的材料組成，例如針對與利用在溝槽觸點帽蓋層與柵極帽蓋層之間的蝕刻選擇性的綜合方案的兼容性。在一個這種實施例中，ILD 470的底層472由諸如但不限于二氧化硅(S12)或⑶O膜的材料組成。在一個特定實施例中，ILD 470的頂層474由CDO材料組成，而ILD 470的底層472由S12組成。
[0062]在相關(guān)于圖3A-3C所述的工藝流程中，在帽蓋層324與322中過孔開口形成的過程中露出了間隔體320的頂部。在間隔體320的材料與帽蓋層324與322的不同的情況下，必須顧及額外的蝕刻選擇性考慮，以便阻止在過孔開口形成過程中不希望出現(xiàn)的間隔體的性能降低。在一個不同實施例中，可以使得間隔體凹陷，與柵極結(jié)構(gòu)基本上成平面。在這個實施例中，可以形成柵極帽蓋層以覆蓋間隔體，阻止間隔體在過孔開口形成過程中露出。示例性地，圖5A和5B示出了表示根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的在制造具有布置在柵極的有源部分上的柵極觸點結(jié)構(gòu)的另一個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法中的不同操作的橫截面圖。
[0063]參考圖5A，提供了在溝槽觸點(TCN)形成之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500。會理解，結(jié)構(gòu)500的特定布置僅是用于舉例說明的目的，各種可能的布局都可以得益于本文所述的發(fā)明的實施例。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500包括一個或多個柵極疊置體結(jié)構(gòu)，例如布置在襯底302上的柵極疊置體結(jié)構(gòu)308A-308E。柵極疊置體結(jié)構(gòu)可以包括柵極電介質(zhì)層和柵極電極，例如以上相關(guān)于圖2所述的。諸如溝槽觸點310A-310C的例如到襯底302的擴散區(qū)的觸點的溝槽觸點也包括在結(jié)構(gòu)500中，并借助電介質(zhì)間隔體520與柵極疊置體結(jié)構(gòu)308A-308E分隔開。絕緣帽蓋層522可以布置在柵極疊置體結(jié)構(gòu)308A-308E上(例如GILA)，同樣如圖5A所示的。但與相關(guān)于圖3A所述的結(jié)構(gòu)300相反，使得間隔體520凹陷到與柵極疊置體結(jié)構(gòu)308A-308E大致相同的高度。因而，相應(yīng)的絕緣帽蓋層522覆蓋與每一個柵極疊置體相關(guān)的間隔體520，還覆蓋柵極疊置體。
[0064]參考圖5B，在形成于電介質(zhì)層330中的金屬(O)溝槽和過孔開口中形成金屬觸點結(jié)構(gòu)540。金屬觸點結(jié)構(gòu)540包括連同溝槽觸點過孔(例如分別為到溝槽觸點311A和311C的溝槽觸點過孔341A和341B)的金屬(O)部550。金屬觸點結(jié)構(gòu)540還包括柵極觸點過孔(例如，分別為到柵極疊置體結(jié)構(gòu)308C和308D的柵極觸點過孔542A和542B)。與相關(guān)于圖3F所述的結(jié)構(gòu)相比，圖5B得到的結(jié)構(gòu)略有不同，因為在通向柵極觸點過孔542A和542B的過孔開口的蝕刻形成過程中，間隔體522沒有露出，延伸了絕緣帽蓋層522的覆蓋。
[0065]再次參考圖5B，在一個實施例中，相對于柵極疊置體結(jié)構(gòu)(包括圖5中標(biāo)記為308C和308D的柵極疊置體結(jié)構(gòu))，使得溝槽觸點(包括圖5B中標(biāo)記為31IA和31IC的溝槽觸點)凹陷得更低。在一個此類實施例中，使得溝槽觸點相對于柵極疊置體結(jié)構(gòu)凹陷得更低，以防止分別在柵極觸點過孔542A和542B與溝槽觸點311A和311C之間可能的短路，例如在如果溝槽觸點與柵極疊置體結(jié)構(gòu)共面，柵極觸點過孔542A和542B就會分別與溝槽觸點31IA和31IC相遇的角處。
[0066]而且，在另一個實施例中(未示出)，使得間隔體凹陷為與溝槽觸點大致相同的高度。相應(yīng)的溝槽絕緣帽蓋層(TILA)覆蓋與每一個溝槽觸點相關(guān)的間隔體，還覆蓋溝槽觸點。在一個此類實施例中，使得柵極疊置體結(jié)構(gòu)相對于溝槽觸點凹陷得更低，以防止在溝槽觸點過孔與相鄰或附近柵極疊置體結(jié)構(gòu)之間可能的短路。
