專利名稱：電極裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電極裝置、一種制造該電極裝置的方法以及一種與該電極裝置接觸的方法。
隨著高集成存儲(chǔ)組件的發(fā)展，如DRAM或FRAM等，晶胞電容還應(yīng)保留在選進(jìn)的小型化技術(shù)中，或者，它甚至還應(yīng)待于改善。為實(shí)現(xiàn)該目的，需要使用較薄的介質(zhì)層和折疊式電容電極(溝槽式晶胞，迭式晶胞)。近來(lái)，為代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅氧化物，采用了新型材料，具體地說(shuō)，是在存儲(chǔ)單元的電容電極之間加入了順電體和鐵電體。譬如，在DRAM或FRAM中，其存儲(chǔ)單元的電容器里可裝有鈦酸鍶(BST，(Ba，Sr)TiO3)、鋯鈦酸鉛(PZT，Pb(Zr，Ti)O3)或摻雜鑭的鋯鈦酸鉛、鉭酸鍶鉍(SBT，SrBi2Ta2O9)等。
由此，在通常情況下，這些材料與現(xiàn)有電極(爐底電極)是有區(qū)別的。該工序在高溫下進(jìn)行，所以，對(duì)于那些組成普通電容電極的材料，如摻雜的聚硅等，就很容易被氧化，而且其導(dǎo)電性能也會(huì)喪失，于是便帶來(lái)存儲(chǔ)單元廢品。
由于具有良好的氧化穩(wěn)定性和／或可以形成導(dǎo)電氧化物，4d及5d過(guò)渡金屬將作為較優(yōu)選的物質(zhì)，尤其是鉑金屬(Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt)和鉑本身，還有錸等等，在上述存儲(chǔ)單元中，作為電極材料的摻雜聚硅由這些物質(zhì)來(lái)代替。
上述材料在迄今半導(dǎo)體技術(shù)中還未有過(guò)闡述，為能將其制成存儲(chǔ)單元，這種材料的薄膜必須做成某一種結(jié)構(gòu)。
目前采用的材料結(jié)構(gòu)通常是通過(guò)一種被稱為等離子支撐各向異性腐蝕方法而獲得的。而且常利用物理-化學(xué)方法，這種方法中采用的是混合氣體，混合氣體由一種或多種活性氣體組成，如，氧氣，氯，溴，鹽酸，氫溴酸或加鹵炭氫化合物及惰氣(如氬，氦)等。這些混合氣體通常是在低壓的交變電磁場(chǎng)中受到激發(fā)。
附圖7展示了一種腐蝕箱的工作原理，且示范地講述了一種平行板反應(yīng)器20?；旌蠚怏w，如氬氣與氯氣等，經(jīng)過(guò)進(jìn)氣口21導(dǎo)入反應(yīng)器22自身內(nèi)部，然后經(jīng)過(guò)出氣口29抽出。平行板反應(yīng)器的下平板24通過(guò)一個(gè)電容27與高頻電源28聯(lián)結(jié)起來(lái)，且作為基片支架使用。在平行板反應(yīng)器的上下平板23、24上加上一個(gè)高頻交變電場(chǎng)，這樣，混合氣體便轉(zhuǎn)移到了等離子區(qū)25。由于電子的遷移率較氣體陽(yáng)離子大，所以上下板23、24被充上負(fù)電荷，恰與等離子區(qū)25相反。因此，兩平行板23、24與帶正電的氣體陽(yáng)離子之間將產(chǎn)生較大的吸力，于是，兩平行板通過(guò)離子的作用形成一種長(zhǎng)期碰撞這種離子如Ar+。由于所含氣壓較低，典型地如0．1-10Pa，所以在離子間發(fā)生的散射以及在中性粒子上發(fā)生的散射都是微乎其微的，而且，離子幾乎是垂直地射中基片26的表面，基片26固定在平行板反應(yīng)器的下平板24上。這樣，就可在下邊的基片26腐蝕膜上形成一個(gè)較好的掩膜圖像。
通常，采用感光漆作為掩膜材料，因?yàn)椋@樣利用曝光步驟與顯影步驟后可以使得構(gòu)造過(guò)程變得相對(duì)簡(jiǎn)單些。
