本發(fā)明涉及透射電鏡用芯片系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

近年來，由于透射電子顯微鏡(tem，transmissionelectronmicroscope)、掃描電子顯微鏡(sem，scanningelectronmicroscope)、光學(xué)顯微鏡、同步輻射等設(shè)備得以實現(xiàn)觀測高分辨的超細(xì)微結(jié)構(gòu)，在材料、物理、化學(xué)、生物等眾多前沿研究領(lǐng)域中展現(xiàn)其舉足輕重的地位。

但是，對于進(jìn)一步觀測納米級結(jié)構(gòu)的液態(tài)形貌與反應(yīng)變化，在電鏡或同步輻射高真空條件下的工作環(huán)境顯得非常局限，因而大大縮小了應(yīng)用范圍，也限制了人類對于液態(tài)細(xì)微結(jié)構(gòu)的更進(jìn)一步了解和認(rèn)知。

目前，現(xiàn)有技術(shù)一中，芯片載體采用將兩片氮化硅膜對準(zhǔn)蓋上，并用樹脂將縫隙密封上，使液體處于真空狀態(tài)。

但是，這種方法具有下述缺陷：

1、操作步驟復(fù)雜且容易導(dǎo)致氮化硅膜觀測窗口破裂；

2、需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)姆庋b技術(shù)，樹脂用多了容易污染液體，用少了會影響窗口之間的密封性；

3、需要控制封裝液體的量，量大則電子束無法穿透，量小則易揮發(fā)；

4、所形成的芯片載體厚度大，與tem樣品桿的樣品放置口高度不匹配，難以放入tem內(nèi)觀測。

5、成品率低，兩片氮化硅膜難以對準(zhǔn)，成本高。

現(xiàn)有技術(shù)二中，芯片載體的上下氮化硅膜均經(jīng)過設(shè)計，下氮化硅膜有凹槽，上氮化硅膜搭扣在上方，上下氮化硅膜中間留有液體腔空間，并用樹脂將上下氮化硅膜縫隙密封。

但是，其還存在難以封裝液體，將上氮化硅膜蓋下時會擠出大量液體，故無法確定是否將液體成功封裝進(jìn)入液體腔內(nèi)、生產(chǎn)成本高、芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

因此，如何設(shè)計一種容易封裝的芯片系統(tǒng)成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

芯片組件，所述芯片組件包括芯片膜層，所述芯片膜層上設(shè)置有入口、出口以及與所述入口和所述出口連通的介質(zhì)腔，所述入口用于向所述介質(zhì)腔內(nèi)送入待檢測介質(zhì)，所述介質(zhì)腔用于容納所述待檢測介質(zhì)；

抽氣裝置，所述抽氣裝置設(shè)置有抽氣口，所述抽氣口與所述芯片膜層的所述出口密閉連通，以對所述介質(zhì)腔抽氣，以使得所述介質(zhì)腔內(nèi)部形成負(fù)壓。

優(yōu)選地，所述芯片膜層包括層疊設(shè)置的第一芯片膜層和第二芯片膜層，所述第一芯片膜層的背離所述第二芯片膜層的一側(cè)設(shè)置有所述入口和所述出口，所述第二芯片膜層的朝向所述第一芯片膜層的一側(cè)設(shè)置有收容槽，所述收容槽形成所述介質(zhì)腔，所述第一芯片膜層和所述第二芯片膜層密封連接。

優(yōu)選地，所述第一芯片膜層的背離所述第二芯片膜層的一側(cè)還設(shè)置有第一觀察窗，所述第二芯片膜層的背離所述第一芯片膜層的一側(cè)還設(shè)置有第二觀察窗，所述第一觀察窗和所述第二觀察窗對應(yīng)設(shè)置；其中，

當(dāng)所述負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)用于透射模式時，利用所述第一觀察窗和所述第二觀察窗觀測所述介質(zhì)腔內(nèi)的待檢測介質(zhì)的狀態(tài)；

當(dāng)所述負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)用于非透射模式時，利用所述第一觀察窗和所述第二觀察窗中的一者觀測所述介質(zhì)腔內(nèi)的待檢測介質(zhì)的狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述第一芯片膜層的朝向所述第二芯片膜層的一側(cè)還設(shè)置有放置槽，所述第二芯片膜層的尺寸與所述放置槽的尺寸相適配，所述第二芯片膜層安裝在所述第一芯片膜層的所述放置槽內(nèi)，以使得所述第一觀察窗和所述第二觀察窗對齊。