[0067]本文所述的方案和結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)形成使用傳統(tǒng)方法不可能或難以制造的其他結(jié)構(gòu)或器件。在第一示例中，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的具有布置在柵極的有源部分上的柵極觸點過孔的另一個半導(dǎo)體器件的平面圖。參考圖6，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或器件600包括與多個溝槽觸點610A和610B相互交叉的多個柵極結(jié)構(gòu)608A-608C (這些特征部件布置在襯底的有源區(qū)上，未示出)。柵極觸點過孔680形成于柵極結(jié)構(gòu)608B的有源部分上。柵極觸點過孔680進一步布置在柵極結(jié)構(gòu)608C的有源部分上，耦合柵極結(jié)構(gòu)608B和608C。應(yīng)當(dāng)理解，通過使用溝槽觸點絕緣帽蓋層(例如TILA)可以使得居間溝槽觸點610B與觸點680隔離。圖6的觸點結(jié)構(gòu)可以在無需使帶通過金屬化的上層的情況下，提供將相鄰柵極線用帶固定在布局中的更容易的方案，因而實現(xiàn)了更小的單元面積和/或不太復(fù)雜的布線方案。
[0068]在第二示例中，圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的具有耦合溝槽觸點對的溝槽觸點過孔的另一個半導(dǎo)體器件的平面圖。參考圖7，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或器件700包括與多個溝槽觸點710A和710B相互交叉的多個柵極結(jié)構(gòu)708A-708C(這些特征布置在襯底的有源區(qū)上，未示出)。溝槽觸點過孔790形成于溝槽觸點710A上。溝槽觸點過孔790進一步布置在溝槽觸點710B上，耦合溝槽觸點710A和710B。會理解，通過使用柵極絕緣帽蓋層(例如GILA工藝)可以使得居間柵極結(jié)構(gòu)708B與溝槽觸點過孔790隔離。圖7的觸點結(jié)構(gòu)可以在無需使帶通過金屬化的上層的情況下，提供將相鄰溝槽觸點用帶固定在布局中的更容易的方案，因而實現(xiàn)了更小的單元面積和/或不太復(fù)雜的布線方案。
[0069]應(yīng)當(dāng)理解，并不需要實施上述過程的所有方面以便落在本發(fā)明的實施例的精神和范圍內(nèi)。例如，在一個實施例中，不必在在柵極疊置體的有源部分上制造柵極觸點之前形成虛柵極。在初始形成時，上述的柵極疊置體實際上就可以是永久柵極疊置體。此外，本文所述的過程可以用于制造一個或多個半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件可以是晶體管或者類似的器件。例如，在一個實施例中，半導(dǎo)體器件是用于邏輯或存儲的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或者是雙極晶體管。此外，在一個實施例中，半導(dǎo)體器件具有三維架構(gòu)，例如三柵器件、獨立存取的雙柵器件、或者FIN-FET。一個或多個實施例對于在1nm或者更小技術(shù)節(jié)點制造半導(dǎo)體器件尤其有用。
[0070]通常，在在柵極的有源部分上和在溝槽觸點過孔的同一層中形成柵極觸點結(jié)構(gòu)(例如過孔)之前(例如附加地)，本發(fā)明的一個或多個實施例包括首先使用柵極對準(zhǔn)的溝槽觸點過程?？梢詫嵤┻@個過程以形成溝槽觸點結(jié)構(gòu)，用于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造，例如用于集成電路制造。在一個實施例中，于現(xiàn)有柵極圖案對準(zhǔn)形成溝槽觸點圖案。相反，傳統(tǒng)方案典型地包括額外的光刻過程，具有結(jié)合選擇性觸點蝕刻的光刻觸點圖案與現(xiàn)有柵極圖案的嚴(yán)格對準(zhǔn)。例如，傳統(tǒng)工藝可以包括具有觸點特征部件的分離的圖案化的多(柵極)網(wǎng)格的圖案化。
[0071]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實現(xiàn)方式的計算設(shè)備800。計算設(shè)備800容納板802。板802可以包括多個組件，包括但不限于，處理器804和至少一個通信芯片806。處理器804物理且電耦合到板802。在一些實現(xiàn)方式中，至少一個通信芯片806也物理且電耦合到板802。在進一步的實現(xiàn)方式中，通信芯片806是處理器804的一部分。
