， 在所述半導體結構的頂表面上形成導電觸點還包括: 在所述觸點窗中沉積金屬層以形成用于所述光子器件的導電觸點。53.如權利要求52所述的方法，其中， 所述金屬層是至少部分地由Au形成。54.如權利要求52所述的方法，其中， 所述金屬層延伸超越所述觸點窗到所述保護層上以密封住所述觸點窗。55.如權利要求38所述的方法，還包括: 在與所述半導體結構相反的所述基板的底表面上沉積金屬層以形成用于所述光子器件的導電觸點。56.如權利要求38所述的方法，其中， 單片化所述基板包括: 沿著形成于所述基板中的單片化邊沿來單片化所述光子器件。57.如權利要求56所述的方法，其中， 所述保護層覆蓋延伸到所述單片化邊沿的所述基板的露出的部分。58.一種光子器件，包括: 基板； 在所述基板上的半導體結構，所述半導體結構包括: 有源層；以及 至少一個蝕刻小面，定義包括所述有源層的所述半導體結構的至少一個側面；以及介電材料或金屬材料的保護層，覆蓋在所述至少一個蝕刻小面處的所述有源層的750nm之內的所述半導體結構的所有表面； 其中，所述光子器件是脊形激光器。59.如權利要求58所述的光子器件，還包括: 在所述半導體結構上的導電觸點。60.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述基板是InP。61.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述基板是GaAs。62.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述基板是GaN。63.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述保護層是由二氧化硅形成。64.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述脊形激光器包括具有頂表面和多個側面的脊以及位于所述脊頂表面處的觸點窗，以及 其中，所述保護層完全覆蓋除所述觸點窗之外的所述脊頂表面和側面中的每一個。65.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述基板具有離所述至少一個蝕刻小面不小于約750nm的單片化邊沿，以及 其中，所述保護層完全覆蓋在所述至少一個蝕刻小面和所述單片化邊沿之間的所述基板。66.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述保護層完全覆蓋橫向地延伸越過所述至少一個側面的所述半導體結構的一部分的頂表面。67.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述半導體結構還包括: 位于所述有源層之上的頂表面；以及 位于所述有源層之下的被覆區(qū)。68.如權利要求67所述的光子器件，還包括: 位于所述有源層之上的第二被覆區(qū)。69.如權利要求68所述的光子器件，還包括: 位于所述第二被覆區(qū)之上的覆蓋層；以及 在所述半導體結構的所述頂表面上由所述保護層定義的觸點窗，所述觸點窗露出在所述半導體結構的所述頂表面上的所述覆蓋層的至少一部分。70.如權利要求69所述的光子器件，還包括: 至少部分地形成于所述覆蓋層的所述露出的部分上的導電觸點。71.如權利要求70所述的光子器件，其中， 所述導電完全覆蓋所述觸點窗并且延伸到所述保護層之上以完全密封住所述觸點窗。72.如權利要求69所述的光子器件，其中， 所述觸點窗與所述半導體結構的所述至少一個側面隔開并且并不延伸到所述至少一個側面。73.如權利要求58所述的光子器件，還包括: 導電觸點，形成于與所述半導體結構相反的所述基板的底表面上。74.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述半導體結構進一步包括: 至少一個蝕刻壁，定義所述半導體結構的其余側面。75.如權利要求74所述的光子器件，其中， 所述側面形成于包括所述有源層的所述半導體結構的第一部分上，并且所述半導體結構的第二部分橫向地延伸越過所述側面。76.如權利要求58所述的光子器件，其中， 所述保護層是沉積的介電材料的單一連續(xù)層。77.如權利要求76所述的光子器件，其中， 所述沉積的介電材料的單一連續(xù)層也在所述基板上延伸并且覆蓋在所述至少一個蝕刻小面的750nm之內的所述基板的所有表面。78.一種封裝的光子器件，包括: 基板； 在所述基板上的半導體結構，所述半導體結構包括: 有源層；以及 至少一個蝕刻小面，定義包括所述有源層的所述半導體結構的至少一個側面； 在所述半導體結構上的導電觸點； 介電材料或金屬材料的保護層，覆蓋在所述至少一個蝕刻小面處的所述有源層的750nm之內的所述半導體結構的所有表面；以及電連接到所述導電觸點的非密封的封裝。