[0049] 在該步驟中，在對(duì)走線層進(jìn)行刻蝕之前，首先對(duì)走線層的表面進(jìn)行清洗，由于Cu 以及CuNi合金的化學(xué)性質(zhì)較A1的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，故它們所用的清洗劑選擇范圍較廣，可選 中性或弱堿性的玻璃清洗劑，能夠更好的清洗掉表面的雜質(zhì)，而傳統(tǒng)走線MoAlMo只能選中 性的清洗劑，其雜質(zhì)清洗效果較差，會(huì)影響器件的性能。
[0050] 然后需要在CuNi合金保護(hù)層302的表面形成設(shè)定圖案的掩膜層，掩膜層可以為 光刻膠，利用顯影液腐蝕光刻膠，使得光刻膠表面形成設(shè)定圖案，即形成了設(shè)定圖案的掩膜 層，其中，顯影液為氫氧化鈉溶液，其濃度為0. 5 % -0. 7 %，包括端點(diǎn)值，此顯影液的成分簡(jiǎn) 單，成本低廉。然而由于傳統(tǒng)走線MoAlMo在刻蝕過(guò)程中，容易造成A1導(dǎo)電層104容易發(fā)生 側(cè)蝕，只能選擇特殊的顯影液，例如濃度為2. 38%的TMAH(四甲基氫氧化銨），這種顯影液 成份復(fù)雜，不能自配，只能購(gòu)買，造成成本升高，而且這種顯影液不利于環(huán)保。
[0051] 之后利用刻蝕液對(duì)走線層進(jìn)行刻蝕，其中，刻蝕液為去離子水、雙氧水以及冰乙酸 的混合液，其體積比為300:16:9。此處利用光刻膠保護(hù)走線層不被刻蝕液所刻蝕，對(duì)走線層 進(jìn)行刻蝕時(shí)，未被光刻膠保護(hù)的走線層部分得到刻蝕，最終形成金屬圖案，即走線203或者 走線204。而傳統(tǒng)走線MoAlMo所配套使用的刻蝕液成分復(fù)雜，主要由硝酸、磷酸、冰乙酸及 添加劑構(gòu)成，由于刻蝕之后的廢液中含有磷酸，不利于環(huán)保，不能直接排放。
[0052] 利用剝離液對(duì)掩膜層進(jìn)行剝離，目的是去掉剩余的光刻膠，剝離液為氫氧化鈉溶 液，其濃度為5% -7%，包括端點(diǎn)值，容易對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離。而傳統(tǒng)OLED制備過(guò)程中所使 用的剝離液為有機(jī)堿，對(duì)光刻膠的去除比較困難。
[0053] 傳統(tǒng)走線MoAlMo中，由于A1相對(duì)Mo活潑，在刻蝕過(guò)程中不能同時(shí)刻蝕，只能使用 不同的刻蝕液進(jìn)行分步刻蝕，不僅容易發(fā)生側(cè)蝕，刻蝕的線條不規(guī)則，導(dǎo)致OLED器件功能 缺陷，而且工藝流程繁瑣復(fù)雜，增加了工藝難度。本發(fā)明使用Cu做走線的導(dǎo)電層，與其活潑 型相近的CuNi做保護(hù)層，可以實(shí)現(xiàn)同步刻蝕，且側(cè)蝕效果不明顯，簡(jiǎn)化了工藝步驟，降低工 藝難度。
[0054] 步驟S5:參考圖6,圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種設(shè)置在器件區(qū)的OLED結(jié)構(gòu)的 側(cè)視圖，在第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層401以及OLED的第二電極402。
[0055] 在該步驟中，當(dāng)?shù)谝浑姌O作為OLED器件的陽(yáng)極時(shí)，在第一電極的表面可以依次形 成空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層以及電子傳輸層，這樣做有利于空穴和電子的注入，三者共同構(gòu) 成有機(jī)發(fā)光功能層401 ;在有機(jī)發(fā)光功能層401的表面以化學(xué)氣相沉積或者真空鍍膜形成 第二電極402。
[0056] 優(yōu)選的，第二電極為具有反射光作用的金屬，例如Ag、Al、Ca、In、Li與Mg等，目的 是提高發(fā)光效率。
[0057] 利用如上所述的一種OLED的制作方法，用導(dǎo)電性比A1好的Cu導(dǎo)電層301，能夠 降低OLED器件的功耗，而且Cu與ITO的接觸電阻都比較低，在結(jié)構(gòu)上去掉了傳統(tǒng)走線中的 緩沖層。此外，選用與Cu導(dǎo)電層301活性相近的CuNi作為保護(hù)層，不僅能夠防止在制作 OLED過(guò)程中金屬導(dǎo)電層被氧化腐蝕，而且實(shí)現(xiàn)了同步刻蝕，防止側(cè)蝕。由于使用了Cu導(dǎo)電 層301，CuNi作為保護(hù)層，所以在制作OLED器件的過(guò)程中，配套使用的刻蝕液成分簡(jiǎn)單，成 本低廉，實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)電層與保護(hù)層的同步刻蝕，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了工藝難度。
