溝槽的壁上形成熱氧化物層。形成P摻雜區(qū)可包括:向襯底中注入P摻雜原子；以及實施擴散過程以擴散被注入的P摻雜原子。此外，形成P摻雜區(qū)可包括:在η摻雜區(qū)上外延地生長P摻雜區(qū)。實施陽極氧化可包括:以堿性液體填充該至少一個溝槽；在堿性液體和襯底之間施加電壓。在各種實施例中，該方法可進一步包括在ρ摻雜區(qū)的至少一部分之上形成另外的P摻雜區(qū)，該另外的P摻雜區(qū)相比P摻雜區(qū)具有更大的P傳導性。在陽極氧化期間，該另外的區(qū)的至少一部分可被暴露以形成用于該陽極氧化的電接觸。此外，在陽極氧化期間，P摻雜區(qū)的至少一部分可被暴露以形成用于該陽極氧化的電接觸。在各種實施例中，該半導體結構可包括晶體管；其中η摻雜區(qū)包括該晶體管的第一源/漏區(qū)；其中P摻雜區(qū)包括該晶體管的體區(qū)；其中另外的η摻雜區(qū)包括該晶體管的第二源/漏區(qū)；以及其中另外的導電材料包括該晶體管的柵極區(qū)。該晶體管可以是功率半導體晶體管。
[0138]在各種實施例中，一種半導體結構被提供。該半導體結構可包括:襯底；在該襯底中的η摻雜區(qū)；在襯底中形成與η摻雜區(qū)相鄰的ρ摻雜區(qū)；覆蓋該襯底的表面的氧化物層，其中該氧化物層沿η摻雜區(qū)延伸的第一部分相比在沿ρ摻雜區(qū)延伸的第二部分中的該氧化物層具有更大的厚度，其中氧化物層的第一部分在遠離襯底的方向上比氧化物層的第二部分具有更大的長度，氧化物層的第一部分比氧化物層的第二部分具有更大的進入所述η摻雜區(qū)中的長度。。
[0139]該半導體結構可進一步包括:在襯底中的至少一個溝槽，該溝槽穿過P摻雜區(qū)延伸至η摻雜區(qū)之中；以及被形成在該至少一個溝槽中的導電材料，其中氧化物層覆蓋該至少一個溝槽的側壁和底部，并且其中該氧化物遠離襯底的長度方向是進入該至少一個溝槽之內的方向。
[0140]此外，該半導體結構可包括在該至少一個溝槽之內的導電材料之上的介電層；在該介電層之上的另外的導電材料；其中該另外的導電材料與導電材料通過該介電層被電隔離。在各種實施例中，該導電材料可形成在該至少一個溝槽之內的場板。而且，該半導體結構可進一步包括在該至少一個溝槽的壁上的熱氧化物層。該半導體結構可進一步包括在P摻雜區(qū)的至少一個部分之上的第二 P摻雜區(qū)。此外，該半導體結構可進一步包括晶體管；其中η摻雜區(qū)可包括該晶體管的第一源/漏區(qū)；其中P摻雜區(qū)可包括該晶體管的體區(qū)；其中另外的η摻雜區(qū)可包括該晶體管的第二源/漏區(qū)；以及其中另外的導電材料可包括該晶體管的柵極區(qū)。在各種實施例中，該晶體管可以是功率半導體晶體管。
[0141]在各種實施例中，一種制造半導體結構的方法被提供。該方法可包括:在襯底中形成與η摻雜區(qū)相鄰的P摻雜區(qū)；在襯底中形成至少一個溝槽，該溝槽穿過P摻雜區(qū)延伸至η摻雜區(qū)之中；實施陽極氧化以在該至少一個溝槽的側壁上形成氧化物層；以及在該至少一個溝槽中形成導電材料。
[0142]在各種實施例中，該方法可進一步包括在該至少一個溝槽之內在導電材料之上形成介電層；以及在該介電層之上形成另外的導電材料，其中該另外的導電材料與導電材料通過介電層被電隔離。形成P摻雜區(qū)可包括:在η摻雜區(qū)上外延地生長ρ摻雜區(qū)。此外，實施陽極氧化可包括:以堿性液體填充該至少一個溝槽；在該堿性液體和襯底之間施加電壓。在各種實施例中，該方法可進一步包括在P摻雜區(qū)的至少一部分之上形成另外的P摻雜區(qū)，該另外的P摻雜區(qū)相比P摻雜區(qū)具有更大的P傳導性。在各種實施例中，在陽極氧化期間，該另外的P摻雜區(qū)的至少一部分可被暴露以形成用于該陽極氧化的電接觸。此外，在陽極氧化期間，P摻雜區(qū)的至少一部分可選擇性地被暴露以形成用于該陽極氧化的電接觸。在各種實施例中，該半導體結夠可包括功率半導體晶體管。
