陣列基板、顯示裝置及用于制備陣列基板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板,還涉及一種具有該陣列基板 的顯示裝置,以及用于制備該陣列基板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 主動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,簡稱為 AMOLED)是一種利用有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的、用直流電壓驅(qū)動(dòng)的薄膜發(fā)光器件。與傳統(tǒng)的 LCD顯示技術(shù)不同,AMOLED顯示技術(shù)無需背光燈,僅需非常薄的有機(jī)材料涂層即可實(shí)現(xiàn)發(fā) 光。AMOLED顯示技術(shù)的發(fā)光原理是:當(dāng)有電流通過有機(jī)材料涂層時(shí),有機(jī)材料涂層內(nèi)的有 機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。AMOLED顯示面板可以做得更輕更薄,可視角度更大,并且能夠顯著節(jié)省電 能。
[0003] AMOLED顯示面板具有柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層。這些金屬層的反光 能力強(qiáng)。環(huán)境光可以通過顯示面板的蓋板的開口區(qū)域照射到這些金屬層上并與金屬層發(fā)生 強(qiáng)烈的反射,從而影響AMOLED顯示面板的顯示效果。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)通常采用在蓋板上貼合一片圓偏光片的方法,來實(shí)現(xiàn)阻擋部分環(huán)境光照 射到顯示面板的金屬層上的目的。然而,通過圓偏光片阻擋部分環(huán)境光照射到顯示面板的 金屬層的方法的缺陷在于:由于圓偏光片的遮光區(qū)域與顯示面板的金屬層的設(shè)置區(qū)域不完 全吻合,因此一方面圓偏光片不能完全遮擋照射到金屬層的所有環(huán)境光,另一方面圓偏光 片會(huì)遮擋住照射到金屬層以外區(qū)域的有用環(huán)境光,從而使顯示面板的亮度明顯降低。為了 補(bǔ)償降低的亮度,需要相應(yīng)地增加顯示面板的功耗。但是,功耗的增加又會(huì)帶來顯示面板壽 命的大幅縮短以及顯示面板整體厚度的增加。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是在不增加顯示面板功耗的情況下有效阻擋環(huán)境光 照射到顯示面板的金屬層上。
[0006] 為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面,提供了一種陣列基板,其包括:
[0008] 襯底基板;
[0009] 位于所述襯底基板上的吸光層;以及
[0010] 位于所述吸光層上的底柵型薄膜晶體管單元;
[0011] 其中,所述吸光層的投影覆蓋所述底柵型薄膜晶體管單元的柵極金屬層、源極金 屬層和漏極金屬層。
[0012] 優(yōu)選的是,所述吸光層的投影還覆蓋所述底柵型薄膜晶體管單元的有源層。
[0013] 優(yōu)選的是,所述吸光層為有機(jī)吸光層。
[0014] 優(yōu)選的是,所述底柵型薄膜晶體管單元包括:
[0015] 位于所述吸光層上的所述柵極金屬層;
[0016] 位于所述柵極金屬層上的柵極絕緣層;
[0017] 位于所述柵極絕緣層上的有源層;
[0018] 位于所述有源層上的刻蝕阻擋層,其上開設(shè)有第一過孔和第二過孔;以及
[0019] 位于所述刻蝕阻擋層上的所述源極金屬層和所述漏極金屬層,所述源極金屬層和 所述漏極金屬層分別通過所述第一過孔和所述第二過孔連接所述有源層。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面,提供了一種具有上述陣列基板的顯示裝置。
[0021] 優(yōu)選的是,所述顯示裝置還包括:
[0022] 位于所述陣列基板上的鈍化層;
[0023] 位于所述鈍化層上的像素電極層;
[0024] 位于所述像素電極層上的像素絕緣層;
[0025] 位于所述像素絕緣層上的有機(jī)層;
[0026] 位于所述有機(jī)層上的陰極金屬層;以及
[0027] 位于所述陰極金屬層上的封裝蓋板。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面,提供了一種用于制備上述陣列基板的方法,該方法包 括:
[0029] 提供襯底基板;
[0030] 在所述襯底基板上形成吸光層和底柵型薄膜晶體管單元,并使所述吸光層的投影 覆蓋所述底柵型薄膜晶體管單元的柵極金屬層、源極金屬層和漏極金屬層。
[0031] 優(yōu)選的是,在所述襯底基板上形成吸光層和底柵型薄膜晶體管單元,包括在所述 襯底基板上形成所述吸光層和所述柵極金屬層;在所述襯底基板上形成所述吸光層和所述 柵極金屬層,包括:
[0032] 在所述襯底基板上依次沉積吸光層和柵極金屬層;
[0033] 在所述柵極金屬層上涂布光刻膠;
