產(chǎn)生損傷(等離子體損傷)。一旦光電二極管CPD中產(chǎn)生損傷，暗電流就會(huì)增加，從而產(chǎn)生光電二極管CPD中即使沒有光入射也會(huì)有電流流過的不良情況。
[0296]相對于比較例，在實(shí)施方式I的拍攝裝置的制造方法中，由于對絕緣膜OSSF實(shí)施各向異性蝕刻處理，所以在形成偏移隔離膜OSS時(shí)，光電二極管ro被抗蝕圖案MOSE覆蓋著(參照圖12A及圖12B)。由此，不會(huì)在光電二極管ro中產(chǎn)生由各向異性蝕刻處理帶來的損傷(等離子體損傷)。
[0297]此外，覆蓋光電二極管H)的絕緣膜OSSF會(huì)在以偏移隔離膜等為注入掩模形成外延區(qū)域LNLD、LPLD后，連同偏移隔離膜OSS—并通過實(shí)施濕蝕刻處理而被除去(參照圖15A及圖15B)。通過該濕蝕刻處理也不會(huì)在光電二極管H)中產(chǎn)生損傷。其結(jié)果是，在拍攝裝置中，能夠降低由損傷引起的暗電流。
[0298]再者，在像素區(qū)域RPE中，在形成作為防止反射膜發(fā)揮作用的側(cè)壁絕緣膜SWI之前，將覆蓋光電二極管ro的絕緣膜OSSF除去(參照圖15A、圖15B、圖16A及圖16B)。由此，能夠抑制入射到光電二極管ro中的光量的減少，能夠防止拍攝裝置的感光度劣化。
[0299]此外，如圖26B所示，在像素區(qū)域RPE，配置有供作為防止反射膜發(fā)揮作用的硅化物保護(hù)膜形成的像素區(qū)域RPEC、和不形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域RPEA、RPEB。由此，能夠根據(jù)光的顏色(波長)來調(diào)整透過覆蓋光電二極管H)的膜而入射到光電二極管的光的強(qiáng)度(聚光率)，從而能夠使像素的感光度與所希望的感光度一致。關(guān)于此將在實(shí)施方式2中具體地說明。
[0300]實(shí)施方式2
[0301]在實(shí)施方式I中，對在拍攝裝置的像素區(qū)域中分配了形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域和不形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域的情況進(jìn)行了說明。此處，對通過整面濕蝕刻處理除去偏移隔離膜并分配硅化物保護(hù)膜的膜厚的情況進(jìn)行說明。另外，對與在實(shí)施方式I中說明過的拍攝裝置相同的部件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，除了必要情況不再重復(fù)其說明。
[0302]首先，在經(jīng)過與從圖7A及圖7B所示工序到圖14A及圖14B所示工序同樣的工序之后，通過與圖15A及圖15B所示工序同樣的工序，將覆蓋像素區(qū)域RPE的絕緣膜OSSF連同偏移隔離膜OSS—并通過濕蝕刻處理除去。然后，在經(jīng)過與從圖16A及圖16B所示工序到圖19A及圖19B所示工序同樣的工序之后，對像素區(qū)域進(jìn)行硅化物保護(hù)膜的膜厚分配。
[0303]首先，如圖39A及圖39B所示，以覆蓋柵極電極TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成第一層硅化物保護(hù)膜SPl。接著，如圖40A及圖40B所示，形成覆蓋規(guī)定的像素區(qū)域RPE而使其他區(qū)域露出的抗蝕圖案MSP1。如已經(jīng)說明的那樣，在像素區(qū)域RPE中，形成多個(gè)與紅色、綠色及藍(lán)色各自對應(yīng)的像素區(qū)域。此處，如圖40C所示，在像素區(qū)域RPE中，為了對與三色中規(guī)定的一色相對應(yīng)的像素區(qū)域RPEB形成第一層硅化物保護(hù)膜，抗蝕圖案MSPl以覆蓋像素區(qū)域RPEB而使與其余二色相對應(yīng)的像素區(qū)域RPEA、RPEC露出的方式形成。
