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用于制造用于芯片裝置的感應(yīng)芯的方法及芯片裝置的制造方法_3

文檔序號(hào):8396832閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
有至少一個(gè)重新布線層,其被設(shè)置在該封裝之中。特別地,所述重新布線層能夠因此構(gòu)造在封裝之中。這能夠例如以eWLB技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn),通過(guò)在臨時(shí)的支撐件上設(shè)置重新布線層來(lái)實(shí)現(xiàn),在該支撐件上再次設(shè)置所述芯片和/或所述感應(yīng)芯。接下來(lái)然后將該臨時(shí)的支撐件至少部分地嵌入該封裝或者密封劑之中并且在嵌入之后移除,由此觀之所謂的人工的晶圓。
【附圖說(shuō)明】
[0043]在附圖中,相同的附圖標(biāo)記在不同的圖示中通常描述相同的部分。這些附圖并非必須按比例繪制的,其中,取而代之地旨在強(qiáng)調(diào)且清楚地示出本發(fā)明的原理。在以下描述之中將參照所附的附圖來(lái)描述本發(fā)明的不同的實(shí)施形式。
[0044]圖1示出了依據(jù)示例性的實(shí)施例的感應(yīng)芯;
[0045]圖2示出了依據(jù)示例性的實(shí)施例的芯片裝置;
[0046]圖3示出了用于制造依據(jù)示例性的實(shí)施例的感應(yīng)芯的方法的流程圖;
[0047]圖4示出了用于制造依據(jù)示例性的實(shí)施例的芯片裝置的方法的流程圖;以及
[0048]圖5示出了另一種用于制造依據(jù)其他的示例性的實(shí)施例的芯片裝置的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]接下來(lái)所描述的說(shuō)明書(shū)涉及所附的附圖,這些附圖詳細(xì)地示出了在其中能夠?qū)嶋H應(yīng)用本發(fā)明的特定的細(xì)節(jié)和實(shí)施形式。
[0050]在此,詞語(yǔ)“示例性”的意義應(yīng)理解為“作為例子、情況或者圖示來(lái)使用”。在此作為“示例性”地加以使用的任何的實(shí)施例或任何的設(shè)計(jì)并非必須與作為優(yōu)選的或者有利地加以設(shè)計(jì)的其他的實(shí)施例或者設(shè)計(jì)不同。
[0051]圖1示出了感應(yīng)芯100,其具有板狀的磁芯101,在該磁芯上構(gòu)造有多個(gè)電導(dǎo)體102。在此,多個(gè)電導(dǎo)體102構(gòu)造在該板狀的磁芯的兩個(gè)主表面之上并且基本上相互平行地加以設(shè)置。在此,該磁性能夠由各種合適的磁性材料或者合金構(gòu)成,例如軟鐵、鐵氧體、鐵鎳合金、鐵-鈷合金、鈮合金、釹合金、稀土合金或其它鐵磁材料。在多個(gè)電導(dǎo)體102和磁芯101之間優(yōu)選地分別構(gòu)造一個(gè)層,該層由電隔離的或者介電的材料103所組成。
[0052]在此,磁芯的厚度并未扮演重要的角色并且能夠根據(jù)相應(yīng)的需求加以適配。為了降低感性損耗,該磁芯能夠由多個(gè)薄層或者薄膜來(lái)構(gòu)造,尤其是例如在2 μ m和15 μ m之間的厚度,這些薄層或者薄膜相互之間電隔離。替代地,該磁芯能夠借助于金屬粉末來(lái)構(gòu)造,該金屬粉末將在接下來(lái)加以燒結(jié),這將同樣能夠減小所構(gòu)造的感應(yīng)器的渦流電流并且因此減小感性損耗。
[0053]在圖1中還示出了具有多個(gè)電導(dǎo)體的磁芯。該磁芯能夠在構(gòu)造了多個(gè)電導(dǎo)體之后加以分割,以便得到多個(gè)感應(yīng)芯或者所需的或者所期望的尺寸的感應(yīng)芯。在此,該分割過(guò)程在圖1中借助于示例性的圓鋸104加以示出。然而,該分割、分離或者劃分能夠通過(guò)任何合適的工藝步驟加以執(zhí)行。因此,應(yīng)當(dāng)注意:完成構(gòu)造的感應(yīng)器具有磁芯,其具有在兩側(cè)上構(gòu)造的導(dǎo)體。特別地,多個(gè)導(dǎo)體恰好構(gòu)造在該磁芯的兩個(gè)側(cè)面之上。多個(gè)導(dǎo)體相互電隔離,以便防止具體的導(dǎo)體的短路。在另一種實(shí)施形式之中,多個(gè)導(dǎo)體多層地加以設(shè)置以便達(dá)到更高的圈數(shù)和/或更低的歐姆電阻。
[0054]圖2示出了依據(jù)示例性的實(shí)施例的芯片裝置。特別地,圖2示出了芯片裝置200,在此,其示出具有芯片例如電子開(kāi)關(guān)201,該電子開(kāi)關(guān)設(shè)置在載體或者基體202之上。在此,該載體202能夠?yàn)橛∷㈦娐钒寤蛘哳?lèi)似的諸如引線框架203。該芯片201具有多個(gè)接觸盤(pán)204,它們借助于導(dǎo)軌205與另外的電氣的或者電子的(未示出)部件加以連接。此外,該芯片裝置200具有感應(yīng)芯或者感應(yīng)器100。該感應(yīng)芯100在此具有多個(gè)電導(dǎo)體102,它們?cè)趫D2中構(gòu)造在該感應(yīng)芯100的側(cè)面之上。特別地,多個(gè)表面中的在其上構(gòu)造有電導(dǎo)體102的一個(gè)表面由此而與該芯片201的側(cè)壁相鄰并且基本上垂直于該載體202的主表面。在圖2中可以看出該感應(yīng)芯100的裝置為圖1的經(jīng)分割的感應(yīng)芯旋轉(zhuǎn)90度。