腐蝕的物理部分由輻射離子(如Cl2+，Ar+)的動(dòng)量及動(dòng)能來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外，由此而產(chǎn)生的化學(xué)反應(yīng)在基片與活性氣體粒子(離子，分子，原子，原子團(tuán))之間進(jìn)行，它們?cè)谛纬蓳]發(fā)物之后開(kāi)始或增強(qiáng)反應(yīng)(腐蝕的化學(xué)部分)。這種發(fā)生在基片粒子與氣體粒子之間的化學(xué)反應(yīng)對(duì)于腐蝕工藝的高度選擇性負(fù)有重大責(zé)任。
很遺憾，結(jié)果表明，上述存儲(chǔ)單元中新裝入的材料屬于干燥化學(xué)材料，它們很難或不能被腐蝕，在使用它們和“活性”氣體的過(guò)程中，腐蝕加工余量基本上或幾乎全部是憑靠腐蝕的物理部分進(jìn)行。
由于腐蝕中很少有或沒(méi)有化學(xué)成分，所以需要構(gòu)造的薄膜其腐蝕加工余量與它的自身數(shù)量級(jí)保持一樣，掩膜或襯底(腐蝕阻止膜)的腐蝕加工余量也同樣如此，也就是說(shuō)，腐蝕掩膜或襯底的腐蝕選擇性一般都很小(約0．3～3．0)。這樣做的結(jié)果為，掩膜侵蝕后帶有傾斜的側(cè)壁，而且掩膜會(huì)不可避免地形成棱角邊，所以構(gòu)造后保證的尺寸精度很小。
存儲(chǔ)單元的電極頭在進(jìn)行構(gòu)造時(shí)也會(huì)出現(xiàn)上述問(wèn)題，構(gòu)造的原理為“位線電容”(capatitor over bitline)，所帶的電容器稱為“疊加電容”(stacked capacitor)。
此外，在使用疊加電容時(shí)，存儲(chǔ)單元的接觸會(huì)變得很難。在金屬化過(guò)程中，為了連接存儲(chǔ)單元，絕緣膜上腐蝕有不同深度的接觸孔，而該絕緣膜則排列在電容器的上方與四周。其中，對(duì)于選擇的各種材料，接觸孔的腐蝕深度應(yīng)該有所不同。為簡(jiǎn)化制作工藝，優(yōu)選只采用一個(gè)掩膜平面。
在根據(jù)帶疊加電容的“位線電容”原理進(jìn)行存儲(chǔ)單元構(gòu)造時(shí)，接觸孔腐蝕首先停止在電容器電極頭材料上面。與此相應(yīng)，電極頭材料遭受的過(guò)蝕最大，而其它的接觸孔則繼續(xù)腐蝕至更深的薄膜上。譬如，電極頭由鉑制成，這樣，除了電極頭可能擊穿外，還會(huì)在掩膜開(kāi)口的內(nèi)壁上由鉑的濺射而形成再次沉淀物。這樣就產(chǎn)生了一種所謂的“柵”(Fences)，它具有較薄且導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)，它在掩膜漆灰化以后仍繼續(xù)存在，且能導(dǎo)致短路。
因此，本發(fā)明的目的為，提供一種電極裝置及制造該電極裝置的方法，還有一種接觸該電極裝置的方法，它可避免或減少上述缺點(diǎn)。
本目的由權(quán)利要求1的電極裝置得以實(shí)現(xiàn)，制造該電極裝置的方法由權(quán)利要求6實(shí)現(xiàn)，而接觸該電極裝置的方法則由權(quán)利要求13實(shí)現(xiàn)。另外，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案、布置、外形由敘述的后述權(quán)利要求與附圖給出。
根據(jù)本發(fā)明講述的一種電極裝置，它帶有第一種導(dǎo)電薄膜，該薄膜材料實(shí)際上不受化學(xué)干蝕的腐蝕作用，而且，該電極裝置至少另外還帶有第二種導(dǎo)電薄膜，這種薄膜材料在化學(xué)干蝕的作用下具有較小的腐蝕率。