[0304]接下來，如圖41所示，通過將抗蝕圖案MSPl作為蝕刻掩模而實(shí)施濕蝕刻處理，而將露出的硅化物保護(hù)膜SPl除去。然后，將抗蝕圖案MSPl除去，由此如圖42A所示，使殘留在像素區(qū)域RPEB的硅化物保護(hù)膜SPl露出。此時(shí)，如圖42B所示，將覆蓋第一外圍區(qū)域RPCL的硅化物保護(hù)膜SPl除去，并將覆蓋第二外圍區(qū)域RPCA的區(qū)域RAT的硅化物保護(hù)膜SPl也除去。
[0305]接下來，如圖43A及圖43B所示，以覆蓋柵極電極TGE、PEGE, NHGE, PHGE, NLGE,PLGE等的方式形成第二層硅化物保護(hù)膜SP2。此時(shí)，如圖43C所示，在像素區(qū)域RPE中，在形成了第一層硅化物保護(hù)膜SPl的像素區(qū)域RPEB中，以覆蓋該硅化物保護(hù)膜SPl和柵極電極TGE等的方式形成硅化物保護(hù)膜SP2。在沒有形成硅化物保護(hù)膜SPl的像素區(qū)域RPEA、RPEC中，以覆蓋絕緣膜SWF及柵極電極TGE的方式形成硅化物保護(hù)膜SP2。
[0306]接下來，如圖44A及圖44B所示，形成抗蝕圖案MSP2，該抗蝕圖案MSP2覆蓋規(guī)定的像素區(qū)域RPE和第二外圍區(qū)域RPCA的區(qū)域RAT而使其他區(qū)域露出。此處，如圖44C所示，為了在像素區(qū)域RPE對與規(guī)定的一色相對應(yīng)的像素區(qū)域RPEB形成第二層硅化物保護(hù)膜，且對與另外的規(guī)定的一色相對應(yīng)的像素區(qū)域RPEC形成第一層硅化物保護(hù)膜，抗蝕圖案MSP2以覆蓋像素區(qū)域RPEB、RPEC而使像素區(qū)域RPEA露出的方式形成。
[0307]接下來，如圖45所示，將抗蝕圖案MSP2作為蝕刻掩模來實(shí)施濕蝕刻處理，由此將露出的硅化物保護(hù)膜SP2除去。然后，通過除去抗蝕圖案MSP2，如圖46A所示，使殘留在像素區(qū)域RPEB、RPEC的硅化物保護(hù)膜SP2分別露出。由此，在像素區(qū)域RPEB形成兩層硅化物保護(hù)膜SP1、SP2，在像素區(qū)域RPEC形成一層硅化物保護(hù)膜SP2。此外，在像素區(qū)域RPEA中不形成硅化物保護(hù)膜。這樣就對像素區(qū)域RPE分配了硅化物保護(hù)膜的膜厚。
[0308]另一方面，如圖46B及圖46C所示，在像素晶體管區(qū)域RPT及第一外圍區(qū)域RPCL中，硅化物保護(hù)膜SP2被除去。在第二外圍區(qū)域RPCA的區(qū)域RAT中，殘留的硅化物保護(hù)膜SP2露出。
[0309]接下來，通過自對準(zhǔn)硅化物法形成金屬硅化物膜。如圖47A及圖47B所示，在像素區(qū)域RPE，在傳輸用晶體管TT的柵極電極TGE的上表面的一部分及浮置擴(kuò)散區(qū)域FDR的表面形成金屬硅化物膜MS。在像素晶體管RTP中，在場效應(yīng)型晶體管的柵極電極PEGE的上表面及源極/漏極區(qū)域HNDF的表面形成金屬硅化物膜MS。如圖47C所示，在第一外圍區(qū)域RPCL中，在柵極電極NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面及源極/漏極區(qū)域HNDF、HPDF、LNDF、LPDF的表面形成金屬硅化物膜MS。另一方面，在第二外圍區(qū)域RPCA中，由于形成有硅化物保護(hù)膜SP2，因此不形成金屬硅化物膜。
[0310]然后，在經(jīng)與圖25A、圖25B及圖25C所示工序同樣的工序之后，經(jīng)與圖26A、圖26B及圖26C所示工序同樣的工序，則如圖48A、圖48B及圖48C所示，完成了拍攝裝置的主要部分。