[0058] 基于上述OLED的制作方法，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種0LED，請(qǐng)參考圖4、圖5以 及圖6，所述OLED包括透明基板200、設(shè)置在器件區(qū)201的OLED結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在走線區(qū)202 的走線203以及走線204。
[0059] 透明基板200,如圖4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED基板俯視圖，該 透明基板200包括：器件區(qū)201以及包圍所述器件區(qū)201的走線區(qū)202;所述器件區(qū)201具 有完整的OLED結(jié)構(gòu)，所述器件區(qū)201形成OLED的以IT0為材料的第一電極102,器件區(qū)201 與電路連接，并加適當(dāng)電壓即可發(fā)光。
[0060] 設(shè)置在所述器件區(qū)201的OLED結(jié)構(gòu)，如圖6所示，圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一 種設(shè)置在器件區(qū)的OLED結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，該OLED結(jié)構(gòu)包括：位于器件區(qū)201的第一電極102、 位于第一電極102表面的有機(jī)發(fā)光功能層401以及位于有機(jī)發(fā)光功能層401表面的第二電 極402,第一電極102的材料為IT0,有機(jī)發(fā)光功能層401是OLED器件的核心部分，一般包 括空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層以及電子傳輸層等，根據(jù)有機(jī)發(fā)光層種類的不同，可發(fā)出不同顏 色的光，所述第二電極302通常為具有反射光功能的金屬層，例如Ag、Al、Ca、In、Li與Mg 等金屬，增加器件的發(fā)光效率。
[0061] 設(shè)置在走線區(qū)202的走線，包括走線203和走線204,走線203的第一端與第一 電極102連接，第二端用于與電路板連接，走線203為第一電極102的走線，主要作用是將 OLED的第一電極102與柔性電路板或者集成電路板連接，另外，參考圖6,走線204的第一 端與器件區(qū)201中的第二電極402以焊接的方式連接，其第二端用于與所述電路板連接，走 線204作為第二電極402的引線，目的是將第二電極402與柔性電路板或者集成電路板連 接，走線203和走線204作為連接第一電極102以及第二電極402與電路板的橋梁，目的是 便于給OLED的兩個(gè)電極之間加一定的電壓，使得OLED發(fā)光。如圖5所示，圖5為本發(fā)明實(shí) 施例提供的一種OLED走線的側(cè)視圖，走線203或者走線204包括：Cu導(dǎo)電層301以及覆蓋 于Cu導(dǎo)電層301表面的CuNi保護(hù)層302 ;其中，Cu導(dǎo)電層301與第一電極102的接觸電 阻小于A1與IT0的接觸電阻，接觸電阻小有利于電子或者空穴進(jìn)行傳輸；優(yōu)選的，Cu導(dǎo)電 層301的厚度為3300A-3500A,包括端點(diǎn)值；CuNi保護(hù)層302的厚度為300A-600A,包 括端點(diǎn)值。
[0062] 本發(fā)明提供的0LED，其走線中的金屬導(dǎo)電層采用了材料電阻率較低的Cu導(dǎo)電層 301，降低了器件的功耗，在結(jié)構(gòu)上去除了用來(lái)降低Cu導(dǎo)電層301與IT0接觸電阻的緩沖 層，將傳統(tǒng)走線中的三層結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化為兩層結(jié)構(gòu)，利用與Cu導(dǎo)電層301活性相近的CuNi合金 作保護(hù)層，在制作過(guò)程中防止了Cu導(dǎo)電層301被氧化腐蝕。
[0063]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明 將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一 致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種OLED的制作方法，其特征在于，包括： 提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)； 在所述器件區(qū)形成OLED的以ITO為材料的第一電極； 在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：Cu導(dǎo)電層以及覆蓋在所述Cu層表面的 