對(duì)此，化學(xué)干蝕應(yīng)理解為普通的化學(xué)干蝕作用，它使用的是可激發(fā)的鹵素、鹵氫化合物或加鹵炭氫化合物等，或者是在常溫常壓狀態(tài)下使用氧。另外，實(shí)際不受化學(xué)干蝕腐蝕作用的材料應(yīng)理解為，在各種材料的最佳加工條件下，其腐蝕率要小于1nm／min。與此相應(yīng)，較小的腐蝕率應(yīng)理解為，在各種材料的最佳加工條件下，其腐蝕率要大于1nm／min。
因?yàn)榈谝环N薄膜材料實(shí)際上不受化學(xué)干蝕的腐蝕作用，所以，在進(jìn)行普通的化學(xué)-物理干蝕作用時(shí)，第一種薄膜主要是通過(guò)化學(xué)-物理干蝕中的物理部分進(jìn)行腐蝕作用。與此相反，在進(jìn)行普通的化學(xué)-物理干蝕作用時(shí)，第二種薄膜是通過(guò)化學(xué)-物理干蝕中的化學(xué)部分進(jìn)行腐蝕的。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)為，電極裝置的有效厚度相對(duì)于第二種薄膜高度的差值提高了，這樣，在實(shí)現(xiàn)接觸電極裝置的過(guò)蝕過(guò)程中就可避免擊穿現(xiàn)象。同樣，在過(guò)蝕過(guò)程中，可以減少形成再次沉淀物，該沉淀物由第一種薄膜材料組成，且難以除去。
另外，由于電極裝置的第二種薄膜-其電容大致恒定，電極裝置的膜電阻就減小了。因此，當(dāng)存儲(chǔ)單元處于所謂的“脈沖極板線”(Pulsed-Plateline)工作方式時(shí)，“一般極板”(Common plate)的接通會(huì)大大加快，由此便縮短了整個(gè)組件的存取時(shí)間。
此外，電極裝置的第二種薄膜可使得存儲(chǔ)單元的電容器密封上一種氧化膜。
第一種薄膜優(yōu)選包含4d及5d過(guò)渡金屬，還有它們的導(dǎo)電氮化物或?qū)щ娧趸铩?br> 第一種薄膜尤其包含釕、銠、鈀、鋨、銥、鉑、金、銀或錸。
另外，第二種薄膜還優(yōu)選含有鋁、鈦、鎢、還有它們的導(dǎo)電硅化物，導(dǎo)電氮化物或?qū)щ娧趸锏取?br> 第二種薄膜尤其包含鈦或鈦的氮化物，具體地如TiNx0．8＜x＜1．2。
本發(fā)明還提供了一種生產(chǎn)電極裝置的方法。該方法包括以下步驟準(zhǔn)備好電極裝置的第一種薄膜。
在第一種薄膜的上面，準(zhǔn)備好電極裝置的第二種薄膜，對(duì)第二種薄膜進(jìn)行構(gòu)造，通過(guò)采用構(gòu)造后的第二種薄膜作為掩膜，對(duì)電極裝置的第一種薄膜進(jìn)行干蝕。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為，第二種薄膜的金屬、金屬氮化物或金屬氧化物同感光漆相比較，它們是有電阻的，這樣就阻礙了掩膜的化學(xué)“灰化”。在含物理部分較高的腐蝕工藝中，由于硅化物、氮化物或氧化物中的金屬離子和金屬中的原子其結(jié)合能力都較高，所以腐蝕率就非常地小。這樣便導(dǎo)致一個(gè)總的結(jié)果，就是對(duì)于第一種薄膜的腐蝕工藝，其選擇性提高了。掩膜經(jīng)過(guò)細(xì)微的侵蝕，使得構(gòu)造具有較高的尺寸精度。此外，根據(jù)本發(fā)明的方法，利用活性氣體可以在構(gòu)造的薄膜上腐蝕成一種陡峭邊沿。
第二種薄膜優(yōu)選采用一種等離子腐蝕方法進(jìn)行干蝕。
另外，在第一種薄膜進(jìn)行干蝕時(shí)，至少優(yōu)選采用一種活性物質(zhì)，尤其是活性氣體，在第二種薄膜表面上，活性物質(zhì)與第二種薄膜材料發(fā)生反應(yīng)，生成一種不具揮發(fā)性質(zhì)的化合物，在這種方式下，化學(xué)物理干蝕作用中的化學(xué)部分減少了，而腐蝕作用主要是由腐蝕的物理部分來(lái)確定。
其中，活性氣體在選擇時(shí)為一個(gè)類，由氧氣(O2)、氮?dú)?N2)、氫氣(H2)、鹵素、氣態(tài)鹵化物或它們的混合氣體組成。
