專利名稱：兩個(gè)操作室之間帶可移動(dòng)隔板的濕法處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體器件和液晶顯示(LCD)板的制造中使用的濕法處理裝置。
在半導(dǎo)體器件和液晶顯示(LCD)板的制造中，去除污染的濕法處理工藝很重要，生產(chǎn)的成品率與之密切相關(guān)。一般來(lái)說(shuō)，使用如氫氧化銨/過(guò)氧化氫水混合物(APM)等堿性溶液的濕法處理工藝可除去無(wú)機(jī)顆粒，使用如氫氟酸/過(guò)氧化氫水混合物(SPM)或鹽酸/過(guò)氧化氫水混合物(HPM)等酸性溶液的濕法處理工藝可除去金屬顆粒。同樣，使用如異丙醇(IAP)等醇溶液的濕法處理工藝可除去有機(jī)顆粒，以上提到的兩個(gè)或更多的濕法處理工藝經(jīng)常在一個(gè)濕法處理裝置中進(jìn)行。
現(xiàn)有技術(shù)的濕法處理裝置由使用第一種化學(xué)試劑進(jìn)行第一種工藝的第一操作室、使用第二種化學(xué)試劑進(jìn)行第二種工藝的第二操作室，和位于第一和第二操作室之間用于接收純水的分離池組成，隔板固定在第一和第二操作室之間，將第一操作室與第二操作室隔離開(kāi)。此時(shí)，隔板的下端浸在分離池的純水的液面下(參見(jiàn)JP-A-5-343387)。這將在后面進(jìn)行詳細(xì)的介紹。
在現(xiàn)有技術(shù)的濕法處理裝置中，盛裝晶片的晶片裝載器要在分離池內(nèi)由一個(gè)操作室移動(dòng)到另一個(gè)操作室或反向移動(dòng)，所以分離池的尺寸很大。這就增加了純水的消耗量。此外，分離池內(nèi)晶片的移動(dòng)在晶片和純水之間產(chǎn)生靜電，所以晶片帶電從而損壞了它的功能。
本發(fā)明的一個(gè)目的是減少濕法處理裝置內(nèi)純水的消耗量。
本發(fā)明的另一目的是避免損壞濕法處理裝置內(nèi)處理的晶片的功能。
根據(jù)本發(fā)明，濕法處理裝置包括使用第一種化學(xué)試劑進(jìn)行第一種工藝的第一操作室、使用第二種化學(xué)試劑進(jìn)行第二種工藝的第二操作室，和位于第一和第二操作室之間用于接收純水的分離池。另外，可移動(dòng)隔板設(shè)置在第一和第二操作室之間，將第一操作室與第二操作室隔離開(kāi)。此時(shí)，可移動(dòng)隔板的下端浸在分離池的純水的液面下。因此，可以減小分離池的尺寸，從而減少純水的消耗量。
此外，支承盛裝晶片的裝載器的支承座固定在分離池內(nèi)。也就是，支承座在分離池內(nèi)不能移動(dòng)。其結(jié)果是，不會(huì)產(chǎn)生靜電，因此晶片不會(huì)帶電，所以可以避免損壞晶片的功能。
對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)并結(jié)合附圖可更清楚地理解下面介紹的本發(fā)明。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)濕法處理裝置的示意圖。
圖2A、2B和2C為根據(jù)本發(fā)明濕法處理裝置的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖3為圖2A、2B和2C的裝置部分切除的透視圖。
圖4為和現(xiàn)有技術(shù)相比，顯示本發(fā)明效果的圖表。
在介紹優(yōu)選實(shí)施例之前，先結(jié)合圖1介紹現(xiàn)有技術(shù)的濕法處理裝置參見(jiàn)JP-A-5-343387)。
在圖1中，參考標(biāo)號(hào)1表示包括堿溶液池11和機(jī)械手12的堿環(huán)境操作室，2表示包括酸溶液池21和機(jī)械手22的酸環(huán)境操作室。此外，分離池3插在由隔板4隔離的操作室1和操作室2之間。
不斷向分離池3提供純水，所以不斷有純水從那里溢出。此外，隔板4的下端浸在分離池3的純水的液面下。因此，操作室1完全與操作室2隔離，所以堿蒸汽很難侵入到操作室2中，而酸蒸汽也很難侵入到操作室1中。
此外，可移動(dòng)支承座31安裝在分離池3內(nèi)，從而支承晶片裝載器5。
下面介紹將晶片裝載器5由操作室1移動(dòng)到操作室2的操作過(guò)程。此時(shí)，支承座31位于分離池3內(nèi)操作室1一側(cè)。
首先，盛裝晶片的裝載器5由機(jī)械手12從堿溶液池11移到支承座31上。然后，機(jī)械手12回到堿溶液池11。
接下來(lái)，支承座31在分離池3內(nèi)向操作室2移動(dòng)。其結(jié)果是，晶片裝載器5放置在分離池3內(nèi)操作室2一側(cè)。
最后，由機(jī)械手12將晶片裝載器5由分離池3移到酸溶液池21中。
