封裝堆棧結(jié)構(gòu)及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝堆棧結(jié)構(gòu)，尤指一種得提升產(chǎn)品可靠度的封裝堆棧結(jié)構(gòu)及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的演進(jìn),半導(dǎo)體裝置(Semiconductor device)已開(kāi)發(fā)出不同的封裝型態(tài)，而為提升電性功能及節(jié)省封裝空間，遂堆加多個(gè)封裝結(jié)構(gòu)以形成封裝堆棧結(jié)構(gòu)(Package on Package, POP),此種封裝方式能發(fā)揮系統(tǒng)封裝(SiP)異質(zhì)整合特性,可將不同功用的電子組件，例如:內(nèi)存、中央處理器、繪圖處理器、影像應(yīng)用處理器等，藉由堆棧設(shè)計(jì)達(dá)到系統(tǒng)的整合，適合應(yīng)用于輕薄型各種電子產(chǎn)品。
[0003]圖1為現(xiàn)有封裝堆棧結(jié)構(gòu)I的剖面示意圖。如圖1所示，該封裝堆棧結(jié)構(gòu)I包含第一封裝基板11及第二封裝基板12。該第一封裝基板11具有相對(duì)的第一及第二表面11a, 11b，且于該第一表面Ila上設(shè)有電性連接該第一封裝基板11的第一半導(dǎo)體組件10，而該第二表面Ilb上具有植球墊112以供結(jié)合焊球17。該第二封裝基板12具有相對(duì)的第三及第四表面12a，12b，且該第三表面12a設(shè)有多個(gè)電性接觸墊120，又該第三及第四表面12a, 12b上具有防焊層123，并形成有多個(gè)開(kāi)孔以外露該些電性接觸墊120。
[0004]于制作時(shí)，先于該第一封裝基板11的第一表面Ila上形成焊錫柱13,再使該第二封裝基板12的第四表面12b藉由該焊錫柱13疊設(shè)且電性連接于該第一封裝基板11上。接著，形成封裝膠體14于該第一封裝基板11的第一表面Ila與該第二封裝基板12的第四表面12b之間，以包覆該第一半導(dǎo)體組件10。之后，設(shè)置多個(gè)第二半導(dǎo)體組件15于該第三表面12a上以電性連接該些電性接觸墊120。其中，該第一及第二半導(dǎo)體組件10，15以覆晶方式電性連接該些封裝基板，且可藉由底膠16充填于該第一及第二半導(dǎo)體組件10，15與第一封裝基板11及第二封裝基板12之間。
[0005]然而，現(xiàn)有封裝堆棧結(jié)構(gòu)I的制法中，于形成該封裝膠體14時(shí)，該封裝膠體14 ’會(huì)溢流于該第二封裝基板12的電性接觸墊120上而殘留于其上，所以需以激光或蝕刻方式去除該封裝膠體14'，卻因而容易一并移除該電性接觸墊120及其周圍的防焊層123，造成該第二封裝基板12的信賴性不佳。
[0006]此外，以激光或蝕刻方式去除該封裝膠體14 ^時(shí)，并無(wú)法將該封裝膠體14 ^完全去除，造成后續(xù)制程中，該第二半導(dǎo)體組件15無(wú)法有效接置于該電性接觸墊120上，且與該電性接觸墊120的電性連接易發(fā)生不良。
[0007]因此，如何克服現(xiàn)有技術(shù)中的種種問(wèn)題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的目的為提供一種，可避免于去除殘留的封裝膠體時(shí)損壞電性接觸墊的問(wèn)題。
[0009]本發(fā)明的封裝堆棧結(jié)構(gòu)，包括:第一封裝基板；第一電子組件，其設(shè)于該第一封裝基板上，且電性連接該第一封裝基板；多個(gè)支撐件，其設(shè)于該第一封裝基板上；第二封裝基板，其結(jié)合該些支撐件，使該第二封裝基板疊設(shè)于該第一封裝基板上，又該第二封裝基板具有多個(gè)電性接觸墊與至少一凹槽，且該凹槽較該電性接觸墊鄰近該第二封裝基板的邊緣；以及封裝膠體，其設(shè)于該第一封裝基板與第二封裝基板之間，并包覆該第一電子組件與該些支撐件。
[0010]本發(fā)明還提供一種封裝堆棧結(jié)構(gòu)的制法，包括:提供一設(shè)有第一電子組件的第一封裝基板，且該第一電子組件電性連接該第一封裝基板；一具有多個(gè)電性接觸墊與至少一凹槽的第二封裝基板藉由多個(gè)支撐件結(jié)合至該第一封裝基板上，使該第二封裝基板疊設(shè)于該第一封裝基板上，又該凹槽較該電性接觸墊鄰近該第二封裝基板的邊緣；以及形成封裝膠體于該第一封裝基板與該第二封裝基板之間，以包覆該第一電子組件與該些支撐件。