另外，第一種薄膜在進(jìn)行干蝕時(shí)，優(yōu)選采用一種惰氣，優(yōu)選地，如氬氣。
第一種薄膜在進(jìn)行干蝕時(shí)，優(yōu)選采用以下方法，活性離子腐蝕(RIEReactive Ion Etching)，磁場(chǎng)支撐活性離子腐蝕(MERIE，MagneticallyEnhanced RIE)，ECR腐蝕(ECR，Electron Cyclotron Resonance)或電感耦合等離子腐蝕方法(ICP，TCP)等等。
除此之外，本發(fā)明還講述了電極裝置的一種接觸方法，它包括以下步驟準(zhǔn)備好電極裝置，在該電極裝置上至少鍍敷和構(gòu)造一種絕緣膜，以便于電極裝置至少形成一個(gè)接觸孔，而且，導(dǎo)電薄膜被分離開(kāi)來(lái)，便于接觸孔進(jìn)行填充。
其中，絕緣膜優(yōu)選地為或包含一種硅的氧化物膜。
另外，硅的氧化物膜優(yōu)選地通過(guò)一種TEOS或Silan工藝制造而成。
導(dǎo)電薄膜優(yōu)選采用一種鋁膜、鎢膜或銅膜。
根據(jù)附圖，本發(fā)明將由下文得以詳盡的闡述，其中附

圖1-3利用圖解敘述了一種制造本發(fā)明電極裝置的方法，附圖4-6利用圖解敘述了一種本發(fā)明電極裝置的接觸方法，附圖7利用圖解敘述了一種腐蝕箱，其形式為一種平行板反應(yīng)器。
附圖1-3利用圖解敘述了一種制造本發(fā)明電極裝置的方法。在標(biāo)準(zhǔn)的加工操作框架內(nèi)，多重的氧化物被分離在硅基片1上，這樣便形成一種厚至2μm的氧化物膜。鍍于氧化物膜2上面的鈦膜3作為下一個(gè)鉑膜4的屏障材料。最后，鉑膜4便作為存儲(chǔ)單元電容器的底部電極，且由此帶有一個(gè)觸點(diǎn)(沒(méi)有表示出來(lái))。典型地，鉑膜4可由濺射的方法進(jìn)行鍍敷。然后再對(duì)鉑膜4和鈦膜3進(jìn)行構(gòu)造。類似于后面講述的電極頭構(gòu)造，鉑膜4的構(gòu)造也可通過(guò)一種TiN-硬掩膜來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，在鉑膜4(底部電極)構(gòu)造完成以后，TiN-硬掩膜被再次拿掉。這種方法產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)如附圖1所示。
接著，在附圖1所示的結(jié)構(gòu)上再鍍上一層鈦酸鋇鍶膜與(BST，(Ba，Sr)TiO3)。以后，在整個(gè)存儲(chǔ)單元里，這種膜就用作存儲(chǔ)電容的介質(zhì)。在鈦酸鋇鍶膜5的上面鍍敷另一層鉑膜6，它便作為本發(fā)明電極裝置的第一種導(dǎo)電薄膜。然后，在鉑膜6上形成一層鈦的氮化物膜，它便作為本發(fā)明電極裝置10的第二種導(dǎo)電薄膜。這種方法產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)如附圖2所示。
鈦的氮化物膜7目前由一種光電技術(shù)進(jìn)行構(gòu)造，其目的是能夠作為“硬掩膜”以對(duì)鉑膜6及鈦酸鋇鍶膜5進(jìn)行構(gòu)造。
爾后，引入一種活性離子腐蝕(RIE，Reactive Ion Etching)，以便對(duì)鉑膜6進(jìn)行一種化學(xué)物理干蝕作用。其中，采用氧氣O2或氧氣O2混合物作為腐蝕氣體，且另外還有諸如氬之類的氣體。也可用其它的干蝕方法來(lái)代替活性離子腐蝕，這些方法如離子腐蝕，磁場(chǎng)支撐活性離子腐蝕(MERIE，Magnetically Enhanced RIE)，ECR腐蝕(ECR，ElectronCyclotron Resonance)或電感耦合等離子腐蝕方法(ICP，TCP)等等。
