本技術涉及太陽能電池片制造，具體涉及一種硅片傳輸裝置的矯正裝置。

背景技術：

1、晶體硅類太陽能電池的制備一般經(jīng)過制絨、擴散、鍍膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)等工序。在對太陽能硅片加工過程中，設及到多步上料和下料等運送過程，這些過程通常由傳輸裝置實現(xiàn)。在現(xiàn)有技術中，當硅片在放入或移出傳輸裝置時，無法保證每片硅片的位置和傳輸方向均一致，或硅片在傳輸裝置內(nèi)的運送過程中，會發(fā)生位置的偏移，這兩種情況最終都會影響到硅片傳輸完成之后的收集擺放，進而影響在下一工序的使用，導致整體生產(chǎn)效率降低。

技術實現(xiàn)思路

1、為克服上述缺點，本實用新型的目的在于提供一種硅片傳輸裝置的矯正裝置，以解決上述背景技術中提出的硅片在傳輸裝置進行傳輸?shù)倪^程中會產(chǎn)生位置的偏移，影響硅片在下一工序的使用的問題。

2、為了達到以上目的，本實用新型采用的技術方案是一種硅片傳輸裝置的矯正裝置，包括多個傳輸輥輪和多個矯正單元，其中，所述多個傳輸輥輪沿第一方向間隔設置，每個所述傳輸輥輪均沿第二方向延伸，并能夠沿周向轉(zhuǎn)動。所述多個矯正單元沿所述第二方向間隔套設于每個所述傳輸輥輪。每個所述矯正單元包括沿所述第二方向相對設置的第一矯正環(huán)和第二矯正環(huán)。

3、所述第一矯正環(huán)包括第一傾斜面，所述第二矯正環(huán)包括第二傾斜面。所述第一傾斜面和所述第二傾斜面沿相反方向傾斜設置，并形成第一承載空間。

4、本實用新型提供的硅片傳輸裝置的矯正裝置包括多個傳輸輥輪和多個矯正單元，每個傳輸輥輪均套設有多個矯正單元，每個矯正單元包括沿第二方向相對設置的第一矯正環(huán)和第二矯正環(huán)，兩個矯正環(huán)沿相反方向傾斜設置有第一傾斜面和第二傾斜面，兩個傾斜面形成第一承載空間。對于處于水平傳輸狀態(tài)的硅片而言，在進入到矯正裝置后，硅片隨著傳輸輥輪的轉(zhuǎn)動而向傳輸方向傳動，最終移出矯正裝置，進入到下一工序。對于處于傾斜傳輸狀態(tài)的硅片而言，在進入到矯正裝置后，硅片在每個傳輸輥輪旋轉(zhuǎn)的慣性帶動，以及多個傾斜面的傾斜導向作用下，促使硅片從傾斜傳輸狀態(tài)矯正到水平傳輸狀態(tài)。

5、在一些實施方式中，所述第一傾斜面靠近所述第二傾斜面的一端在第三方向上低于遠離所述第二傾斜面的一端。所述第二傾斜面靠近所述第一傾斜面的一端在所述第三方向上低于遠離所述第一傾斜面的一端。

6、采用上述技術方案，第一傾斜面和第二傾斜面均為由高到低的相對設置，使得硅片在處于水平傳輸狀態(tài)時，能夠與下方的傳輸輥輪存在一定的間隙，避免硅片在矯正裝置內(nèi)黏附到其他雜質(zhì)。

7、在一些實施方式中，所述第一矯正環(huán)沿所述第二方向的一端包括第一豎直面，所述第一豎直面沿所述第三方向延伸，用于連接所述第一傾斜面和所述傳輸輥輪；所述第二矯正環(huán)沿所述第二方向的一端包括第二豎直面，所述第二豎直面沿所述第三方向延伸，用于連接所述第二傾斜面和所述傳輸輥輪。

8、采用上述技術方案，第一豎直面、第二豎直面均沿第三方向延伸，用于連接第一傾斜面和傳輸輥輪，第二豎直面用于連接第二傾斜面和傳輸輥輪。

9、在一些實施方式中，所述第一傾斜面、所述第二傾斜面與所述第二方向的傾斜角度均為45°。

10、采用上述技術方案，第一傾斜面和第二傾斜面的傾斜角度為45°，此傾斜角度可以實現(xiàn)硅片在第一傾斜面和第二傾斜面內(nèi)的穩(wěn)定滑動。

11、在一些實施方式中，所述硅片傳輸裝置的矯正裝置還包括所述矯正單元包括多個抱緊環(huán)。所述多個抱緊環(huán)沿所述第二方向間隔設置，每個所述抱緊環(huán)沿所述第二方向的兩端包括第三傾斜面和第四傾斜面，所述第三傾斜面和所述第四傾斜面沿相反方向傾斜設置。相鄰的所述抱緊環(huán)的第三傾斜面和第四傾斜面形成第二承載空間，用于矯正傳輸硅片。

12、采用上述技術方案，矯正單元由多個抱緊環(huán)組成，每個抱緊環(huán)的兩端設置有第三傾斜面和第四傾斜面，第三傾斜面和第四傾斜面沿相反方向傾斜設置。相鄰的抱緊環(huán)的第三傾斜面和第四傾斜面形成第二承載空間，用于矯正傳輸硅片。

