br>[0096] 步驟304 :在刻蝕阻擋層6上形成源極金屬層7和漏極金屬層8,并使源極金屬層 7和漏極金屬層8分別通過(guò)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔連接有源層5。
[0097] 具體地，在刻蝕阻擋層6上形成源極金屬層7和漏極金屬層8的方法為：首先，按 適當(dāng)?shù)暮穸龋▋?yōu)選為1000~6000A)在刻蝕阻擋層6上沉積一層金屬層。其次，在金屬層上 涂布一層光刻膠，并采用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影。然后，通過(guò)濕刻工藝去掉暴露在 光刻膠外面的金屬層。最后，通過(guò)灰化工藝去掉剩余的光刻膠，剩余的金屬層即為源極金屬 層7和漏極金屬層8。
[0098] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種具有上述陣列基板10的顯示裝置。
[0099] 如圖6所示，是本發(fā)明實(shí)施例顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例所述的顯示裝置 包括陣列基板10、鈍化層11、像素電極層12、像素絕緣層13、有機(jī)層14、陰極金屬層15和封 裝蓋板16。
[0100] 具體地，鈍化層11位于陣列基板1〇上。像素電極層12位于鈍化層11上。像素 絕緣層13位于像素電極層12上。有機(jī)層14位于像素絕緣層13上。陰極金屬層15位于 有機(jī)層14上。封裝蓋板16位于陰極金屬層15上。
[0101] 用于制備上述顯示裝置的方法除了包括以上用于制備陣列基板1〇的方法以下， 還包括步驟：
[0102] 步驟401 :在陣列基板10上形成鈍化層11。
[0103] 具體地，在陣列基板10上形成鈍化層11的方法為：首先，按適當(dāng)?shù)暮穸龋▋?yōu)選為 2000~4000A )在陣列基板10上鍍保護(hù)膜（SiOx或者SiOx/SiNx)。其次，在保護(hù)膜上涂布 一層光刻膠，并采用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影。然后，通過(guò)干刻工藝去掉暴露在光刻 膠外面的保護(hù)膜。最后，通過(guò)灰化工藝去掉剩余的光刻膠，剩余的保護(hù)膜即為鈍化層11。
[0104] 步驟402 :在鈍化層11上形成像素電極層12。
[0105] 具體地，在鈍化層11上形成像素電極層12的方法為：首先，按適當(dāng)?shù)暮穸龋▋?yōu)選 為100~1000A )在鈍化層11上鍍透明電極（ITO或者IZO)。其次，在透明電極上涂布一層 光刻膠，并采用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影。然后，通過(guò)濕刻工藝去掉暴露在光刻膠外 面的透明電極。最后，通過(guò)灰化工藝去掉剩余的光刻膠，剩余的透明電極即為像素電極層 12。
[0106] 步驟403 :在像素電極層12上形成像素絕緣層13。
[0107] 具體地，在像素電極層12上形成像素絕緣層13的方法為：首先，按適當(dāng)?shù)暮穸?(優(yōu)選為500~2000A )在像素電極層12上鍍無(wú)機(jī)膜（SiOx)。其次，在無(wú)機(jī)膜上涂布一層光 刻膠，并采用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影。然后，通過(guò)濕刻工藝去掉暴露在光刻膠外面 的無(wú)機(jī)膜。最后，通過(guò)灰化工藝去掉剩余的光刻膠，剩余的無(wú)機(jī)膜即為像素絕緣層13。
[0108] 步驟404 :在像素絕緣層13上形成有機(jī)層14。
[0109] 步驟404 :在有機(jī)層14上形成陰極金屬層15。
[0110] 步驟405 :安裝封裝蓋板16。
[0111] 具體地，采用蒸鍍工藝在像素絕緣層13上形成空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層，以形成有機(jī)層14。然后，再采用濺射工藝在有機(jī)層14上形 成陰極金屬層15。最后，采用封裝工藝對(duì)顯示面板進(jìn)行封裝。
[0112] 本實(shí)施例中，通過(guò)在陣列基板10內(nèi)部設(shè)置投影覆蓋底柵型薄膜晶體管單元的各 層金屬層的吸光層2,能夠有效遮擋所有照射到柵型薄膜晶體管單元的各層金屬層上的環(huán) 境光，保證了顯示面板的顯示效果的同時(shí)，降低了顯示面板的制造成本。另外，吸光層2不 會(huì)遮擋照射到金屬層以外區(qū)域的有用環(huán)境光，從而不會(huì)降低顯示面板的亮度，避免了現(xiàn)有 技術(shù)中采用圓偏光片導(dǎo)致的顯示面板功耗增加和顯示面板壽命減小的現(xiàn)象的出現(xiàn)。