在鉑膜6干蝕期間，鈦的氮化物掩膜7的表面上不斷復(fù)制出不具揮發(fā)性質(zhì)的鈦的氧化物膜(TiOx)，因此，鈦的氮化物掩膜7其腐蝕率就不會(huì)繼續(xù)降低。所以腐蝕工藝的選擇性也相應(yīng)有了明顯提高。由此，結(jié)合這種細(xì)微的掩膜侵蝕，構(gòu)造的尺寸精度便提高了。通過(guò)選擇合適的氧氣濃度，鉑膜6的腐蝕側(cè)壁其螺紋嚙合角可在很大的范圍內(nèi)調(diào)整。利用這種方法制作本發(fā)明的電極裝置可具有更高的尺寸精度。
鉑膜6中未受鈦的氮化物膜保護(hù)的區(qū)域都比較遠(yuǎn)，所以在鈦酸鋇鍶膜5的相應(yīng)區(qū)域需進(jìn)行活性離子腐蝕作用。對(duì)此，再次采用氧氣O2或氧氣O2混合物作為腐蝕氣體，且另外還有諸如氬之類的氣體，其目的為繼續(xù)將鈦的氮化物硬掩膜7“變硬”。
在鈦酸鋇鍶膜5的干蝕作用中，也可用其它的干蝕方法來(lái)代替活性離子腐蝕，這些方法如離子腐蝕，磁場(chǎng)支撐活性離子腐蝕(MERIE，Magnetically Enhanced RIE)，ECR腐蝕(ECR Electron CyclotronResonance)或電感耦合等離子腐蝕方法(ICP TCP)等等。經(jīng)過(guò)干蝕過(guò)程后，鈦酸鋇鍶膜5所形成的結(jié)構(gòu)如附圖3所示。
根據(jù)本發(fā)明的電極裝置10其優(yōu)點(diǎn)為，由于鈦的氮化物膜7(電極裝置的第二種薄膜)的存在且電容大致恒定，所以整個(gè)電極裝置10的膜電阻便減小了。因此，當(dāng)存儲(chǔ)單元處于“脈沖極板線”工作方式時(shí)，一般極板的接通會(huì)大大加快，由此便縮短了整個(gè)組件的存取時(shí)間。
附圖4～6利用圖解敘述了一種本發(fā)明電極裝置的接觸方法。
在附圖3所示結(jié)構(gòu)的整個(gè)平面上鍍有一層SiO2薄膜8，以起到絕緣作用，典型地，這種方法可采用一種TEOS工藝。由于在鉑上分離硅的氧化物膜比較困難，所以鈦的氮化物膜7(電極裝置的第二種薄膜)用一種氧化物膜把存儲(chǔ)單元的電容器密封了起來(lái)。接著，在SiO2薄膜8的上面再鍍上一個(gè)漆層9。這種制作結(jié)構(gòu)如附圖4所示。
在漆層9上形成接觸孔的那些地方，以后還需進(jìn)行暴光。接著對(duì)漆層掩膜進(jìn)行顯影，也就是說(shuō)，去掉漆層9中被暴光的部分。這種制造結(jié)構(gòu)如附圖5所示。
此后，引入一種等離子腐蝕工藝，以制作出接觸孔12及13。根據(jù)接觸孔12及13的不同深度，本發(fā)明的電極裝置10采用了一種長(zhǎng)形過(guò)蝕方法。
然而，由于鈦的氮化物膜7(電極裝置的第二種薄膜)的存在，本發(fā)明的電極裝置10的厚度便增大了，這樣，在接觸孔腐蝕期間可以避免電極裝置10被擊穿。
同樣，在過(guò)蝕期間，可避免形成難以去掉的再次沉淀物，這些再次沉淀物由第一種薄膜(鉑膜6)材料組成。
然后，還需去掉漆層9，以形成附圖6所示的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1．電極裝置(10)帶有第一種導(dǎo)電薄膜(6)，其材料實(shí)際上不受化學(xué)干蝕的腐蝕作用，且至少還有第二種導(dǎo)電薄膜(7)，在化學(xué)干蝕作用下，其材料至少有一個(gè)較小的腐蝕率。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的電極裝置(10)，其特征在于，第一種薄膜(6)含有4d或5d過(guò)渡金屬，它們的導(dǎo)電氮化物或?qū)щ娧趸铩?br> 3．根據(jù)權(quán)利要求1或2的電極裝置(10)，其特征在于，第二種薄膜(7)含有鋁、鈦、鎢，它們的導(dǎo)電硅化物，導(dǎo)電氮化物或?qū)щ娧趸锏取?br> 4．根據(jù)權(quán)利要求1至3之一的電極裝置(10)，其特征在于，第一種薄膜(6)含有釕、銠、鉭、鋨、銥、鉑、金、銀或錸。