[0311]在實(shí)施方式2的拍攝裝置的制造方法中，與實(shí)施方式I的拍攝裝置的制造方法相同，在形成偏移隔離膜OSS時(shí)，光電二極管ro被抗蝕圖案MOSE覆蓋。然后，覆蓋該光電二極管ro的絕緣膜OSSF在外延區(qū)域LNLD、LPLD形成之后連同偏移隔離膜OSS —并通過實(shí)施濕蝕刻處理而被除去。由此，如在實(shí)施方式I中說明的那樣，不會(huì)在光電二極管ro中產(chǎn)生損傷，其結(jié)果是在拍攝裝置中能夠降低由損傷引起的暗電流。
[0312]此外，在實(shí)施方式2的拍攝裝置的像素區(qū)域RPE中，將作為偏移隔離膜的絕緣膜除去，并分配作為防止反射膜發(fā)揮功能的硅化物保護(hù)膜的膜厚。具體而言，在像素區(qū)域RPE配置有:形成有膜厚相對厚的硅化物保護(hù)膜SPl、SP2的像素區(qū)域RPEB ;形成有膜厚相對薄的硅化物保護(hù)膜SP2的像素區(qū)域RPEC ；以及沒有形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域RPEA(參照圖51B)。
[0313]另一方面，在實(shí)施方式I的拍攝裝置的像素區(qū)域PRE中，作為偏移隔離膜的絕緣膜被除去，并配置有形成有硅化物保護(hù)膜SPl的像素區(qū)域RPEC和沒有形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域RPEA、RPEB (參照圖26B)。
[0314]由此，能夠根據(jù)光的顏色(波長)提高透過覆蓋光電二極管H)的膜(層疊膜)而入射到光電二極管的光的強(qiáng)度(聚光率)。關(guān)于此，以紅色、綠色及藍(lán)色中的一色光為例，來說明覆蓋光電二極管的層疊膜的透過率與硅化物保護(hù)膜等的膜厚之間的關(guān)系。
[0315]如圖49所示，首先，使覆蓋光電二極管的側(cè)壁絕緣膜SWI為氧化膜和氮化膜這兩層。使硅化物保護(hù)膜SP為氧化膜。使應(yīng)力襯膜SL為氧化膜和氮化膜這兩層。
[0316]此時(shí)，在圖表中示出由發(fā)明人評價(jià)的、覆蓋光電二極管的層疊膜的透過率與將硅化物保護(hù)膜(氧化膜)和應(yīng)力襯膜的氧化膜加起來的膜厚之間的關(guān)系。如圖表所示可知，透過率依賴于硅化物保護(hù)膜等的膜厚而變動(dòng)。
[0317]該結(jié)果是針對分光成紅色、綠色或藍(lán)色的光的一例的圖表，但是發(fā)明人確認(rèn):關(guān)于一例以外的光，也是透過率依賴于硅化物保護(hù)膜等的膜厚而變動(dòng)。因此，通過分配形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域和不形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域、以及在供硅化物保護(hù)膜形成的像素區(qū)域中分配其膜厚，能夠制造出具有例如與數(shù)碼相機(jī)等所要求的規(guī)格相應(yīng)的最佳像素區(qū)域的拍攝裝置。即，通過調(diào)整硅化物保護(hù)膜的膜厚，能夠提高像素的感光度，或是抑制感光度以避免像素的感光度過度升高，從而能夠使像素的感光度與所希望的感光度高精度地一致。
[0318]實(shí)施方式3
[0319]此處，對保留偏移隔離膜并在像素區(qū)域中分配形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域和不形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域的情況進(jìn)行說明。另外，對與在實(shí)施方式I中說明過的拍攝裝置相同的部件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，除了必要情況不再重復(fù)其說明。
