氧化物和濺射鈦(例如形成約45nm的層)，緊接著硅化，其可例如通過加熱至約725°C持續(xù)約30s和Ti/TiN的蝕刻被執(zhí)行。
[0070]在各種實(shí)施例中，如圖10所示，多晶硅可被沉積并被蝕刻以形成塞1560，其中多晶硅可例如具有約600nm的厚度，并且多晶硅1742可被退火，例如通過加熱至約975°C持續(xù)約30s。在各種實(shí)施例中，在多晶硅的凹進(jìn)蝕刻之后(例如，通過各向異性等離子蝕刻)，金屬層可被形成，例如通過AlSiCu的沉積，例如具有約5 μπι的厚度。該金屬層可被蝕刻，例如使用掩模的金屬的濕法化學(xué)蝕刻，以形成源極接觸1562和柵極接觸1564。背側(cè)(未示出)可被變薄至例如約175 μπι。
[0071]圖2示出了依照各種實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，包括襯底、襯底中的η摻雜區(qū)104、襯底中位于η摻雜區(qū)104之上的ρ摻雜區(qū)206、襯底中的至少一個(gè)溝槽418，溝槽418穿過P摻雜區(qū)206延伸進(jìn)入η摻雜區(qū)104之中，氧化物層930覆蓋該至少一個(gè)溝槽418的側(cè)壁420和底部422，其中延伸進(jìn)入η摻雜區(qū)104中的氧化物層的第一部分比溝槽延伸穿過ρ摻雜區(qū)206的第二部分中的氧化物層具有更大厚度，其中氧化物層的第一部分進(jìn)入該至少一個(gè)溝槽418以及進(jìn)入η摻雜區(qū)的橫向長(zhǎng)度大于氧化物層的第二部分，以及導(dǎo)電材料1032被形成在該至少一個(gè)溝槽中。
[0072]在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100可進(jìn)一步包括在該至少一個(gè)溝槽418之內(nèi)的導(dǎo)電材料1032之上的介電層，和在該介電層之上的另外的導(dǎo)電材料，其中該另外的導(dǎo)電材料與該導(dǎo)電材料通過該介電層被電隔離。
[0073]在各種實(shí)施例中，導(dǎo)電材料可形成在該至少一個(gè)溝槽418之內(nèi)的場(chǎng)板。
[0074]在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100可進(jìn)一步包括在該至少一個(gè)溝槽418的壁420上的熱氧化物層。
[0075]在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100可進(jìn)一步包括在ρ摻雜區(qū)206的至少一個(gè)部分之上的第二 P摻雜區(qū)。
[0076]在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括晶體管，其中η摻雜區(qū)可包括該晶體管的第一源/漏區(qū)，其中P摻雜區(qū)可包括該晶體管的體區(qū)，其中另外的η摻雜區(qū)可包括該晶體管的第二源/漏區(qū)，并且其中該另外的導(dǎo)電材料可包括該晶體管的柵極區(qū)。
[0077]在各種實(shí)施例中，該晶體管可以是功率半導(dǎo)體晶體管。
[0078]圖3示出了依照各種實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1600。圖3還涉及依照各種實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1600的方法。
[0079]在各種實(shí)施例中，該用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1600的方法可包括:在襯底1666中形成與η摻雜區(qū)104相鄰的ρ摻雜區(qū)206 ;以及實(shí)施陽極氧化以在襯底1666上形成氧化物層930，其中在沿η摻雜區(qū)104延伸的表面的第一部分中的氧化物層930比沿ρ摻雜區(qū)206延伸的表面的第二部分中的氧化物層930具有更大厚度。
[0080]在各種實(shí)施例中，可被增加的材料、層的厚度、摻雜的方法、層的沉積、另外的層等可對(duì)應(yīng)于在圖1A至圖10和圖2的上下文中所描述的技術(shù)、材料和參數(shù)。
[0081]在各種實(shí)施例中，根據(jù)該用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1600的方法執(zhí)行陽極氧化可包括將襯底1666部分地或完全地插入至堿性溶液之中。
[0082]圖4Α示出了根據(jù)各種實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800。圖4Α還涉及依照各種實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800的方法。
[0083]因?yàn)楦鶕?jù)各種實(shí)施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的過程的部分，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800可在許多方面類似于圖1I中所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，或者與該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100相同。
