技術(shù)編號(hào)：6819821
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電極裝置、一種制造該電極裝置的方法以及一種與該電極裝置接觸的方法。隨著高集成存儲(chǔ)組件的發(fā)展，如DRAM或FRAM等，晶胞電容還應(yīng)保留在選進(jìn)的小型化技術(shù)中，或者，它甚至還應(yīng)待于改善。為實(shí)現(xiàn)該目的，需要使用較薄的介質(zhì)層和折疊式電容電極(溝槽式晶胞，迭式晶胞)。近來，為代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅氧化物，采用了新型材料，具體地說，是在存儲(chǔ)單元的電容電極之間加入了順電體和鐵電體。譬如，在DRAM或FRAM中，其存儲(chǔ)單元的電容器里可裝有鈦酸鍶(BST，(Ba，Sr)T...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。