一種顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法，尤其涉及一種低功耗的顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的AMOLED面板中像素排布一般為真實像素排布(Real排布)，這種排布的構(gòu)造方式比較簡單，版圖設(shè)計和掩膜制作都比較方便，工藝制作也比較容易。
[0003]如圖1a所示，傳統(tǒng)的AMOLED面板包括背板模塊I’、鈍化層2’、平坦化層3’、像素定義層7’、透明導(dǎo)電層4’與有機發(fā)光層6’。其中鈍化層2’形成在背板模塊I’之上，平坦化層3’形成在鈍化層2’之上。像素定義層V形成于所述絕緣層上，所述像素定義層V包含多個開口，且可以與平坦化層3’同層同質(zhì)。透明導(dǎo)電層4’形成于所述絕緣層表面，包括開口區(qū)透明導(dǎo)電層4a’與非開口區(qū)透明導(dǎo)電層4b’，開口區(qū)透明導(dǎo)電層4a’位于所述像素定義層的所述多個開口中，非開口區(qū)透明導(dǎo)電層4b’位于所述絕緣層與所述像素定義層之間。有機發(fā)光層6’形成于所述開口區(qū)透明導(dǎo)電層4a’之上，以相應(yīng)形成多個子像素。開口區(qū)透明導(dǎo)電層4a’的表面積、有機發(fā)光層6’的表面積與開口的表面積相同。單個子像素的發(fā)光面積等于其所在開口中的平面化的面積。圖中，三段開口區(qū)透明導(dǎo)電層4a’所在的位置分別對應(yīng)紅色子像素R’、綠色子像素G’和藍色子像素B’。
[0004]另外如圖1b所示，8’為開在絕緣層中的過孔，9’為背板模塊中的TFT，10’為有機發(fā)光單元中的陰極。所述非開口區(qū)透明導(dǎo)電層4b’通過過孔8，與非開口區(qū)的TFT9’相連。
[0005]但是，隨著智能手機的應(yīng)用，對高PPI (高解析度，即每英寸所擁有的像素數(shù)目，Pixels Per Inch)的追求就一直是AMOLED的主要目標。
[0006]由于AMOLED的像素發(fā)光點是利用精細金屬掩模(Fine Metal Mask)在蒸鍍工藝中制作的，受到工藝規(guī)則及掩模本身的限制，當面板在高PPI的時候，開口率自然會減小。
[0007]當像素開口率變小的時候，發(fā)光區(qū)域的面積也就變小，而就整個Panel而言，我們設(shè)定的電流是一定的，所以每個像素的電流密度就會隨之增加。如圖2所示，根據(jù)AMOLED面板的電流密度與電壓曲線(J-V Curve)可知，當電流密度增加時，電壓也隨之增加。
[0008]以A，B兩種開口率不同情況為例(B的開口率小于A的開口率)，同樣產(chǎn)品功耗的改變值，開口率減小帶來了 10%?15%的功耗增加量。對于便攜式應(yīng)用的手機來說，這種改變極為不利。如何在實現(xiàn)高PPI的前提下，同時不帶來功耗的額外增加，成為一個非常重要的課題。
[0009]行業(yè)中也有人嘗試提到顏色演算(Rendering)的辦法可以既保證高PPI，同時保證開口率不變小。但是這種方法的不足在于:
[0010]1、演算顯示效果不如Real，比如斜線毛刺的問題；
[0011]2、電路(IC)會變得復(fù)雜，增加很多成本；
[0012]3、缺乏核心的算法專利。
[0013]有鑒于此，發(fā)明人提供了一種低功耗的顯示裝置及其制造方法。
[0014]另外，在現(xiàn)有技術(shù)中，就一個AMOLED面板而言，整體跨壓的設(shè)計一般是一定的，所以這個設(shè)定必須給各子像素的電壓留足緩沖，讓各子像素的電壓都能夠保證。在這種情況下，部分子像素的電壓大小超過所需電壓，出現(xiàn)電壓設(shè)置冗余，造成的功耗浪費會成為整個設(shè)置的瓶頸。
[0015]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種低功耗的顯示裝置及其制造方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置及其制造方法，改變了像素區(qū)域的空間結(jié)構(gòu)，增加發(fā)光區(qū)域表面積，可適用于各種顯示裝置。