優(yōu)選地，所述芯片組件還包括間隔層，所述間隔層設(shè)置在所述第二芯片膜層上，且所述金屬間隔層環(huán)設(shè)在所述收容槽的周側(cè)。

優(yōu)選地，所述間隔層的材料包括鐵、鋁、銅、鈦、鎳、鋅、錫、鉛、鉻、錳、鋯、釩、鈷、鉬、鎢、金、銀、鈀和鉑中的至少一者。

優(yōu)選地，所述芯片膜層的材料包括硅、氮化硅、氧化硅和石墨烯中的至少一者。

優(yōu)選地，所述抽氣裝置包括底座和與所述底座連接的抽氣組件；

所述底座包括底座本體，所述底座本體上設(shè)置有容納槽以及兩個相對間隔設(shè)置的固定部，所述芯片組件設(shè)置在所述容納槽中；

所述抽氣組件包括抽氣接頭、抽氣件和密封件，所述抽氣接頭包括第一連接部和與所述第一連接部連接的第二連接部，所述第二連接部設(shè)置在所述兩個固定部的間隔中，以使得所述抽氣組件固定設(shè)置在所述底座上；所述第一連接部上設(shè)置有所述抽氣口，且所述抽氣口貫穿所述第一連接部，所述抽氣口的一端與所述芯片組件上的出口通過所述密封件密閉連通，所述抽氣口的另一端與所述抽氣件密閉連通。

優(yōu)選地，每一個所述固定部上設(shè)置有向遠(yuǎn)離另一個所述固定部方向凹陷的凹槽，所述第一連接部插置在兩個所述凹槽內(nèi)。

優(yōu)選地，所述抽氣件包括第一管道和與所述第一管道連通的第二管道，所述第一管道的直徑小于所述第二管道的直徑，所述第一管道的入口與所述抽氣口的另一端密閉連通，所述第一管道的出口與所述第二管道的入口連通，所述第二管道內(nèi)部設(shè)置有活塞件以及與所述活塞件固定連接的抽氣桿，所述抽氣桿帶動所述活塞移動，以使得所述介質(zhì)腔內(nèi)部形成負(fù)壓。

本發(fā)明的負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)，其中的芯片組件中的芯片膜層上設(shè)置有入口、出口以及與所述入口和所述出口連通的介質(zhì)腔，其中的抽氣裝置設(shè)置有抽氣口，所述抽氣口與所述芯片膜層的所述出口密閉連通，以對所述介質(zhì)腔抽氣，以使得所述介質(zhì)腔內(nèi)部形成負(fù)壓，實現(xiàn)對介質(zhì)腔內(nèi)的待檢測介質(zhì)負(fù)壓密封。因此，本發(fā)明的負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)，便于對介質(zhì)腔內(nèi)的待檢測介質(zhì)實現(xiàn)封裝，降低封裝制作成本，簡化封裝工藝步驟，能夠?qū)崿F(xiàn)原位觀測液-液相、固-液相界面的形貌或/及生化反應(yīng)性能表征等。

附圖說明

附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1為本發(fā)明第一實施例中芯片組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明第二實施例中抽氣裝置中的底座的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明第三實施例中抽氣裝置中的抽氣組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明第四實施例中負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明

100：負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)；

110：芯片組件；

111：芯片膜層；

111a：第一芯片膜層；

111a1：入口；

111a2：出口；

111a3：第一觀察窗；

111a4：放置槽；

111b：第二芯片膜層；

111b1：介質(zhì)腔；

111b2：第二觀察窗；

112：間隔層；

120：抽氣裝置；

121：底座；

121a：底座本體；

121b：容納槽；

121c：固定部；

121c1：凹槽；

122：抽氣組件；

122a：抽氣口；

122b：抽氣接頭；

122b1：第一連接部；

122b2：第二連接部；

122c：抽氣件；

122c1：第一管道；

122c2：第二管道；

122c3：抽氣桿；

122d：密封件。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

參考圖1、圖2、圖3和圖4，本發(fā)明涉及一種負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100。其中，所述負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100包括：

芯片組件110，所述芯片組件110包括芯片膜層111，所述芯片膜層111上設(shè)置有入口111a1、出口111a2以及與所述入口111a1和所述出口111a2連通的介質(zhì)腔111b1，所述入口111a1用于向所述介質(zhì)腔111b1內(nèi)送入待檢測介質(zhì)(圖中并未示出)。所述介質(zhì)腔111b1用于容納所述待檢測介質(zhì)。

所述負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100還包括抽氣裝置120。其中，所述抽氣裝置120設(shè)置有抽氣口122a，所述抽氣口122a與所述芯片膜層111的所述出口111a2密閉連通，以對所述介質(zhì)腔111b1抽氣，以使得所述介質(zhì)腔111b1內(nèi)部形成負(fù)壓。

