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光照射設(shè)備的制造方法

文檔序號:8432204閱讀:244來源:國知局
光照射設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光照射設(shè)備,并且更明確地說涉及能夠抑制透射窗溫度升高的光照射設(shè)備,所述溫度升高是由于從襯底反射的光造成的透射窗溫度失衡所致。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示器和光伏裝置的制造中,涉及到用于使非晶多晶薄膜(例如,非晶多晶硅薄膜)結(jié)晶的熱處理工藝。此處,如果使用玻璃作為襯底,那么可通過使用激光來使非晶多晶薄膜結(jié)晶。然而,當(dāng)非晶多晶薄膜與氧氣(O2)反應(yīng)時,非晶多晶薄膜可能會被氧化而產(chǎn)生氧化物薄膜并且還被雜質(zhì)污染或者造成性質(zhì)改變。
[0003]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的激光襯底處理設(shè)備包含:處理室10,具有對襯底I進(jìn)行處理的內(nèi)部空間;臺2,設(shè)置在處理室10中以沿工藝進(jìn)行方向來移動置于其上的襯底;透射窗40,設(shè)置在處理室10的上方部分上以允許激光8透射穿過;光源30,在處理室10的外部設(shè)置在透射窗40的上方部分處以輸出激光8 ;以及收集器50,在處理室10的外部設(shè)置在透射窗40上方以吸收從襯底I反射并透射穿過透射窗40的反射光(見圖7)。
[0004]從光源30輸出并接著照射到襯底I中的激光61可沿與激光61入射的方向?qū)ΨQ的相反方向(即,沿向上方向(激光62))反射并再透射穿過透射窗40,并且接著入射到設(shè)置在透射窗40上方的收集器50中。此處,激光可能會通過收集器50而部分偏移,但是不會完全耗散。激光可能會被收集器50再反射并接著入射到透射窗40中。因為反射光重復(fù)地入射到透射窗40中而使透射窗40的溫度不斷升高,所以透射窗40可能會具有不均勻的溫度。因此,當(dāng)激光透射穿過透射窗40并接著照射到襯底I上以進(jìn)行結(jié)晶工藝時,可能會產(chǎn)生不均(Mura)。
[0005]并且,因為激光被重復(fù)地吸收到收集器50中,所以收集器50可能會溫度升高。因此,收集器50的周邊部分可能會溫度升高并且可能會熱變形。這可能是使照射到襯底I上的激光束移位的因素。
[0006](專利文件I)第2011-0071591號韓國專利公開

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種能夠抑制透射窗溫度升高的光照射設(shè)備,所述溫度升高是由于經(jīng)襯底反射的光造成的透射窗溫度失衡所致。
[0008]本發(fā)明還提供一種用于防止從襯底反射的光再反射到透射窗中并且防止收集器的溫度失衡和溫度升高發(fā)生的光照射設(shè)備。
[0009]根據(jù)示范性實施例,一種用于將光照射到襯底上以處理所述襯底的光照射設(shè)備包含:透射窗,所述光透射穿過所述透射窗;收集器,設(shè)置在所述透射窗上方并且向上傾斜到所述透射窗的外部,所述收集器使在從所述襯底反射之后透射穿過所述透射窗的反射光偏移;以及冷卻塊,在所述冷卻塊中制冷劑在其中循環(huán),所述冷卻塊設(shè)置在所述收集器中以冷卻所述收集器。
[0010]所述收集器可具有向上傾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面。
[0011]所述收集器可包含:主體,具有向上傾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面,所述主體設(shè)置在所述透射窗上方以耗散通過從所述襯底反射而透射穿過所述透射窗的所述反射光;以及多個突出部,設(shè)置在所述主體的所述底表面上。
[0012]所述收集器的傾斜角可為銳角。
[0013]所述多個突出部中的每一個可具有約3微米到約4微米的直徑。
[0014]所述收集器可具有約10°到約20°的傾斜角。
[0015]所述主體可包含散熱器。
[0016]所述收集器可包含:蓋,覆蓋所述主體的所述底表面以界定內(nèi)部空間,所述蓋允許所述光透射穿過;以及氣體管,經(jīng)設(shè)置以與所述主體與所述蓋之間的所述空間連通,所述氣體管將氣體供應(yīng)到所述主體與所述蓋之間的所述空間中或者將氣體排空。
[0017]所述收集器可延伸以使得所述收集器的所述底表面的一部分經(jīng)設(shè)置以與所述透射窗的頂表面的上側(cè)對應(yīng),并且所述收集器的所述底表面的其余部分經(jīng)設(shè)置以與所述透射窗的外部的上側(cè)對應(yīng)。
[0018]所述冷卻塊可包含:冷卻構(gòu)件,所述冷卻構(gòu)件設(shè)置在所述收集器的上方部分上;以及制冷劑循環(huán)管,所述制冷劑循環(huán)管設(shè)置在所述冷卻構(gòu)件中以允許制冷劑在其中循環(huán)。
【附圖說明】
[0019]可結(jié)合附圖從以下描述更詳細(xì)地理解示范性實施例。
[0020]圖1是根據(jù)實施例的襯底處理設(shè)備的截面圖。
[0021]圖2是從正面觀看時的根據(jù)實施例的襯底處理設(shè)備的光照射模塊的三維切開圖。
[0022]圖3是根據(jù)實施例的襯底處理設(shè)備的正視截面圖。
