、漏極區(qū)、漏極區(qū)和源極區(qū)的第二關(guān)注區(qū)域417，僅存在位于第一源極區(qū)309、第一漏極區(qū)311、第二源極區(qū)313以及第二漏極區(qū)315上的一個(gè)通孔(例如，第四單元411中的第一通孔329)。如此，第二掩模層702的第一個(gè)放置在第四單元411中的第一通孔329上。
[0106]參見圖7G，其示出具有四個(gè)漏極區(qū)的第二關(guān)注區(qū)域417，不存在位于第一源極區(qū)309、第一漏極區(qū)311、第二源極區(qū)313以及第二漏極區(qū)315上的通孔。如此，在圖7G中，第二掩模層702不放置在任何通孔上方。
[0107]一旦第一掩模層701和第二掩模層702已經(jīng)放置在其相應(yīng)的結(jié)構(gòu)上(如上所述)，使用第三掩模層703確定哪個(gè)結(jié)構(gòu)應(yīng)該在后布局處理215中進(jìn)一步處理。在實(shí)施例中，可以將第三掩模層703成形為具有第三長(zhǎng)度匕的正方形，其足以指示密切相關(guān)的通孔彼此相互作用。在實(shí)施例中，第三長(zhǎng)度L3可以介于約70nm和約90nm之間，諸如約82nm。然而，可以可選地使用任何其他合適的長(zhǎng)度。
[0108]然后，可以將第三掩模層703放置在先前放置的部分第一掩模層701或部分第二掩模層702中的一個(gè)的上方。在圖7A至圖7G中描述的實(shí)施例中，放置第三掩模層703從而使得位于導(dǎo)電單元邊界上的第一掩模層701位于第三掩模層703的中心內(nèi)。然而，可以可選地使用任何合適的布置。
[0109]—旦就位，實(shí)施分析以便確定第一掩模層701和第二掩模層702中的哪一個(gè)位于第三掩模層703內(nèi)。將進(jìn)一步分析共同位于第三掩模層703內(nèi)的那些。換句話說，如果存在兩個(gè)或更多個(gè)第一掩模層701或第二掩模層702，那么將進(jìn)一步一起分析那些結(jié)構(gòu)。在工藝中將不進(jìn)一步分析未位于第三掩模層703內(nèi)的那些。
[0110]在第二步驟1502中，實(shí)施分析以識(shí)別先前由第一掩模層701覆蓋并且也具有到達(dá)電源軌323或接地軌325的替代布線的那些通孔。在實(shí)施例中，每個(gè)由第一掩模層701覆蓋的通孔可以朝著第一金屬零連接件件335或第二金屬零連接件件337擴(kuò)展第一距離Dp在實(shí)施例中，選擇第一距離Di從而使得不存在來自實(shí)施后布局處理215的有害作用，諸如通過小于約50nm，諸如約30nm，但是可以可選地選擇任何合適的距離。如果由第一掩模層701覆蓋的擴(kuò)展通孔延伸至第一金屬零連接件件335或者第二金屬零連接件件337，則存在到達(dá)電源軌323或接地軌325的替代布線，并且通孔是多余的。
[0111]例如，參見圖7B(由于圖7A不具有第一掩模層701部分)，分析圖7B中的第一掩模層701以確定其是否在第一距離Dift。雖然第一單元行401的寬度至少部分取決于整體設(shè)計(jì)，其隨著減小技術(shù)不斷縮小，并且在一些例子中可以介于約300nm至約500nm之間，在其中第一單元行401的寬度為360nm的實(shí)施例中，第一掩模層701可以位于遠(yuǎn)離第三單元409的第二金屬零連接件337和第四單元411的第一金屬零連接件335的47nm處。如此，如以下參照?qǐng)D13A至圖13G進(jìn)一步描述的，可以去除圖7B中的第一掩模層701。參照?qǐng)D7C至圖7F，實(shí)施相似的分析并且分析在第一單元301、第二單元405、第三單元409以及第四單元411中的第一金屬零連接件335或第二金屬零連接件337中的一個(gè)的第一距離Di內(nèi)的第一掩模層701的那些部分以確定是否可以去除它們。
