一種大功率半導(dǎo)體致冷件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體致冷件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及致冷件。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體致冷件包括兩側(cè)的瓷板和瓷板中間焊接的晶粒，致冷件在工作的過程中，一側(cè)瓷板溫度升高、一側(cè)溫度降低，溫度升溫一側(cè)的瓷板就會(huì)膨脹，而另一側(cè)由于溫度降低瓷板不會(huì)膨脹，而且可能收縮，由于中間的半導(dǎo)體晶粒將兩側(cè)的瓷板連接在一起，而致冷件兩側(cè)的瓷板不同步膨脹，就會(huì)使半導(dǎo)體致冷件變形、甚至損壞。
[0003]為了保證半導(dǎo)體致冷件正常使用，現(xiàn)有技術(shù)中采取的方案是:要求半導(dǎo)體致冷件的外形尺寸不能太大，目前使用的半導(dǎo)體致冷件最大的尺寸是60毫米X60毫米，由于致冷件的尺寸較小，其功率也不會(huì)太大，例如60毫米X 60毫米的致冷件功率最大是12V。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，還沒有其他的防止兩側(cè)的瓷板膨脹不同步的保護(hù)措施。
[0005]由于以上原因，現(xiàn)有的致冷件難以滿足需要大功率致冷件的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的就是針對(duì)上述缺點(diǎn)，提供一種可以滿足不同的需要的大功率半導(dǎo)體致冷件。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種大功率半導(dǎo)體致冷件，包括兩側(cè)的瓷板和瓷板中間焊接的晶粒，其特征是:所述的瓷板上具有多個(gè)小孔。
[0008]較好的，所述的小孔包括圓形孔、橢圓形孔、方形孔等。
[0009]較好的，所述的小孔的直徑或短軸小于1.0_。
[0010]較好的，所述的小孔密度是每平方厘米不小于4個(gè)。
[0011]最好的，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米。
[0012]本發(fā)明的有益效果是:這樣的半導(dǎo)體致冷件可以制成較大的尺寸、制成較大的功率、滿足大功率的需求，所述的小孔包括圓形孔、橢圓形孔、方形孔等，所述的小孔的直徑或短軸小于1.0mm,所述的小孔密度是每平方厘米不小于4個(gè)，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米，都是為了更好的滿足大功率致冷件而采取的更好的技術(shù)方案。
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]其中:1、瓷板 2、晶粒 3、小孔。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0016]如圖1所示，一種大功率半導(dǎo)體致冷件，包括兩側(cè)的瓷板I和瓷板中間焊接的晶粒2，其特征是:所述的瓷板上具有多個(gè)小孔3。設(shè)置了小孔可以消除瓷板受熱產(chǎn)生的膨脹，保證受熱不至于損壞，這樣就可以將致冷件制造的較大，滿足大功率致冷件的需要，實(shí)踐證明瓷板上具有多個(gè)小孔的致冷件尺寸可以是10mmX 100mm，滿足更大功率的需要。
[0017]較好的，所述的小孔包括圓形孔、橢圓形孔、方形孔等。
[0018]較好的，所述的小孔的直徑或短軸小于1.0_，實(shí)踐證明這樣消除受熱膨脹效應(yīng)效果較好，而且正常的不影響焊接晶粒。
[0019]較好的，所述的小孔密度是每平方厘米不小于4個(gè)，這樣可以將致冷件制成180mmX 180mm，功率達(dá)到220V，甚至更大，這樣的致冷件可以滿足大功率的致冷需要。
[0020]最好的，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米，這樣更能夠保證致冷件的使用壽命。
[0021]以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例，但本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征并不限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種大功率半導(dǎo)體致冷件，包括兩側(cè)的瓷板和瓷板中間焊接的晶粒，其特征是:所述的瓷板上具有多個(gè)小孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體致冷件，其特征是:所述的小孔包括圓形孔、橢圓形孔、方形孔。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體致冷件，其特征是:所述的小孔的直徑或短軸小于1.0mm04.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的半導(dǎo)體致冷件，其特征是:所述的小孔密度是每平方厘米不小于4個(gè)。5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的半導(dǎo)體致冷件，其特征是:所述的瓷板的厚度大于1.2毫米。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體致冷件，其特征是:所述的瓷板的厚度大于1.2毫米。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體致冷件技術(shù)領(lǐng)域，名稱是一種大功率半導(dǎo)體致冷件，包括兩側(cè)的瓷板和瓷板中間焊接的晶粒，其特征是：所述的瓷板上具有多個(gè)小孔，所述的小孔包括圓形孔、橢圓形孔、方形孔等，所述的小孔的直徑或短軸小于1.0mm，所述的小孔密度是每平方厘米不小于4個(gè)，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米，這樣的半導(dǎo)體致冷件可以制成較大的尺寸、制成較大的功率、滿足大功率的需求，所述的小孔包括圓形孔、橢圓形孔、方形孔等，所述的小孔的直徑或短軸小于1.0mm，所述的小孔密度是每平方厘米不小于4個(gè)，所述的瓷板的厚度大于1.2毫米，都是為了更好的滿足大功率致冷件而采取的更好的技術(shù)方案。
【IPC分類】H01L35/32
【公開號(hào)】CN104934525
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410101508
【發(fā)明人】劉寶成
【申請(qǐng)人】河南恒昌電子有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2014年3月19日