[0034] 采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成未曝光光刻膠形 貌、部分曝光光刻膠形貌和完全曝光區(qū)域;
[0035] 通過第一次刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的柵極金屬層和吸光層;
[0036] 通過第一次灰化工藝去掉除所述未曝光光刻膠形貌以外的光刻膠;
[0037] 通過第二次刻蝕工藝去掉未曝光光刻膠形貌以外區(qū)域的柵極金屬層;
[0038] 通過第二次灰化工藝去掉剩余的光刻膠。
[0039] 優(yōu)選的是,采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成未曝 光光刻膠形貌、部分曝光光刻膠形貌和完全曝光區(qū)域,具體為:
[0040] 采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光,使光刻膠形成未曝光區(qū)域、 部分曝光區(qū)域和所述完全曝光區(qū)域,通過顯影完全去掉所述完全曝光區(qū)域的光刻膠,部分 去掉所述部分曝光區(qū)域的光刻膠以形成所述部分曝光光刻膠形貌,保留未曝光區(qū)域的光刻 膠以形成所述未曝光光刻膠形貌。
[0041] 優(yōu)選的是,在所述襯底基板上形成吸光層和底柵型薄膜晶體管單元,還包括:
[0042] 在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層;
[0043] 在所述柵極絕緣層上形成有源層;
[0044] 在所述有源層上形成刻蝕阻擋層,并使所述刻蝕阻擋層上開設(shè)有第一過孔和第二 過孔;
[0045] 在所述刻蝕阻擋層上形成所述源極金屬層和所述漏極金屬層,并使所述源極金屬 層和所述漏極金屬層分別通過所述第一過孔和所述第二過孔連接所述有源層。
[0046] 與現(xiàn)有技術(shù)相比,上述方案中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效 果:
[0047] 本發(fā)明通過在陣列基板內(nèi)部設(shè)置投影覆蓋底柵型薄膜晶體管單元的各層金屬層 的吸光層,能夠有效遮擋所有照射到柵型薄膜晶體管單元的各層金屬層上的環(huán)境光。另外, 吸光層不會(huì)遮擋照射到金屬層以外區(qū)域的有用環(huán)境光,從而不會(huì)降低顯示面板的亮度,避 免了現(xiàn)有技術(shù)中采用圓偏光片導(dǎo)致的顯示面板功耗增加和顯示面板壽命減小的現(xiàn)象的出 現(xiàn)。
[0048] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述,并且部分地從說明書中變得 顯而易見,或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要 求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0049] 附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與本發(fā)明的實(shí) 施例共同用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0050] 圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0051] 圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例用于制備陣列基板的方法的流程示意圖;
[0052] 圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例中形成吸光層和柵極金屬層的方法的流程示意圖;
[0053] 圖4a示出了本發(fā)明實(shí)施例中形成吸光層和柵極金屬層的方法中在襯底基板上依 次沉積吸光層、柵極金屬層和光刻膠后的示意圖;
[0054] 圖4b示出了本發(fā)明實(shí)施例中形成吸光層和柵極金屬層的方法中曝光顯影工藝后 的不意圖;
[0055] 圖4c示出了本發(fā)明實(shí)施例中形成吸光層和柵極金屬層的方法中第一次刻蝕后的 示意圖;
[0056] 圖4d示出了本發(fā)明實(shí)施例中形成吸光層和柵極金屬層的方法中第一次光刻膠灰 化后的不意圖;
[0057] 圖4e示出了本發(fā)明實(shí)施例中形成吸光層和柵極金屬層的方法中第二次刻蝕后的 示意圖;
[0058] 圖4f示出了本發(fā)明實(shí)施例中形成吸光層和柵極金屬層的方法中第二次光刻膠灰 化后的不意圖;
[0059] 圖5示出了本發(fā)明實(shí)施例中用于形成有機(jī)吸光層和柵極金屬層的半色調(diào)掩模板 的結(jié)構(gòu)示意圖;以及
[0060] 圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0061] 以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)