側(cè)壁之間橫向延伸。第 一蓋部分從柵極結(jié)構(gòu)的中線朝向第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁橫向延伸第一蓋橫向距離并到達(dá)第一 蓋側(cè)壁，并且第二蓋部分從該中線朝向第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁橫向延伸第二蓋橫向距離并到達(dá) 第二蓋側(cè)壁。第一蓋橫向距離和第二蓋橫向距離至少為柵極橫向距離的一半。
[0072] 另一個(gè)結(jié)構(gòu)的實(shí)施例包括：半導(dǎo)體襯底、設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方的柵電極、設(shè)置在 柵電極和半導(dǎo)體襯底之間并沿著柵電極的側(cè)壁設(shè)置的柵極電介質(zhì)、設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方 并沿著柵極電介質(zhì)的外部側(cè)壁的間隔件、設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方的第一介電層和位于柵電 極上方的保護(hù)蓋。第一介電層、柵極電介質(zhì)和柵電極的各自頂面是共平面的。柵極寬度是柵 極電介質(zhì)的相對(duì)外部側(cè)壁之間的距離。保護(hù)蓋具有蓋寬度。蓋寬度等于或大于柵極寬度。
[0073] 進(jìn)一步的實(shí)施例是一種方法，包括：在襯底上方形成第一介電層，第一介電層具有 柵極間隔件；在襯底上方沿著柵極間隔件的相應(yīng)的內(nèi)部側(cè)壁形成柵極電介質(zhì)；在柵極電介 質(zhì)上方形成柵電極，其中第一介電層、柵極電介質(zhì)和柵電極具有共平面的頂面；以及在柵電 極上方形成柵極保護(hù)蓋，柵極保護(hù)蓋具有在柵極間隔件的內(nèi)部側(cè)壁之間橫向延伸至少第一 距離的寬度。
[0074] 盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要 求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范 圍并不僅限于本說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、手段、方法和步驟的特定實(shí)施 例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本 發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、材 料組分、手段、方法或步驟本發(fā)明可以被使用。相應(yīng)的，附加的權(quán)利要求的范圍包括例如工 藝、機(jī)器、制造、材料組分、手段、方法或步驟。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種結(jié)構(gòu)，包括： 襯底； 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極和柵極電介質(zhì)，所述柵極結(jié)構(gòu) 在第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁之間橫向延伸柵極橫向距離； 第一介電層，位于所述襯底上方，所述第一介電層的頂面與所述柵電極的頂面共平面； W及 柵極保護(hù)蓋，位于所述柵電極上方，所述柵極保護(hù)蓋在第一蓋側(cè)壁和第二蓋側(cè)壁之間 橫向延伸，第一蓋部分從所述柵極結(jié)構(gòu)的中線朝向所述第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁橫向延伸第一 蓋橫向距離并到達(dá)所述第一蓋側(cè)壁，第二蓋部分從所述中線朝向所述第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁橫 向延伸第二蓋橫向距離并到達(dá)所述第二蓋側(cè)壁，所述第一蓋橫向距離和所述第二蓋橫向距 離為所述柵極橫向距離的至少一半。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括：沿著所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一間隔 件，W及沿著所述第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第二間隔件，所述第一間隔件設(shè)置在所述第一介電 層和所述柵極結(jié)構(gòu)之間，所述第二間隔件設(shè)置在所述第一介電層和所述柵極結(jié)構(gòu)之間，所 述第一間隔件和所述第二間隔件的每個(gè)均分別從所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和所述第二柵極 結(jié)構(gòu)側(cè)壁橫向延伸間隔件橫向距離，所述第一蓋橫向距離、所述第二蓋橫向距離或所述第 一蓋橫向距離與所述第二蓋橫向距離的組合中的至少一個(gè)小于所述間隔件橫向距離加一 半所述柵極橫向距離。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括：沿著所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一間隔 件，W及沿著所述第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第二間隔件，所述第一間隔件設(shè)置在所述第一介電 層和所述柵極結(jié)構(gòu)之間，所述第二間隔件設(shè)置在所述第一介電層和所述柵極結(jié)構(gòu)之間，所 述第一間隔件和所述第二間隔件的每個(gè)均分別從所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和所述第二柵極 結(jié)構(gòu)側(cè)壁橫向延伸間隔件橫向距離，所述第一蓋橫向距離、所述第二蓋橫向距離或所述第 一蓋橫向距離與所述第二蓋橫向距離的組合中的至少一個(gè)等于所述間隔件橫向距離加一 半所述柵極橫向距離。