1.一種具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括結(jié)型勢壘肖特基二極管，所述結(jié)型勢壘肖特基二極管的遠離表面區(qū)域的P型雜質(zhì)區(qū)域向下、向外擴張至N型外延層區(qū)使形成的PN結(jié)，所述PN結(jié)比同等注入寬度、同等摻雜深度的P型雜質(zhì)區(qū)域形成的PN結(jié)相比大，從而降低所述肖特基二極管的反向電場強度。
2.如權(quán)利要求1所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述遠離表面區(qū)域的P型雜質(zhì)區(qū)域增大后的底部截面形狀為曲面，用于優(yōu)化所述肖特基二極管的反向擊穿電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述結(jié)型勢壘肖特基二極管是硅二極管或氮化鎵二極管。
4.如權(quán)利要求1所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述結(jié)型勢壘肖特基二極管是碳化硅二極管，所述碳化硅二極管正面由上至下的包括肖特基電極、歐姆電極、面積增大的P型雜質(zhì)區(qū)、N型外延層區(qū)、N型襯底區(qū),背面包括背面電極。
5.如權(quán)利要求4所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述肖特基電極為鈦、鎳金屬；所述歐姆電極是鎳或鋁多層金屬；所述P型雜質(zhì)區(qū)是鋁或硼的摻雜區(qū)；N型外延層和N型襯底區(qū)為氮摻雜區(qū)；背面金屬電極為鈦、鎳、銀組成的多層金屬層。
6.如權(quán)利要求1所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述P型雜質(zhì)區(qū)域的深度0.2μm～0.5μm，寬度為1μm～4μm。
7.如權(quán)利要求1所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述P型雜質(zhì)區(qū)域向下、向外擴張使面積增大后深度為0.8μm～4μm。
8.如權(quán)利要求1所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述P型雜質(zhì)區(qū)域面積增大時所用的離子注入摻雜的濃度為5e18～2e19/cm2。
9.如權(quán)利要求1所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述P型雜質(zhì)區(qū)域增大后的形狀為曲直結(jié)合的形狀。
10.如權(quán)利要求1所述的具有高性能的半導體器件，其特征在于，所述遠離表面區(qū)域的P型雜質(zhì)區(qū)域增大后的形狀為不規(guī)則曲面的形狀。