[0055]在圖2中在上面的和下面的側(cè)之上在該感應(yīng)芯100之處還設(shè)置了多個(gè)導(dǎo)軌208,它們分別將兩個(gè)電導(dǎo)體102相互連接。該導(dǎo)軌208能夠尤其是重新布線層的一部分,其在圖2中為了清楚示出起見(jiàn)而未完全地加以示出。通過(guò)該些導(dǎo)軌該圖1中的感應(yīng)芯的中間產(chǎn)品或者半成品能夠后續(xù)構(gòu)造成完整的感應(yīng)器即具有磁芯的線圈。
[0056]芯片裝置200還能夠借助于封裝材料或者鈍化材料來(lái)加以封裝。在封裝之后該封裝件再次在一些位置開(kāi)口,以便實(shí)現(xiàn)該芯片裝置的電氣的或者電子的部件的接觸。替代地,該封裝也能夠在構(gòu)造所存在的接觸盤(pán)或者位置時(shí)已經(jīng)釋放,該些接觸盤(pán)構(gòu)造或者構(gòu)思用于該芯片裝置的外部的接觸。該封裝尤其是借助于造型工藝來(lái)加以構(gòu)造并且形成基體。優(yōu)選地,該封裝在構(gòu)造或者設(shè)置重新布線層之前得以構(gòu)造。該封裝在圖2中通過(guò)虛線206加以示出。此外,該芯片裝置能夠構(gòu)造成球柵陣列207。
[0057]圖3示出了用于制造依據(jù)示例性的實(shí)施例的感應(yīng)芯的方法的流程圖。該方法尤其是具有提供磁芯(步驟300),在該磁芯之上在第一表面之上構(gòu)造有至少一個(gè)第一電導(dǎo)體(步驟301)。同時(shí)地或者隨后,在該磁芯的第二表面之上構(gòu)造有第二電導(dǎo)體(步驟302),其中,第二表面與第一表面相對(duì)。依據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式能夠應(yīng)用多層的電導(dǎo)體和/或磁芯。優(yōu)選地,在此應(yīng)當(dāng)注意:即為后續(xù)沿著其進(jìn)行分割的路徑的鋸跡主要不是金屬層(例如銅層)。接下來(lái),在其上構(gòu)造有導(dǎo)體的該磁芯被分割(步驟303),由此能夠制造出多個(gè)感應(yīng)芯。
[0058]接下來(lái)該感應(yīng)芯能夠在用于制造芯片裝置的方法之中加以應(yīng)用。特別地,在此,在第一分段或者部分之中在載體(例如具有重新布線層的載體)上設(shè)置有導(dǎo)軌,然后,第一導(dǎo)體與第二導(dǎo)體電連接。在該載體的另一個(gè)分段或者部分之上設(shè)置有具有至少一個(gè)接觸盤(pán)的至少一個(gè)芯片。此外,在該感應(yīng)芯和至少一個(gè)芯片之上設(shè)置有另一個(gè)層裝置,優(yōu)選地為重新布線層,該重新布線層再次具有導(dǎo)軌,該導(dǎo)軌用于將該感應(yīng)芯的導(dǎo)體相互連接并且與至少一個(gè)芯片相連接的接觸盤(pán)。
[0059]圖4示出了用于制造依據(jù)示例性的實(shí)施例的芯片裝置的方法的流程圖。具體地,該方法具有提供單片的或者單個(gè)的感應(yīng)芯(步驟401),該感應(yīng)芯例如借助于依據(jù)圖3所示出的的方法加以制造。優(yōu)選地,提供該感應(yīng)芯用于在切丁帶(Dicingtape)上加以使用。此夕卜,將提供另外的部件(步驟402),諸如臨時(shí)的載體和芯片。在下一個(gè)步驟之中,對(duì)感應(yīng)芯進(jìn)行優(yōu)選地90°的旋轉(zhuǎn)并且放置或者設(shè)置在臨時(shí)的載體之上(步驟403)。在此優(yōu)選地,該臨時(shí)的載體具有相對(duì)應(yīng)的可用尺寸。此外,另外的部件尤其是至少一個(gè)芯片被設(shè)置在該臨時(shí)的載體之上(步驟404)。
[0060]在將該感應(yīng)芯和至少一個(gè)芯片設(shè)置在該臨時(shí)的載體之上之后,對(duì)其加以封裝,例如借助于造型措施或者層壓(步驟405)。在封裝之后,該臨時(shí)的載體將被移除(步驟406)并且實(shí)施薄膜工藝化步驟,在該步驟之中將至少一個(gè)重新布線層施加或者設(shè)置在該封裝之上(步驟407)。優(yōu)選地,既在該封裝的頂側(cè)也在其底側(cè)之上施加至少一個(gè)重新布線層,以便將該感應(yīng)芯的多個(gè)導(dǎo)體相互連接并且在必要時(shí)與該芯片的接觸盤(pán)相連接。此后能夠?qū)嵤﹩纹蛘邌蝹€(gè)化(步驟408)。
[0061]圖5示出了用于制造依據(jù)其
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