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括：沿著所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一間隔 件，W及沿著所述第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第二間隔件，所述第一間隔件設(shè)置在所述第一介電 層和所述柵極結(jié)構(gòu)之間，所述第二間隔件設(shè)置在所述第一介電層和所述柵極結(jié)構(gòu)之間，所 述第一間隔件和所述第二間隔件的每個(gè)均分別從所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和所述第二柵極 結(jié)構(gòu)側(cè)壁橫向延伸間隔件橫向距離，相應(yīng)的鄰近的柵極結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)分別從所述第一間隔件和 所述第二間隔件開(kāi)始的相應(yīng)的間隙橫向距離，所述第一蓋橫向距離、所述第二蓋橫向距離 或所述第一蓋橫向距離與所述第二蓋橫向距離的組合中的至少一個(gè)大于所述間隔件橫向 距離加一半所述柵極橫向距離并且小于或等于所述間隔件橫向距離加一半所述柵極橫向 距離再加一半所述相應(yīng)的間隙橫向距離。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一蓋側(cè)壁和所述第二蓋側(cè)壁均垂直于所 述第一介電層的頂面。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一蓋側(cè)壁和所述第二蓋側(cè)壁每個(gè)均與所 述第一介電層的頂面形成角度，所述角度等于或大于60°且小于90°。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一蓋側(cè)壁和所述第二蓋側(cè)壁每個(gè)均與所 述第一介電層的頂面形成角度，所述角度等于或大于30°且小于60°。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括： 第二介電層，位于所述第一介電層和所述柵極保護(hù)蓋上方；W及 接觸件，穿過(guò)所述第二介電層和所述第一介電層到達(dá)襯底。
9. 一種結(jié)構(gòu)，包括： 半導(dǎo)體襯底； 柵電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方； 柵極電介質(zhì)，設(shè)置在所述柵電極和所述半導(dǎo)體襯底之間，并且沿所述柵電極的側(cè)壁設(shè) 置，柵極寬度位于所述柵極電介質(zhì)的相對(duì)外部側(cè)壁之間； 間隔件，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方，并且沿所述柵極電介質(zhì)的外部側(cè)壁設(shè)置； 第一介電層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方，所述第一介電層、所述柵極電介質(zhì)和所述柵 電極的各自頂面共平面；W及 保護(hù)蓋，位于所述柵電極上方，所述保護(hù)蓋具有蓋寬度，所述蓋寬度等于或大于所述柵 極寬度。
10. -種方法，包括： 在襯底上方形成第一介電層，所述第一介電層具有柵極間隔件； 在所述襯底上方且沿著所述柵極間隔件的相應(yīng)的內(nèi)部側(cè)壁形成柵極電介質(zhì)； 在所述柵極電介質(zhì)上方形成柵電極，其中，所述第一介電層、柵極電介質(zhì)和柵電極具有 共平面的頂面；W及 在所述柵電極上方形成柵極保護(hù)蓋，所述柵極保護(hù)蓋具有在所述柵極間隔件的內(nèi)部側(cè) 壁之間橫向延伸至少第一距離的寬度。
【專利摘要】一種結(jié)構(gòu)，包括：襯底、位于襯底上的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上方的介電層和位于所述柵極結(jié)構(gòu)的柵電極上方的蓋。介電層與柵電極的頂面共平面。柵極結(jié)構(gòu)在第一和第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁之間延伸柵極橫向距離。蓋在第一和第二蓋側(cè)壁之間延伸。第一蓋部分從柵極結(jié)構(gòu)的中線朝向第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁橫向延伸第一蓋橫向距離并到達(dá)第一蓋側(cè)壁，并且第二蓋部分從所述中線朝向第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁橫向延伸第二蓋橫向距離并到達(dá)第二蓋側(cè)壁。第一蓋橫向距離和第二蓋橫向距離至少為柵極橫向距離的一半。本發(fā)明還公開(kāi)了柵極保護(hù)蓋及其形成方法。
【IPC分類】H01L29-423, H01L21-28
【公開(kāi)號(hào)】CN104659083
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410669921
【發(fā)明人】林志翰, 林志忠, 張銘慶, 陳昭成
【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2014年11月19日
【公告號(hào)】US20150137195