[0112]然而，在圖7G中，第一掩模層701的部分不位于第一單元301、第二單元405、第三單元409以及第四單元411中的第一金屬零連接件335或第二金屬零連接件337中的一個(gè)的第一距離Dift。具體地，當(dāng)?shù)诙P(guān)注區(qū)域417內(nèi)存在四個(gè)漏極區(qū)時(shí)，第一單元301、第二單元405、第三單元409以及第四單元411中的所有第一金屬零連接件335或第二金屬零連接件337的位置都比第一距離Di遠(yuǎn)。如此，不選擇去除第一掩模層701的部分。
[0113]圖8A至圖8G示出第三步驟1503，其中識(shí)別可能與由第二掩模層702覆蓋的通孔合并的由第一掩模層701覆蓋的通孔。在實(shí)施例中，每個(gè)由第二掩模層702覆蓋的通孔均擴(kuò)展以形成禁區(qū)801。例如，在圖8E中示出的實(shí)施例中，第一單元301中的第一通孔329和第二單元405中的第二通孔331擴(kuò)展以形成禁區(qū)801。
[0114]在實(shí)施例中，第一單元301中的第一通孔329和第二單元405中的第二通孔331可以水平地?cái)U(kuò)展(例如，在與第一單元行401平行的第一方向803上)第二距離D2，改變第二距離D2的距離以指示由第一掩模層701覆蓋的通孔和由第二掩模層702覆蓋的通孔之間的相互作用。在其中第二掩模層702的部分之間存在63nm間距的實(shí)施例中，第一單元301中的第一通孔329和第二單元405中的第二通孔331可以水平地?cái)U(kuò)展介于約40nm和約50nm之間的第二距離D2，諸如約43nm?？蛇x地，在其中由第二掩模層702覆蓋的通孔之間存在66nm間距的實(shí)施例中，第二距離02可以是約46nm。
[0115]另外，第一單元301中的第一通孔329和第二單元405中的第二通孔331可以垂直地?cái)U(kuò)展(例如，在垂直于第一單元行401的第二方向805上)第三距離D3。在實(shí)施例中，可以將第三距離隊(duì)設(shè)定為垂直方向上的通孔之間的距離的二分之一。例如，在圖8E中示出的實(shí)施例中，其中第二單元405中的第二通孔331和第四單元411的第一通孔329彼此分離2nm，可以將第三距離D3設(shè)定為lnm。如此，雖然將通過初始設(shè)計(jì)和布置至少部分地設(shè)定第三距離D3，但是在一些實(shí)施例中，第三距離D3可以介于約Onm和約5nm之間，諸如約lnm。然而，可以使用任何合適的距離以形成禁區(qū)801。
[0116]繼續(xù)圖8E中示出的實(shí)施例，一旦由第一單元301中的第一通孔329和第二單元405中的第二通孔331的擴(kuò)展產(chǎn)生禁區(qū)，識(shí)別保留在禁區(qū)外部的被第一掩模層701識(shí)別的那些通孔用于進(jìn)一步的合并。在圖8E中示出的實(shí)施例中，識(shí)別來自第三單元409中的第三通孔332和第四單元411中的第四通孔333的合并通孔。
[0117]另外，在圖8G的實(shí)施例中，不存在被第二掩模層702識(shí)別的通孔。如此，被第一掩模層701識(shí)別的通孔位于任何禁區(qū)801的外部(因?yàn)椴淮嬖诮麉^(qū)801)。另外，選擇被第一掩模層701識(shí)別的通孔用于合并。
[0118]遵循圖8F中示出的實(shí)施例中的相似工序，只有來自第一單元301中的第四通孔333和第二單元405中的第三通孔332的合并通孔被識(shí)別為處于由第四單元411中的第一通孔329的擴(kuò)展產(chǎn)生的禁區(qū)801的外部。第三單元409中的第三通孔332上方的第一掩模層701被禁區(qū)801接觸并且未被識(shí)別為處于禁區(qū)801的外部。另外，在圖8A中示出的實(shí)施例中，不存在被第一掩模層701識(shí)別的通孔。在圖8B至圖8D中示出的實(shí)施例的剩余部分中，所有的通孔都位于產(chǎn)生的禁區(qū)內(nèi)，并且如此不選擇這些通孔用于合并。例如，在圖8B中示出的實(shí)施例中，其中第一單元301中的第四通孔333上的第一掩模層701的位置只離第二單元405中的第二通孔33111.5nm(對(duì)于其中在第二掩模層702的部分之間存在63nm間距的實(shí)施例)或13nm(其中在第二掩模層702的部分之間存在66nm間距)，禁區(qū)801建立與第一掩模層701的接觸并且如此，不選擇這些通孔用于合并。
