技術(shù)編號：9565879
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。金屬氧化物半導(dǎo)體材料具有高電子迀移率與高透明性，故適合將其應(yīng)用在像素結(jié)構(gòu)的制造。在現(xiàn)有的使用金屬氧化物半導(dǎo)體的像素結(jié)構(gòu)的制造方法中，依序在基板上形成柵極、柵絕緣層與通道后，通常會在通道上額外形成蝕刻停止層(etch stopper) 0然后，再利用額外的光罩圖案化蝕刻停止層，以形成覆蓋部分通道的通道保護(hù)圖案。接著，在形成薄膜晶體管的源極與漏極之后，再形成像素電極。然而，如此一來，需使用多道光罩制程次數(shù)，而不利于降低制造成本與提升產(chǎn)能。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種...
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