[0143]雖然本發(fā)明已參考特定的實施例特別地進行說明和描述，但應當理解的是，不脫離由本發(fā)明所附權利要求所定義的精神和范圍，本領域的技術人員將能在形式和細節(jié)上的作出各種變化。因此，本發(fā)明的范圍由所附權利要求表明，并且因此在權利要求的等同物的意義和范圍之內的所有變化都旨在被涵蓋。
【主權項】
1.一種制造半導體結構的方法，所述方法包括: 在襯底中形成與η摻雜區(qū)相鄰的P摻雜區(qū)；以及 實施陽極氧化以在所述襯底的表面上形成氧化物層，其中沿所述η摻雜區(qū)延伸的所述表面的第一部分中的所述氧化物層相比沿所述P摻雜區(qū)延伸的所述表面的第二部分中的所述氧化物層具有更大的厚度。
2.如權利要求1所述的方法，進一步包括: 在所述襯底中形成至少一個溝槽，所述溝槽穿過所述P摻雜區(qū)延伸至所述η摻雜區(qū)之中；以及 在所述至少一個溝槽中形成導電材料， 其中所述陽極氧化在所述至少一個溝槽的壁上形成所述氧化物層。
3.如權利要求2所述的方法，進一步包括: 在所述至少一個溝槽之內的所述導電材料之上形成介電層；以及在所述介電層之上形成另外的導電材料，其中所述另外的導電材料與所述導電材料通過所述介電層被電隔離。
4.如權利要求3所述的方法， 其中所述導電材料形成在所述至少一個溝槽之內的場板。
5.如權利要求2所述的方法，進一步包括: 在實施所述陽極氧化之前，實施熱氧化以在所述至少一個溝槽的所述壁上形成熱氧化物層。
6.如權利要求2所述的方法， 其中形成所述P摻雜區(qū)包括: 向所述襯底中注入P摻雜原子；以及 實施擴散過程以擴散所述被注入的P摻雜原子。
7.如權利要求1所述的方法， 其中形成所述P摻雜區(qū)包括: 在所述η摻雜區(qū)上外延地生長所述P摻雜區(qū)。
8.如權利要求2所述的方法， 其中實施所述陽極氧化包括: 以堿性液體填充所述至少一個溝槽； 在所述堿性液體和所述襯底之間施加電壓。
9.如權利要求1所述的方法，進一步包括: 在所述P摻雜區(qū)的至少一部分之上形成另外的P摻雜區(qū)，所述另外的P摻雜區(qū)相比所述P摻雜區(qū)具有更大的P傳導性。
10.如權利要求9所述的方法， 其中在所述陽極氧化期間，所述另外的區(qū)的至少一部分被暴露以形成用于所述陽極氧化的電接觸。
11.如權利要求1所述的方法， 其中在所述陽極氧化期間，所述P摻雜區(qū)的至少一部分被暴露以形成用于所述陽極氧化的電接觸。
12.如權利要求1所述的方法， 其中所述半導體結構包括晶體管； 其中所述η摻雜區(qū)包括所述晶體管的第一源/漏區(qū)； 其中所述P摻雜區(qū)包括所述晶體管的體區(qū)； 其中另外的η摻雜區(qū)包括所述晶體管的第二源/漏區(qū)；以及 其中所述另外的導電材料包括所述晶體管的柵極區(qū)。
13.—種半導體結構，包括: 襯底； η摻雜區(qū)，其在所述襯底中； P摻雜區(qū)，其在所述襯底中與所述η摻雜區(qū)相鄰； 氧化物層，其覆蓋所述襯底的表面，其中沿所述η摻雜區(qū)延伸的所述氧化物層的第一部分相比在沿所述P摻雜區(qū)延伸的第二部分中的所述氧化物層具有更大的厚度，其中，所述氧化物層的所述第一部分在遠離所述襯底的方向上比所述氧化物層的所述第二部分具有更大的長度，所述氧化物層的所述第一部分比所述氧化物層的所述第二部分具有更大的進入所述η摻雜區(qū)中的長度。