外界待檢測介質(zhì)(待檢測樣品)通過入口111a1進(jìn)入到介質(zhì)腔111b1，之后利用抽氣裝置120對所述介質(zhì)腔111b1內(nèi)部進(jìn)行抽氣，以實現(xiàn)對所述介質(zhì)腔111b1內(nèi)部的待檢測介質(zhì)實現(xiàn)負(fù)壓封裝密封。

需要說明的是，對于抽氣裝置120的具體結(jié)構(gòu)并沒有作出限定，例如，該抽氣裝置120可以包括一個抽氣泵(圖中并未示出)和與該抽氣泵連通的抽氣管道(圖中并未示出)，該抽氣管道的入口連通所述芯片膜層111的出口111a2，以利用所述抽氣泵對所述芯片膜層111的介質(zhì)腔111b1內(nèi)部實現(xiàn)負(fù)壓式密封。當(dāng)然，抽氣裝置120還可以是其他能夠?qū)崿F(xiàn)抽氣的結(jié)構(gòu)，在此不作限定。

本實施例結(jié)構(gòu)的負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100，其中的芯片組件110中的芯片膜層111上設(shè)置有入口111a1、出口111a2以及與所述入口111a1和所述出口111a2連通的介質(zhì)腔111b1，其中的抽氣裝置120設(shè)置有抽氣口122a，所述抽氣口122a與所述芯片膜層111的所述出口111a2連通，以對所述介質(zhì)腔111b1抽氣，以使得所述介質(zhì)腔111b1內(nèi)部形成負(fù)壓，實現(xiàn)對介質(zhì)腔111b1內(nèi)的待檢測介質(zhì)負(fù)壓密封。因此，本實施例結(jié)構(gòu)的負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100，便于對介質(zhì)腔111b1內(nèi)的待檢測介質(zhì)實現(xiàn)封裝，降低封裝制作成本，簡化封裝工藝步驟，能夠?qū)崿F(xiàn)原位觀測液-液相、固-液相界面的形貌或/及生化反應(yīng)性能表征等。

優(yōu)選地，如圖1所示，為了簡化上述芯片膜層111的制作工藝。所述芯片膜層111包括層疊設(shè)置的第一芯片膜層111a和第二芯片膜層111b，所述第一芯片膜層111a的背離所述第二芯片膜層111b的一側(cè)設(shè)置有所述入口111a1和所述出口111a2，也就是說，如圖1所示，所述第一芯片膜層111a的頂部設(shè)置有所述入口111a1和所述出口111a2。所述第二芯片膜層111b的朝向所述第一芯片膜層111a的一側(cè)設(shè)置有收容槽，也就是說，如圖1所示，所述第二芯片膜層111b的頂部設(shè)置有所述收容槽，該收容槽形成所述介質(zhì)腔111b1，所述第一芯片膜層111a和所述第二芯片膜層111b密封連接。

也就是說，該結(jié)構(gòu)的負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100，其中的芯片組件110中的芯片膜層111可以分別進(jìn)行加工制作。例如，對于第一芯片膜層111a上的入口111a1和出口111a2的結(jié)構(gòu)，可以在該第一芯片膜層111a上涂覆光刻膠層(圖中并未示出)，根據(jù)預(yù)先設(shè)計的掩模板(圖中并未示出)，該掩模板上具有與所述入口111a1和所述出口111a2的形狀相匹配的圖案，利用掩模板對光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，以在光刻膠層上形成所需要的圖案(也就是掩模板上的圖形，其與所述入口111a1和所述出口111a2的形狀相匹配)，最后以光刻膠層為掩模，在第一芯片膜層111a上刻蝕出所需要的圖形，例如，所述第一芯片膜層111a上的入口111a1和所述出口111a2的形狀。相應(yīng)地，第二芯片膜層111b上所設(shè)置的介質(zhì)腔111b1，也可以通過類似方法進(jìn)行制作，在此并不作贅述。當(dāng)然，第一芯片膜層111a和第二芯片膜層111b還可以采用其他的刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。

優(yōu)選地，如圖1所示，所述第一芯片膜層111a的背離所述第二芯片膜層111b的一側(cè)還設(shè)置有第一觀察窗111a3，所述第二芯片膜層111b的背離所述第一芯片膜層111a的一側(cè)還設(shè)置有第二觀察窗111b2，所述第一觀察窗111a3和所述第二觀察窗111b2對應(yīng)設(shè)置；其中，

當(dāng)所述負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100用于透射模式時，可以分別利用所述第一觀察窗111a3和所述第二觀察窗111b2觀測所述介質(zhì)腔111b1內(nèi)的待檢測介質(zhì)的狀態(tài)；