[0017]本發(fā)明的第一發(fā)明目的是:通過設(shè)置下凹孔也可以在高PP1、開口率降低的情況下，增大發(fā)光面積，減小電流密度，從而節(jié)省功耗。
[0018]本發(fā)明的另一發(fā)明目的是:通過三個子像素的電壓匹配，消除或減小電壓冗余，從而節(jié)省功耗。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種包括多種顏色的多個子像素的顯示裝置，包括:
[0020]背板模塊，包括包含TFT驅(qū)動背板以及形成于所述TFT驅(qū)動背板之上的絕緣層；
[0021]像素定義層，形成于所述絕緣層上，所述像素定義層包含多個開口 ；
[0022]有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層形成于所述多個開口中，以相應(yīng)形成多個子像素；
[0023]在至少一種顏色的所述子像素的下方的所述絕緣層中有立體下凹孔，每個所述立體下凹孔對應(yīng)所述像素定義層的一個開口，所述有機發(fā)光層形成于所述多個立體下凹孔中，以相應(yīng)形成多個子像素。
[0024]優(yōu)選地，所述顯示裝置還包括透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層位于所述絕緣層表面，包括開口區(qū)透明導(dǎo)電層和非開口區(qū)透明導(dǎo)電層，所述開口區(qū)透明導(dǎo)電層位于所述像素定義層的所述多個開口中，所述非開口區(qū)透明導(dǎo)電層位于所述絕緣層與所述像素定義層之間；
[0025]在所述立體下凹孔中，所述開口區(qū)透明導(dǎo)電層貼合每個所述立體下凹孔的表面，所述立體下凹孔中所述透明導(dǎo)電層的表面積大于所述像素定義層的對應(yīng)的開口的面積。
[0026]優(yōu)選地，所述絕緣層包括平坦化層，所述立體下凹孔未貫穿所述平坦化層。
[0027]優(yōu)選地，所述絕緣層包括平坦化層和鈍化層，所述平坦化層形成于所述鈍化層之上。
[0028]優(yōu)選地，所述立體下凹孔未貫穿所述平坦化層。
[0029]優(yōu)選地，所述立體下凹孔貫穿所述平坦化層，且未貫穿所述鈍化層。
[0030]優(yōu)選地，所述多個子像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素；不同顏色的所述子像素對應(yīng)的立體下凹孔的表面積不同，不同顏色的所述子像素的電壓相等。
[0031]優(yōu)選地，紅色子像素對應(yīng)的立體下凹孔的表面積大于綠色子像素對應(yīng)的立體下凹孔的表面積。
[0032]優(yōu)選地，綠色子像素對應(yīng)的立體下凹孔的表面積大于藍色子像素對應(yīng)的立體下凹孔的表面積。
[0033]優(yōu)選地，所述不同顏色子像素的電流(I)、電壓(V)、電流密度(J)和發(fā)光區(qū)域的面積(S)四者具有以下基本函數(shù)關(guān)系= F(V)，I = JS，J = F(V)對應(yīng)電流密度隨電壓變化的曲線，所述該子像素的電流值為該類型有機發(fā)光器件中該子像素的可確定的電流值；
[0034]所述發(fā)光區(qū)域的面積⑶與電流(I)、電壓(V)的函數(shù)關(guān)系為S= [I/F(V)];利用所述發(fā)光區(qū)域的面積(S)與電流(I)、電壓(V)的函數(shù)關(guān)系，根據(jù)設(shè)定的電壓值來匹配各子像素的表面積。
[0035]優(yōu)選地，所述立體下凹孔由至少一個凹坑組成，所述凹坑是倒梯形槽、三角槽、倒金字塔型坑、倒棱臺坑、倒椎體坑、半球體坑中的任意一種。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供一種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置