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半導(dǎo)體芯片以及半導(dǎo)體封裝的制作方法_3

文檔序號:9201772閱讀:來源:國知局
第一 1單元區(qū)域1l的上方,沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0092]該第一金屬層MPl經(jīng)由通孔BPla、BPlb,將第一差動放大電路Al的同相輸出端子和第一同相用焊盤電極Pl電連接。
[0093]另一方面,第二金屬層MNl被配置在第一 1單元區(qū)域1l和第一反相用焊盤電極NI之間。該第二金屬層麗I在第一 1單元區(qū)域1l的上方,沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0094]該第二金屬層MNl經(jīng)由通孔BNla、BNlb,將第一差動放大電路Al的反相輸出端子和第一反相用焊盤電極NI電連接。
[0095]此外,如圖5至圖7所示,第一金屬層MP2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第二同相用焊盤電極P2之間。該第一金屬層MP2在第二 1單元區(qū)域102的上方,沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0096]該第一金屬層MP2經(jīng)由通孔BP2a、BP2b,將第二差動放大電路A2的同相輸出端子和第二同相用焊盤電極P2電連接。
[0097]另一方面,第二金屬層MN2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第二反相用焊盤電極N2之間。該第二金屬層麗2在第二 1單元區(qū)域102的上方,沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0098]該第二金屬層麗2經(jīng)由通孔BN2a、BN2b,將第二差動放大電路A2的反相輸出端子和第二反相用焊盤電極N2電連接。
[0099]此外,如圖5至圖7所示,第一金屬層MP3被配置在第三1單元區(qū)域103和第三同相用焊盤電極P3之間。該第一金屬層MP3在第三1單元區(qū)域103的上方,沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0100]該第一金屬層MP3經(jīng)由通孔BP3a、BP3b,將第三差動放大電路A3的同相輸出端子和第三同相用焊盤電極P3電連接。
[0101]另一方面,第二金屬層MN3被配置在第三1單元區(qū)域103和第三反相用焊盤電極N3之間。該第二金屬層麗3在第三1單元區(qū)域103的上方,沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0102]該第二金屬層麗3經(jīng)由通孔BN3a、BN3b,將第三差動放大電路A3的反相輸出端子和第三反相用焊盤電極N3電連接。
[0103]另外,在與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向上的第一金屬層MP1、MP2、MP3的長度被設(shè)定為例如如圖5所示那樣與在與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向上的第二金屬層麗1、麗2、麗3的長度相等。
[0104]例如,通過該圖5至圖7所示的金屬層的配置,能夠?qū)⒑副P電極沿著半導(dǎo)體芯片的邊配置為兩列。
[0105]以上那樣,通過使得從與半導(dǎo)體芯片I的一個差動放大電路連接的同相用焊盤電極以及反相用焊盤電極至各自的鍵合插腳為止的布線的距離相同,從而能夠提高各差動放大電路的差動信號的特性。
[0106]S卩,根據(jù)本實施方式所涉及的半導(dǎo)體芯片,能夠提高差動信號的特性。
[0107]【第二實施方式】
[0108]圖8是對圖1所示的半導(dǎo)體封裝100的區(qū)域F進行了關(guān)注的結(jié)構(gòu)的其他例的俯視面。此外,圖9是表示圖8所示的各1單元區(qū)域的差動放大電路和焊盤電極之間的連接關(guān)系的一例的俯視面。
[0109]并且,如圖8所示,同相用焊盤電極和反相用焊盤電極的組(第一同相用焊盤電極Pl和第一反相用焊盤電極NI的第一組、第二同相用焊盤電極P2和第二反相用焊盤電極N2的第二組、第三同相用焊盤電極P3和第三反相用焊盤電極N3的第三組)沿著半導(dǎo)體芯片I的邊Ia被配置為兩列(Y1、Y2)。
[0110]特別是,第一組的第一同相用焊盤電極Pl和第一反相用焊盤電極NI位于上述兩列之中的半導(dǎo)體芯片I的外周側(cè)的第一列Υ1。并且,第二組的第二同相用焊盤電極Ρ2和第二反相用焊盤電極Ν2位于上述兩列之中的半導(dǎo)體芯片I的中央側(cè)的第二列Υ2。并且,第三組的第三同相用焊盤電極Ρ3和第三反相用焊盤電極Ν3位于上述兩列之中的半導(dǎo)體芯片I的外周側(cè)的第一列Yl。
