兩側(cè)120a、120b分別形成第一導(dǎo)電區(qū)C1與第二導(dǎo)電區(qū)C2，且使第二半導(dǎo)體圖案122形成像素電極圖案PE。在本實(shí)施例中，上述處理為氫氣等離子摻雜，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，上述處理程序也可為氮?dú)獾入x子摻雜、紫外光照射或加熱。被光致抗蝕劑圖案PR遮蔽的金屬氧化物半導(dǎo)體區(qū)則可受到光致抗蝕劑圖案PR的保護(hù)而可保留其半導(dǎo)體特性而形成通道區(qū)R。如圖4F所示，通道區(qū)R位于柵極G上方且在第一導(dǎo)電區(qū)C1與第二導(dǎo)電區(qū)C2之間。在進(jìn)行完上述處理程序之后，將光致抗蝕劑圖案PR1，移除。
[0064]接著，如圖4G所示，在柵絕緣層GI上形成源極S與漏極D，在此便可完成本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)40。在本實(shí)施例中，源極S覆蓋第一導(dǎo)電區(qū)C1而彼此電性連接，且漏極D覆蓋第二導(dǎo)電區(qū)C2而彼此電性連接。此外，漏極D還覆蓋像素電極圖案PE而彼此電性連接。
[0065]此外，請(qǐng)參照?qǐng)D4H，可再在柵絕緣層GI上形成保護(hù)層160。在本實(shí)施例中，保護(hù)層160覆蓋罩幕140。接著，如圖41所示，可在保護(hù)層160上形成共用電極圖案CE。共用電極圖案CE位在像素電極圖案PE上方。當(dāng)將像素結(jié)構(gòu)40應(yīng)用在FFS液晶顯示面板時(shí)，像素電極圖案PE以及共用電極圖案CE中至少一個(gè)可為具有多個(gè)狹縫與多個(gè)分支的電極圖案。
[0066]類似地，相較于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的制造方法而言，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法可同時(shí)形成通道區(qū)R與像素電極圖案PE。如此一來(lái)，上述方法有助于減少像素結(jié)構(gòu)40的光罩制程的次數(shù)，進(jìn)而降低制造成本并提高產(chǎn)能。
[0067]綜上所述，在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法中，使用金屬氧化物半導(dǎo)體材料作為像素結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層。金屬氧化物半導(dǎo)體材料具有高電子迀移率、高透明性以及可受到例如氫氣摻雜濃度的改變而調(diào)控其導(dǎo)電性等特性?；谏鲜?，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法可同時(shí)形成通道區(qū)以及像素電極圖案，從而可有效縮減像素結(jié)構(gòu)的光罩制程次數(shù)，并進(jìn)而降低制造成本與提升產(chǎn)能。
[0068]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 在基板上形成柵極； 在該基板上形成柵絕緣層，以覆蓋該柵極； 在該柵絕緣層上形成源極與漏極； 在該柵絕緣層上形成第一半導(dǎo)體圖案以及第二半導(dǎo)體圖案，其中該第一半導(dǎo)體圖案位于該柵極上方且該第一半導(dǎo)體圖案與該源極以及該漏極接觸，且該第二半導(dǎo)體圖案與該漏極接觸； 在該第一半導(dǎo)體圖案上形成罩幕，該罩幕暴露該第一半導(dǎo)體圖案的兩側(cè)；以及進(jìn)行處理程序，以在該第一半導(dǎo)體圖案暴露的該兩側(cè)形成第一導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)，且使該第二半導(dǎo)體圖案形成像素電極圖案，且被該罩幕遮蔽的該第一半導(dǎo)體圖案形成通道區(qū)，其中該通道區(qū)位于該第一導(dǎo)電區(qū)與該第二導(dǎo)電區(qū)之間，該第一導(dǎo)電區(qū)與該源極電性連接，該第二導(dǎo)電區(qū)與該漏極電性連接，且該像素電極圖案與該漏極電性連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成該源極與該漏極之后，才形成該第一半導(dǎo)體圖案與該第二半導(dǎo)體圖案。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括: 在該柵絕緣層上形成保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋該罩幕；以及 在該保護(hù)層上形成共用電極圖案，該共用電極圖案位于該像素電極圖案上方。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該罩幕為光致抗蝕劑圖案，且在進(jìn)行該處理程序之后，移除該罩幕。