用于制造多個(gè)光電子器件的方法和光電子器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]提出一種用于制造多個(gè)光電子器件的方法以及光電子器件。
【背景技術(shù)】
[0002]用于制造多個(gè)光電子器件的方法和光電子器件例如在下面的參考文獻(xiàn)中描述:WO2007/025515、WO 2012/000943。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]應(yīng)提出一種用于制造光電子器件的成本適當(dāng)?shù)姆椒?。此外，?yīng)提出一種具有緊湊結(jié)構(gòu)的光電子器件。
[0004]所述目的通過具有權(quán)利要求1的步驟的方法以及通過具有權(quán)利要求18的特征的光電子器件來實(shí)現(xiàn)。
[0005]方法的或光電子器件的有利的改進(jìn)方案和實(shí)施方式在從屬權(quán)利要求中給出。
[0006]在用于制造多個(gè)光電子器件的方法中，提供具有接觸結(jié)構(gòu)的輔助載體晶片。輔助載體晶片優(yōu)選具有玻璃、藍(lán)寶石或半導(dǎo)體材料、例如硅。輔助載體晶片也能夠由玻璃、藍(lán)寶石或半導(dǎo)體材料、例如硅構(gòu)成。多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體施加到接觸結(jié)構(gòu)上。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體適合于:從輻射出射面發(fā)出第一波長范圍的電磁輻射。至少接觸結(jié)構(gòu)由囊封件封裝。輔助載體晶片優(yōu)選從所形成的復(fù)合件中移除。尤其優(yōu)選地，將輔助載體晶片完全從隨后的器件的復(fù)合件中移除。
[0007]方法利用下述思想:為了制造多個(gè)光電子器件，替代預(yù)制的殼體使用輔助載體晶片。輔助載體晶片在此通常隨后不再包含在制成的器件中。輔助載體晶片用于在制造光電子器件期間機(jī)械穩(wěn)定半導(dǎo)體本體。此外，各個(gè)用于制造光電子器件的方法步驟由于輔助載體晶片能夠簡單地以晶片級(jí)進(jìn)行。由此，有利地，節(jié)約材料和工藝耗費(fèi)并且制造方法的各個(gè)工藝步驟的整體優(yōu)化是可行的。此外，各個(gè)生產(chǎn)單元、例如輔助載體晶片能夠簡單地縮放。
[0008]此外，借助所提出的方法，實(shí)現(xiàn)制成的器件的尤其緊湊的和/或扁平的結(jié)構(gòu)。緊湊的結(jié)構(gòu)有利地引起半導(dǎo)體本體在制成的器件運(yùn)行時(shí)的非常好的散熱。
[0009]此外，在所提出的方法中，有利地，能夠放棄使用預(yù)制的導(dǎo)體框或陶瓷面板以用于半導(dǎo)體本體的機(jī)械穩(wěn)定。在所提出的方法中，有利地也不需要使用貫通接觸的硅面板。制成的器件尤其優(yōu)選地不具有常規(guī)的殼體。
[0010]接觸結(jié)構(gòu)尤其優(yōu)選地用于隨后電接觸半導(dǎo)體本體。接觸結(jié)構(gòu)例如由各個(gè)接觸結(jié)構(gòu)元件構(gòu)成，所述接觸結(jié)構(gòu)元件彼此電絕緣。尤其優(yōu)選地，每個(gè)半導(dǎo)體本體與兩個(gè)接觸結(jié)構(gòu)元件相關(guān)聯(lián)。尤其，當(dāng)每個(gè)隨后的器件具有唯一的半導(dǎo)體本體時(shí)，每個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體本體優(yōu)選地與剛好兩個(gè)接觸結(jié)構(gòu)元件相關(guān)聯(lián)。
[0011]尤其優(yōu)選地，每個(gè)半導(dǎo)體本體借助與其輻射出射面相對(duì)置的安裝面導(dǎo)電地施加到接觸結(jié)構(gòu)元件上。半導(dǎo)體本體的輻射出射面在此通常是半導(dǎo)體本體的前側(cè)的部分，然而所述部分能夠具有子區(qū)域、例如焊盤，輻射不能夠從所述子區(qū)域中射出。前側(cè)與安裝面相對(duì)置。
[0012]例如，接觸結(jié)構(gòu)具有第一金屬層和第二金屬層，其中第二金屬層電鍍地沉積在第一金屬層上。第一金屬層尤其優(yōu)選地具有在50納米和500納米之間的厚度，其中包括邊界值。第一金屬層例如能夠具有下述材料中的一種材料或由下述材料中的一種材料構(gòu)成:金、镲。