[0023]圖4是從上方觀看時的根據(jù)實施例的第一和第二收集器的三維視圖。
[0024]圖5是沿圖4中的A' -A"線截取的第一和第二收集器的截面圖。
[0025]圖6是從下側(cè)觀看時的根據(jù)實施例的收集器的一部分的三維視圖。
[0026]圖7是一般襯底處理設(shè)備的框圖。
【具體實施方式】
[0027]下文中,將參看附圖詳細(xì)描述特定實施例。然而,本發(fā)明可按不同形式體現(xiàn)且不應(yīng)視為限于本文中闡述的實施例。而是,提供這些實施例以使得本發(fā)明將為詳盡且完整的,且將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。
[0028]圖1是根據(jù)實施例的襯底處理設(shè)備的截面圖,圖2是從正面觀看時的根據(jù)實施例的襯底處理設(shè)備的光照射模塊的三維切開圖,圖3是根據(jù)實施例的襯底處理設(shè)備的正視截面圖,圖4是從上方觀看時的根據(jù)實施例的第一和第二收集器的三維視圖,圖5是沿圖4中的A' -A"線截取的第一和第二收集器的截面圖,以及圖6是從下側(cè)觀看時的根據(jù)實施例的收集器的一部分的三維視圖。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的實施例的襯底處理設(shè)備可為用于將光照射到襯底S上以對襯底S進(jìn)行熱處理且由此使形成在襯底S上的薄膜11結(jié)晶的熱處理設(shè)備或光照射設(shè)備。
[0030]參看圖1到圖3,根據(jù)實施例的襯底處理設(shè)備包含:處理室100,具有在其中對襯底S進(jìn)行處理的內(nèi)部空間;臺200,設(shè)置在處理室100中以將襯底S放置在其上,臺200沿工藝進(jìn)行方向來水平地轉(zhuǎn)移襯底S ;光源,設(shè)置在處理室100的外部以輸出用于處理襯底S的光,例如,激光;以及光照射模塊5000,包含設(shè)置在處理室100的上方壁的一部分中的透射窗5120以允許從光源300發(fā)出的光透射穿過,其中光照射模塊5000將透射穿過透射窗5120的光引導(dǎo)到襯底S上并且將惰性氣體注射到光照射到其上的襯底S上。
[0031]雖然根據(jù)實施例的處理室100可具有截面是矩形的箱形狀,但是本發(fā)明不限于此。舉例來說,處理室100可改變?yōu)榕c襯底S的形狀對應(yīng)的各種形狀。舉例來說,由石英形成的透射窗5120可設(shè)置在處理室100的上方壁中。透射窗5120可設(shè)置在處理室的上方壁的一部分中以覆蓋光照射模塊5000的上方部分。當(dāng)然,雖然透射窗5120設(shè)置在處理室100的上方壁中以覆蓋光照射模塊5000的上方部分,但是本發(fā)明不限于此。舉例來說,透射窗5120可設(shè)置在從光源300發(fā)出的光被引導(dǎo)到光照射模塊5000中的任何位置處。
[0032]雖然處理室100具有密封結(jié)構(gòu),但是氧氣(O2)或雜質(zhì)可能存在于處理室100中。此處,氧氣(O2)使形成在襯底S上的薄膜11氧化。并且,雜質(zhì)可能是在處理期間產(chǎn)生的顆粒粉末或氣態(tài)副產(chǎn)物或者其它污染物。雜質(zhì)可能會降低薄膜11的質(zhì)量或改變薄膜11的性質(zhì),而成為缺陷的主要因素。
[0033]為了解決由于氧氣(O2)和雜質(zhì)滲透到襯底S的上方部分中所致的限制,光照射模塊5000可將惰性氣體注射到襯底S的上側(cè)中以在激光照射到其上的襯底S的區(qū)域的上側(cè)中產(chǎn)生惰性氣體氛圍。光照射模塊5000可被稱作“部分脫氧模塊(OPDM) ”。
[0034]光照射模塊5000可包含:光照射單元5100,設(shè)置在處理室100內(nèi)并且具有從光源300輸出的激光從中穿過的內(nèi)部空間;以及氣體注射單元5200,安裝在光照射單元5100之下并且在光照射單元5100與襯底S之間以將惰性氣體注射到襯底S上。
[0035]光照射單元5100包含:主體5100a,具有光從中透射穿過的內(nèi)部空間;第二主體5100b,連接到或安裝在主體5100a的下方部分上并且具有與主體5100a的內(nèi)部空間垂直地連通的內(nèi)部空間;透射窗5120,設(shè)置在主體5100a的上方部分中以允許從光源300發(fā)出的光透射穿過;切割器5130,在處理室100的外部設(shè)置在光源300與透射窗5120之間并且相對于光的照射方向傾斜設(shè)置以切斷或遮擋光的一部分,即,從光源300朝透射窗5120發(fā)出的激光束;收集器5140,在處理室100的外部設(shè)置在透射窗5120上方并且從透射窗5120的中心軸向上并向外傾斜設(shè)置以使通過從襯底S反射而透射穿過透射窗5120的反射光(或反射射束)發(fā)生一次偏移;以及冷卻塊,設(shè)置在收集器5140上以冷卻收集器5140。
[0036]此處,在第一主體5100a和第二主體5100b中的每一個中界定的內(nèi)部空間可沿襯底S的一個方向延伸。舉例來說,所述內(nèi)部空間可沿與襯底S的轉(zhuǎn)移方向交叉的方向延伸。透射窗5120可設(shè)置在主體5100a的上方部分中以與主體5100a的內(nèi)部空間的上側(cè)對應(yīng),以密封或封閉主體5100a的敞開上側(cè)。
[0037]并且,切割器513
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