。
[0020]室10包括:環(huán)形底座環(huán)11 ;上頂部12a，其覆蓋在晶片W上方的空間；和下頂部12b，其覆蓋在晶片W的下方的空間。夾入在上頂部12a和下頂部12b之間的室10的內部是封閉空間。底座環(huán)11可由不銹鋼制成。上頂部12a和下頂部12b主要由透明石英材料制成，該透明石英材料不阻礙從加熱源發(fā)射的電磁波。根據(jù)本實施例，已知的是在其中上頂部12a為平板的實例。備選地，上頂部12a可彎成朝向外側(上側)的凸起形狀。下頂部12b為漏斗形。上頂部12a和下頂部12b固定至底座環(huán)11。上頂部12a和下頂部12b相對底座環(huán)11可分離。在維護時，上頂部12a和下頂部12b從底座環(huán)11分離，并且執(zhí)行包括粘附至它們的內表面的硅副產(chǎn)物的移除的維護工作。
[0021]在室10上方，提供上燈組20G來加熱晶片W的上表面。在室10下方，提供下燈組21G來加熱晶片W的下表面。上燈組20G和下燈組21G均包括多個水平類型鹵素燈20，該鹵素燈20以預定的順序布置成環(huán)。
[0022]圖2是顯示在圖1中顯示的外延生長裝置I中的上燈組20G的布局的示意平面圖。
[0023]如圖2所示，上燈組20G包括二十個內加熱鹵素燈20i，其設計為主要加熱在晶片W的徑向方向的內部區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)SI，并且十二個外部加熱鹵素燈20ο設計為主要加熱在晶片W的徑向方向上的外部區(qū)域(外周區(qū)域)S2。燈以預定的順序布置成環(huán)。
[0024]如圖1所示，將反射壁23放置在上燈組20G外，來限制來自在燈罩內的各個鹵素燈20的電磁波。上燈組20G由反射壁23環(huán)繞。相似地，在下燈組21G外，放置反射壁24來限制來自在燈罩內的各個鹵素燈21的電磁波。下燈組21G由反射壁24環(huán)繞。
[0025]將反射板25設于上燈組20G上方。反射板25反射從鹵素燈20向上輻射的電磁波，使得電磁波行進至放置在基座13上的晶片W。尤其是，定位在各個內部加熱鹵素燈20i上方的反射板25的部分的平面形狀不同于在各個外部加熱鹵素燈20ο上方的部分的形狀。因此，將從各個內部加熱鹵素燈20i向上輻射的電磁波導向至晶片W的內部區(qū)域處。如果將鹵素燈僅均勻地放置，那么將在鹵素燈20的正下方的晶片W的外周區(qū)域S2比晶片W的中央?yún)^(qū)域SI更強烈地加熱。在這種情況下，由于不均勻的加熱，形成在晶片W的表面上的外延層的厚度的平面內分布變得不均勻，并且滑動錯位有可能發(fā)生。但是，如果將一些鹵素燈20用于加熱晶片W的內部區(qū)域，并且調整在這些鹵素燈20上方的反射板25的角度，那么可分散熱輻射能，并且外延層因此變得厚度均勻。
[0026]在室10上方和晶片W的中央上方，安裝高溫計(非接觸式熱電偶溫度計)22。高溫計22通過接受從晶片W輻射的電磁波來測量晶片W的表面溫度。在室10(尤其是晶片W的中央部分)內的溫度通過高溫計22來監(jiān)控。控制器(未顯示)使用通過高溫計22的測量的結果來控制各個鹵素燈20的輸出功率。
[0027]在高溫計22正下方，提供圓筒形屏蔽管22a。屏蔽管22a以包圍高溫計22的光軸的方式提供。提供的屏蔽管22a有助于減少從鹵素燈20輻射的熱在高溫計22的測量系統(tǒng)上的影響，因而改善了通過高溫計22的測量的精度。
[0028]反射部件26放置在室10的上方。反射部件26為近似圓筒形部件，其由鍍金鋁板制成。反射部件26包括筆直桶部分，其具有大致垂直于晶片W的主表面的圓筒形表面。反射部件26布置在上燈組20G的環(huán)內，并且環(huán)繞圓筒形屏蔽管22a的外側。在反射部件26的下端部分中，將漸縮部分26a以圓筒體的直徑變得逐漸更小的方式提供。在反射部件26中，漸縮部分26a的角度優(yōu)選地以其下端部導向至晶片W的中央點處的方式設置。