[0119]一旦已經(jīng)識(shí)別通孔，此時(shí)禁區(qū)801已經(jīng)完成其目的。如此，在實(shí)施例中，從整體設(shè)計(jì)去除禁區(qū)801。用于形成禁區(qū)801的通孔恢復(fù)至其初始尺寸。
[0120]圖9A至圖9G示出工藝中的第四步驟1504，其中被第三步驟1403識(shí)別的那些通孔(以上描述)在與第一單元行401平行的第一方向803上擴(kuò)展以形成第一擴(kuò)展區(qū)901。參照?qǐng)D9G示出的實(shí)施例，在該步驟中每個(gè)在第三步驟1403中識(shí)別的通孔(例如，來自第二單元405中的第三通孔332和第一單元301中的第四通孔333的合并通孔以及來自第三單元409中的第三通孔332和第四單元411中的第四通孔333的合并通孔)均在與第一單元行401平行的第一方向803上擴(kuò)展介于約25nm和約35nm之間的第四距離D4，諸如約31.5nm。
[0121]例如，在實(shí)施例中，第四距離D4的尺寸可以由多晶硅(poly)的間距、通孔尺寸和位置確定。作為實(shí)例，在圖9E中示出的實(shí)施例中，其中多晶硅上的通孔連接盤(例如，第三單元409中的合并的第三通孔332和第四單元411中的第四通孔333)位于第四單元411中的合并的第三單元邊界導(dǎo)體318和第三單元409中的第一單元邊界導(dǎo)體319的中心上。在該實(shí)施例中，可以將第四距離D4設(shè)定成例如第三單元409中的第一單元邊界導(dǎo)體319和第三單元409中的柵電極317之間的間距的二分之一。如此，在其中兩個(gè)多晶硅區(qū)之間的間距是63nm的實(shí)施例中，可以將第四距離D4設(shè)定成31.5nm?？蛇x地，在其中間距是66nm的實(shí)施例中，可以將第四距離D4設(shè)定成33nm。然而，可以可選地使用任何其他合適的距離。
[0122]類似地，在圖9F中示出的實(shí)施例中，來自第二單元405中的第三通孔和第一單元301中的第四通孔333的合并通孔(在第三步驟1403中識(shí)別的通孔)也在與第一單元行401平行的第一方向803上擴(kuò)展以形成第一擴(kuò)展區(qū)901。另外，在圖9E中示出的實(shí)施例中，來自第四單元411中的第四通孔333和第三單元409中的第三通孔332的合并通孔(在第三步驟1403中識(shí)別的通孔)也在與第一單元行401平行的第一方向803上擴(kuò)展第四距離D4o
[0123]圖9A至圖9G還示出工藝中的第五步驟1505，其中在第三步驟1403中識(shí)別的那些通孔(以上描述)也在與第一方向803相反并且與第一單元行401平行的第三方向906上擴(kuò)展以形成第二擴(kuò)展區(qū)904。參照?qǐng)D9G中示出的實(shí)施例，在該步驟中每個(gè)在第三步驟1403中識(shí)別的通孔(例如，來自第一單元301中的第四通孔333和第二單元405中的第三通孔332的合并通孔以及來自第三單元409中的第三通孔332和第四單元411中的第四通孔333的合并通孔)均在與第一方向803相反并且與第一單元行401平行的第三方向906上擴(kuò)展介于約25nm和約35nm之間的第五距離D5，諸如約31.5nm。然而，可以可選地使用任何合適的距離。
[0124]類似地，在圖9F中示出的實(shí)施例中，來自第二單元405中的第三通孔332和第一單元301中的第四通孔333的合并通孔(第三步驟1403中識(shí)別的通孔)也在與第一方向803相反并且與第一單元行401平行的第三方向906上擴(kuò)展第五距離D5以形成第二擴(kuò)展區(qū)904。另外，在圖9E中示出的實(shí)施例中，來自第三單元409中的第三通孔332和第四單元411中的第四通孔333的合并通孔(在第三步驟1403中識(shí)別的通孔)在與第一方向803相反并且與第一單元行401平行的第三方向906上擴(kuò)展第五距離D5。