[0320]首先，在經(jīng)過與從圖7A及圖7B所示工序到圖12A及圖12B所示工序同樣的工序之后，將抗蝕圖案MLPL除去，由此，如圖50A及圖50B所示，使在覆蓋光電二極管H)的絕緣膜OSSF及柵極電極TGE、PEGE, NHGE, PHGE, NLGE, PLGE的側(cè)壁面上形成的偏移隔離膜OSS露出。
[0321]接下來，如圖51A及圖51B所示，通過實(shí)施規(guī)定的照相制版處理，形成使區(qū)域RNL露出而覆蓋其他區(qū)域的抗蝕圖案MLNL。接下來，將抗蝕圖案MLNL、偏移隔離膜OSS及柵極電極NLGE作為注入掩模，注入η型的雜質(zhì)，由此在露出的區(qū)域RNL形成外延區(qū)域LNLD。然后，將抗蝕圖案MLNL除去。
[0322]接下來，通過實(shí)施規(guī)定的照相制版處理，如圖52Α及圖52Β所示，形成使區(qū)域RPL露出而覆蓋其他區(qū)域的抗蝕圖案MLPL。接下來，將該抗蝕圖案MLPL、偏移隔離膜OSS及柵極電極PLGE作為注入掩模，注入ρ型的雜質(zhì)，由此在露出的區(qū)域RPL形成外延區(qū)域LPLD。然后，將抗蝕圖案MLPL除去。
[0323]接下來，如圖53Α及圖53Β所示，以覆蓋柵極電極TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE及偏移隔離膜OSS的方式形成作為側(cè)壁絕緣膜的絕緣膜SWF。接下來，通過實(shí)施規(guī)定的照相制版處理形成抗蝕圖案MSW(參照圖54A)，該抗蝕圖案MSW覆蓋配置有光電二極管H)的區(qū)域而使其他區(qū)域露出。接下來，如圖54A及圖54B所示，將抗蝕圖案MSW作為蝕刻掩模，對露出的絕緣膜SWF實(shí)施各向異性蝕刻處理。
[0324]由此，位于柵極電極TGE、PEGE, NHGE, PHGE, NLGE, PLGE的上表面上的絕緣膜SWF的部分被除去，由殘留在柵極電極TGE、PEGE, NHGE, PHGE, NLGE, PLGE的側(cè)壁面上的絕緣膜SffF的部分形成側(cè)壁絕緣膜SWI。側(cè)壁絕緣膜SWI以覆蓋偏移隔離膜OSS的方式形成。然后，將抗蝕圖案MSW除去。
[0325]接下來，如圖55A及圖55B所示，通過實(shí)施規(guī)定的照相制版處理來形成使區(qū)域RPH、RPL露出而覆蓋其他區(qū)域的抗蝕圖案MPDF。接下來，將抗蝕圖案MPDF、側(cè)壁絕緣膜SW1、偏移隔離膜OSS及柵極電極PHGE、PLGE作為注入掩模，注入ρ型的雜質(zhì)，由此在區(qū)域RPH形成源極/漏極區(qū)域HPDF，且在區(qū)域RPL形成源極/漏極區(qū)域LPDF。然后，將抗蝕圖案MPDF除去。
[0326]接下來，如圖56A及圖56B所示，通過實(shí)施規(guī)定的照相制版處理來形成使區(qū)域RPT、RNH、RNL、RAT露出而覆蓋其他區(qū)域的抗蝕圖案MNDF。接下來，將抗蝕圖案MNDF、側(cè)壁絕緣膜SW1、偏移隔離膜OSS及柵極電極TGE、PEGE、NHGE、NLGE作為注入掩模，注入η型的雜質(zhì)，由此分別在各區(qū)域RPT、RNH、RAT形成源極/漏極區(qū)域HNDF，且在區(qū)域RNL形成源極/漏極區(qū)域LNDF。此外，此時(shí)，在像素區(qū)域RPE中形成浮置擴(kuò)散區(qū)域FDR。然后，將抗蝕圖案MNDF除去。
[0327]接下來，如圖57A及圖57B所示，以覆蓋柵極電極TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成阻止硅化物化的硅化物保護(hù)膜SPl。接下來，以與圖21A?圖21C所示工序同樣的方式，如圖58A及圖58B所示形成抗蝕圖案MSPl，該抗蝕圖案MSPl覆蓋區(qū)域RAT和與規(guī)定的一色對應(yīng)的像素區(qū)域RPE (RPEC)而使其他區(qū)域露出。接下來，將抗蝕圖案MSPl作為蝕刻掩模而實(shí)施濕蝕刻處理，由此將露出的硅化物保護(hù)膜SPl除去。然后，將抗蝕圖案MSPl除去，由此如圖59A、圖59B及圖59C所示，使像素區(qū)域RPE中的殘留在像素區(qū)域RPEC中的硅化物保護(hù)膜SPl露出。此外，使殘留在第二外圍區(qū)域RPCA的區(qū)域RAT中的硅化物保護(hù)膜SPl露出。