[0111]此外,第二同相用焊盤電極Ρ2被配置在第一 1單元區(qū)域1l和第二 1單元區(qū)域102的邊界Zl、與第二 1單元區(qū)域102和第三1單元區(qū)域103的邊界Ζ2之間。
[0112]此外,第二反相用焊盤電極Ν2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第三1單元區(qū)域103的邊界Ζ2、與第三1單元區(qū)域103和其他1單元區(qū)域的邊界Ζ3之間。
[0113]并且,如圖8、圖9所示,第二同相用焊盤電極Ρ2包含從矩形的主體部延伸的延伸部P2b。此外,第二反相用焊盤電極N2包含從矩形的主體部延伸的延伸部N2b。
[0114]像這樣,在該第二實施方式中,第二同相用焊盤電極P2以及第二反相用焊盤電極N2的結(jié)構(gòu)以及配置不同。
[0115]并且,如圖9所示,在與第一 1單元區(qū)域1l鄰接的第二 1單元區(qū)域102中,設(shè)置有第二差動放大電路A2。
[0116]并且,第二反相用焊盤電極N2的延伸部N2b與被設(shè)置在第二 1單元區(qū)域102的第二差動放大電路A2的反相輸出端子(反相端子)電連接。
[0117]此外,第二同相用焊盤電極P2的延伸部P2b與被設(shè)置在第二 1單元區(qū)域102的第二差動放大電路A2的同相輸出端子(同相端子)電連接。
[0118]像這樣,與第一實施方式相同,對反相用焊盤電極以及同相用焊盤電極供應(yīng)差動放大電路輸出的差動信號。并且,如已述那樣,從與半導(dǎo)體芯片I的一個差動放大電路連接的同相用焊盤電極以及反相用焊盤電極至各自的鍵合插腳為止的布線的距離相同。從而,能夠提高各差動放大電路的差動信號的特性。
[0119]另外,如上述那樣,在圖9的例子中,記載了差動放大電路進行差動輸出的電路結(jié)構(gòu)的一例。但是,也可以是差動放大電路進行差動輸入的電路結(jié)構(gòu)。此時,差動放大電路的反相輸入端子(反相端子)與反相用焊盤電極連接,同相輸入端子(同相端子)與同相用焊盤電極連接。
[0120]在此,圖10是表示對圖8的1單元區(qū)域上的金屬層和焊盤電極進行了關(guān)注的結(jié)構(gòu)的一例的俯視面。此外,圖11是以沿著圖10的第二列Y2的線切開后的區(qū)域的剖面圖。另外,以沿著圖10的第一列Yl的線切開后的區(qū)域的剖面圖與已述的圖6相同。此外,為了簡單,在圖10中,省略了通孔。此外,在圖11中,省略了絕緣層。
[0121]如圖6、圖10至圖11所示,半導(dǎo)體芯片I具備第一金屬層MP1、MP2、MP3、第二金屬層 MN1、MN2、MN3、以及通孔 BPla、BPlb, BP2a、BP2b、BP3a、BP3b、BNla、BNlb、BN2a、BN2b、BN3a、BN3b。
[0122]并且,如圖6、圖10、圖11所示,第一至第三同相用焊盤電極Pl、P2、P3分別被配置在第一至第三1單元區(qū)域101、102、103的上方。并且,第一至第三反相用焊盤電極N1、N2、N3分別被配置在第一至第三1單元區(qū)域101、102、103的上方。
[0123]此外,如圖10至圖11所示,第一金屬層MP2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第二同相用焊盤電極P2(延伸部P2b)之間。該第一金屬層MP2在第二 1單元區(qū)域102的上方,沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖10)。
[0124]該第一金屬層MP2經(jīng)由通孔BP2a、BP2b,將第二差動放大電路A2的同相輸出端子和第二同相用焊盤電極P2的延伸部P2b電連接。
[0125]另一方面,第二金屬層MN2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第二反相用焊盤電極N2 (延伸部N2b)之間。該第二金屬層麗2在第二 1單元區(qū)域102的上方,沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖10)。
[0126]該第二金屬層麗2經(jīng)由通孔BN2a、BN2b,將第二差動放大電路A2的反相輸出端子和第二反相用焊盤電極N2的延伸部N2b電連接。
[0127]其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同。即,通過使得從與半導(dǎo)體芯片的一個差動放大電路連接的同相用焊盤電極以及反相用焊盤電極至各自的鍵合插腳為止的布線的距離相同,從而能夠提高各差動放大電路的差動信號的特性。
[0128]以上那樣,根據(jù)本實施方式所涉及的半導(dǎo)體芯片,與第一實施方式相同,能夠提高差動信
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