[0125]圖10A至圖10G示出第六步驟1506，其中由第二掩模層702覆蓋的通孔連接盤在與第一單元行401垂直的第二方向805上延伸以形成第三擴(kuò)展區(qū)907并且在第七步驟1507中，也在與第二方向805相反并且與第一單元行401垂直的第四方向905上延伸以形成第四擴(kuò)展區(qū)909。參照?qǐng)D10A中示出的實(shí)施例，每個(gè)被第二掩模層702識(shí)別的通孔(例如，第一單元301中的第一通孔329、第二單元405中的第二通孔331、第三單元409中的第二通孔331以及第四單元411中的第一通孔329)在第二方向805上擴(kuò)展介于約15nm和約25nm之間的第六距離D6，諸如約21nm。類似地，第一單元301中的第一通孔329、第二單元405中的第二通孔331、第三單元409中的第二通孔331以及第四單元411中的第一通孔329也在第四方向905上擴(kuò)展介于約15nm和約25nm之間的第七距離D7，諸如約21nm。然而，可以可選地使用任何合適的距離。
[0126]參照?qǐng)D10B，第二單元405中的第二通孔331，第三單元409中的第二通孔331以及第四單元411中的第一通孔329 (被第二掩模層702識(shí)別的那些通孔)也在第二方向805和第四方向905上擴(kuò)展。參照?qǐng)D10C，第二單元405中的第二通孔331和第三單元409中的第二通孔331 (被第二掩模層702識(shí)別的那些通孔)也在第二方向805和第四方向905上擴(kuò)展。參照?qǐng)D10D，第二單元405中的第二通孔331和第四單元411中的第一通孔329(被第二掩模層702識(shí)別的那些通孔)也在第二方向805和第四方向905上擴(kuò)展。參照?qǐng)D10E，第一單元301中的第一通孔329和第二單元405中的第二通孔331 (被第二掩模層702識(shí)別的那些通孔)也在第二方向805和第四方向905上擴(kuò)展。最后，參照?qǐng)D10F，第四單元411中的第一通孔329 (被第二掩模層702識(shí)別的通孔)也在第二方向805和第四方向905上擴(kuò)展。
[0127]圖10A至圖10G也示出工藝中的第八步驟1508，其中分析擴(kuò)展的通孔之間的相互作用。例如，在圖10E中示出的實(shí)施例中，分析來自第三單元409中的第三通孔332和第四單元411中的第四通孔333的合并通孔(其已經(jīng)在第一方向803和第三方向906上擴(kuò)展)以確定其是否與被第二掩模層702識(shí)別的并且在第六步驟1506或第七步驟1507中擴(kuò)展的任何通孔相互作用。在實(shí)施例中，通過確定來自第三單元409中的第三通孔332和第四單元411中的第四通孔333的擴(kuò)展的合并通孔是否與第一單元301中的擴(kuò)展的第一通孔329或第二單元405中的擴(kuò)展的第二通孔331重疊可以觀察到相互作用。換句話說，如果擴(kuò)展區(qū)(例如第一擴(kuò)展區(qū)901、第二擴(kuò)展區(qū)904、第三擴(kuò)展區(qū)907、或者第四擴(kuò)展區(qū)909)中的任一個(gè)重疊，通孔相互作用。
[0128]在實(shí)施例中，第八步驟1508可以分成若干子步驟。例如，在第一子步驟中，分析第四步驟1504的擴(kuò)展物(例如，第一擴(kuò)展區(qū)901)以確定其是否與第六步驟1506的擴(kuò)展物(例如，第三擴(kuò)展區(qū)907)相互作用。另外，分析來自第四步驟1504的擴(kuò)展物(例如，第一擴(kuò)展區(qū)901)以確定其是否與來自第七步驟1507的擴(kuò)展物(例如，第四擴(kuò)展區(qū)909)相互作用。
[0129]在第二子步驟中，分析第五步驟1505的擴(kuò)展物(例如，第二擴(kuò)展區(qū)903)以確定其是否與第六步驟1506的擴(kuò)展物(例如，第三擴(kuò)展區(qū)907)相互作用(例如，重疊)。類似地，分析第五步驟1505中的擴(kuò)展物(例如，第二擴(kuò)展區(qū)903)以確定其是否與第七步驟1507的擴(kuò)展物(例如，第四擴(kuò)展區(qū)909)相互作用。
[0130]