[0328]接著，通過自對準(zhǔn)硅化物法形成金屬硅化物膜。如圖60A及圖60B所示，在像素區(qū)域RPE中，在傳輸用晶體管TT的柵極電極TGE的上表面的一部分及浮置擴(kuò)散區(qū)域FDR的表面上形成金屬硅化物膜MS。在像素晶體管RTP中，在場效應(yīng)型晶體管NHT的柵極電極PEGE的上表面及源極/漏極區(qū)域HNDF的表面上形成金屬硅化物膜MS。如圖60C所示，在第一外圍區(qū)域RPCL中，在柵極電極NHGE、PHGE, NLGE, PLGE的上表面及源極/漏極區(qū)域HNDF、HPDF、LNDF、LPDF的表面上形成金屬硅化物膜MS。另一方面，在第二外圍區(qū)域RPCA中，由于形成有硅化物保護(hù)膜SP1，所以不形成金屬硅化物膜。
[0329]然后，在經(jīng)與圖25A、圖25B及圖25C所示工序同樣的工序之后，經(jīng)與圖26A、圖26B及圖26C所示工序同樣的工序，如圖61A、圖61B及圖61C所示，完成了拍攝裝置的主要部分。
[0330]在實(shí)施方式3的拍攝裝置的制造方法中，在形成偏移隔離膜OSS時(shí)，光電二極管ro被抗蝕圖案MOSE覆蓋。而且，覆蓋該光電二極管ro的絕緣膜OSSF不被除去而被殘留。由此，與通過實(shí)施干蝕刻處理除去偏移隔離膜的比較例的拍攝裝置相比，不會(huì)在光電二極管ro中產(chǎn)生損傷，其結(jié)果是在拍攝裝置中能夠降低由損傷引起的暗電流。
[0331]此外，如圖61B所示，在像素區(qū)域RPE中，殘留偏移隔離膜OSS(OSSF)，并配置供作為防止反射膜而發(fā)揮作用的硅化物保護(hù)膜形成的像素區(qū)域RPEC、和不形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域RPEA、RPEB。由此，能夠根據(jù)光的顏色(波長)調(diào)整透過覆蓋光電二極管H)的膜而入射到光電二極管中的光的強(qiáng)度(聚光率)，從而能夠使像素的感光度與所希望的感光度一致。關(guān)于此，將在實(shí)施方式4中具體說明。
[0332]再者，在實(shí)施方式3的拍攝裝置中，場效應(yīng)型晶體管NHT、PHT、NLT、PLT、NHAT的源極/漏極區(qū)域HNDF、HPDF、LNDF、LPDF以柵極電極PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE和形成在該柵極電極的側(cè)壁面上的偏移隔離膜OSS及側(cè)壁絕緣膜SWI為注入掩模而形成(參照圖55B及圖56B)。
[0333]在該場效應(yīng)型晶體管NHT、PHT、NLT、PLT、NHAT中，由低電壓驅(qū)動(dòng)的場效應(yīng)型晶體管NLT、PLT的柵極電極NLGE、PLGE的柵極長度方向上的長度被設(shè)定成比由高電壓驅(qū)動(dòng)的場效應(yīng)型晶體管NHT、PHT、NHAT的柵極電極NHGE、PHGE的柵極長度方向上的長度短。因此，在場效應(yīng)型晶體管NLT、PLT的源極/漏極區(qū)域LNDF、LPDF,與在柵極電極的側(cè)壁面上沒有形成偏移隔離膜的情況相比，能夠確保柵極長度方向上的距離，從而能夠抑制作為場效應(yīng)型晶體管的特性變動(dòng)。
[0334]實(shí)施方式4
