本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，具體涉及一種daf芯片的制備方法。

背景技術(shù)：

晶圓切割(dicing)，也叫劃片(diesawing)，將做好芯片的整片晶圓通過切割工藝進行分割，形成若干個獨立的單顆芯片(die)，為后續(xù)工序做準備。它是半導體芯片制造工藝流程中的一道必不可少的工序，在晶圓制造中屬于后道工序。目前，常用的切割工藝有刀片切割(bladesaw)和激光切割。激光切割利用激光進行切割，在切割過程中晶圓不易破碎，切割后的芯片光滑平整，但是所需的激光切割機價格昂貴，成本較高。刀片切割利用劃片系統(tǒng)進行切割，在晶圓切割市場仍然占據(jù)較大份額。

目前，晶圓切割主要是晶圓粘接在藍膜或者紫外線(ultraviolet，uv)膜等膠膜上，這種膠膜在切割時具有高粘著力，保證芯片不飛散、不脫落，減少切割中所產(chǎn)生的晶圓崩碎，保持晶圓的完整，同時確保晶圓在正常傳送過程中芯片不會有位移、掉落的情形，在切割完成后對膠膜進行特定處理，粘著力降低，便于芯片與膠膜的分離。

芯片正裝貼片一般采用2種方式，epoxy貼片和daf(dieattachfilm)貼片。epoxy貼片將去除膠膜的芯片粘貼于覆蓋epoxy結(jié)合材料的基片上；daf貼片由于芯片背面具有daf，可以直接與基片進行粘貼，不需要在基片上涂覆epoxy結(jié)合材料。

貼uv膠膜或者nonuv膠膜的晶圓在晶圓切割后，形成一顆顆單獨的芯片，芯片正裝貼片時還需要在芯片和基片之間涂覆epoxy結(jié)合材料，結(jié)合材料的涂覆面積通常大于芯片本身的面積，導致封裝尺寸較大。由于daf貼片使用時非常便捷，同時還能降低封裝尺寸，因此，還希望將切割后的芯片采用daf方式進行貼片，需將uv膠帶或者nonuv膠帶揭掉，再重新貼daf膠膜，但此時芯片已經(jīng)完全分開，與整面晶圓的方式加工相比，將芯片再按照切割前進行排布，很難達到切割前的排布精度，因此即使將上述切割后的芯片放置在daf膠膜上，也無法使用傳統(tǒng)的bladesaw工藝將其切開，因為傳統(tǒng)的bladesaw切割方式為刀片切割，刀片切割的方式可以整行或整列切割，但是在每行切割時無法隨時調(diào)整切割位置，由于切割后的芯片放置在daf膠膜上無法保持整行整列的對齊精度，因此刀片切割后芯片的成品率很低，對芯片造成了浪費。目前可采用的切割方式是激光切割，由于激光切割可以精確控制切割的位置，但是激光切割機價格高昂，成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的已切割芯片轉(zhuǎn)化成daf芯片成本高的缺陷。

