本實用新型涉及微組裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)代軍、民用電子裝備，尤其是機載、艦載、星載和車載等雷達和通訊系統(tǒng)，正在向小型化、輕量化、高工作頻率、多功能、高可靠和低成本等方向發(fā)展，對組裝和互聯(lián)技術(shù)提出了越來越高的要求。隨著相控陣體制在雷達和通訊等電子整機中的廣泛應(yīng)用，需要研制生產(chǎn)大量小型化、高密度、多功能微波組件。微組裝技術(shù)是實現(xiàn)電子裝備小型化、輕量化、高密度三維互連結(jié)構(gòu)、寬工作頻帶、高工作頻率和高可靠性等目標(biāo)的重要技術(shù)途徑。從組裝技術(shù)發(fā)展的規(guī)律來看，組裝密度每提高10％，電路模塊的體積可減少40-50％、重量減少20-30％。微組裝技術(shù)對減小微波組件的體積和重量，滿足現(xiàn)代電子武器裝備小型化、輕量化、數(shù)字化、低功耗的要求具有重要的意義。微組裝技術(shù)在航空、航天和船舶等平臺的電子裝備上得到了越來越廣泛的應(yīng)用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能夠有效降低損耗的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結(jié)構(gòu)。

考慮到現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，根據(jù)本實用新型的一個方面，為解決上述的技術(shù)問題，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

一種內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結(jié)構(gòu)，包括低溫共燒玻璃陶瓷基層、Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層、BaTiO₃系厚膜電容、RuO₂系厚膜電阻和Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體電感，所述低溫共燒玻璃陶瓷基層嵌入兩所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層之間，所述低溫共燒玻璃陶瓷基層至少為三層，同層的所述低溫共燒玻璃陶瓷基層之間存在間隔，所述間隔處通過設(shè)置Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層將上下層級的Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層聯(lián)通，所述BaTiO₃系厚膜電容、RuO₂系厚膜電阻和Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體電感分別嵌入所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層內(nèi)。

為了更好地實現(xiàn)本實用新型，進一步的技術(shù)方案是：

根據(jù)本實用新型的一個實施方案，所述低溫共燒玻璃陶瓷基層為4層，所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層為5層。

根據(jù)本實用新型的另一個實施方案，所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體電感設(shè)置于從上至下的第二所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層內(nèi)。

根據(jù)本實用新型的另一個實施方案，所述RuO₂系厚膜電阻設(shè)置于從上至下的第三或第四所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層內(nèi)。

根據(jù)本實用新型的另一個實施方案，所述BaTiO₃系厚膜電容設(shè)置于從上至下的第三所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層內(nèi)。

本實用新型還可以是：

根據(jù)本實用新型的另一個實施方案，所述BaTiO₃系厚膜電容的設(shè)置方式為：所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層分別搭接在所述BaTiO₃系厚膜電容的頂部和底部。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果之一是：

本實用新型的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結(jié)構(gòu)，通過實驗發(fā)現(xiàn)可有效抑制輻射損耗，可以補償通孔帶來的電感效應(yīng)。從實測結(jié)果來看，在13GHz以下?lián)p耗均小于1dB，可以滿足微波組件的應(yīng)用要求。

附圖說明

為了更清楚的說明本申請文件實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)的描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是對本申請文件中一些實施例的參考，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的情況下，還可以根據(jù)這些附圖得到其它的附圖。

圖1為根據(jù)本實用新型一個實施例的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，附圖中的附圖標(biāo)記所對應(yīng)的名稱為：

1－低溫共燒玻璃陶瓷基層，2－Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層，3－BaTiO₃系厚膜電容，4－RuO₂系厚膜電阻，5－Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體電感，6－間隔。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例對本實用新型作進一步地詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。

如圖1所示，圖1為根據(jù)本實用新型一個實施例的內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結(jié)構(gòu)示意圖，一種內(nèi)部埋置無源元件的微波組件基板結(jié)構(gòu)，包括低溫共燒玻璃陶瓷基層1、Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2、BaTiO₃系厚膜電容3、RuO₂系厚膜電阻4和Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體電感5，所述低溫共燒玻璃陶瓷基層1嵌入兩所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2之間，所述低溫共燒玻璃陶瓷基層1至少為三層，同層的所述低溫共燒玻璃陶瓷基層1之間存在間隔6，所述間隔6處通過設(shè)置Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2將上下層級的Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2聯(lián)通，所述BaTiO₃系厚膜電容3、RuO₂系厚膜電阻4和Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體電感5分別嵌入所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2內(nèi)。

所述低溫共燒玻璃陶瓷基層1為4層，所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2為5層。

所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體電感5設(shè)置于從上至下的第二所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2內(nèi)。

所述RuO₂系厚膜電阻4設(shè)置于從上至下的第三或第四所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2內(nèi)。

所述BaTiO₃系厚膜電容3設(shè)置于從上至下的第三所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2內(nèi)。

所述BaTiO₃系厚膜電容3的設(shè)置方式為：所述Ag-Pd系厚膜導(dǎo)體層2分別搭接在所述BaTiO₃系厚膜電容3的頂部和底部。

本實用新型通過內(nèi)部埋置無源元件的方形形成LTCC多層基板的結(jié)構(gòu)，通過實驗發(fā)現(xiàn)可有效抑制輻射損耗，可以補償通孔帶來的電感效應(yīng)。從實測結(jié)果來看，在13GHz以下?lián)p耗均小于1dB，可以滿足微波組件的應(yīng)用要求。

本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其它實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分相互參見即可。

盡管這里參照本實用新型的多個解釋性實施例對本實用新型進行了描述，但是，應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出很多其他的修改和實施方式，這些修改和實施方式將落在本申請公開的原則范圍和精神之內(nèi)。