[0335]在實(shí)施方式3的拍攝裝置的像素區(qū)域中，對分配形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域、和不形成硅化物保護(hù)膜的像素區(qū)域的情況進(jìn)行了說明。在此，對殘留偏移隔離膜并分配硅化物保護(hù)膜的膜厚的情況進(jìn)行說明。另外，對與在實(shí)施方式I中說明過的拍攝裝置相同的部件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，除了必要情況不再重復(fù)其說明。
[0336]在經(jīng)與從圖50A及圖50B所示工序到圖56A及圖56B所示工序同樣的工序之后，對像素區(qū)域進(jìn)行硅化物保護(hù)膜的膜厚的分配。如圖62A及圖62B所示，以覆蓋柵極電極TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成第一層硅化物保護(hù)膜SP1。接下來，通過實(shí)施規(guī)定的照相制版處理，如圖63A及圖63B所示，形成覆蓋規(guī)定的像素區(qū)域RPE而使其他區(qū)域露出的抗蝕圖案MSPl。
[0337]此處，與實(shí)施方式2的情況相同，在像素區(qū)域RPE中，為了對與三色中規(guī)定的一色相對應(yīng)的像素區(qū)域RPEB (參照圖64)形成第一層硅化物保護(hù)膜，抗蝕圖案MSPl形成為覆蓋像素區(qū)域RPEB且使與其余二色相對應(yīng)的像素區(qū)域RPEA、RPEC露出。
[0338]接下來，如圖64所示，將抗蝕圖案MSPl作為蝕刻掩模來實(shí)施濕蝕刻處理，由此將露出的硅化物保護(hù)膜SPl除去。此時(shí)，能夠?qū)⒏采w在第二外圍區(qū)域RPCA的區(qū)域RAT上的硅化物保護(hù)膜SPl也除去。然后，將抗蝕圖案MSPl除去。接下來，如圖65A及圖65B所示，以覆蓋柵極電極TGE、PEGE, NHGE, PHGE, NLGE, PLGE等的方式形成第二層硅化物保護(hù)膜SP2。
[0339]此時(shí)，如圖65C所示，在像素區(qū)域RPE中，在已形成有第一層硅化物保護(hù)膜SPl的像素區(qū)域RPEB中以覆蓋該硅化物保護(hù)膜SPl和柵極電極TGE等的方式形成硅化物保護(hù)膜SP2。在沒有形成硅化物保護(hù)膜SPl的像素區(qū)域RPEA、RPEC中，以覆蓋絕緣膜SWF及柵極電極TGE的方式形成硅化物保護(hù)膜SP2。
[0340]接下來，實(shí)施規(guī)定的照相制版處理，由此如圖66A及圖66B所示形成抗蝕圖案MSP2，該抗蝕圖案MSP2覆蓋規(guī)定的像素區(qū)域RPE和第二外圍區(qū)域RPCA的區(qū)域RAT，而使其他區(qū)域露出。此處，如圖66C所示，在像素區(qū)域RPE中，為了在與規(guī)定的一色相對應(yīng)的像素區(qū)域RPEB形成第二層硅化物保護(hù)膜，在與另外的規(guī)定的一色相對應(yīng)的像素區(qū)域RPEC形成第一層硅化物保護(hù)膜，抗蝕圖案MSP2形成為覆蓋像素區(qū)域RPEB、RPEC而使像素區(qū)域RPEA露出。
[0341]接下來，如圖67A、圖67B及圖67C所示，將抗蝕圖案MSP2作為蝕刻掩模來實(shí)施濕蝕刻處理，由此將露出的硅化物保護(hù)膜SP2除去。然后，將抗蝕圖案MSP2除去，由此如圖68A及圖68B所示，使殘留在像素區(qū)域RPE及區(qū)域RAT中的硅化物保護(hù)膜SP2露出。由此，如圖68C所示，在像素區(qū)域RPEB形成兩層硅化物保護(hù)膜SPl、SP2，在像素區(qū)域RPEC形成一層硅化物保護(hù)膜SP2。此外，在像素區(qū)域RPEA不形成硅化物保護(hù)膜。這樣就對像素區(qū)域RPE分配了硅化物保護(hù)膜的膜厚。
[0342]接下來，通過自對準(zhǔn)硅化物法形成金屬硅化物膜。如圖69A及圖69B所示，在像素區(qū)域RPE中，在傳輸用晶體管TT的柵極電極