[0084]在各種實(shí)施例中，可被增加的材料、層的厚度、摻雜的方法、層的沉積、另外的層等可對(duì)應(yīng)于在圖1A至圖10、圖2和圖3的上下文中所描述的技術(shù)、材料和參數(shù)。
[0085]在各種實(shí)施例中，圖1I的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100和圖4Α的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800之間的差異可以是:在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800的襯底中，可包括ρ摻雜區(qū)206和η摻雜區(qū)104，ρ摻雜區(qū)206在溝槽418的兩側(cè)(換言之，沿兩個(gè)相對(duì)的壁)的厚度可以不是相同的。換言之，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800中的摻雜濃度(區(qū)206中的ρ摻雜和區(qū)104中的η摻雜)可相對(duì)于溝槽418不是對(duì)稱的。在各種實(shí)施例中，P摻雜區(qū)206可相比于沿著溝槽418的另一個(gè)壁(例如，沿著相對(duì)的壁)，沿溝槽418的一個(gè)壁更遠(yuǎn)地延伸進(jìn)入η摻雜區(qū)104之中。更遠(yuǎn)地延伸進(jìn)入η摻雜區(qū)104之中的ρ摻雜區(qū)206可例如延伸至溝槽418的底部。
[0086]在各種實(shí)施例中，沿η摻雜區(qū)104延伸的襯底表面的第一部分中通過陽極氧化形成的氧化物層930可比在沿ρ摻雜區(qū)206延伸的該表面的第二部分中的氧化物層930具有更大的厚度。在各種實(shí)施例中，氧化物層930的厚度可相對(duì)于溝槽非對(duì)稱地變化。例如，在P摻雜區(qū)206延伸至溝槽418的底部的情況下，沿著襯底的η摻雜區(qū)延伸的氧化物層930的較厚部分可具有像字母“L”形狀的橫截面(不同于η摻雜區(qū)104和ρ摻雜區(qū)206相對(duì)于溝槽418對(duì)稱布置的情況，其中沿著襯底的η摻雜區(qū)延伸的氧化物層930的較厚部分可具有像字母“U”形狀的橫截面)。
[0087]在各種實(shí)施例中，由上可見，溝槽可例如是條狀形狀或者矩形形狀。
[0088]圖4Β示出了依照各種實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1810。圖4Β還涉及依照各種實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1810的方法。
[0089]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1810可在許多方面類似于圖4Α中所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800，或者與該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800相同。
[0090]在各種實(shí)施例中，可被增加的材料、層的厚度、摻雜的方法、層的沉積、另外的層等可對(duì)應(yīng)于在圖1A至圖10、圖2、圖3和圖4Α的上下文中所描述的技術(shù)、材料和參數(shù)。
[0091]在各種實(shí)施例中，類似于圖4Α的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1810的ρ摻雜區(qū)206和η慘雜區(qū)104可相對(duì)于溝槽418不是對(duì)稱的。在各種實(shí)施例中，η慘雜區(qū)104可沿溝槽418的一個(gè)壁延伸，并且ρ摻雜區(qū)206可沿著溝槽418的相對(duì)的壁延伸。ρ摻雜區(qū)也可沿著溝槽的底部延伸。η摻雜區(qū)104也可以是例如沿著溝槽418的底部的η+摻雜。
[0092]在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1810可包括兩個(gè)鄰接的溝槽418。兩個(gè)鄰接的溝槽418面向遠(yuǎn)離各自其他的溝槽418的壁和在溝槽的底部下面的部分104可以是η摻雜，并且該溝槽418在兩個(gè)溝槽之間的壁可以是ρ摻雜。另一種描述這些實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方式是，具有η摻雜的側(cè)壁和底部壁以及類臺(tái)面的ρ摻雜結(jié)構(gòu)的寬的溝槽，該類臺(tái)面的P摻雜結(jié)構(gòu)位于溝槽的中間并且被連接至該溝槽的底部壁，因此形成兩個(gè)溝槽418。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1810的各種實(shí)施例可例如被用于超結(jié)器件中。在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1810的與溝槽418相對(duì)的側(cè)面上，例如可布置平面的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)單元。