[0072]取決于其應(yīng)用，計算設(shè)備800可以包括其他組件，其會或不會物理且電耦合到板802。這些其他組件包括但不限于，易失性存儲器(例如，DRAM)、非易失性存儲器(例如R0M)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、加密處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、加速度計、陀螺儀、揚聲器、相機和大容量儲存設(shè)備(例如，硬盤驅(qū)動器、光盤(⑶)、數(shù)字多用途盤(DVD)等等)。
[0073]通信芯片806實現(xiàn)了無線通信，用于往來于計算設(shè)備800傳送數(shù)據(jù)。術(shù)語“無線”及其派生詞可以用于描述可以通過非固態(tài)介質(zhì)借助使用調(diào)制電磁輻射傳送數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語并非暗示相關(guān)設(shè)備不包含任何導(dǎo)線，盡管在一些實施例中它們可以不包含。通信芯片806可以實施多個無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任意一個，包括但不限于，W1-Fi (IEEE 802.11 族)、WiMAX(IEEE 802.16 族)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE、GSM、GPRS, CDMA, TDMA, DECT、藍牙、其派生物，以及被指定為3G、4G、5G及之后的任何其他無線協(xié)議。計算設(shè)備800可以包括多個通信芯片806。例如，第一通信芯片806可以專用于近距離無線通信，例如W1-Fi和藍牙，第二通信芯片806可以專用于遠距離無線通信，例如GPS、EDGE、GPRS, CDMA, WiMAX、LTE, Ev-DO等。
[0074]計算設(shè)備800的處理器804包括封裝在處理器804內(nèi)的集成電路管芯。在本發(fā)明的一些實現(xiàn)方式中，處理器的集成電路管芯包括一個或多個器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實現(xiàn)方式構(gòu)成的MOS-FET晶體管。術(shù)語“處理器”可以指代任何設(shè)備或設(shè)備的部分，其處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)，將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢源鎯υ诩拇嫫骱?或存儲器中的其他電子數(shù)據(jù)。
[0075]通信芯片806也包括封裝在通信芯片806內(nèi)的集成電路管芯。根據(jù)本發(fā)明的另一個實現(xiàn)方式，通信芯片的集成電路管芯包括一個或多個器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實現(xiàn)方式構(gòu)成的MOS-FET晶體管。
[0076]在進一步的實現(xiàn)方式中，容納在計算設(shè)備800中的另一個組件可以包含集成電路管芯，其包括一個或多個器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實現(xiàn)方式構(gòu)成的MOS-FET晶體管。
[0077]在多個實現(xiàn)方式中，計算設(shè)備800可以是膝上型電腦、上網(wǎng)本電腦、筆記本電腦、超級本電腦、智能電話、平板電腦、個人數(shù)字助理(PDA)、超移動PC、移動電話、臺式計算機、服務(wù)器、打印機、掃描器、監(jiān)視器、機頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機、便攜式音樂播放器、或數(shù)碼攝像機。在進一步的實現(xiàn)方式中，計算設(shè)備800可以是處理數(shù)據(jù)的任何其他電子設(shè)備。
[0078]因而，本發(fā)明的實施例包括布置在柵極的有源部分上的柵極觸點結(jié)構(gòu)以及形成這種柵極觸點結(jié)構(gòu)的方法。
[0079]在實施例中，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包