為此，本發(fā)明提供一種daf芯片的制備方法，包括以下步驟：

將切割后的若干芯片放置于daf膜上，其中任意兩個芯片在橫向和縱向延伸方向上均不相交；

根據(jù)每個芯片的位置確定橫向切割線和縱向切割線；

對所述daf膜按照所述橫向切割線和縱向切割線進行切割。

可選地，所述對所述daf膜按照所述橫向切割線和縱向切割線進行切割的步驟中，采用刀片切割的方式進行切割。

可選地，所述將切割后的若干芯片放置于daf膜上的步驟中，相鄰的兩個芯片在橫向和縱向上的間隙大于切割刀片的厚度。

可選地，所述將切割后的若干芯片放置于daf膜上的步驟中，所述芯片排列于daf膜直徑所在直線上，芯片的貼片方向與所述直徑方向呈45度角。

可選地，所述對所述daf膜按照所述橫向切割線和縱向切割線進行切割的步驟中，所述刀片切割的切割速度為30-90mm/s。

可選地，所述對所述daf膜按照所述橫向切割線和縱向切割線進行切割的步驟中，所述刀片切割的切割速度為70mm/s。

可選地，所述將切割后的若干芯片放置于daf膜上的步驟之前，還包括將所述daf膜固定于具有收納及固定晶圓作用的框架上。

可選地，所述對所述daf膜按照所述橫向切割線和縱向切割線進行切割的步驟之前，還包括對所述daf膜進行烘烤處理，使所述芯片和所述daf膜上的daf完全貼附。

本發(fā)明還提供一種使用上述daf芯片的制備方法制備的芯片。

本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點：

本發(fā)明提供的daf芯片的制備方法，包括：將切割后的若干芯片放置于daf膜上，其中任意兩個芯片在橫向和縱向延伸方向上均不相交；根據(jù)每個芯片的位置確定橫向切割線和縱向切割線；對daf膜按照橫向切割線和縱向切割線進行切割。該種制備方法將切割后的芯片以任意兩個芯片在橫向和縱向延伸方向上均不相交的方式放置于daf膜上，之后根據(jù)每個芯片的位置確定切割線，按照切割線對芯片進行切割，這樣可以采用刀片切割方式進行切割，降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例中daf芯片的制備方法的一個具體示例的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例中daf芯片的制備方法的一個具體優(yōu)化示例的流程圖；

圖3-圖9為本發(fā)明實施例中daf芯片的制備方法的具體步驟的示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，還可以是兩個元件內(nèi)部的連通，可以是無線連接，也可以是有線連接。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，下面所描述的本發(fā)明不同實施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

實施例

本實施例提供一種daf芯片的制備方法，用于將切割后的芯片采用daf方式進行貼片后再重新切割，具體流程圖如圖1所示。作為本實施例的一個優(yōu)選方案的具體流程圖，如圖2所示，包括如下步驟：

s00：將daf膜10固定于具有收納及固定晶圓作用的框架20上，daf膜10包括膠膜11和位于膠膜11上的daf12，如圖3所示。一片晶圓需要經(jīng)過復(fù)雜的工藝制作而成，之后還需要對晶圓進行多道工序的處理以得到最終產(chǎn)品，剛制作好的晶圓的厚度通常為幾百微米，如果不對晶圓進行保護在運輸或者加工過程中對晶圓造成劃傷、缺口等損傷，則會對下一道工序影響非常的大，甚至造成整片晶圓的報廢，所以在晶圓切割的過程中對晶圓的保護顯得格外的重要，晶圓框架可以避免晶圓隨意滑動，避免膠帶的皺摺及晶粒之間相互碰撞，能夠有效地保護晶圓的完整度，同時便于周轉(zhuǎn)搬運。

s01：將切割后的若干芯片30放置于daf膜10上，其中任意兩個芯片30在橫向和縱向延伸方向上均不相交。晶圓切割過程中需要將晶圓固定在框架20上，一片晶圓上包括若干個芯片30，晶圓切割完成之后，此時的芯片30的背面沒有daf，如圖4所示。將切割后的芯片30取出按照任意兩個芯片30在橫向和縱向延伸方向上均不相交的方式放置于daf膜上，如圖5所示，這樣可以保證后續(xù)對每個芯片進行刀片切割時其它芯片不會受到損傷，避免對芯片造成浪費，同時也便于對切割過程的控制。在本實施例中芯片排列于daf膜直徑所在直線上，芯片的貼片方向與所述直徑方向呈45度角，如圖5所示，貼放于直徑方向上能夠放置更多的芯片，貼片方向與直徑方向呈45度角，為了便于貼放操作，如果是機器貼片，通過設(shè)置角度使芯片的方向能夠很好的保持一致，如果是人工貼片，貼放的誤差會相對較大，固定特殊的角度盡可能保證貼片方向的一致性，當然，在其它可實施例中，芯片也可以排列于其它位置，如排列于直徑外所在的直線上，如圖6所示，也可以設(shè)置其它貼放方向，只要能保證貼放后任意兩個芯片在橫向和縱向延伸方向上均不相交即可，根據(jù)需要合理設(shè)置即可。芯片放置的橫向和縱向方向的間隙與貼片精度和采用的切割方式有關(guān)。貼片的精度高，則間隙可以設(shè)置的較小，這樣可以貼放更多的芯片，但精度控制成本會增加，對后續(xù)的切割也相應(yīng)地提出了更高的要求；貼片精度低時，則間隙便會大，精度控制成本低，后續(xù)切割的可控性及可操作性更高，綜合考慮多方面的影響因素后根據(jù)需求合理選擇即可。不同的切割方式對間隙的要求也不同，如激光切割可以達到很高的精度控制，間隙可以適當?shù)臏p??；采用刀片切割時，由于刀片具有一定的厚度，為了便于切割，間隙便會較大，間隙的大小根據(jù)需求合理選擇即可。此外，相鄰兩個芯片之間的橫向和/或縱向的間距可以設(shè)置成一致，也可以設(shè)置成不一致，當設(shè)置成一致時，后續(xù)切割過程中不需要對切割進行過多的控制，可以一次設(shè)置切割步距便可完成整個切割過程，可控性更高，操作更便捷，根據(jù)需要合理設(shè)置即可。在本實施例中，由于采用刀片切割方式，相鄰的兩個芯片在橫向和縱向上的間隙大于切割刀片的厚度，保證刀片切割過程不會對芯片造成損傷，同時便于切割操作。