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括: 在該柵絕緣層上形成保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋該通道區(qū)；以及 在該保護(hù)層上形成共用電極圖案，該共用電極圖案位于該像素電極圖案上方。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成該第一半導(dǎo)體圖案與該第二半導(dǎo)體圖案之后，才形成該源極與該漏極。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括: 在該柵絕緣層上形成保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋該罩幕；以及 在該保護(hù)層上形成共用電極圖案，該共用電極圖案位于該像素電極圖案上方。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該罩幕為光致抗蝕劑圖案，在進(jìn)行該處理程序之后且形成該源極與該漏極之前，移除該罩幕。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括: 在該柵絕緣層上形成保護(hù)層；以及 在該保護(hù)層上形成共用電極圖案，該共用電極圖案位于該像素電極圖案上方。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該處理程序包括氫氣或氮?dú)獾入x子摻雜、紫外光照射或加熱。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一半導(dǎo)體圖案的材料與該第二半導(dǎo)體圖案的材料相同，且該材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。12.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 基板； 柵極，位于該基板上； 柵絕緣層，覆蓋該柵極； 源極與漏極，位于該柵絕緣層上； 半導(dǎo)體圖案，位于該柵極上方且與該源極以及該漏極接觸，其中該半導(dǎo)體圖案包括: 第一導(dǎo)電區(qū)，位于該半導(dǎo)體圖案的一側(cè)且與該源極電性連接； 第二導(dǎo)電區(qū)，位于該半導(dǎo)體圖案的另一側(cè)且與該漏極電性連接；以及通道區(qū)，位于該柵極上方且在該第一導(dǎo)電區(qū)與該第二導(dǎo)電區(qū)之間；以及像素電極圖案，與該半導(dǎo)體圖案的該第二導(dǎo)電區(qū)材料相同且同時(shí)形成，且該像素電極圖案通過(guò)該第二導(dǎo)電區(qū)與該漏極電性連接。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極位于該半導(dǎo)體圖案的第一導(dǎo)電區(qū)的下方，且該漏極位于該半導(dǎo)體圖案的第二導(dǎo)電區(qū)的下方。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極位于該半導(dǎo)體圖案的第一導(dǎo)電區(qū)的上方，且該漏極位于該半導(dǎo)體圖案的第二導(dǎo)電區(qū)的上方。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 保護(hù)層，位于該柵絕緣層上；以及 共用電極圖案，位于該保護(hù)層上且位于該像素電極圖案上方。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，其包括下列步驟。在基板上形成柵極。在基板上形成柵絕緣層。在柵絕緣層上形成源極與漏極。在柵絕緣層上形成第一半導(dǎo)體圖案以及第二半導(dǎo)體圖案。第一半導(dǎo)體圖案位于柵極上方且第一半導(dǎo)體圖案與源極以及漏極接觸。第二半導(dǎo)體圖案與漏極接觸。在第一半導(dǎo)體圖案上形成罩幕，此罩幕暴露第一半導(dǎo)體圖案的兩側(cè)。進(jìn)行處理程序，以在第一半導(dǎo)體圖案暴露的兩側(cè)形成第一導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)，且使第二半導(dǎo)體圖案形成像素電極圖案。被罩幕遮蔽的第一半導(dǎo)體圖案形成通道區(qū)。
【IPC分類】H01L27/146
【公開(kāi)號(hào)】CN105321964
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410704527
【發(fā)明人】高金字, 呂雅茹, 吳國(guó)偉, 蘇正芳
【申請(qǐng)人】中華映管股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月10日
【申請(qǐng)日】2014年11月27日
【公告號(hào)】US20160035893