柵極保護蓋及其形成方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導體領域，尤其涉及柵極保護蓋及其形成方法。
【背景技術】
[0002] 由于各種電子組件（例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等）的集成密度的不斷 改進，半導體工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速增長。集成密度的這種改進主要來自最小部件尺寸的反 復減?。ɡ纾瑢雽w工藝節(jié)點向著亞20nm節(jié)點縮?。@允許更多的組件集成到給定 區(qū)域。產(chǎn)生的增大的集成密度通常產(chǎn)生改進的集成電路，諸如具有減小的延遲的集成電路。 然而，最小部件尺寸的減小和密度的增大可能導致制造的集成電路中的問題，該問題可能 降低集成電路的良品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 針對現(xiàn)有技術的相關技術問題，本發(fā)明的目的在于提供一種結構，包括：
[0004]襯底；
[0005] 柵極結構，位于所述襯底上方，所述柵極結構包括柵電極和柵極電介質(zhì)，所述柵極 結構在第一柵極結構側(cè)壁和第二柵極結構側(cè)壁之間橫向延伸柵極橫向距離；
[0006] 第一介電層，位于所述襯底上方，所述第一介電層的頂面與所述柵電極的頂面共 平面；以及
[0007] 柵極保護蓋，位于所述柵電極上方，所述柵極保護蓋在第一蓋側(cè)壁和第二蓋側(cè)壁 之間橫向延伸，第一蓋部分從所述柵極結構的中線朝向所述第一柵極結構的側(cè)壁橫向延伸 第一蓋橫向距離并到達所述第一蓋側(cè)壁，第二蓋部分從所述中線朝向所述第二柵極結構側(cè) 壁橫向延伸第二蓋橫向距離并到達所述第二蓋側(cè)壁，所述第一蓋橫向距離和所述第二蓋橫 向距離為所述柵極橫向距離的至少一半。
[0008] 優(yōu)選地，所述的結構進一步包括：沿著所述第一柵極結構側(cè)壁的第一間隔件，以及 沿著所述第二柵極結構側(cè)壁的第二間隔件，所述第一間隔件設置在所述第一介電層和所述 柵極結構之間，所述第二間隔件設置在所述第一介電層和所述柵極結構之間，所述第一間 隔件和所述第二間隔件的每個均分別從所述第一柵極結構側(cè)壁和所述第二柵極結構側(cè)壁 橫向延伸間隔件橫向距離，所述第一蓋橫向距離、所述第二蓋橫向距離或所述第一蓋橫向 距離與所述第二蓋橫向距離的組合中的至少一個小于所述間隔件橫向距離加一半所述柵 極橫向距離。
[0009] 優(yōu)選地，所述的結構進一步包括：沿著所述第一柵極結構側(cè)壁的第一間隔件，以及 沿著所述第二柵極結構側(cè)壁的第二間隔件，所述第一間隔件設置在所述第一介電層和所述 柵極結構之間，所述第二間隔件設置在所述第一介電層和所述柵極結構之間，所述第一間 隔件和所述第二間隔件的每個均分別從所述第一柵極結構側(cè)壁和所述第二柵極結構側(cè)壁 橫向延伸間隔件橫向距離，所述第一蓋橫向距離、所述第二蓋橫向距離或所述第一蓋橫向 距離與所述第二蓋橫向距離的組合中的至少一個等于所述間隔件橫向距離加一半所述柵 極橫向距離。
[0010] 優(yōu)選地，所述的結構進一步包括：沿著所述第一柵極結構側(cè)壁的第一間隔件，以及 沿著所述第二柵極結構側(cè)壁的第二間隔件，所述第一間隔件設置在所述第一介電層和所述 柵極結構之間，所述第二間隔件設置在所述第一介電層和所述柵極結構之間，所述第一間 隔件和所述第二間隔件的每個均分別從所述第一柵極結構側(cè)壁和所述第二柵極結構側(cè)壁 橫向延伸間隔件橫向距離，相應的鄰近的柵極結構呈現(xiàn)分別從所述第一間隔件和所述第二 間隔件開始的相應的間隙橫向距離，所述第一蓋橫向距離、所述第二蓋橫向距離或所述第 一蓋橫向距離與所述第二蓋橫向距離的組合中的至少一個大于所述間隔件橫向距離加一 半所述柵極橫向距離并且小于或等于所述間隔件橫向距離加一半所述柵極橫向距離再加 一半所述相應的間隙橫向距離。
[0011] 優(yōu)選地，所述第一蓋側(cè)壁和所述第二蓋側(cè)壁均垂直于所述第一介電層的頂面。