CuNi合金保護(hù)層； 對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連 接； 在所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層以及OLED的第二電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述走線區(qū)形成走線層包括： 在所述走線區(qū)形成厚度范圍為3300A-3500A的所述Cu導(dǎo)電層，所述范圍包括端點(diǎn) 值； 在所述Cu導(dǎo)電層表面形成厚度為300A-600A的所述CuNi合金保護(hù)層，所述范圍包 括端點(diǎn)值。
3. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕包括： 在所述CuNi合金保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層； 利用刻蝕液對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，所述刻蝕液為去離子水、雙氧水以及冰乙酸的混 合液，其體積比為300:16:9 ; 剝離所述掩膜層。
4. 如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述CuNi合金保護(hù)層表面形成設(shè)定 圖案的掩膜層包括： 利用顯影液在所述CuNi合金保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層，所述顯影液為氫氧 化鈉溶液，其濃度為0. 5% -0. 7%，包括端點(diǎn)值。
5. 如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述剝離所述掩膜層包括： 利用剝離液對(duì)所述掩膜層進(jìn)行剝離，所述剝離液為氫氧化鈉溶液，其濃度為5% -7%， 包括端點(diǎn)值。
6. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述ITO的厚度范圍為 1400A-1800A,包括端點(diǎn)值。
7. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二電極為反射式電極。
8. -種OLED，其特征在于，包括： 透明基板，包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)； 設(shè)置在所述器件區(qū)的OLED結(jié)構(gòu)，包括：位于所述器件區(qū)的第一電極、位于所述第一電 極表面的有機(jī)發(fā)光功能層以及位于所述有機(jī)發(fā)光功能層表面的第二電極，所述第一電極材 料為ITO ; 設(shè)置在所述走線區(qū)的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連接，所述走線包括：Cu 導(dǎo)電層以及覆蓋在所述Cu層表面的CuNi合金保護(hù)層。
9. 如權(quán)利要求8所述的0LED，其特征在于，所述Cu導(dǎo)電層的厚度為3300人-3500A， 包括端點(diǎn)值；所述CuNi合金保護(hù)層的厚度為300A-600A,包括端點(diǎn)值。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種OLED及其制作方法，該制作方法包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區(qū)以及包圍器件區(qū)的走線區(qū)；在所述器件區(qū)形成OLED的以ITO為材料的第一電極；在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：Cu導(dǎo)電層以及覆蓋在Cu層表面的CuNi合金保護(hù)層；對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連接；在所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層以及OLED的第二電極。本發(fā)明技術(shù)方案能夠降低器件功耗，簡(jiǎn)化OLED走線結(jié)構(gòu)。
【IPC分類】H01L27-32, H01L21-77
【公開號(hào)】CN104538349
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410837402
【發(fā)明人】葉雁祥, 謝志生, 徐永尊, 丁濤, 周曉峰, 蘇君海, 柯賢軍, 何基強(qiáng), 李建華
【申請(qǐng)人】信利半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年12月29日