: 4到1: 6，如圖2A中以非限制性方式所圖解說明，其中密度比就空間頻率而言為約1: 8，且就總體寬度(填充元件110填充背景區(qū)域115的面積的約四分之一；每一填充元件110為約目標元件90A中的分段的兩倍寬)而言為約1: 4。發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，在圖1B中所圖解說明的情形中，引入填充元件110已消除0.02ppm(弧度的百萬分之一)的旋轉項。填充元件110的密度可根據(jù)目標100的對比度要求且根據(jù)正使用的測量設備而調(diào)整。
[0036]圖2B是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的如圖2A中所圖解說明的AM目標100的圖像的說明性實例。目標圖像100展現(xiàn)分別針對當前層120及先前層121的兩個水平的對比度，即，在目標元件92與外元件中的其背景105之間的高對比度，及在目標元件90A與內(nèi)元件中的其背景115之間的中等對比度。雖然將填充元件110添加到背景區(qū)域115中減小其相對于鄰近目標元件90A的對比度，但控制填充元件110的密度(及通常其大小及參數(shù)，例如寬度、長度、高度、定向、圖案及其它參數(shù))允許使對比度損失保持可接受或甚至避免任何對比度損失。
[0037]圖2C是對比度要求與不準確性要求(相對于經(jīng)由制作而與所識別空白區(qū)域相關聯(lián)的不準確性，在圖2C中以非限制性方式稱為CMP不準確性)之間的折衷的高級示意性且說明性實例。圖2C表示由發(fā)明人識別且出于本發(fā)明目的而利用的現(xiàn)象的半定量表達。圖2C以非限制性方式描繪在添加填充元件110以填充增加百分比的空白區(qū)域90B時對比度的降低。在所圖解說明實例中，對比度測量為介于從0(無對比度)到100(最大對比度)的范圍內(nèi)的灰度單位。圖2B提供區(qū)域121中的高對比度水平與區(qū)域120中的中間對比度水平的視覺印象。注意，空白區(qū)域的低填充水平導致對比度的輕微減小，而ca.50%的填充百分比將對比度幾乎減小到零。圖2C還描繪在添加填充元件110以填充增加百分比的空白區(qū)域90B時準確性(由如上文所描述的過程方面所致)的增加。不準確性以非限制性方式表達為旋轉項，且可相對于相關制作過程而由任何其它參數(shù)表達(如果需要)。與對比度降低的方式相比，準確性增加的較大部分已通過將填充元件110引入空白區(qū)域的相對小部分中而實現(xiàn)。舉例來說，在所圖解說明曲線圖中的25% (I: 4)的填充百分比處，不準確性幾乎減小到零而對比度僅以小程度減小。特定填充百分比以及填充元件110的其它特性及參數(shù)的確定可因此根據(jù)針對特定使用情形而模擬、計算或測量的相應曲線圖中所表達的準確性-對比度折衷而確定。
[0038]圖2D是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的具有引入到所識別空白背景區(qū)域115中的填充元件I1的計量目標100的高級示意性圖解。在圖2D中，額外目標元件91為目標的部分，例如，作為最上部層(例如，接觸層)或作為任何其它層。目標元件91可被分段或不被分段，且可具有作為其背景的經(jīng)分段背景105。目標100因此為其中沿一個方向對準到一層且沿另一方向對準到另一層的三層目標，且為多層目標的較普遍使用情形的實例。任何類型的目標的任何部分及任何層中的背景區(qū)域可由填充元件110占據(jù)。此外，填充元件110的類型、定向、圖案或密度在目標100的不同部分或層之間可變化。
[0039]圖2E是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的具有不同目標元件分段及填充元件110的變化密度及頻率的目標100A、100B的示范性示意性圖解。不同目標及不同目標層中的目標元件90A、92可不同地分段，且其相對于其鄰近背景區(qū)域115、105 (分別)的對比度要求在目標上的位置當中及在層當中可不同。填充元件110的特性可經(jīng)設計以符合每特定情況(例如，目標、層、測量條件等)的對比度要求中的任一者。
