用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種補(bǔ)償方法，且特別是涉及一種用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光刻疊對(duì)制作工藝是指半導(dǎo)體制作工藝中層對(duì)層之間的疊對(duì)制作工藝。依據(jù)電路線寬等特性，在芯片制造過程或制作工藝整合過程中，將龐雜的電路走線區(qū)分為不同光掩模層后進(jìn)行曝光顯影并疊置形成于芯片上。然而步進(jìn)機(jī)臺(tái)、晶片本身以及制作工藝環(huán)境都會(huì)造成層間光掩模圖案疊合時(shí)產(chǎn)生位移和誤差，這稱為疊對(duì)誤差。并且，隨著關(guān)鍵尺寸不斷縮小、晶片尺寸變大以及光掩模數(shù)目的增加，光刻疊對(duì)誤差容忍度也越來越嚴(yán)苛。當(dāng)光刻制作工藝的疊對(duì)誤差超過誤差容忍度時(shí)，則層間設(shè)計(jì)電路可能因?yàn)槲灰瓢l(fā)生斷路或是短路而無法通過電性測(cè)試而報(bào)廢，進(jìn)而影響產(chǎn)品良率。
[0003]對(duì)于傳統(tǒng)光刻疊對(duì)(overlay)制作工藝而言，一般只提供對(duì)稱的補(bǔ)償方式來調(diào)整參數(shù)進(jìn)而降低疊對(duì)誤差。然而半導(dǎo)體制作工藝中，芯片上所具有的龐雜電路走線區(qū)大多包含有長(zhǎng)寬相等的對(duì)稱電路區(qū)域與長(zhǎng)寬不等的不對(duì)稱電路區(qū)域。傳統(tǒng)的對(duì)稱補(bǔ)償方式為針對(duì)X軸偏移量(offset)與y軸偏移量進(jìn)行相同參數(shù)的補(bǔ)償，此種補(bǔ)償方式僅適用于對(duì)長(zhǎng)寬相等的對(duì)稱電路區(qū)域進(jìn)行光刻疊對(duì)的制作工藝中。但傳統(tǒng)的對(duì)稱補(bǔ)償方式并無法滿足長(zhǎng)寬不等的不對(duì)稱電路區(qū)域?qū)τ谘a(bǔ)償后的精確度的要求。換句話說，對(duì)于具有長(zhǎng)寬不等的不對(duì)稱電路區(qū)域的芯片而言，對(duì)X軸偏移量與1軸偏移量進(jìn)行相同參數(shù)的補(bǔ)償方式并無法降低疊對(duì)誤差。
[0004]有鑒于此，仍有必要提出一種新的補(bǔ)償方式，以降低具有非對(duì)稱電路區(qū)域的芯片于光刻疊對(duì)制作工藝之后的疊對(duì)誤差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提出一種用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法，以提升元件于光刻疊對(duì)制作工藝后的良率。
[0006]為達(dá)上述優(yōu)點(diǎn)或其他優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明提出一種用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法，包括:提供第一基板，上述第一基板具有電路布局、第一光掩模圖與第二光掩模圖，其中第一光掩模圖與第二光掩模圖依序疊置于電路布局上，且第一光掩模圖與第二光掩模圖相對(duì)于電路布局具有X軸向可容許偏差范圍與y軸向可容許偏差范圍，其中X軸向可容許偏差范圍不等于y軸向可容許偏差范圍；獲取第一光掩模圖相對(duì)于第二光掩模圖的座標(biāo)偏移量；以及計(jì)算座標(biāo)偏移量相對(duì)上述X軸向可容許偏差范圍與上述1軸向可容許偏差范圍的偏移差值，并將第一倍數(shù)的上述座標(biāo)偏移量與第二倍數(shù)的上述偏移差值進(jìn)行加總，以獲得X軸向補(bǔ)償參數(shù)與1軸向補(bǔ)償參數(shù)作為最終補(bǔ)償參數(shù)。
[0007]本發(fā)明另提出一種用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法，包括:提供第一基板，上述第一基板具有電路布局、第一光掩模圖與第二光掩模圖，其中第一光掩模圖與第二光掩模圖依序疊置于電路布局上，且第一光掩模圖與第二光掩模圖分別相對(duì)于電路布局具有X軸向可容許偏差范圍與1軸向可容許偏差范圍，上述X軸向可容許偏差范圍不等于上述y軸向可容許偏差范圍；獲取第一光掩模圖相對(duì)于第二光掩模圖的第一 X軸向偏移量與第一 1軸向偏移量；比對(duì)上述第一 X軸向偏移量與上述第一 1軸向偏移量是否分別落入上述的X軸向可容許偏差范圍內(nèi)與上述的1軸向可容許偏差范圍內(nèi)；計(jì)算上述第一 X軸向偏移量與上述第一 y軸向偏移量分別相對(duì)于上述X軸向可容許偏差范圍與上述1軸向可容許偏差范圍的偏移差值，以獲得第二X軸向偏移量與第二y軸向偏移量；以及以第一倍數(shù)的第一 X軸向偏移量與第二倍數(shù)的第二 X軸向偏移量的總合，與第一倍數(shù)的第一 1軸向偏移量與第二倍數(shù)的第二 1軸向偏移量的總合，做為X軸向與y軸向的最終補(bǔ)償參數(shù)，其中若第一X軸向偏移量及/或第一1軸向偏移量分別落入X軸向可容許偏差范圍內(nèi)與1軸向可容許偏差范圍內(nèi)，則第二 X軸向偏移量及/或第二1軸向偏移量分別為零。