[0012] 優(yōu)選地，所述第一蓋側(cè)壁和所述第二蓋側(cè)壁每個均與所述第一介電層的頂面形成 角度，所述角度等于或大于60°且小于90°。
[0013] 優(yōu)選地，所述第一蓋側(cè)壁和所述第二蓋側(cè)壁每個均與所述第一介電層的頂面形成 角度，所述角度等于或大于30°且小于60°。
[0014] 優(yōu)選地，所述的結構進一步包括：
[0015] 第二介電層，位于所述第一介電層和所述柵極保護蓋上方；以及
[0016] 接觸件，穿過所述第二介電層和所述第一介電層到達襯底。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供一種結構，包括：
[0018] 半導體襯底；
[0019] 柵電極，設置在所述半導體襯底上方；
[0020] 柵極電介質(zhì)，設置在所述柵電極和所述半導體襯底之間，并且沿所述柵電極的側(cè) 壁設置，柵極寬度位于所述柵極電介質(zhì)的相對外部側(cè)壁之間；
[0021] 間隔件，設置在所述半導體襯底上方，并且沿所述柵極電介質(zhì)的外部側(cè)壁設置；
[0022] 第一介電層，設置在所述半導體襯底上方，所述第一介電層、所述柵極電介質(zhì)和所 述柵電極的各自頂面共平面；以及
[0023] 保護蓋，位于所述柵電極上方，所述保護蓋具有蓋寬度，所述蓋寬度等于或大于所 述柵極寬度。
[0024] 優(yōu)選地，所述蓋寬度小于所述柵極寬度加兩倍的所述間隔件的間隔件寬度。
[0025] 優(yōu)選地，所述蓋寬度等于所述柵極寬度加兩倍的所述間隔件的間隔件寬度。
[0026] 優(yōu)選地，所述蓋寬度大于所述柵極寬度加兩倍的所述間隔件的間隔件寬度，且所 述蓋寬度小于或等于所述柵極寬度加鄰近柵極結構的間隔件與一個所述間隔件之間的空 隙再加兩倍的所述間隔件的間隔件寬度。
[0027] 優(yōu)選地，所述蓋寬度位于所述保護蓋的第一側(cè)壁與所述保護蓋的第二側(cè)壁之間， 所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁是垂直的。
[0028] 優(yōu)選地，所述蓋寬度位于所述保護蓋的第一側(cè)壁與所述保護蓋的第二側(cè)壁之間， 所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁每個均與所述第一介電層的頂面形成角度，所述角度等于或 大于60°并小于90°。
[0029] 優(yōu)選地，所述蓋寬度位于所述保護蓋的第一側(cè)壁與所述保護蓋的第二側(cè)壁之間， 所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁每個均與所述第一介電層的頂面形成角度，所述角度等于或 大于約30°并小于60°。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供一種方法，包括：
[0031] 在襯底上方形成第一介電層，所述第一介電層具有柵極間隔件；
[0032] 在所述襯底上方且沿著所述柵極間隔件的相應的內(nèi)部側(cè)壁形成柵極電介質(zhì)；
[0033] 在所述柵極電介質(zhì)上方形成柵電極，其中，所述第一介電層、柵極電介質(zhì)和柵電極 具有共平面的頂面；以及
[0034] 在所述柵電極上方形成柵極保護蓋，所述柵極保護蓋具有在所述柵極間隔件的內(nèi) 部側(cè)壁之間橫向延伸至少第一距離的寬度。
[0035] 優(yōu)選地，所述的方法進一步包括：
[0036] 在所述第一介電層和所述柵極保護蓋上方形成第二介電層；以及
[0037] 形成穿過所述第二介電層和所述第一介電層到達所述襯底的接觸件，所述接觸件 未延伸穿過所述柵極保護蓋。
[0038] 優(yōu)選地，形成所述柵極保護蓋包括：
[0039] 在所述柵電極和所述第一介電層上方沉積柵極保護蓋層；以及
[0040] 蝕刻所述柵極保護蓋層以形成所述柵極保護蓋，所述蝕刻包括控制氟基氣體的流 速。
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