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顯示面板的陣列基板的制作方法

文檔序號:9689380閱讀:227來源:國知局
顯示面板的陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示面板的陣列基板,且特別是涉及一種半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)折部具有內(nèi)外邊緣差異的陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]具顯示面板的電子產(chǎn)品已是現(xiàn)代人不論在工作處理學(xué)習(xí)上、或是個人休閑娛樂上,不可或缺的必需品,包括智能型手機(SmartPhone)、平板電腦(Pad)、筆記型電腦(Notebook)、顯不器(Monitor)到電視(TV)等許多相關(guān)廣品。其中又以液晶顯不面板最為普遍。由于液晶顯示面板在絕大多數(shù)應(yīng)用上具有更簡潔、更輕盈、可攜帶、更低價、更高可靠度、以及讓眼睛更舒適的功能,已經(jīng)廣泛地取代了陰極射線管顯示器(CRT),成為最廣泛使用的顯示器,同時提供多樣性包括尺寸、形狀、分辨率等多種選擇。
[0003]目前液晶顯示面板中,薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-1XD)又可區(qū)分為非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)和低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)兩種技術(shù)。其中LTPS TFT的載流子遷移率(mobility)比a-Si TFT高出一百倍(>100cm2/V.s),并且可以在玻璃基板上直接進(jìn)行CMOS制作工藝。相較于非晶硅TFT-1XD,低溫多晶硅TFT-1XD的反應(yīng)速度較快,并具有高亮度、高開口率、高分辨率和低耗電量等特點。再者,LTPS TFT可進(jìn)行高密度布局,特點,適合應(yīng)用于有機電激發(fā)光(0LED)面板,可以使高亮度與高畫質(zhì)的0LED更容易實現(xiàn),且可提高有機發(fā)光二極管壽命。
[0004]另外,顯示面板在制作時除了需注意制作工藝上的細(xì)節(jié),例如進(jìn)行金屬層和半導(dǎo)體層等各層圖案化時(如光刻和蝕刻)需精確以避免斷線,其制得面板也需符合產(chǎn)品要求如電阻、電容等各項規(guī)格,使制得的面板具有穩(wěn)定良好的電子特性。顯示面板的設(shè)計不良,將造成面板良率下降和可靠度降低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板的一陣列基板,通過對陣列基板上的半導(dǎo)體層的彎折部分的特殊設(shè)計,可降低阻值,進(jìn)而增進(jìn)應(yīng)用面板的電性表現(xiàn),使其具有穩(wěn)定良好的電子特性。
[0006]根據(jù)本發(fā)明,提出一種陣列基板,包括一基材和位于基材上的一第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管和第二晶體管電連接,且第一晶體管與第二晶體管共用一半導(dǎo)體層,半導(dǎo)體層至少包括一第一側(cè)部、一轉(zhuǎn)折部和一底部,轉(zhuǎn)折部連接第一側(cè)部,底部連接轉(zhuǎn)折部。其中,第一側(cè)部的一第一外邊緣延伸線與底部的一第二外邊緣延伸線及轉(zhuǎn)折部的一第三外邊緣之間形成一第一區(qū)域。第一側(cè)部的一第一內(nèi)邊緣延伸線與底部的一第二內(nèi)邊緣延伸線及轉(zhuǎn)折部的一第三內(nèi)邊緣形成一第二區(qū)域,第一區(qū)域的面積小于第二區(qū)域的面積。
[0007]根據(jù)本發(fā)明,提出一種陣列基板,包括一基材和位于基材上的一第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管和第二晶體管電連接,且第一晶體管與第二晶體管共用一半導(dǎo)體層,半導(dǎo)體層至少包括一第一側(cè)部和一轉(zhuǎn)折部,轉(zhuǎn)折部連接第一側(cè)部。其中,轉(zhuǎn)折部的一第三外邊緣具有一第一曲率rl,轉(zhuǎn)折部的一第三內(nèi)邊緣具有一第二曲率r2,第一曲率rl大于第二曲率r2。
[0008]為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特舉實施例,并配合所附的附圖,作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明一實施例的一顯示面板的簡示圖;
[0010]圖2為本發(fā)明一實施例顯面板的一陣列基板的頂部俯視圖;
[0011]圖3為本發(fā)明第一實施例的一顯面板的陣列基板底部的局部俯視圖;