當(dāng)所述負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100用于非透射模式時，可以利用所述第一觀察窗111a3和所述第二觀察窗111b2中的一者觀測所述介質(zhì)腔111b1內(nèi)的待檢測介質(zhì)的狀態(tài)。顯然，第一觀察窗111a3和第二觀察窗111b2應(yīng)當(dāng)采用透明的材料所制作形成，另外，為了簡化芯片組件100的制作工藝，該第一觀察窗111a3可以由第一芯片膜層111a經(jīng)過減薄工藝處理所形成，相應(yīng)地，第二觀察窗111b2也可以由第二芯片膜層111b經(jīng)過減薄工藝處理所形成。

需要說明的是，上述透射模式可以包括透射電鏡(tem)、同步輻射、光學(xué)顯微鏡背光模式等。上述非透射模式可以包括掃描電子顯微鏡(sem)的背散射式二次電子模式或光學(xué)顯微鏡的頂光源觀測模式等。

優(yōu)選地，如圖1所示，為了便于使得第一觀察窗111a3和第二觀察窗111b2能夠精確對準(zhǔn)，所述第一芯片膜層111a的朝向所述第二芯片膜層111b的一側(cè)還設(shè)置有放置槽111a4，所述第二芯片膜層111b的尺寸與所述放置槽111a4的尺寸相適配，所述第二芯片膜層111b安裝在所述第一芯片膜層111a的所述放置槽111a4內(nèi)，以使得所述第一觀察窗111a3和所述第二觀察窗111b2對齊，。

本實施例結(jié)構(gòu)的負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100，在組裝該結(jié)構(gòu)的芯片組件110時，可以將第二芯片膜層111b直接安裝在第一芯片膜層111a的放置槽111a4內(nèi)，此時，可以使得第一觀察窗111a3和第二觀察窗111b2恰好能夠精確對準(zhǔn)，同時，在所述第一芯片膜層111a和所述第二芯片膜層111b對準(zhǔn)蓋好后兩個觀察窗之間還不容易移動，便于封膠，另外這樣的設(shè)計能夠大大降低芯片膜層111整體的厚度。

優(yōu)選地，如圖1所示，所述芯片組件110還包括金屬間隔層112。其中，所述金屬間隔層112設(shè)置在所述第二芯片膜層111b上，且所述金屬間隔層112環(huán)設(shè)在所述收容槽的周側(cè)。

需要說明的是，對于金屬間隔層112的制作材料并沒有作出限定，例如，其可以包括鐵、鋁、銅、鈦、鎳、鋅、錫、鉛、鉻、錳、鋯、釩、鈷、鉬、鎢、金、銀、鈀、鉑、鉭等金屬材料制作形成。

可替代地，金屬間隔層112也可以不通過沉積金屬材料形成，而是由第二芯片膜層111b直接刻蝕形成。

優(yōu)選地，所述芯片膜層111的材料還可以是硅、氧化硅或石墨烯。

優(yōu)選地，如圖2、圖3和圖4所示，所述抽氣裝置120包括底座121和與所述底座121連接的抽氣組件122，所述芯片組件110設(shè)置在所述底座121上，所述抽氣組件122設(shè)置有所述抽氣口122a。

具體地，所述底座121包括底座本體121a，所述底座本體121a上設(shè)置有容納槽121b以及兩個相對間隔設(shè)置的固定部121c，所述芯片組件110設(shè)置在所述容納槽121b中。

具體地，上述抽氣組件122包括抽氣接頭122b、抽氣件122c和密封件122d，所述抽氣接頭122b包括第一連接部122b1和與所述第一連接部122b1連接的第二連接部122b2，所述第二連接部122b2設(shè)置在所述兩個固定部121c的間隔中，以使得所述抽氣組件122固定設(shè)置在所述底座121上；所述第一連接部122b1上設(shè)置有所述抽氣口122a，且所述抽氣口122a貫穿所述第一連接部122b1，所述抽氣口122a的一端與所述芯片組件110上的出口111a2通過所述密封件122d(該密封件122d可以為橡膠圈，當(dāng)然，其還可以是其他結(jié)構(gòu)的密封件)密閉連通，所述抽氣口122a的另一端與所述抽氣件122c密閉連通。

為了使得所述抽氣組件122與所述底座121更穩(wěn)固地連接，優(yōu)選地，如圖2所示，每一個所述固定部121c上設(shè)置有向遠(yuǎn)離另一個所述固定部121c方向凹陷的凹槽121c1，所述第二連接部122b2插置在兩個所述凹槽121c1內(nèi)。