[0093]在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1810的陽極氧化可形成氧化物層930，其在沿η摻雜區(qū)104延伸的襯底表面的第一部分中比在沿ρ摻雜區(qū)206延伸的該表面的第二部分中更厚。在各種實(shí)施例中，氧化物層930沿ρ摻雜區(qū)206延伸的較薄部分可被移除，例如通過蝕亥IJ。該蝕刻還可以移除在η摻雜區(qū)104之上形成的氧化物層930的部分，但一部分氧化物層930可仍沿著η摻雜區(qū)，因?yàn)槠湓诖颂幹靶纬奢^大的厚度。
[0094]圖5Α至圖5G示出了依照各種實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1900的方法的過程流程的3個(gè)階段。
[0095]如圖5Α和圖5Β所示的陽極氧化的設(shè)定可類似于圖1H和圖1I中所示的陽極氧化。在各種實(shí)施例中，在圖1A至圖10、圖2、圖3、圖4Α和圖4Β的上下文中所描述的材料、參數(shù)、過程等可與被用于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1900的制造方法的那些相同或類似。
[0096]遭受圖1H中的陽極氧化的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100與圖5Α至圖5C的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1900之間的差異可以是，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1900未被形成為溝槽，而是平面。隨后，ρ摻雜區(qū)206和η摻雜區(qū)104可在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1900的襯底表面的差不多相同的平面之內(nèi)，彼此接近或彼此相鄰地被布置，其中襯底包括至少η摻雜區(qū)104和ρ摻雜區(qū)206。
[0097]各種實(shí)施例中，η摻雜區(qū)104的低水平η-摻雜可允許ρ摻雜區(qū)206和η摻雜區(qū)104之間的ρη結(jié)兩端的高電壓。氧化物層930可形成在襯底的表面上，其中在沿η摻雜區(qū)104延伸的該表面的第一部分中的氧化物層930可比在沿ρ摻雜區(qū)206延伸的該表面的第二部分中的氧化物層930具有更大的厚度。氧化物層930沿η摻雜區(qū)104的更大厚度可導(dǎo)致指向電解液828的較高場(chǎng)強(qiáng)度，電解液828被用于執(zhí)行陽極氧化，并因此導(dǎo)致甚至更厚的氧化物層930的形成。在各種實(shí)施例中，沿ρ摻雜區(qū)206形成的氧化物層930可以是薄的或可忽略不計(jì)。其可通過短暫、各向異性蝕刻被移除。
[0098]如圖5C所示，在通過陽極氧化形成氧化物層930 (和可選地移除已沿著ρ摻雜區(qū)形成的薄的氧化物層930)之后，在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1900的摻雜可例如通過離子注入被執(zhí)行。摻雜可在位于氧化物層930下面的η摻雜區(qū)104中的區(qū)域1902中被執(zhí)行。例如，在區(qū)域1902中低水平的η-摻雜可被改變?yōu)檩^高水平的η摻雜。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1900的其他區(qū)域可在形成氧化物層930之后進(jìn)行摻雜。
[0099]圖6Α和圖6Β示出了依照各種實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2000的方法的過程流程的2個(gè)階段。
[0100]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2000可分別地在許多方面與圖1I所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100和/或與如圖4Α和圖4Β所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1800類似或相同。
[0101]在各種實(shí)施例中，可增加的材料、層的厚度、摻雜的方法、層的沉積、另外的層等可對(duì)應(yīng)于在圖1A至圖10、圖2、圖3、圖4Α、圖4Β和/或圖5Α至圖5C的上下文中所描述的技術(shù)、材料和參數(shù)。
[0102]在各種實(shí)施例中，圖6Α和圖6Β所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2000與圖11、圖4Α和圖4Β所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100、1800和1810之間的差異可分別是，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2000中的溝槽418分別地可暴露數(shù)個(gè)(例如，交替的)P摻雜區(qū)和η摻雜區(qū)206和104。ρ摻雜區(qū)206和η摻雜區(qū)104可例如沿著溝槽418的壁交替，并且可不沿著溝槽418的底部交替。換言之，ρ摻