[0040]圖3A及3B是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的目標100及填充元件110的制作方法的示范性示意性圖解。填充元件110可通過(舉例來說)應用于經(jīng)分段背景區(qū)域105或其部分的切割掩模130(圖3B)及切割過程而制作。舉例來說，如圖3A中所圖解說明，目標100的空白或空區(qū)域可(例如)以類似于目標元件110、92或類似于經(jīng)分段背景區(qū)域105的方式進行分段，且接著可移除分段及分段的部分以僅按指定大小、圖案及密度留下填充元件100。切割掩模中的空間135可經(jīng)設計以制作指定填充元件110。背景分段105可經(jīng)設計且經(jīng)制作以具有變化空間頻率、間距及/或分段寬度，且填充元件110還可變化其參數(shù)。
[0041]在某些實施例中，空白區(qū)域90B可為完整條，且填充元件110可為完整條9(?內(nèi)的間隙110。此些填充間隙110可增強完整條90B的制作的準確性且防止例如可在制作過程期間引入的不準確性。相應計量目標可通過識別目標設計中的完整條90B及將指定填充間隙元件110引入到所識別完整條90B中而以類似方式設計。所引入間隙元件110的參數(shù)可通過對比度要求與不準確性要求之間的類似折衷而確定，所述不準確性要求經(jīng)由制作而與識別完整條90B相關聯(lián)。
[0042]所揭示設計可應用于包含空白背景區(qū)域的任何類型的目標，例如盒中盒目標、AIM目標及AIMid目標。
[0043]發(fā)明人已以實驗方式發(fā)現(xiàn)，所揭示目標及方法是較高效的且相對于現(xiàn)有技術目標及方法提供增加的準確性。
[0044]所揭示本發(fā)明的某些實施例包括經(jīng)配置以測量所揭示計量目標中的任一者的計量測量設備以及經(jīng)配置以制作所揭示計量目標中的任一者的制作設備。
[0045]圖4是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的方法200的高級示意性流程圖。方法200包括使用以下階段中的任一者來設計計量目標以及設計及/或制作目標設計文件及目標(階段240) ο
[0046]方法200包括識別目標設計中的空白區(qū)域(階段210)及將指定填充元件引入到所識別空白區(qū)域中(階段220)?？赏ㄟ^對比度要求與不準確性要求之間的折衷而確定(階段230)所引入填充元件的參數(shù)，所述不準確性要求經(jīng)由制作而與識別空白區(qū)域相關聯(lián)。由至少一個計算機處理器執(zhí)行識別210及引入220中的至少一者。
[0047]可在目標元件的至少背景區(qū)中執(zhí)行識別空白區(qū)域210(階段212)，且對比度要求可與目標元件對其背景區(qū)的對比度有關，所述對比度可經(jīng)維持高于指定閾值(階段232)。
[0048]可將不準確性要求設定為旋轉項(階段238，例如，參見圖1B)。
[0049]周期性結構可用作指定填充元件的至少部分(階段222)。指定填充元件的第一周期性結構可具有第一指定參數(shù)，而目標元件可包括具有第二指定參數(shù)的至少一個第二周期性結構?？蛇x擇第一指定參數(shù)以與第二指定參數(shù)相差達滿足對比度要求的程度(階段234)，且使目標元件與具有填充元件的背景之間的對比度維持高于指定閾值。舉例來說，方法200可包括選擇目標元件及填充元件的周期性結構以在以下各項中的至少一者方面不同:其間距；定向；圖案；分段尺寸；縱橫比；及/或形貌(階段236)。第一周期性結構與第二周期性結構的間距、其定向及其圖案、第一周期性結構及第二周期性結構中的分段的尺寸、分段的縱橫比以及第一周期性結構及第二周期性結構的形貌中的任一者可經(jīng)選擇以使所需對比度維持高于指定閾值。
[0050]可根據(jù)指定設計規(guī)則而執(zhí)行指定填充元件220的引入(階段224)以制作設計規(guī)則可兼容目標。