[0013]第一金屬層也稱作為生長層(英語為:“Seed-Layer”種子層)。所述第一金屬層不一定必須由唯一的層構(gòu)成。更確切地說，也可行的是，第一金屬層是由多個(gè)彼此不同的單層構(gòu)成的層序列。例如，第一金屬層能夠包括金單層和鎳單層或者由金單層或鎳單層構(gòu)成。
[0014]第二金屬層尤其優(yōu)選地厚于第一金屬層。第二金屬層尤其優(yōu)選地具有在10微米和100微米之間的厚度，其中包括邊界值。第二金屬層例如具有大約60微米的厚度。第二金屬層尤其優(yōu)選地具有下述材料中的一種或者由下述材料中的一種形成:銀、金、鎳、銅。
[0015]第二金屬層不一定必須由唯一的層構(gòu)成。更確切地說，也可行的是，第二金屬層是由多個(gè)彼此不同的單層構(gòu)成的層序列。例如，第二金屬層能夠包括銀單層和鎳單層或者由銀單層和鎳單層構(gòu)成。
[0016]也可行的是，第二金屬層包括金單層和鎳單層或者由金單層和鎳單層構(gòu)成。
[0017]此外，第二金屬層能夠包括鎳單層、銅單層、另一個(gè)鎳單層和銀單層或者由這些單層構(gòu)成。優(yōu)選地，第二金屬層在此具有以在上文中說明的順序、即以鎳-銅-鎳-銀的順序的所述單層。銀單層在此也能夠通過金單層替換。
[0018]尤其優(yōu)選地，第二金屬層具有帶有底切的側(cè)壁。例如，第二金屬層的側(cè)壁在子區(qū)域至少或在整個(gè)長度至少傾斜于第二金屬層的主面的法線構(gòu)成，其中第二金屬層的橫截面從朝向半導(dǎo)體本體的主面朝向背離半導(dǎo)體本體的主面漸縮。尤其優(yōu)選地，囊封件以形狀配合的方式包圍半導(dǎo)體本體和接觸結(jié)構(gòu)。囊封件尤其優(yōu)選地與半導(dǎo)體本體和接觸結(jié)構(gòu)構(gòu)成共同的邊界面。有利地，具有帶有底切的側(cè)壁的第二金屬層有助于囊封件在隨后的器件之內(nèi)的更好的固定。
[0019]根據(jù)方法的一個(gè)實(shí)施方式，除了發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體之外，將其他的有源元件、例如ESD 二極管芯片(ESD在此表示“靜電放電”)施加到輔助載體晶片上。例如，每個(gè)隨后的器件能夠具有ESD 二極管芯片，所述ESD 二極管芯片設(shè)為用于，保護(hù)器件免受過高的電壓。
[0020]根據(jù)方法的一個(gè)實(shí)施方式，囊封件構(gòu)成為是反射性的和/或轉(zhuǎn)換波長的。囊封件尤其優(yōu)選地具有基體材料，例如環(huán)氧化物、硅樹脂、聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、聚己內(nèi)酰胺(PCT)或者至少兩種所述材料的混合物。為了將囊封件構(gòu)成為是反射性的，例如將反射性的顆粒嵌入到基體材料中。反射性的顆粒例如能夠包含下述材料中的一種或由下述材料中的一種構(gòu)成:氧化鈦、鋅白、例如氧化鋅、鉛白、例如碳酸鉛。
[0021]此外，對(duì)反射性的特性附加地或替選地，囊封件也能夠構(gòu)成為是轉(zhuǎn)換波長的。轉(zhuǎn)換波長的囊封件優(yōu)選地適合于:將第一波長范圍的電磁輻射轉(zhuǎn)換成第二波長范圍的電磁輻射。對(duì)此，例如將發(fā)光材料顆粒引入到囊封件的基體材料中，所述發(fā)光材料顆粒適合于，將第一波長范圍的電磁輻射轉(zhuǎn)換成第二波長范圍的電磁輻射。換言之，發(fā)光材料顆粒優(yōu)選地給予囊封件轉(zhuǎn)換波長的特性。
[0022]將“轉(zhuǎn)換波長”在此尤其理解成將特定的波長范圍的入射的電磁輻射轉(zhuǎn)換成另外的、優(yōu)選更長波長的波長范圍的電磁輻射。尤其，在轉(zhuǎn)換波長時(shí)，入射的波長范圍的電磁輻射通過轉(zhuǎn)換波長的元件吸收，通過原子和/或分子層面的電子過程轉(zhuǎn)換成另一波長范圍的電磁輻射并且再次發(fā)送。尤其，術(shù)語“轉(zhuǎn)換波長”當(dāng)前不表示電磁輻射的純散射或純吸收。
[0023]發(fā)光材料顆粒例如能夠具有一種下述材料或由一種下述材料構(gòu)成:摻雜有稀土元素的石榴石、摻雜有稀土元素的堿土金屬硫化物、摻雜有稀土元素的硫代鎵酸鹽、摻雜有稀土元素的鋁酸鹽、摻雜有稀土元素的硅酸鹽、摻雜有稀土元素的正硅酸鹽、摻雜有稀土元素的氯代硅酸鹽、摻雜有稀土元素的堿土金屬氮化硅、摻雜有稀土元素的氮氧化物、摻雜有稀土元素的氧氮化鋁、摻雜有稀土元素的氮化硅、摻雜有稀土元素的塞隆(Sialone)。
[0024]囊封件例如能夠借助下述方法中的一種處理:澆注、滴涂、噴射、模塑。
[0025]輔助載體晶片例如能夠通過下述方法中的一種移除:激光剝離、刻蝕、研磨。通常，在此將輔助載體晶片從邊界面移除，所述邊界面部分地通過接觸結(jié)構(gòu)的表面并且部分地