[0012]圖4A為圖3的第一晶體管的局部放大圖,其標(biāo)示第一側(cè)部與連接的轉(zhuǎn)折部的相關(guān)邊緣;
[0013]圖4B為圖3的第一晶體管的局部放大圖,其標(biāo)示第二側(cè)部與連接的轉(zhuǎn)折部的相關(guān)邊緣;
[0014]圖5為本發(fā)明第一實施例的顯面板的陣列基板底部的另一局部俯視圖;
[0015]圖6為一晶體管的半導(dǎo)體層的簡單示意圖;
[0016]圖7為本發(fā)明第二實施例的一顯面板的陣列基板底部的局部俯視圖;
[0017]圖8為如何量測圖7的轉(zhuǎn)折部的內(nèi)外邊緣曲率的示意圖。
[0018]符號說明
[0019]11:第一基板
[0020]12:第二基板
[0021]13:顯示層
[0022]S1:基材
[0023]T1:第一晶體管
[0024]T2:第二晶體管
[0025]100:半導(dǎo)體層
[0026]110:第一側(cè)部
[0027]Elso:第一外邊緣
[0028]E1S1:第一內(nèi)邊緣
[0029]Llso:第一外邊緣延伸線
[0030]L1S1:第一內(nèi)邊緣延伸線
[0031]101、102:轉(zhuǎn)折部
[0032]Ec。、Ec,。:第二外邊緣
[0033]EcpEc’pEc”〗:第三內(nèi)邊緣
[0034]120:第二側(cè)部
[0035]E2S。:第四外邊緣
[0036]E2S1:第四內(nèi)邊緣
[0037]L2S。:第四外邊緣延伸線
[0038]L2S1:第四內(nèi)邊緣延伸線
[0039]130:底部
[0040]Ebo:第二外邊緣
[0041]Eb1:第二內(nèi)邊緣
[0042]Lbo:第二外邊緣延伸線
[0043]Lb1:第二內(nèi)邊緣延伸線
[0044]150:擴大部
[0045]160:連接部
[0046]170:孔洞
[0047]D:漏極
[0048]GE:柵極
[0049]GL:柵極線
[0050]DL:數(shù)據(jù)線
[0051]PX:像素
[0052]A1:第一區(qū)域
[0053]A2:第二區(qū)域
[0054]A3:第三區(qū)域
[0055]A4:第四區(qū)域
[0056]W1:第一寬度
[0057]W2:第二寬度
[0058]W3:第三寬度
[0059]W4:第四寬度
[0060]W5:第五寬度
[0061]Wv:孔洞寬度
[0062]rl:第一曲率
[0063]r2:第二曲率
[0064]R1:第一曲率半徑
[0065]R2:第二曲率半徑
[0066]C。:夕卜圓弧
[0067]0。:外圓弧的圓心
[0068]C1:內(nèi)圓弧
[0069]0::內(nèi)圓弧的圓心
【具體實施方式】
[0070]本發(fā)明的實施例提出顯示面板的一陣列基板,通過對陣列基板上的半導(dǎo)體層的彎折部分的特殊設(shè)計,可使其阻值降低,且可與連接的非彎折部分(如直線部分)的阻值差異更小,使半導(dǎo)體層整體阻值更為均勻,進(jìn)而增進(jìn)制得的面板的電性表現(xiàn),使其具有穩(wěn)定良好的電子特性。再者,實施例的彎折部分的特殊設(shè)計也不易因蝕刻不良而容易斷線,因此可提聞廣品的良率。
[0071]本發(fā)明的實施例應(yīng)用于一顯示面板的陣列基板,例如是(但不限制是)一低溫多晶石圭(Low Temperature Poly-silicon, LTPS)液晶顯示面板的陣列基板(薄膜晶體管基板)。
[0072]以下參照所附附圖詳細(xì)敘述實施態(tài)樣。需注意的是,實施例所提出的結(jié)構(gòu)和內(nèi)容僅為舉例說明之用,本發(fā)明欲保護的范圍并非僅限于所述的該些態(tài)樣。實施例中相同或類似的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或類似的部分。需注意的是,本發(fā)明并非顯示出所有可能的實施例??稍诓幻撾x本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)對結(jié)構(gòu)加以變化與修飾,以符合實際應(yīng)用所需。因此,未于本發(fā)明提出的其他實施態(tài)樣也可能可以應(yīng)用。再者,附圖已簡化以利清楚說明實施例的內(nèi)容,附圖上的尺寸比例并非按照實際產(chǎn)品等比例繪制。因此,說明書和圖示內(nèi)容僅作敘述實施例之用,而非作為限縮本發(fā)明保護范圍之用。
[0073]再者,說明書與請求項中所使用的序數(shù)例如“第一”、“第二”、“第三”等的用詞,以修飾請求項的元件,其本身并不意含及代表該請求元件有任何之前的序數(shù),也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是制造方法上的順序,該些序數(shù)的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區(qū)分。
[0074]圖1為本發(fā)明一實施例的一顯不面板的簡不圖。顯不面板包括一第一基板11、一第二基板12和一顯不層13位于
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