作為上述抽氣件122c的一種具體結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，如圖3所示，所述抽氣件122c包括第一管道122c1和與所述第一管道122c1連通的第二管道122c2，所述第一管道122c1的直徑小于所述第二管道122c2的直徑，所述第一管道122c1的入口與所述抽氣口122a的另一端密閉連通，所述第一管道122c1的出口與所述第二管道122c2的入口連通，所述第二管道122c2內(nèi)部設(shè)置有活塞件(圖中并未示出)以及與所述活塞件固定連接的抽氣桿122c3，所述抽氣桿122c3帶動所述活塞件移動，以使得所述介質(zhì)腔111b1內(nèi)部形成負(fù)壓。

對于負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100各結(jié)構(gòu)的尺寸并沒有限定。例如，其中的芯片組件110的整體厚度可以為5-1000μm，整體寬度可以為0.1-10mm。其中，入口111a1的最大寬度可以為2-1000μm，第一觀察窗111a3和第二觀察窗111b2的最大寬度可以為1-1000μm，介質(zhì)腔111b1的寬度可以為1-5000μm(垂直于圖1紙面向里的寬度)，其厚度可以為1-3000nm。金屬間隔層112的寬度(垂直于圖1紙面向里的寬度)可以為1-5000μm。

對于抽氣裝置120部分的尺寸，其中，底座121部分的尺寸，例如，底座本體121a的寬度可以為0.5～10cm。容納槽121b的寬度可以為1-10mm，深度可以為5～1000μm。固定部121c的高度可以為0.5～5cm，長度可以為0.1～3cm，寬度可以為0.1～3cm，凹槽121c1的長度可以為0.05～2.5cm，寬度可以為0.05～2.5cm。另外，對于抽氣組件122的尺寸，其中，第一連接部122b1的長度可以為0.1～3cm，寬度可以為0.05～2.5cm，高度可以為0.5～5cm，第二連接部122b2的長度可以為0.01～2.5cm，第二連接部122b2的寬度可以為0.01～2.5cm，高度可以為0.5～5cm。另外，對于抽氣口122a，其形狀可以是圓形、橢圓形、方形等。為了保持密封，在抽氣口122a處還可以設(shè)置有上述的密封件122d，其直徑可以為0.01～1cm。第一管道122c1和第二管道122c2的長度可以為1～100cm，其材質(zhì)可以為金屬，橡膠，塑料等。

下面結(jié)合圖1至圖4對本發(fā)明的負(fù)壓式介質(zhì)腔芯片系統(tǒng)100的具體封裝方法作具體說明：

將第一芯片膜層111a與第二芯片膜層111b對準(zhǔn)，也就是說，將第二芯片膜層111b放置在第一芯片膜層111a的放置槽111a4內(nèi)，用樹脂密封，且還能夠使得第一觀察窗111a3和第二觀察窗111b2精確對準(zhǔn)。兩片芯片膜層對準(zhǔn)蓋好后不易移動，便于封膠，另外這樣的設(shè)計大大降低了芯片膜層111整體的厚度。然后放入抽氣裝置120的底座121中的容納槽121b中，將抽氣組件122的抽氣接頭122b固定設(shè)置在所述底座121中的兩個固定部121c的間隔中，使得抽氣接頭122b中的抽氣口122a與芯片組件110中的出口111a2密閉連通。待檢測介質(zhì)(例如，待檢測液體)滴在所述芯片組件110的入口111a1中，將抽氣件122c上部按壓穩(wěn)定后開始提拉抽氣桿122c3，使得活塞件向上移動，形成內(nèi)部負(fù)壓，待檢測液滴隨著內(nèi)部負(fù)壓向介質(zhì)腔111b1流動，肉眼通過兩個觀察窗觀察到待檢測液滴明顯變小后停止提拉，將芯片膜層111上的殘余液滴擦去后，迅速在入口111a1和出口111a2分別滴膠封實，待膠水晾干，即可安裝在透射電鏡樣品桿上的原位液體樣品室送入透射電鏡的真空系統(tǒng)中對液體樣品進(jìn)行觀察。

因此，本發(fā)明的芯片組件110，相比之前的芯片結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)更加簡單，工藝流程簡化，生產(chǎn)成本更低，生產(chǎn)效率更高，裝樣成功率更高，裝樣結(jié)果可直接監(jiān)控，芯片組件110的整體厚度更薄，適用的tem型號更多，使用更加方便。另外，本發(fā)明的芯片組件110的封裝方法，操作簡便，不用人為控制液體的量，整體厚度薄，成功率高，肉眼即可識別有無成功裝樣。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。