13、在一些實施方式中，每個所述抱緊環(huán)的第三傾斜面遠離其第四傾斜面的一端，在第三方向上低于其靠近所述第二傾斜面的一端。每個所述抱緊環(huán)的第四傾斜面遠離其第三傾斜面的一端，在第三方向上低于其靠近所述第三傾斜面的一端。

14、采用上述技術方案，抱緊環(huán)兩側(cè)第三傾斜面和第四傾斜面對稱設置，均為由高到低向外延伸，相鄰的抱緊環(huán)通過彼此相對的傾斜面對硅片進行承載。

15、在一些實施方式中，所述第三傾斜面、所述第四傾斜面與所述第二方向的傾斜角度均為20°～40°。

16、采用上述技術方案，第三傾斜面和第四傾斜面傾斜角度在20°～40°的范圍內(nèi)可以加快硅片在第三傾斜面和第四傾斜面內(nèi)的滑動速度，加快矯正裝置的矯正速度。

17、在一些實施方式中，所述矯正單元還包括多個橡膠環(huán)。所述多個橡膠環(huán)凸設于相鄰的所述抱緊環(huán)之間，或所述第一矯正環(huán)和所述第二矯正環(huán)之間。

18、采用上述技術方案，多個橡膠環(huán)凸設于相鄰的抱緊環(huán)之間，或第一矯正環(huán)和第二矯正環(huán)之間，用于對硅片進行彈性保護，防止其處于一個較大的傾斜角度，對矯正過程產(chǎn)生影響。

技術特征：

1.一種硅片傳輸裝置的矯正裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片傳輸裝置的矯正裝置，其特征在于，所述第一傾斜面靠近所述第二傾斜面的一端，在第三方向上低于遠離所述第二傾斜面的一端；所述第二傾斜面靠近所述第一傾斜面的一端，在所述第三方向上低于遠離所述第一傾斜面的一端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片傳輸裝置的矯正裝置，其特征在于，所述第一矯正環(huán)沿所述第二方向的一端包括第一豎直面，所述第一豎直面沿所述第三方向延伸，用于連接所述第一傾斜面和所述傳輸輥輪；所述第二矯正環(huán)沿所述第二方向的一端包括第二豎直面，所述第二豎直面沿所述第三方向延伸，用于連接所述第二傾斜面和所述傳輸輥輪。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片傳輸裝置的矯正裝置，其特征在于，所述第一傾斜面、所述第二傾斜面與所述第二方向的傾斜角度均為45°。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片傳輸裝置的矯正裝置，其特征在于，還包括多個抱緊環(huán)；所述多個抱緊環(huán)沿所述第二方向間隔設置，每個所述抱緊環(huán)沿所述第二方向的兩端包括第三傾斜面和第四傾斜面，所述第三傾斜面和所述第四傾斜面沿相反方向傾斜設置；相鄰的所述抱緊環(huán)的第三傾斜面和第四傾斜面形成第二承載空間，用于矯正傳輸硅片。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片傳輸裝置的矯正裝置，其特征在于，每個所述抱緊環(huán)的第三傾斜面遠離其第四傾斜面的一端，在第三方向上低于其靠近所述第二傾斜面的一端；每個所述抱緊環(huán)的第四傾斜面遠離其第三傾斜面的一端，在第三方向上低于其靠近所述第三傾斜面的一端。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片傳輸裝置的矯正裝置，其特征在于，所述第三傾斜面、所述第四傾斜面與所述第二方向的傾斜角度均為20°～40°。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片傳輸裝置的矯正裝置，其特征在于，所述矯正單元還包括多個橡膠環(huán)；所述多個橡膠環(huán)凸設于相鄰的所述抱緊環(huán)之間，或所述第一矯正環(huán)和所述第二矯正環(huán)之間。

技術總結(jié)
本技術公開了一種硅片傳輸裝置的矯正裝置，包括多個傳輸輥輪和多個矯正單元，多個傳輸輥輪間隔設置，每個傳輸輥輪均套設有多個矯正單元，每個矯正單元包括相對設置的第一矯正環(huán)和第二矯正環(huán)。第一矯正環(huán)包括第一傾斜面，第二矯正環(huán)包括第二傾斜面。第一傾斜面和第二傾斜面沿相反方向傾斜設置，對于處于傾斜傳輸狀態(tài)的硅片，在其進入到矯正裝置后，硅片的一邊會處于傾斜面內(nèi)的高處，另一邊處于傾斜面低處，多個傳輸輥輪推動硅片依次與多個矯正單元接觸，此時硅片在每個傳輸輥輪旋轉(zhuǎn)的慣性帶動，以及多個傾斜面的傾斜導向作用下，促使硅片從傾斜傳輸狀態(tài)矯正到水平傳輸狀態(tài)。

技術研發(fā)人員：王會,譚建輝,戴向榮,李運輝
受保護的技術使用者：蘇州南北深科智能科技有限公司
技術研發(fā)日：20231206
技術公布日：2024/12/30