[0011]前述的封裝堆棧結(jié)構(gòu)及其制法中，該第二封裝基板疊設(shè)于該第一封裝基板上的制程，包括:形成多個(gè)第一金屬柱于該第一封裝基板上，且形成多個(gè)第二金屬柱于該第二封裝基板上；以及將第一金屬柱結(jié)合第二金屬柱，使該第二封裝基板疊設(shè)于該第一封裝基板上，且令該第一金屬柱與第二金屬柱作為該支撐件。因此，該支撐件具有相結(jié)合的第一金屬柱與第二金屬柱，該第一金屬柱結(jié)合該第一封裝基板，且該第二金屬柱結(jié)合該第二封裝基板，又該支撐件還具有結(jié)合該第一金屬柱與該第二金屬柱的焊錫材料。
[0012]前述的封裝堆棧結(jié)構(gòu)及其制法中，該支撐件電性連接該第一及第二封裝基板。
[0013]前述的封裝堆棧結(jié)構(gòu)及其制法中，該封裝膠體還形成于該第一封裝基板與該第一電子組件之間。
[0014]另外，前述的封裝堆棧結(jié)構(gòu)及其制法中，還包括設(shè)置第二電子組件于該第二封裝基板上，且該第二電子組件電性連接該電性接觸墊。
[0015]由上可知，本發(fā)明封裝堆棧結(jié)構(gòu)及其制法，藉由該凹槽的設(shè)計(jì)，使其較該電性接觸墊鄰近該第二封裝基板的邊緣，所以于形成該封裝膠體時(shí)，該封裝膠體會(huì)溢流于該凹槽中而集中于該凹槽中，并不會(huì)流至該電性接觸墊上。因此，當(dāng)去除殘留的該封裝膠體時(shí)，僅會(huì)損壞該凹槽及其周圍的絕緣保護(hù)層，而不會(huì)損壞該電性接觸墊，因而不會(huì)影響該第二封裝基板的信賴性。
[0016]此外，即使無(wú)法將該封裝膠體完全去除，仍不會(huì)影響后續(xù)制程。例如，該第二電子組件仍可有效接置于該電性接觸墊上，且與該電性接觸墊的電性連接可保持良好。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為現(xiàn)有堆棧封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖；其中，圖P為圖1的局部放大圖；以及
[0018]圖2A至圖2D為本發(fā)明封裝堆棧結(jié)構(gòu)的制法的剖視示意圖；其中，圖2A '為圖2A的局部上視圖。
[0019]主要組件符號(hào)說(shuō)明
[0020]I, 2 封裝堆棧結(jié)構(gòu)
[0021]10 第一半導(dǎo)體組件
[0022]11, 21第一封裝基板
[0023]I la, 21a第一表面
[0024]lib, 21b第二表面
[0025]112,212植球墊
[0026]12，22第二封裝基板
[0027]12a, 22a第三表面
[0028]12b, 22b第四表面
[0029]120, 220電性接觸墊
[0030]123防焊層
[0031]13焊錫柱
[0032]14, 14 ; , 24, 24 ; 封裝膠體
[0033]15第二半導(dǎo)體組件
[0034]16，26底膠
[0035]17，27焊球
[0036]20第一電子組件
[0037]200, 250焊錫凸塊
[0038]210焊墊
[0039]211第一外接墊
[0040]213，223絕緣保護(hù)層
[0041]2130, 2230開(kāi)孔
[0042]22c邊緣
[0043]221第二外接墊
[0044]222凹槽
[0045]23支撐件
[0046]230焊錫材料
[0047]231第一金屬柱
[0048]232第二金屬柱
[0049]25第二電子組件。
【具體實(shí)施方式】
[0050]以下藉由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0051]須知，本說(shuō)明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書中所引用的如“上"、“第一"、“第二 "及“一"等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0052]圖2A至圖2D為本發(fā)明封裝堆棧結(jié)構(gòu)2的制法的剖視示意圖。
[0053]如圖2A所示，提供一具有相對(duì)的第一表面21a及第二表面21b的第一封裝基板21、及一具有相對(duì)的第三表面22a及第四表面22b的第二封裝基板22。
[0054]所述的第一封裝基板21，其第一表面21a上具有多個(gè)焊墊210與第一外接墊211，且其第二表面21b上具有多個(gè)植球墊212，又該第一及第二表面21a，21b上具有例如防焊層的絕緣保護(hù)層213，并形成有多個(gè)開(kāi)孔2130以外露該些焊墊210、第一外接墊211及植球墊212。
[0055]所述的第二封裝基板22，其第三表面22a上具有多個(gè)電性接觸墊220，且其第四表面22b上具有多個(gè)第二外接墊221，又該第三及第四表面22a，22b上具有例如防焊層的絕緣保護(hù)層223，并形成有多個(gè)開(kāi)孔2230以外露該些電性接觸墊220及第二外接墊221，且上方絕緣保護(hù)層223還形成有多個(gè)凹槽222，以外露該第三表面22a。
[0056]于本實(shí)施例中，該凹槽222的深度也可依需求設(shè)計(jì)