技術特征：

1.一種內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結構，其特征在于包括低溫共燒玻璃陶瓷基層(1)、Ag-Pd系厚膜導體層(2)、BaTiO₃系厚膜電容(3)、RuO₂系厚膜電阻(4)和Ag-Pd系厚膜導體電感(5)，所述低溫共燒玻璃陶瓷基層(1)嵌入兩所述Ag-Pd系厚膜導體層(2)之間，所述低溫共燒玻璃陶瓷基層(1)至少為三層，同層的所述低溫共燒玻璃陶瓷基層(1)之間存在間隔(6)，所述間隔(6)處通過設置Ag-Pd系厚膜導體層(2)將上下層級的Ag-Pd系厚膜導體層(2)聯(lián)通，所述BaTiO₃系厚膜電容(3)、RuO₂系厚膜電阻(4)和Ag-Pd系厚膜導體電感(5)分別嵌入所述Ag-Pd系厚膜導體層(2)內(nèi)。

2.根據(jù)權利要求1所述的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結構，其特征在于所述低溫共燒玻璃陶瓷基層(1)為4層，所述Ag-Pd系厚膜導體層(2)為5層。

3.根據(jù)權利要求2所述的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結構，其特征在于所述Ag-Pd系厚膜導體電感(5)設置于從上至下的第二所述Ag-Pd系厚膜導體層(2)內(nèi)。

4.根據(jù)權利要求2所述的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結構，其特征在于所述RuO₂系厚膜電阻(4)設置于從上至下的第三或第四所述Ag-Pd系厚膜導體層(2)內(nèi)。

5.根據(jù)權利要求2所述的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結構，其特征在于所述BaTiO₃系厚膜電容(3)設置于從上至下的第三所述Ag-Pd系厚膜導體層(2)內(nèi)。

6.根據(jù)權利要求1所述的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結構，其特征在于所述BaTiO₃系厚膜電容(3)的設置方式為：所述Ag-Pd系厚膜導體層(2)分別搭接在所述BaTiO₃系厚膜電容(3)的頂部和底部。