[0113] 雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采 用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化， 但本發(fā)明的保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種陣列基板，其特征在于，包括： 襯底基板； 位于所述襯底基板上的吸光層；以及 位于所述吸光層上的底柵型薄膜晶體管單元； 其中，所述吸光層的投影覆蓋所述底柵型薄膜晶體管單元的柵極金屬層、源極金屬層 和漏極金屬層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述吸光層的投影還覆蓋所述底柵 型薄膜晶體管單元的有源層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述吸光層為有機(jī)吸光層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述底柵型薄膜晶體管單元包 括： 位于所述吸光層上的所述柵極金屬層； 位于所述柵極金屬層上的柵極絕緣層； 位于所述柵極絕緣層上的有源層； 位于所述有源層上的刻蝕阻擋層，其上開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；以及 位于所述刻蝕阻擋層上的所述源極金屬層和所述漏極金屬層，所述源極金屬層和所述 漏極金屬層分別通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔連接所述有源層。
5. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，還包括： 位于所述陣列基板上的鈍化層； 位于所述鈍化層上的像素電極層； 位于所述像素電極層上的像素絕緣層； 位于所述像素絕緣層上的有機(jī)層； 位于所述有機(jī)層上的陰極金屬層；以及 位于所述陰極金屬層上的封裝蓋板。
7. -種用于制備陣列基板的方法，其特征在于，包括： 提供襯底基板； 在所述襯底基板上形成吸光層和底柵型薄膜晶體管單元，并使所述吸光層的投影覆蓋 所述底柵型薄膜晶體管單元的柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：在所述襯底基板上形成吸光層和底柵型 薄膜晶體管單元，包括在所述襯底基板上形成所述吸光層和所述柵極金屬層；在所述襯底 基板上形成所述吸光層和所述柵極金屬層，包括： 在所述襯底基板上依次沉積吸光層和柵極金屬層； 在所述柵極金屬層上涂布光刻膠； 采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成未曝光光刻膠形貌、 部分曝光光刻膠形貌和完全曝光區(qū)域； 通過(guò)第一次刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的柵極金屬層和吸光層； 通過(guò)第一次灰化工藝去掉除所述未曝光光刻膠形貌以外的光刻膠； 通過(guò)第二次刻蝕工藝去掉未曝光光刻膠形貌以外區(qū)域的柵極金屬層； 通過(guò)第二次灰化工藝去掉剩余的光刻膠。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于：采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻 膠進(jìn)行曝光和顯影，形成未曝光光刻膠形貌、部分曝光光刻膠形貌和完全曝光區(qū)域，具體 為： 采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成未曝光區(qū)域、部分 曝光區(qū)域和所述完全曝光區(qū)域，通過(guò)顯影完全去掉所述完全曝光區(qū)域的光刻膠，部分去掉 所述部分曝光區(qū)域的光刻膠以形成所述部分曝光光刻膠形貌，保留未曝光區(qū)域的光刻膠以 形成所述未曝光光刻膠形貌。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，在所述襯底基板上形成吸光層和底 柵型薄膜晶體管單元，還包括： 在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成有源層； 在所述有源層上形成刻蝕阻擋層，并使所述刻蝕阻擋層上開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔和第二過(guò) 孔； 在所述刻蝕阻擋層上形成所述源極金屬層和所述漏極金屬層，并使所述源極金屬層和 所述漏極金屬層分別通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔連接所述有源層。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板、顯示裝置及用于制備陣列基板的方法，陣列基板包括依次設(shè)置的襯底基板、吸光層和底柵型薄膜晶體管單元；吸光層的投影覆蓋底柵型薄膜晶體管單元的柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層。本發(fā)明能在不降低顯示面板的亮度的基礎(chǔ)上，有效遮擋所有照射到柵型薄膜晶體管單元的各層金屬層上的環(huán)境光。
【IPC分類(lèi)】H01L23-552, H01L27-32
【公開(kāi)號(hào)】CN104752489
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510167361
【發(fā)明人】徐向陽(yáng)
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2015年4月10日