s02：根據(jù)每個芯片的位置確定切割線40，切割線包括橫向切割線41和縱向切割線42，如圖7所示，本圖中所示的切割線并不是真實存在的線，而是一種切割位置的示意，刀片是根據(jù)該切割的線所在位置進行切割的。在本實施例中，以每個芯片的四個邊緣分別作為切割線，這樣切割后得到的芯片尺寸小，與基片進行粘貼時所占面積小，最終得到的產(chǎn)品封裝尺寸小，當然，在其它可實施例中，也可以選擇在間隙的其它位置進行切割，如在間隙的中間位置進行切割，根據(jù)需要合理設(shè)置即可。

s03：對daf膜10進行烘烤處理，使芯片30和daf膜10上的daf12完全貼附，增加芯片和daf的粘合程度，保證芯片在后續(xù)切割過程中的完整性，同時使后續(xù)貼片操作更加簡單便捷、可靠性高。

s04：對daf膜10按照橫向切割線41和縱向切割線42進行切割，切割方式可以是激光切割，也可以是刀片切割，在本實施例中，采用刀片50切割的方式進行切割，切割過程的剖視圖如圖8所示，由于切割過程無需對晶圓進行切割，只需對daf膜10進行切割，切割后便可得到貼有daf的芯片30，因此，刀片切割的切割速度可以比切割晶圓時的速度高，不同的切割刀片的切割速度也不同，較高的切割速度可以節(jié)省時間、減低生產(chǎn)成本，在本實施例中，切割速度設(shè)置為30-90mm/s，優(yōu)選值為70mm/s，當然，在其它可實施例中也可將切割速度設(shè)置為其它值，根據(jù)需要合理選擇即可。daf膜的切割深度既要保證在整個切割過程中芯片不飛散、不移位，又要保證切割后芯片能夠與膠膜11分離，切割深度小，對刀片的損傷程度小，切割速度可以更快，但是過小的切割深度對切割的要求會更高，在本實施例中，切割深度如圖8所示，當然，在其它可實施例中，切割深度也可以設(shè)置為僅將daf膜上的daf切斷(通過多次切割實驗得出切割設(shè)置參數(shù)，將參數(shù)應(yīng)用于切割過程中)，如圖9所示，根據(jù)需要合理設(shè)置即可。

上述daf芯片的制備方法，包括：將切割后的若干芯片放置于daf膜上，其中任意兩個芯片在橫向和縱向延伸方向上均不相交；根據(jù)每個芯片的位置確定橫向切割線和縱向切割線；對daf膜按照橫向切割線和縱向切割線進行切割。該種制備方法將切割后的芯片以任意兩個芯片在橫向和縱向延伸方向上均不相交的方式放置于daf膜上，之后根據(jù)每個芯片的位置確定切割線，按照切割線對芯片進行切割，這樣可以采用刀片切割方式進行切割，一方面可實現(xiàn)不投入設(shè)備即可實現(xiàn)類似于dbg(dicingbeforegrinding)daf晶圓的切割，另一方面也可以實現(xiàn)同一片晶圓采用epoxy貼片和daf貼片2種貼片方式，減少晶圓投入，降低成本。

此外，本實施例中還提供一種芯片，采用上述方法制備而成，通過上述方法制備出的芯片，可以直接粘貼于基片上，操作更加便捷，具有較小的封裝尺寸。

顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍之中。