(jù)信號DR、DG和DB傳輸?shù)綌?shù)據(jù)驅(qū)動器30?？刂破?0基于垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync和時鐘信號MCLK生成用于控制掃描驅(qū)動器20、數(shù)據(jù)驅(qū)動器30和發(fā)射控制驅(qū)動器40的驅(qū)動的控制信號?？刂破?0將控制信號傳輸?shù)綊呙栩?qū)動器20、數(shù)據(jù)驅(qū)動器30和發(fā)射控制驅(qū)動器40中的每一個。例如，控制器50生成并傳輸用于控制掃描驅(qū)動器20的掃描驅(qū)動控制信號SCS、用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器30的數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和用于控制發(fā)射控制驅(qū)動器40的發(fā)射驅(qū)動控制信號ECS。
[0033]每個像素I例如從外部源接收第一電源電壓ELVDD和第二電源電壓ELVSS。第一電源電壓ELVDD可以是第一預(yù)定(例如高電平)電壓，并且第二電源電壓ELVSS可以是第二預(yù)定電壓，例如比第一電源電壓ELVDD低的電壓、接地電壓或其它基準(zhǔn)電壓。第一電源電壓ELVDD通過驅(qū)動電壓線ELVDDL被供給到每個像素I。
[0034]每個像素I發(fā)出具有基于被供給到發(fā)光器件的驅(qū)動電流的亮度的光。驅(qū)動電流的量是基于通過數(shù)據(jù)線DLl至DLm中的對應(yīng)一條傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號。
[0035]圖2示出了有機發(fā)光顯示裝置1000的像素I的一個實施例。有機發(fā)光顯示裝置1000的像素I包括像素電路2，像素電路2包括多個TFT和至少一個存儲電容器Cst。并且，像素I包括基于像素電路2中的驅(qū)動電壓發(fā)光的0LED。
[0036]TFT包括驅(qū)動TFT Tl、數(shù)據(jù)傳輸TFT T2、補償TFT T3、第一初始化TFT T4、第一發(fā)射控制TFT T5、第二發(fā)射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
[0037]像素I包括以下信號線:第一掃描線14，第一掃描信號Sn通過第一掃描線14被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)傳輸TFT T2和補償TFT T3;第二掃描線24，第二掃描信號Sn-1通過第二掃描線24被傳輸?shù)降谝怀跏蓟疶FT T4 ;第三掃描線34，第三掃描信號Sn+Ι通過第三掃描線34被傳輸?shù)降诙跏蓟疶FT T7 ;發(fā)射控制線15，發(fā)射控制信號En通過發(fā)射控制線15被傳輸?shù)降谝话l(fā)射控制TFT T5和第二發(fā)射控制TFT T6 ;數(shù)據(jù)線16，數(shù)據(jù)信號Dm通過數(shù)據(jù)線16被傳輸；驅(qū)動電壓線26，第一電源電壓ELVDD通過驅(qū)動電壓線26被傳輸；以及初始化電壓線22，初始化驅(qū)動TFT Tl的初始化電壓VINT通過初始化電壓線22被傳輸。
[0038]驅(qū)動TFT Tl的驅(qū)動?xùn)烹姌OGl被連接到存儲電容器Cst的第一電極Cl。驅(qū)動TFTTl的驅(qū)動源電極SI經(jīng)由第一發(fā)射控制TFT T5被連接到驅(qū)動電壓線26。驅(qū)動TFT Tl的驅(qū)動漏電極Dl經(jīng)由第二發(fā)射控制TFT T6被電連接到有機發(fā)光二極管OLED的像素電極(陽極)。驅(qū)動TFT Tl根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸TFT T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號Dm，以將驅(qū)動電流Id供給到有機發(fā)光二極管OLED。
[0039]數(shù)據(jù)傳輸TFT T2的數(shù)據(jù)傳輸柵電極G2被連接到第一掃描線14。數(shù)據(jù)傳輸TFT T2的數(shù)據(jù)傳輸源電極S2被連接到數(shù)據(jù)線16。數(shù)據(jù)傳輸TFT T2的數(shù)據(jù)傳輸漏電極D2被連接到驅(qū)動TFT Tl的驅(qū)動源電極SI，并經(jīng)由第一發(fā)射控制TFT T5被連接到驅(qū)動電壓線26。數(shù)據(jù)傳輸TFT T2根據(jù)通過第一掃描線14接收的第一掃描信號Sn導(dǎo)通，以執(zhí)行開關(guān)操作。從數(shù)據(jù)線16接收的數(shù)據(jù)信號Dm被傳輸?shù)津?qū)動TFT Tl的驅(qū)動源電極SI。
[0040]補償TFT T3的補償柵電極G3被連接到第一掃描線14。補償TFT T3的補償源電極S3被連接到驅(qū)動TFT Tl的驅(qū)動漏電極Dl，并經(jīng)由第二發(fā)射控制