79.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述封裝的光子器件是激光器。80.如權利要求79所述的封裝的光子器件，其中， 所述激光器是脊形激光器，包括具有頂表面和多個側面的脊以及位于所述脊頂表面處的觸點窗，以及 其中，所述保護層完全覆蓋除所述觸點窗之外的所述脊頂表面和側面中的每一個。81.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述封裝的光子器件是電吸附調制器。82.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述封裝的光子器件是半導體光學放大器。83.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述基板是由下列之一形成的:InP ；GaAs ;和GaN。84.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述保護層是由二氧化硅形成。85.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述基板具有離所述至少一個蝕刻小面不小于約750nm的單片化邊沿，以及 其中，所述保護層完全覆蓋在所述至少一個蝕刻小面和所述單片化邊沿之間的所述基板。86.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述保護層完全覆蓋橫向地延伸越過所述至少一個側面的所述半導體結構的一部分的頂表面。87.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述半導體結構還包括: 位于所述有源層之上的頂表面；以及 位于所述有源層之下的被覆區(qū)。88.如權利要求87所述的封裝的光子器件，還包括: 位于所述有源層之上的第二被覆區(qū)。89.如權利要求88所述的封裝的光子器件，還包括: 位于所述第二被覆區(qū)之上的覆蓋層；以及 在所述半導體結構的所述頂表面上由所述保護層定義的觸點窗，所述觸點窗露出在所述半導體結構的所述頂表面上的所述覆蓋層的至少一部分。90.如權利要求89所述的封裝的光子器件，其中， 所述導電觸點是至少部分地形成于所述覆蓋層的所述露出的部分上的。91.如權利要求90所述的封裝的光子器件，其中， 所述導電觸點完全覆蓋所述觸點窗并且延伸到所述保護層之上以完全密封住所述觸點窗。92.如權利要求89所述的封裝的光子器件，其中， 所述觸點窗與所述半導體結構的所述至少一個側面隔開并且并不延伸到所述至少一個側面。93.如權利要求78所述的封裝的光子器件，還包括: 導電觸點，形成于與所述半導體結構相反的所述基板的底表面上。94.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述半導體結構還包括: 至少一個蝕刻壁，定義所述半導體結構的其余側面。95.如權利要求94所述的封裝的光子器件，其中， 所述側面形成于包括所述有源層的所述半導體結構的第一部分上，并且所述半導體結構的第二部分橫向地延伸越過所述側面。96.如權利要求78所述的封裝的光子器件，其中， 所述保護層是沉積的介電材料的單一連續(xù)層。97.如權利要求96所述的封裝的光子器件，其中， 所述沉積的介電材料的單一連續(xù)層也在所述基板上延伸并且覆蓋在所述至少一個蝕刻小面的750nm之內的所述基板的所有表面。
【專利摘要】本發(fā)明公開了高可靠性的蝕刻小面光子器件。半導體光子器件表面被覆蓋以電介質或金屬保護層。保護層覆蓋整個器件，包括在有源區(qū)小面附近的區(qū)域，以保護裸露或未經保護的半導體區(qū)，由此形成非常高可靠性蝕刻小面的光子器件。
【IPC分類】H01S5/22, H01S5/028
【公開號】CN105207053
【申請?zhí)枴緾N201510541116
【發(fā)明人】A·A·貝希爾
【申請人】賓奧普迪克斯股份有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2006年2月17日
【公告號】CN101160699A, EP1854189A2, EP1854189A4, EP1854189B1, US8787419, US20060187985, US20140286368, US20140286370, US20140287544, US20140287545, WO2006089128A2, WO2006089128A3