5．根據(jù)權(quán)利要求1至4之一的電極裝置(10)，其特征在于，第二種薄膜(7)含有鈦或一種鈦的氮化物，尤其是TiNx 0．8＜x＜1．2。
6．制作權(quán)利要求1至5的電極裝置的方法，包括以下步驟準(zhǔn)備好電極裝置的第一種薄膜，在第一種薄膜的上面準(zhǔn)備好電極裝置的第二種薄膜，對(duì)第二種薄膜進(jìn)行構(gòu)造，通過(guò)采用構(gòu)造后的第二種薄膜作為掩膜，對(duì)電極裝置的第一種薄膜進(jìn)行干蝕。
7．根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征在于，對(duì)于第二種薄膜的干蝕采用一種等離子腐蝕方法。
8．根據(jù)權(quán)利要求6或7的方法，其特征在于，在對(duì)第一種薄膜進(jìn)行干蝕期間，至少采用一種活性物質(zhì)，它在第二種薄膜的表面上同第二種薄膜材料發(fā)生反應(yīng)，生成一種不具揮發(fā)性的化合物。
9．根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，活性物質(zhì)為一種活性氣體。
10．根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于，選擇的活性氣體由一個(gè)類組成，它包括氣體氧(O2)，氮?dú)?N2)，氫氣(H2)，鹵素，氣態(tài)鹵化物或這些氣體的混合物等。
11．權(quán)利要求6至10之一的方法，其特征在于，在第一種薄膜的干蝕期間采用一種惰氣。
12．根據(jù)權(quán)利要求6至11之一的方法，其特征在于，在第一種薄膜進(jìn)行干蝕時(shí)，采用以下方法活性離子腐蝕(RIE，Reactive IonEtching)，磁場(chǎng)支撐活性離子腐蝕(MERIE，Magnetically EnhancedRIE)，ECR腐蝕(ECR，Electron Cyclotron Resonance)或電感耦合等離子腐蝕方法(ICP，TCP)等等。
13．根據(jù)權(quán)利要求1至5之一的電極裝置的接觸方法，包括以下步驟準(zhǔn)備好權(quán)利要求1至5之一的電極裝置，在該電極裝置上，至少鍍敷或構(gòu)造一種絕緣膜，以便電極裝置至少形成一個(gè)接觸孔，分離第一種導(dǎo)電膜，以對(duì)接觸孔進(jìn)行填充。
14．根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于，絕緣膜含有一種硅的氧化物膜或硅膜。
15．根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其特征在于，硅的氧化物膜通過(guò)一種TEOS或硅烷工藝制成。
16．根據(jù)權(quán)利要求13至15之一的方法，其特征在于，采用一種鋁膜，鎢膜或銅膜作為導(dǎo)電膜。
全文摘要
本發(fā)明講述了一種構(gòu)造方法,它至少可用于一種需要進(jìn)行構(gòu)造的薄膜,它包括以下步驟:準(zhǔn)備好需要進(jìn)行構(gòu)造的薄膜,在需構(gòu)造的薄膜上面放上一種掩膜,對(duì)需構(gòu)造的薄膜進(jìn)行干蝕。本發(fā)明方法的特征在于,掩膜含有一種金屬硅化物,金屬氮化物或金屬氧化物等。
文檔編號(hào)H01L21/8246GK1204861SQ9811566
公開(kāi)日1999年1月13日 申請(qǐng)日期1998年7月3日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月3日
發(fā)明者V·維恩里赫, M·恩格爾哈德特, H·溫德特, W·帕姆勒 申請(qǐng)人:西門(mén)子公司