14.如權利要求13所述的半導體結構，進一步包括: 至少一個溝槽，其在所述襯底中，所述溝槽穿過所述P摻雜區(qū)延伸至所述η摻雜區(qū)之中；以及 導電材料，其被形成在所述至少一個溝槽中， 其中所述氧化物層覆蓋所述至少一個溝槽的側壁和底部，并且其中所述氧化物層的遠離所述襯底的所述長度的方向是進入所述至少一個溝槽之內的方向。
15.如權利要求14所述的半導體結構，進一步包括: 介電層，其在所述至少一個溝槽之內的所述導電材料之上；以及 另外的導電材料，其在所述介電層之上； 其中所述另外的導電材料與所述導電材料通過所述介電層被電隔離。
16.如權利要求14所述的半導體結構， 其中所述導電材料形成在所述至少一個溝槽之內的場板。
17.如權利要求14所述的半導體結構，進一步包括: 熱氧化物層，其在所述至少一個溝槽的壁上。
18.如權利要求13所述的半導體結構，進一步包括: 第二 P摻雜區(qū)，其在所述P摻雜區(qū)的至少一個部分之上。
19.如權利要求13所述的半導體結構， 其中所述半導體結構包括晶體管； 其中所述η摻雜區(qū)包括所述晶體管的第一源/漏區(qū)； 其中所述P摻雜區(qū)包括所述晶體管的體區(qū)； 其中另外的η摻雜區(qū)包括所述晶體管的第二源/漏區(qū)；以及 其中所述另外的導電材料包括所述晶體管的柵極區(qū)。
20.一種制造半導體結構的方法，所述方法包括: 在襯底中在η慘雜區(qū)之上形成P慘雜區(qū)； 在所述襯底中形成至少一個溝槽，所述溝槽穿過所述P摻雜區(qū)延伸至所述η摻雜區(qū)之中； 實施陽極氧化以在所述至少一個溝槽的壁上形成氧化物層；以及 在所述至少一個溝槽中形成導電材料。
21.如權利要求20所述的方法，進一步包括: 在所述至少一個溝槽之內的所述導電材料之上形成介電層；以及 在所述介電層之上形成另外的導電材料， 其中所述另外的導電材料與所述導電材料通過所述介電層被電隔離。
22.如權利要求20所述的方法， 其中形成所述P摻雜區(qū)包括: 在所述η摻雜區(qū)上外延地生長所述P摻雜區(qū)。
23.如權利要求20所述的方法， 其中實施所述陽極氧化包括: 以堿性液體填充所述至少一個溝槽； 在所述堿性液體和所述襯底之間施加電壓。
24.如權利要求20所述的方法， 其中在所述陽極氧化期間，所述P摻雜區(qū)的至少一部分被暴露以形成用于所述陽極氧化的電接觸。
【專利摘要】提供一種制造半導體結構的方法，其可包括：在襯底中形成與n摻雜區(qū)相鄰的p摻雜區(qū)；實施陽極氧化以在襯底表面上形成氧化物層，其中在表面沿n摻雜區(qū)延伸的第一部分中的氧化物層比在表面沿p摻雜區(qū)延伸的第二部分中的氧化物層具有更大的厚度。
【IPC分類】H01L29-40, H01L29-78, H01L21-316
【公開號】CN104701160
【申請?zhí)枴緾N201410742729
【發(fā)明人】H-J·舒爾策, M·聰?shù)聽? A·毛德, A·梅瑟, F·希爾勒, H·韋伯
【申請人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2014年12月5日
【公告號】DE102014118227A1, US20150162411