[0008]綜上所述，本發(fā)明的用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法，適用于在對(duì)具有長(zhǎng)、寬不對(duì)稱元件區(qū)的電路布局的基板或晶片進(jìn)行后續(xù)的光刻疊對(duì)制作工藝的過程中，進(jìn)行非對(duì)稱的補(bǔ)償，以使得于光刻疊對(duì)制作工藝中所形成的數(shù)個(gè)光掩模圖可以相對(duì)精確的相互疊置于所期望的電路布局的區(qū)域中，進(jìn)而提升產(chǎn)品良率。
[0009]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附的附圖，作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的用以解說本發(fā)明的用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法的基板示意圖。
[0011]符號(hào)說明
[0012]110:第一基板
[0013]120:電路布局
[0014]121:第一元件區(qū)
[0015]122:第二條狀元件區(qū)
[0016]ΙδΟ:溝槽
[0017]130:第一光掩模圖
[0018]140:第二光掩模圖
[0019]±rx:x軸向可容許偏差范圍
[0020]±ry:y軸向可容許偏差范圍
[0021](aix, biy):座標(biāo)偏移量
[0022](cjx, djy):偏移差值
【具體實(shí)施方式】
[0023]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0024]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的用以解說本發(fā)明的用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法的基板示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1。本發(fā)明的用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法包括:首先，提供第一基板110，其中第一基板110上具有電路布局120、第一光掩模圖130與第二光掩模圖140，且第一光掩模圖130與第二光掩模圖140依序疊置于電路布局120上。上述第一光掩模圖130相對(duì)于電路布局120具有X軸向可容許偏差范圍±rx與y軸向可容許偏差范圍±ry,且第二光掩模圖140相對(duì)于電路布局120也具有x軸向可容許偏差范圍±rx與y軸向可容許偏差范圍±ry，其中上述X軸向可容許偏差范圍±rx不等于y軸向可容許偏差范圍土ry。
[0025]上述電路布局120例如具有多個(gè)第一元件區(qū)121與多個(gè)第二條狀元件區(qū)122，如圖1所示。上述多個(gè)第二條狀元件區(qū)122配置于橫向的兩相鄰第一元件區(qū)121之間，且縱向的兩相鄰第一元件區(qū)121之間間隔有溝槽150。上述第一元件區(qū)121的形狀具有不對(duì)稱的長(zhǎng)度與寬度，例如是長(zhǎng)方形。因此，第一光掩模圖130的至少一端點(diǎn)與第二光掩模圖140的至少一端點(diǎn)是被期望能位于第一元件區(qū)121的范圍內(nèi)，而不要位于第二條狀元件區(qū)122的范圍內(nèi)。此外，由于第一元件區(qū)121的形狀具有不對(duì)稱的長(zhǎng)度與寬度，因此第一光掩模圖130的端點(diǎn)相對(duì)于電路布局120，以及第二光掩模圖140的端點(diǎn)相對(duì)于電路布局120，則分別具有不相等的X軸向可容許偏差范圍土^與7軸向可容許偏差范圍土ry。值得一提的是，圖1的基板示意圖僅用來解說本發(fā)明的非對(duì)稱補(bǔ)償方法，但并不表示本發(fā)明的非對(duì)稱補(bǔ)償方法只適用在具有圖1的電路布局的基板。
[0026]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1。在提供第一基板110之后，接下來，獲取第一光掩模圖130相對(duì)于第二光掩模圖140的座標(biāo)偏移量(aix, biy),上述座標(biāo)偏移量(aix, biy)包括第一 x軸向偏移量aix與第一 y軸向偏移量biy。
[0027]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1。在獲取座標(biāo)偏移量(alx，bly)之后，接下來，比對(duì)第一 X軸向偏移量alx是否落入X軸向可容許偏差范圍±rx內(nèi)，以及比對(duì)第一 y軸向偏移量bly是否落入y軸向可容許偏差范圍±ry內(nèi)。并且，計(jì)算座標(biāo)偏移量(aix, biy)中的第一 X軸向偏移量aix與第一 y軸向偏移量bly相對(duì)于X軸向可容許偏差范圍土^與7軸向可容許偏差范圍±ry的偏移差值(cjx, djy),以獲得第二 X軸向偏移量cjx與第二 y軸向偏移量djy。其中若第一 X軸向偏移量aix落入X軸向可容許偏差范圍±rx內(nèi)，則第二 X軸向偏移量cjx的數(shù)值為零。若第一 y軸向偏移量bly落入y軸向可容許偏差范圍±ry內(nèi)，則第二 y軸向偏移量djy的數(shù)值為零。上述c]x、d]y的數(shù)值可依據(jù)下列運(yùn)算式來進(jìn)行運(yùn)算:
[0028]在aix 彡 0 的情況下:若 aix>rx,則 c jx = aix-rx,但若 aix ( rx,則 c jx = 0 ；
[0029]在biy 彡 0