在圖1的濕法處理裝置中，由于晶片裝載器5要在分離池內(nèi)3由操作室1移動(dòng)到操作室2或反向移動(dòng)，所以分離池3的尺寸很大。例如，分離池3的寬度至少比晶片裝載器5的寬度大兩倍。這就增加了純水的消耗量。特別是，當(dāng)晶片的直徑很大時(shí)，例如200mm到300mm，純水的消耗量顯著增加。
此外，分離池3內(nèi)可移動(dòng)支承座31的移動(dòng)在晶片和具有很大電阻率的純水之間產(chǎn)生靜電，所以晶片帶電從而損壞了它的功能。
在圖示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖2A、2B和2C中，圖1的分離池3被修改為尺寸更小的分離池3’。此時(shí)，分離池3’大約為圖1的分離池3的一半。此外，用安裝在分離池3’內(nèi)的支承座31’代替圖1的可移動(dòng)支承座31。
而且，用可移動(dòng)的隔板4’代替圖1的隔板4。可移動(dòng)的隔板4’由汽缸或油缸(未顯示)驅(qū)動(dòng)的可移動(dòng)機(jī)構(gòu)4’a移動(dòng)。此時(shí)，可移動(dòng)機(jī)構(gòu)4’a由感壓箱(bellows)覆蓋。
下面介紹將晶片裝載器5由操作室1移動(dòng)到操作室2的操作過(guò)程。此時(shí)，隔板4’位于分離池3’在操作室2側(cè)的邊上。
首先，如圖2A所示，盛裝晶片的裝載器5由機(jī)械手12從堿溶液池11移到支承座31’上。然后，機(jī)械手12回到堿溶液池11。此時(shí)，分離池3’在堿環(huán)境中。
接下來(lái)，如圖2B所示，可移動(dòng)的隔板4’移到分離池3’在操作室1一側(cè)的邊上，可移動(dòng)的隔板4’的下緣浸在分離池3’的液面下。其結(jié)果是，分離池3’由堿環(huán)境傳送到酸環(huán)境中。
最后，如圖2C所示，由機(jī)械手22將晶片裝載器5由分離池3’移到酸溶液池21中。
圖3為圖2A、2B和2C的裝置的部分切除的透視圖，在壁7頂上設(shè)置有包圍分離池3’的清洗噴淋裝置6。清洗噴淋裝置6向壁7的內(nèi)表面噴射純水，所以附在其上的堿或酸材料被純水沖洗掉。此外，純水由排泄管8排掉。因此，即使堿材料和酸材料交替附在壁7上并交替蒸發(fā)，堿材料也很難與酸材料混合。
圖4顯示了圖1和圖2A(2B、2C)的濕法處理裝置的純水消耗量，和圖1的裝置相比，圖2A(2B、2C)的裝置的純水消耗量顯著減少。
綜上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于分離池的尺寸減小，所以純水的消耗量減少。此外，支承盛裝晶片的裝載器的支承座固定在分離池內(nèi)，因此晶片不會(huì)帶電，所以晶片的功能不易損壞。
權(quán)利要求
1.一種濕法處理裝置，其特征在于包括使用第一種化學(xué)試劑進(jìn)行第一種工藝的第一操作室(1)；使用第二種化學(xué)試劑進(jìn)行第二種工藝的第二操作室(2)；位于第一和第二操作室之間用于接收純水的分離池(3’)；可移動(dòng)隔板(4’)設(shè)置在所述第一和第二操作室之間，將所述第一操作室與所述第二操作室隔離開(kāi)，所述可移動(dòng)隔板的下端浸在所述分離池的純水的液面下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于所述可移動(dòng)隔板的可移動(dòng)機(jī)構(gòu)(4’a)由感壓箱覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于還包括包圍所述分離池的壁(7)；和向所述壁的內(nèi)表面噴射純水的清洗噴淋裝置(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的裝置，其特征在于所述清洗噴淋裝置安裝在所述壁的頂上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其特征在于還包括固定在所述分離池內(nèi)用于支承裝載器(5)的支承座(31’)。
全文摘要
一種濕法處理裝置包括使用第一種化學(xué)試劑進(jìn)行第一種工藝的第一操作室(1)和使用第二種化學(xué)試劑進(jìn)行第二種工藝的第二操作室(2),位于第一和第二操作室之間用于接收純水的分離池(3’)。以及,可移動(dòng)隔板(4’)設(shè)置在第一和第二操作室之間,將第一操作室與第二操作室隔離開(kāi),可移動(dòng)隔板的下端浸在所述分離池的純水的液面下。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1178390SQ97116948
公開(kāi)日1998年4月8日 申請(qǐng)日期1997年9月30日 優(yōu)先權(quán)日1996年9月30日
發(fā)明者山崎進(jìn)也 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社