[0029]提供反射部件26來防止由于來自上燈組20G的電磁波的效果引起的、通過高溫計22的測量的精度的下降。反射部件26限制了照射有來自各個鹵素燈20的電磁波的區(qū)域。從鹵素燈20向晶片W的中央點的遠側行進的電磁波由反射部件26阻礙。因此，比晶片W的中央點更接近鹵素燈20的區(qū)域照射有電磁波，并且定位在中央點的遠側上的區(qū)域不照射有電磁波。
[0030]在反射部件26內，提供附加反射部件27。附加反射部件27為大致盤形部件，其由鍍金鋁板制成。附加反射部件27設于屏蔽管22a與反射部件26之間的空間中。附加反射部件27包括平行于晶片W的反射表面。附加反射部件27如此提供以便接近圓筒形反射部件26的下端部分的開口。附加反射部件27優(yōu)選地由與反射部件26的材料相同的材料制成，或可由不同的材料制成。如果附加反射部件27由相同的材料制成，那么兩者在熱膨脹性上相等。因此，甚至在反射部件26和附加反射部件27由于在室10內的溫度的變化而引起熱膨脹時，也可防止附加反射部件27的變形、位置偏離和其它問題。
[0031]圖3是顯示附加反射部件27的形狀的圖。圖3A是平面圖，并且圖3B是側視橫截面圖。
[0032]如圖3所示，附加反射部件27包括:圓板部分27a，其構成主要反射表面；和側壁部分27b，其設于圓板部分27a的外周。圓板部分27a包括平坦表面，其大致平行于晶片W的主表面。圓板部分27a提供為進一步反射在由晶片W的上表面反射后向上行進的電磁波。提供側壁部分27b來確保附加反射部件27的機械強度。側壁部分27b相對圓板部分27a的角度不具體地限制。該角度優(yōu)選地比直角更寬。該形狀允許側壁部分27b的表面用作反射表面。
[0033]在附加反射部件27的中央部分(或圓板部分27a的中央部分)提供通孔27c。高溫計22的屏蔽管22a以行進穿過通孔27c的方式提供。附加反射部件27的外周邊緣27d(或側壁部分27b的頂端)與反射部件26的漸縮部分26a的表面(內周表面)接觸。因此，在沒有特別的固定機構的使用下，附加反射部件27可僅僅通過其自身重量而水平地放置。因此，十分容易將附加反射部件27附接至反射部件26或從該處分離附加反射部件27。
[0034]圖4A、4B、5A以及5B為示出附加反射部件27的功能性的示意圖。圖4A和圖5A顯示了未提供附加反射部件27的情況。圖4B和圖5B顯示了提供附加反射部件27的情況。
[0035]如圖4A和圖4B所示，晶片W的中央?yún)^(qū)域SI由來自上燈組20G的上方內部加熱鹵素燈20i (見圖2)的電磁波El充分加熱。晶片W的外部區(qū)域S2由來自上方外部加熱鹵素燈20ο (見圖2)的電磁波Ε2充分加熱。但是，在晶片W的中央?yún)^(qū)域SI和外部區(qū)域S2之間的中間區(qū)域S3未充分加熱，并且因此晶片W的平面內溫度分布是不均勻的。如圖4Α所示，如果在反射部件26內不存在附加反射部件27，那么如由虛線所指出，來自內部加熱鹵素燈20?的電磁波El在由晶片W的上表面反射之后僅僅向上行進。因此，晶片W的中間區(qū)域S3不通過電磁波El的反射波加熱。
[0036]在如圖4Β所示附加反射部件27設于反射部件26內的情況下，來自內部加熱鹵素燈21i的電磁波El在由晶片W的上表面反射后向上行進，并且然后由附加反射部件27的表面再次反射，來到達晶片W的中間區(qū)域S3。因此，將晶片W的中間區(qū)域S3充分加熱，并且晶片W的平面內溫度分布因而變得均勻。
[0037]如圖5A所示，如果不提供附加反射部件27，那么從上側經(jīng)由近似圓筒形的反射部件26的內部行進至下側的冷卻空氣(空氣流)C1直接地碰撞室10的上頂部12a的中央部分Ao。作為結果，上頂部12a的中央部分Ao的溫度變得比周圍區(qū)域更低。尤其是，從上燈組20G朝向室10的上頂部12a的中央部分Ao發(fā)射的電磁波El由反射部件26阻礙，并且因此不能達到上頂部12a的中央部分Ao。由此，上頂部12a的中央部分Ao的溫度有可能下降。上頂部12a的中央部分Ao的溫度的下降有可能引起硅副產(chǎn)物的沉積。副產(chǎn)物的沉積妨礙來自鹵素燈20的熱輻射能行進穿過上頂部12a。作為結果，晶片W的中央?yún)^(qū)域SI的溫度下降，導致